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NTHL080N120SC1A ONSEMI nthl080n120sc1a-d.pdf NTHL080N120SC1A THT N channel transistors
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NTHL082N65S3F ONSEMI nthl082n65s3f-d.pdf NTHL082N65S3F THT N channel transistors
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NTHL082N65S3HF ONSEMI nthl082n65s3hf-d.pdf NTHL082N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL095N65S3H ONSEMI nthl095n65s3h-d.pdf NTHL095N65S3H THT N channel transistors
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NTHL095N65S3HF ONSEMI nthl095n65s3hf-d.pdf NTHL095N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL099N60S5 ONSEMI nthl099n60s5-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 95A; 184W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 184W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 95A
Gate charge: 48nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL1000N170M1 ONSEMI NTHL1000N170M1-D.PDF NTHL1000N170M1 THT N channel transistors
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NTHL110N65S3F ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EB6D0A3C8600C4&compId=NTHL110N65S3F.pdf?ci_sign=f8f73c30ce89f168b0320364212851dad40cfe0a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 58nC
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
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NTHL125N65S3H ONSEMI nthl125n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 171W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 171W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9C13DAA45B960C7&compId=NTHL160N120SC1.PDF?ci_sign=c717d8e84721511fa32e0a71bba611e3703b0361 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -15...25V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 12A
Power dissipation: 59W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL185N60S5H ONSEMI nthl185n60s5h-d.pdf NTHL185N60S5H THT N channel transistors
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NTHL190N65S3HF ONSEMI nthl190n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 162W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHLD040N65S3HF ONSEMI nthld040n65s3hf-d.pdf NTHLD040N65S3HF THT N channel transistors
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NTHS4101PT1G ONSEMI nths4101p-d.pdf NTHS4101PT1G SMD P channel transistors
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NTJD1155LT1G ONSEMI ntjd1155l-d.pdf NTJD1155LT1G Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
123+0.58 EUR
277+0.26 EUR
291+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 123
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NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G ONSEMI ntjd4001n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
187+0.38 EUR
275+0.26 EUR
327+0.22 EUR
496+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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NTJD4105CT1G ONSEMI ntjd4105c-d.pdf NTJD4105CT1G Multi channel transistors
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NTJD4105CT2G ONSEMI ntjd4105c-d.pdf NTJD4105CT2G Multi channel transistors
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NTJD4152PT1G ONSEMI ntjd4152p-d.pdf NTJD4152PT1G SMD P channel transistors
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NTJD4158CT1G ONSEMI ntjd4158c-d.pdf NTJD4158CT1G Multi channel transistors
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NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A2B8CB75CC745&compId=NTJD4401N.PDF?ci_sign=e7b06145f6f2ab2d1eff110c0d2ecf1a04763571 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 445mΩ
Drain current: 0.46A
Gate charge: 1.3nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4650 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
167+0.43 EUR
191+0.37 EUR
329+0.22 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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NTJD5121NT1G ONSEMI ntjd5121n-d.pdf NTJD5121NT1G Multi channel transistors
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
168+0.43 EUR
984+0.073 EUR
1041+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 168
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NTJS3151PT1G ONSEMI ntjs3151p-d.pdf NTJS3151PT1G SMD P channel transistors
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NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G ONSEMI ntjs3157n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G ONSEMI ntjs4151p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
160+0.44 EUR
322+0.23 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 160
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NTJS4405NT1G ONSEMI ntjs4405n-d.pdf NTJS4405NT1G SMD N channel transistors
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NTK3043NT1G ONSEMI ntk3043n-d.pdf NTK3043NT1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 3763 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
319+0.22 EUR
1458+0.049 EUR
1539+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 319
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTK3134NT1G ONSEMI ntk3134n-d.pdf NTK3134NT1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
116+0.62 EUR
312+0.23 EUR
331+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTK3139PT1G NTK3139PT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F2322A70F33D1&compId=NTK3139P.pdf?ci_sign=ddf9913d6cf072dea7c3cccbb87c174eb1e9a7db Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.57A; 0.45W; SOT723
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.57A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
432+0.17 EUR
562+0.13 EUR
625+0.11 EUR
1137+0.063 EUR
1202+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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NTLJD3115PT1G ONSEMI ntljd3115p-d.pdf NTLJD3115PT1G SMD P channel transistors
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NTLJD3119CTBG ONSEMI ntljd3119c-d.pdf NTLJD3119CTBG Multi channel transistors
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NTLJD4116NT1G ONSEMI ntljd4116n-d.pdf NTLJD4116NT1G SMD N channel transistors
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NTLJF3117PT1G ONSEMI ntljf3117p-d.pdf NTLJF3117PT1G SMD P channel transistors
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NTLJF4156NT1G ONSEMI ntljf4156n-d.pdf NTLJF4156NT1G SMD N channel transistors
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NTLJF4156NTAG ONSEMI ntljf4156n-d.pdf NTLJF4156NTAG SMD N channel transistors
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NTLJS17D0P03P8ZTAG ONSEMI ntljs17d0p03p8z-d.pdf NTLJS17D0P03P8ZTAG SMD P channel transistors
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NTLJS2103PTBG ONSEMI ntljs2103p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7.7A
Gate charge: 12.8nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 3.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -24A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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NTLJS3D0N02P8ZTAG ONSEMI ntljs3d0n02p8z-d.pdf NTLJS3D0N02P8ZTAG SMD N channel transistors
