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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTGS3441T1G ONSEMI ntgs3441t1-d.pdf NTGS3441T1G SMD P channel transistors
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NTGS3443T1G ONSEMI ntgs3443t1-d.pdf NTGS3443T1G SMD P channel transistors
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NTGS3446T1G ONSEMI ntgs3446-d.pdf NTGS3446T1G SMD N channel transistors
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NTGS3455T1G ONSEMI ntgs3455t1-d.pdf NTGS3455T1G SMD P channel transistors
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NTGS4111PT1G ONSEMI ntgs4111p-d.pdf NTGS4111PT1G SMD P channel transistors
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NTGS4141NT1G NTGS4141NT1G ONSEMI ntgs4141n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4619 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
194+0.37 EUR
298+0.24 EUR
315+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 109
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NTGS5120PT1G ONSEMI ntgs5120p-d.pdf NTGS5120PT1G SMD P channel transistors
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NTH027N65S3F-F155 ONSEMI nth027n65s3f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L013N120M3S ONSEMI nth4l013n120m3s-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 505A; 340W
Mounting: THT
Case: TO247-4
On-state resistance: 29mΩ
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 254nC
Power dissipation: 340W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 505A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L014N120M3P ONSEMI nth4l014n120m3p-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 407A; 343W
Mounting: THT
Case: TO247-4
On-state resistance: 29mΩ
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 322nC
Power dissipation: 343W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 407A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L015N065SC1 ONSEMI nth4l015n065sc1-d.pdf NTH4L015N065SC1 THT N channel transistors
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NTH4L020N120SC1 NTH4L020N120SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EE5DC865AD80C7&compId=NTH4L020N120SC1.PDF?ci_sign=05ea16743d8515b94e77752726b0da5b5f378b97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate-source voltage: -15...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L022N120M3S ONSEMI nth4l022n120m3s-d.pdf NTH4L022N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L023N065M3S ONSEMI nth4l023n065m3s-d.pdf NTH4L023N065M3S THT N channel transistors
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NTH4L025N065SC1 ONSEMI nth4l025n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L027N65S3F ONSEMI nth4l027n65s3f-d.pdf NTH4L027N65S3F THT N channel transistors
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NTH4L028N170M1 ONSEMI nth4l028n170m1-d.pdf NTH4L028N170M1 THT N channel transistors
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NTH4L030N120M3S ONSEMI nth4l030n120m3s-d.pdf NTH4L030N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L040N120M3S ONSEMI nth4l040n120m3s-d.pdf NTH4L040N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EE80AC42EAA0C7&compId=NTH4L040N120SC1.PDF?ci_sign=75a03753574f1c2662fc3a6cd42cdf08611042b4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L040N65S3F NTH4L040N65S3F ONSEMI nth4l040n65s3f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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NTH4L045N065SC1 ONSEMI nth4l045n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 197A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 197A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L060N065SC1 ONSEMI nth4l060n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 152A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...22V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L060N090SC1 ONSEMI nth4l060n090sc1-d.pdf NTH4L060N090SC1 THT N channel transistors
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NTH4L067N65S3H ONSEMI nth4l067n65s3h-d.pdf NTH4L067N65S3H THT N channel transistors
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NTH4L070N120M3S ONSEMI nth4l070n120m3s-d.pdf NTH4L070N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L075N065SC1 ONSEMI nth4l075n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L080N120SC1 ONSEMI nth4l080n120sc1-d.pdf NTH4L080N120SC1 THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.88 EUR
5+14.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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NTH4L160N120SC1 NTH4L160N120SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EE96D99D9D00C7&compId=NTH4L160N120SC1.PDF?ci_sign=9e37dfc6081c0f6f095eec4143b8416a99723221 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -15...25V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 224mΩ
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 55.5W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4LN040N65S3H ONSEMI nth4ln040n65s3h-d.pdf NTH4LN040N65S3H THT N channel transistors
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NTH4LN067N65S3H ONSEMI nth4ln067n65s3h-d.pdf NTH4LN067N65S3H THT N channel transistors
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NTHC5513T1G ONSEMI nthc5513-d.pdf NTHC5513T1G Multi channel transistors
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NTHD3100CT1G ONSEMI nthd3100c-d.pdf NTHD3100CT1G Multi channel transistors
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
103+0.69 EUR
109+0.66 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 47
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NTHD3101FT1G ONSEMI nthd3101f-d.pdf NTHD3101FT1G SMD P channel transistors
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NTHD3102CT1G ONSEMI nthd3102c-d.pdf NTHD3102CT1G Multi channel transistors
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NTHD4102PT1G ONSEMI nthd4102p-d.pdf NTHD4102PT1G SMD P channel transistors
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NTHD4502NT1G ONSEMI nthd4502n-d.pdf NTHD4502NT1G Multi channel transistors
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NTHD4508NT1G ONSEMI nthd4508n-d.pdf NTHD4508NT1G Multi channel transistors
