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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G ONSEMI ntjs3157n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G ONSEMI ntjs4151p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
160+0.44 EUR
322+0.23 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS4405NT1G ONSEMI ntjs4405n-d.pdf NTJS4405NT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTK3043NT1G NTK3043NT1G ONSEMI ntk3043n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.185A; 0.44W; SOT723; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.185A
Power dissipation: 0.44W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2983 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
388+0.18 EUR
559+0.13 EUR
658+0.11 EUR
815+0.088 EUR
1454+0.049 EUR
1539+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTK3134NT1G ONSEMI ntk3134n-d.pdf NTK3134NT1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
116+0.62 EUR
312+0.23 EUR
331+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTK3139PT1G NTK3139PT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F2322A70F33D1&compId=NTK3139P.pdf?ci_sign=ddf9913d6cf072dea7c3cccbb87c174eb1e9a7db Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.57A; 0.45W; SOT723
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.57A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
432+0.17 EUR
562+0.13 EUR
625+0.11 EUR
1137+0.063 EUR
1202+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJD3115PT1G ONSEMI ntljd3115p-d.pdf NTLJD3115PT1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJD3119CTBG ONSEMI ntljd3119c-d.pdf NTLJD3119CTBG Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJD4116NT1G ONSEMI ntljd4116n-d.pdf NTLJD4116NT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJF3117PT1G ONSEMI ntljf3117p-d.pdf NTLJF3117PT1G SMD P channel transistors
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NTLJF4156NT1G ONSEMI ntljf4156n-d.pdf NTLJF4156NT1G SMD N channel transistors
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NTLJF4156NTAG ONSEMI ntljf4156n-d.pdf NTLJF4156NTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJS17D0P03P8ZTAG ONSEMI ntljs17d0p03p8z-d.pdf NTLJS17D0P03P8ZTAG SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJS2103PTBG ONSEMI ntljs2103p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6
Power dissipation: 3.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -24A
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7.7A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJS3D0N02P8ZTAG ONSEMI ntljs3d0n02p8z-d.pdf NTLJS3D0N02P8ZTAG SMD N channel transistors
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NTLJS4114NT1G ONSEMI ntljs4114n-d.pdf NTLJS4114NT1G SMD N channel transistors
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NTLJS4114NTAG ONSEMI ntljs4114n-d.pdf NTLJS4114NTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJS5D0N03CTAG ONSEMI ntljs5d0n03c-d.pdf NTLJS5D0N03CTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJS7D2P02P8ZTAG ONSEMI ntljs7d2p02p8z-d.pdf NTLJS7D2P02P8ZTAG SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUD4C26NTAG ONSEMI NTLUD4C26NTAG Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS020N03CTAG ONSEMI ntlus020n03c-d.pdf NTLUS020N03CTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS030N03CTAG ONSEMI ntlus030n03c-d.pdf NTLUS030N03CTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMC083NP10M5L ONSEMI ntmc083np10m5l-d.pdf NTMC083NP10M5L Multi channel transistors
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NTMD3P03R2G ONSEMI ntmd3p03r2-d.pdf NTMD3P03R2G SMD P channel transistors
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NTMD4N03R2G ONSEMI ntmd4n03r2-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4A; Idm: 12A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N02R2G ONSEMI ntmd6n02r2-d.pdf NTMD6N02R2G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6P02R2G NTMD6P02R2G ONSEMI ntmd6p02r2-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD030N06CT1G ONSEMI ntmfd030n06c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 19A; Idm: 63A; 11W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 11W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD5C446NLT1G ONSEMI ntmfd5c446nl-d.pdf NTMFD5C446NLT1G SMD N channel transistors
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NTMFD5C466NLT1G ONSEMI ntmfd5c466nl-d.pdf NTMFD5C466NLT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD5C466NT1G ONSEMI ntmfd5c466n-d.pdf NTMFD5C466NT1G SMD N channel transistors
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NTMFD5C650NLT1G ONSEMI NTMFD5C650NL-D.PDF NTMFD5C650NLT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD5C672NLT1G ONSEMI ntmfd5c672nl-d.pdf NTMFD5C672NLT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD5C674NLT1G ONSEMI ntmfd5c674nl-d.pdf NTMFD5C674NLT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD5C680NLT1G ONSEMI ntmfd5c680nl-d.pdf NTMFD5C680NLT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD6H846NLT1G ONSEMI ntmfd6h846nl-d.pdf NTMFD6H846NLT1G Multi channel transistors
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NTMFS002N10MCLT1G ONSEMI ntmfs002n10mcl-d.pdf NTMFS002N10MCLT1G SMD N channel transistors
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NTMFS002P03P8ZT1G ONSEMI ntmfs002p03p8z-d.pdf NTMFS002P03P8ZT1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS005N10MCLT1G ONSEMI ntmfs005n10mcl-d.pdf NTMFS005N10MCLT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS005P03P8ZST1G ONSEMI ntmfs005p03p8z-d.pdf NTMFS005P03P8ZST1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS005P03P8ZT1G ONSEMI ntmfs005p03p8z-d.pdf NTMFS005P03P8ZT1G SMD P channel transistors
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NTMFS006N08MC ONSEMI ntmfs006n08mc-d.pdf NTMFS006N08MC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS006N12MCT1G ONSEMI ntmfs006n12mc-d.pdf NTMFS006N12MCT1G SMD N channel transistors
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NTMFS008N12MCT1G ONSEMI ntmfs008n12mc-d.pdf NTMFS008N12MCT1G SMD N channel transistors
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NTMFS010N10GTWG ONSEMI ntmfs010n10g-d.pdf NTMFS010N10GTWG SMD N channel transistors
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NTMFS011N15MC ONSEMI ntmfs011n15mc-d.pdf NTMFS011N15MC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS015N10MCLT1G ONSEMI ntmfs015n10mcl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 54A; Idm: 423A; 79W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 423A
Power dissipation: 79W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS015N15MC ONSEMI ntmfs015n15mc-d.pdf NTMFS015N15MC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS022N15MC ONSEMI ntmfs022n15mc-d.pdf NTMFS022N15MC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS024N06CT1G ONSEMI NTMFS024N06C-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 158A; 14W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 158A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS034N15MC ONSEMI ntmfs034n15mc-d.pdf NTMFS034N15MC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N003C ONSEMI ntmfs08n003c-d.pdf NTMFS08N003C SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N004C ONSEMI NTMFS08N004C SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N2D5C ONSEMI ntmfs08n2d5c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 166A; Idm: 823A; 138W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 2.7mΩ