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NTLJS4114NT1G ONSEMI ntljs4114n-d.pdf NTLJS4114NT1G SMD N channel transistors
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NTLJS4114NTAG ONSEMI ntljs4114n-d.pdf NTLJS4114NTAG SMD N channel transistors
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NTLJS5D0N03CTAG ONSEMI ntljs5d0n03c-d.pdf NTLJS5D0N03CTAG SMD N channel transistors
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NTLJS7D2P02P8ZTAG ONSEMI ntljs7d2p02p8z-d.pdf NTLJS7D2P02P8ZTAG SMD P channel transistors
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NTLUD4C26NTAG ONSEMI NTLUD4C26NTAG Multi channel transistors
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NTLUS020N03CTAG ONSEMI ntlus020n03c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; Idm: 24A; 1.52W; uDFN6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 1.52W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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NTLUS030N03CTAG ONSEMI ntlus030n03c-d.pdf NTLUS030N03CTAG SMD N channel transistors
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NTMC083NP10M5L ONSEMI ntmc083np10m5l-d.pdf NTMC083NP10M5L Multi channel transistors
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NTMD3P03R2G ONSEMI ntmd3p03r2-d.pdf NTMD3P03R2G SMD P channel transistors
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NTMD4N03R2G ONSEMI ntmd4n03r2-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4A; Idm: 12A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTMD6N02R2G ONSEMI ntmd6n02r2-d.pdf NTMD6N02R2G SMD N channel transistors
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NTMD6P02R2G NTMD6P02R2G ONSEMI ntmd6p02r2-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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NTMFD030N06CT1G ONSEMI ntmfd030n06c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 19A; Idm: 63A; 11W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 11W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTMFD5C446NLT1G ONSEMI ntmfd5c446nl-d.pdf NTMFD5C446NLT1G SMD N channel transistors
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NTMFD5C466NLT1G ONSEMI ntmfd5c466nl-d.pdf NTMFD5C466NLT1G SMD N channel transistors
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NTMFD5C466NT1G ONSEMI ntmfd5c466n-d.pdf NTMFD5C466NT1G SMD N channel transistors
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NTMFD5C650NLT1G ONSEMI NTMFD5C650NL-D.PDF NTMFD5C650NLT1G SMD N channel transistors
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NTMFD5C672NLT1G ONSEMI ntmfd5c672nl-d.pdf NTMFD5C672NLT1G SMD N channel transistors
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NTMFD5C674NLT1G ONSEMI ntmfd5c674nl-d.pdf NTMFD5C674NLT1G SMD N channel transistors
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NTMFD5C680NLT1G ONSEMI ntmfd5c680nl-d.pdf NTMFD5C680NLT1G SMD N channel transistors
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NTMFD6H846NLT1G ONSEMI ntmfd6h846nl-d.pdf NTMFD6H846NLT1G Multi channel transistors
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NTMFS002N10MCLT1G ONSEMI ntmfs002n10mcl-d.pdf NTMFS002N10MCLT1G SMD N channel transistors
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NTHL080N120SC1A nthl080n120sc1a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL080N120SC1A THT N channel transistors
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NTHL082N65S3F nthl082n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL082N65S3F THT N channel transistors
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NTHL082N65S3HF nthl082n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL082N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL095N65S3H nthl095n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL095N65S3H THT N channel transistors
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NTHL095N65S3HF nthl095n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL095N65S3HF THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL099N60S5 nthl099n60s5-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 95A; 184W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 184W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 95A
Gate charge: 48nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL1000N170M1 NTHL1000N170M1-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
NTHL1000N170M1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL110N65S3F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EB6D0A3C8600C4&compId=NTHL110N65S3F.pdf?ci_sign=f8f73c30ce89f168b0320364212851dad40cfe0a
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 58nC
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL125N65S3H nthl125n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 171W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 171W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL160N120SC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9C13DAA45B960C7&compId=NTHL160N120SC1.PDF?ci_sign=c717d8e84721511fa32e0a71bba611e3703b0361
NTHL160N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -15...25V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 12A
Power dissipation: 59W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL185N60S5H nthl185n60s5h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL185N60S5H THT N channel transistors
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NTHL190N65S3HF nthl190n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 162W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHLD040N65S3HF nthld040n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHLD040N65S3HF THT N channel transistors
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NTHS4101PT1G nths4101p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHS4101PT1G SMD P channel transistors
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NTJD1155LT1G ntjd1155l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJD1155LT1G Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
123+0.58 EUR
277+0.26 EUR
291+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD4001NT1G ntjd4001n-d.pdf
NTJD4001NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
187+0.38 EUR
275+0.26 EUR
327+0.22 EUR
496+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD4105CT1G ntjd4105c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJD4105CT1G Multi channel transistors
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NTJD4105CT2G ntjd4105c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJD4105CT2G Multi channel transistors
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NTJD4152PT1G ntjd4152p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJD4152PT1G SMD P channel transistors