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NTHL015N065SC1 ONSEMI nthl015n065sc1-d.pdf NTHL015N065SC1 THT N channel transistors
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NTHL017N60S5H ONSEMI nthl017n60s5h-d.pdf NTHL017N60S5H THT N channel transistors
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NTHL019N65S3H ONSEMI nthl019n65s3h-d.pdf NTHL019N65S3H THT N channel transistors
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NTHL020N090SC1 ONSEMI nthl020n090sc1-d.pdf NTHL020N090SC1 THT N channel transistors
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NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EEAE42BBD540C7&compId=NTHL020N120SC1.PDF?ci_sign=ad8511e864d07f13b519235b7c577d9feffe137c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL022N120M3S ONSEMI nthl022n120m3s-d.pdf NTHL022N120M3S THT N channel transistors
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NTHL023N065M3S ONSEMI nthl023n065m3s-d.pdf NTHL023N065M3S THT N channel transistors
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NTHL025N065SC1 ONSEMI nthl025n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL027N65S3HF ONSEMI nthl027n65s3hf-d.pdf NTHL027N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL033N65S3HF ONSEMI nthl033n65s3hf-d.pdf NTHL033N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL040N120M3S ONSEMI nthl040n120m3s-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38A; Idm: 134A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EEB6CE3B7C60C7&compId=NTHL040N120SC1.PDF?ci_sign=d6a134f46763306b2ba210f070ef926d26e4738a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL040N65S3F ONSEMI nthl040n65s3f-d.pdf NTHL040N65S3F THT N channel transistors
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NTHL040N65S3HF ONSEMI nthl040n65s3hf-d.pdf NTHL040N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL041N60S5H NTHL041N60S5H ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE8818C1A9CA0D6&compId=NTHL041N60S5H.PDF?ci_sign=8f07e389ca7b9532b8cec4d5e06a9f47b7f04df9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 108nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.28 EUR
8+9.55 EUR
10+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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NTHL045N065SC1 ONSEMI nthl045n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 46A; Idm: 191A; 145W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: SiC
Case: TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 191A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Gate-source voltage: -5...18V
Gate charge: 105nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 145W
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NTHL050N65S3HF ONSEMI nthl050n65s3hf-d.pdf NTHL050N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL060N065SC1 ONSEMI nthl060n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 33A; Idm: 143A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 143A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL060N090SC1 ONSEMI nthl060n090sc1-d.pdf NTHL060N090SC1 THT N channel transistors
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NTGS3446T1G SMD N channel transistors
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NTGS4141NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Hersteller: ONSEMI
NTGS5120PT1G SMD P channel transistors
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NTH027N65S3F-F155 nth027n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L013N120M3S nth4l013n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 505A; 340W
Mounting: THT
Case: TO247-4
On-state resistance: 29mΩ
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 254nC
Power dissipation: 340W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 505A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L014N120M3P nth4l014n120m3p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 407A; 343W
Mounting: THT
Case: TO247-4
On-state resistance: 29mΩ
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 322nC
Power dissipation: 343W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 407A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L015N065SC1 nth4l015n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L015N065SC1 THT N channel transistors
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NTH4L020N120SC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EE5DC865AD80C7&compId=NTH4L020N120SC1.PDF?ci_sign=05ea16743d8515b94e77752726b0da5b5f378b97
NTH4L020N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate-source voltage: -15...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L022N120M3S nth4l022n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L022N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L023N065M3S nth4l023n065m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L023N065M3S THT N channel transistors
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NTH4L025N065SC1 nth4l025n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L027N65S3F nth4l027n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L027N65S3F THT N channel transistors
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NTH4L028N170M1 nth4l028n170m1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L028N170M1 THT N channel transistors
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NTH4L030N120M3S nth4l030n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L030N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L040N120M3S nth4l040n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L040N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L040N120SC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EE80AC42EAA0C7&compId=NTH4L040N120SC1.PDF?ci_sign=75a03753574f1c2662fc3a6cd42cdf08611042b4
NTH4L040N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L040N65S3F nth4l040n65s3f-d.pdf