Power dissipation: 138W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 166A
Pulsed drain current: 823A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D55N03CGT1G ONSEMI ntmfs0d55n03cg-d.pdf NTMFS0D55N03CGT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1G ONSEMI ntmfs0d5n03c-d.pdf NTMFS0D5N03CT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D6N03CT1G ONSEMI ntmfs0d6n03c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 433A; Idm: 900A; 200W; DFN5
Case: DFN5
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 433A
On-state resistance: 620µΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 900A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D7N03CGT1G ONSEMI ntmfs0d7n03cg-d.pdf NTMFS0D7N03CGT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D8N02P1ET1G ONSEMI ntmfs0d8n02p1e-d.pdf NTMFS0D8N02P1ET1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D8N03CT1G ONSEMI ntmfs0d8n03c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 337A; Idm: 900A; 150W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 337A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 150W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.74mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS3157NT1G ntjs3157n-d.pdf
NTJS3157NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS4151PT1G ntjs4151p-d.pdf
NTJS4151PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
160+0.44 EUR
322+0.23 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS4405NT1G ntjs4405n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJS4405NT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTK3043NT1G ntk3043n-d.pdf
NTK3043NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.185A; 0.44W; SOT723; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.185A
Power dissipation: 0.44W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2983 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
388+0.18 EUR
559+0.13 EUR
658+0.11 EUR
815+0.088 EUR
1454+0.049 EUR
1539+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTK3134NT1G ntk3134n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTK3134NT1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
116+0.62 EUR
312+0.23 EUR
331+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTK3139PT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F2322A70F33D1&compId=NTK3139P.pdf?ci_sign=ddf9913d6cf072dea7c3cccbb87c174eb1e9a7db
NTK3139PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.57A; 0.45W; SOT723
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.57A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6
Power dissipation: 3.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -24A
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7.7A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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NTLJS5D0N03CTAG SMD N channel transistors
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NTLJS7D2P02P8ZTAG SMD P channel transistors
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NTMC083NP10M5L Multi channel transistors
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Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4A; Idm: 12A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTMD6P02R2G
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Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 19A; Idm: 63A; 11W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 11W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTMFD5C446NLT1G SMD N channel transistors
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NTMFD5C466NLT1G SMD N channel transistors
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NTMFD5C672NLT1G SMD N channel transistors
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NTMFD5C680NLT1G SMD N channel transistors
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NTMFD6H846NLT1G Multi channel transistors
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NTMFS002P03P8ZT1G SMD P channel transistors
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NTMFS005N10MCLT1G SMD N channel transistors
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NTMFS005P03P8ZST1G SMD P channel transistors
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NTMFS005P03P8ZT1G SMD P channel transistors
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NTMFS006N08MC SMD N channel transistors
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NTMFS008N12MCT1G SMD N channel transistors
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NTMFS011N15MC SMD N channel transistors
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 54A; Idm: 423A; 79W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 423A
Power dissipation: 79W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 158A; 14W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 158A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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NTMFS034N15MC SMD N channel transistors
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NTMFS08N003C ntmfs08n003c-d.pdf
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NTMFS08N003C SMD N channel transistors
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NTMFS08N004C
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NTMFS08N004C SMD N channel transistors
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 166A; Idm: 823A; 138W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 2.7mΩ
Power dissipation: 138W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 166A
Pulsed drain current: 823A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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NTMFS0D55N03CGT1G SMD N channel transistors
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NTMFS0D5N03CT1G SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 433A; Idm: 900A; 200W; DFN5
Case: DFN5
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 433A
On-state resistance: 620µΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 900A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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NTMFS0D7N03CGT1G ntmfs0d7n03cg-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMFS0D7N03CGT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D8N02P1ET1G ntmfs0d8n02p1e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMFS0D8N02P1ET1G SMD N channel transistors
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NTMFS0D8N03CT1G ntmfs0d8n03c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 337A; Idm: 900A; 150W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 337A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 150W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.74mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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