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NTJD4158CT1G ntjd4158c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJD4158CT1G Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD4401NT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A2B8CB75CC745&compId=NTJD4401N.PDF?ci_sign=e7b06145f6f2ab2d1eff110c0d2ecf1a04763571
NTJD4401NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 445mΩ
Drain current: 0.46A
Gate charge: 1.3nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4650 Stücke:
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Anzahl Preis
139+0.51 EUR
167+0.43 EUR
191+0.37 EUR
329+0.22 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJD5121NT1G Multi channel transistors
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
168+0.43 EUR
984+0.073 EUR
1041+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS3151PT1G ntjs3151p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJS3151PT1G SMD P channel transistors
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NTJS3157NT1G ntjs3157n-d.pdf
NTJS3157NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS4151PT1G ntjs4151p-d.pdf
NTJS4151PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
160+0.44 EUR
322+0.23 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS4405NT1G ntjs4405n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJS4405NT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTK3043NT1G ntk3043n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTK3043NT1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 3763 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
319+0.22 EUR
1458+0.049 EUR
1539+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 319
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTK3134NT1G ntk3134n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTK3134NT1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
116+0.62 EUR
312+0.23 EUR
331+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTK3139PT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F2322A70F33D1&compId=NTK3139P.pdf?ci_sign=ddf9913d6cf072dea7c3cccbb87c174eb1e9a7db
NTK3139PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.57A; 0.45W; SOT723
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.57A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
432+0.17 EUR
562+0.13 EUR
625+0.11 EUR
1137+0.063 EUR
1202+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJD3115PT1G ntljd3115p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTLJD3115PT1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJD3119CTBG ntljd3119c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTLJD3119CTBG Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJD4116NT1G ntljd4116n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTLJD4116NT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJF3117PT1G ntljf3117p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTLJF3117PT1G SMD P channel transistors
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NTLJF4156NT1G ntljf4156n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTLJF4156NT1G SMD N channel transistors
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NTLJF4156NTAG ntljf4156n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTLJF4156NTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJS17D0P03P8ZTAG ntljs17d0p03p8z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTLJS17D0P03P8ZTAG SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJS2103PTBG ntljs2103p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7.7A
Gate charge: 12.8nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 3.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -24A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJS3D0N02P8ZTAG ntljs3d0n02p8z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTLJS3D0N02P8ZTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJS4114NT1G ntljs4114n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTLJS4114NT1G SMD N channel transistors
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NTLJS4114NTAG ntljs4114n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTLJS4114NTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJS5D0N03CTAG ntljs5d0n03c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTLJS5D0N03CTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJS7D2P02P8ZTAG ntljs7d2p02p8z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTLJS7D2P02P8ZTAG SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUD4C26NTAG
Hersteller: ONSEMI
NTLUD4C26NTAG Multi channel transistors
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NTLUS020N03CTAG ntlus020n03c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; Idm: 24A; 1.52W; uDFN6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 1.52W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS030N03CTAG ntlus030n03c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTLUS030N03CTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMC083NP10M5L ntmc083np10m5l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMC083NP10M5L Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD3P03R2G ntmd3p03r2-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMD3P03R2G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD4N03R2G ntmd4n03r2-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4A; Idm: 12A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N02R2G ntmd6n02r2-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMD6N02R2G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6P02R2G ntmd6p02r2-d.pdf
NTMD6P02R2G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD030N06CT1G ntmfd030n06c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 19A; Idm: 63A; 11W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 11W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD5C446NLT1G ntmfd5c446nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMFD5C446NLT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD5C466NLT1G ntmfd5c466nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMFD5C466NLT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD5C466NT1G ntmfd5c466n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMFD5C466NT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD5C650NLT1G NTMFD5C650NL-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
NTMFD5C650NLT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD5C672NLT1G ntmfd5c672nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMFD5C672NLT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD5C674NLT1G ntmfd5c674nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMFD5C674NLT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD5C680NLT1G ntmfd5c680nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMFD5C680NLT1G SMD N channel transistors
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NTMFD6H846NLT1G ntmfd6h846nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMFD6H846NLT1G Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS002N10MCLT1G ntmfs002n10mcl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMFS002N10MCLT1G SMD N channel transistors
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