NTH4L040N65S3F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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NTH4L045N065SC1 nth4l045n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 197A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 197A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L060N065SC1 nth4l060n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 152A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...22V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L060N090SC1 nth4l060n090sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L060N090SC1 THT N channel transistors
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NTH4L067N65S3H nth4l067n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L067N65S3H THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
NTH4L070N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L075N065SC1 nth4l075n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L080N120SC1 nth4l080n120sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L080N120SC1 THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.88 EUR
5+14.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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NTH4L160N120SC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EE96D99D9D00C7&compId=NTH4L160N120SC1.PDF?ci_sign=9e37dfc6081c0f6f095eec4143b8416a99723221
NTH4L160N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -15...25V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 224mΩ
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 55.5W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN040N65S3H nth4ln040n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4LN040N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN067N65S3H nth4ln067n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4LN067N65S3H THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHC5513T1G nthc5513-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHC5513T1G Multi channel transistors
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NTHD3100CT1G nthd3100c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHD3100CT1G Multi channel transistors
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.54 EUR
103+0.69 EUR
109+0.66 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 47
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NTHD3101FT1G nthd3101f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHD3101FT1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD3102CT1G nthd3102c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHD3102CT1G Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD4102PT1G nthd4102p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHD4102PT1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD4502NT1G nthd4502n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHD4502NT1G Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD4508NT1G nthd4508n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHD4508NT1G Multi channel transistors
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NTHL015N065SC1 nthl015n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL015N065SC1 THT N channel transistors
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NTHL017N60S5H nthl017n60s5h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL017N60S5H THT N channel transistors
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NTHL019N65S3H nthl019n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL019N65S3H THT N channel transistors
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NTHL020N090SC1 nthl020n090sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL020N090SC1 THT N channel transistors
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NTHL020N120SC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EEAE42BBD540C7&compId=NTHL020N120SC1.PDF?ci_sign=ad8511e864d07f13b519235b7c577d9feffe137c
NTHL020N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL022N120M3S nthl022n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL022N120M3S THT N channel transistors
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NTHL023N065M3S nthl023n065m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL023N065M3S THT N channel transistors
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NTHL025N065SC1 nthl025n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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NTHL027N65S3HF nthl027n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL027N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL033N65S3HF nthl033n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL033N65S3HF THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120M3S nthl040n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38A; Idm: 134A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL040N120SC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EEB6CE3B7C60C7&compId=NTHL040N120SC1.PDF?ci_sign=d6a134f46763306b2ba210f070ef926d26e4738a
NTHL040N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3F nthl040n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL040N65S3F THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
NTHL040N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL041N60S5H
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 108nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.28 EUR
8+9.55 EUR
10+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1 nthl045n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 46A; Idm: 191A; 145W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: SiC
Case: TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 191A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Gate-source voltage: -5...18V
Gate charge: 105nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 145W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL050N65S3HF nthl050n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL050N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL060N065SC1 nthl060n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 33A; Idm: 143A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 143A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
NTHL060N090SC1 THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
NTHL065N65S3F THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
NTHL065N65S3HF THT N channel transistors
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