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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTTFS034N15MC ONSEMI nttfs034n15mc-d.pdf NTTFS034N15MC SMD N channel transistors
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NTTFS115P10M5 ONSEMI nttfs115p10m5-d.pdf NTTFS115P10M5 SMD P channel transistors
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NTTFS1D2N02P1E ONSEMI nttfs1d2n02p1e-d.pdf NTTFS1D2N02P1E SMD N channel transistors
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NTTFS1D8N02P1E ONSEMI nttfs1d8n02p1e-d.pdf NTTFS1D8N02P1E SMD N channel transistors
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NTTFS2D1N04HLTWG ONSEMI nttfs2d1n04hl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 958A; 83W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 958A
Power dissipation: 83W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTTFS2D8N04HLTAG ONSEMI NTTFS2D8N04HLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS3D7N06HLTWG ONSEMI nttfs3d7n06hl-d.pdf NTTFS3D7N06HLTWG SMD N channel transistors
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NTTFS4C02NTAG ONSEMI nttfs4c02n-d.pdf NTTFS4C02NTAG SMD N channel transistors
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NTTFS4C05NTAG ONSEMI nttfs4c05n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 174A; 33W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 174A
Power dissipation: 33W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTTFS4C06NTAG ONSEMI nttfs4c06n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 166A; 31W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 166A
Power dissipation: 31W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTTFS4C08NTAG ONSEMI nttfs4c08n-d.pdf NTTFS4C08NTAG SMD N channel transistors
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NTTFS4C10NTAG ONSEMI nttfs4c10n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 44A; Idm: 128A; 23.6W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 23.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTTFS4C13NTAG ONSEMI nttfs4c13n-d.pdf NTTFS4C13NTAG SMD N channel transistors
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NTTFS5116PLTAG ONSEMI nttfs5116pl-d.pdf NTTFS5116PLTAG SMD P channel transistors
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NTTFS5116PLTWG ONSEMI nttfs5116pl-d.pdf NTTFS5116PLTWG SMD P channel transistors
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NTTFS5C453NLTAG ONSEMI nttfs5c453nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTTFS5C453NLTWG ONSEMI nttfs5c453nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTTFS5C454NLTAG ONSEMI nttfs5c454nl-d.pdf NTTFS5C454NLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS5C460NLTAG ONSEMI NTTFS5C460NLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS5C466NLTAG ONSEMI nttfs5c466nl-d.pdf NTTFS5C466NLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS5C658NLTAG ONSEMI NTTFS5C658NLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS5C670NLTAG ONSEMI nttfs5c670nl-d.pdf NTTFS5C670NLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS5C670NLTWG ONSEMI nttfs5c670nl-d.pdf NTTFS5C670NLTWG SMD N channel transistors
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NTTFS5C673NLTAG ONSEMI nttfs5c673nl-d.pdf NTTFS5C673NLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS5C680NLTAG ONSEMI NTTFS5C680NLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS5D1N06HLTAG ONSEMI nttfs5d1n06hl-d.pdf NTTFS5D1N06HLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS5D9N08HTWG ONSEMI nttfs5d9n08h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 535A; 100W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: WDFN8
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 5.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 84A
Power dissipation: 100W
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 535A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTTFS6H850NLTAG ONSEMI nttfs6h850nl-d.pdf NTTFS6H850NLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS6H850NTAG ONSEMI nttfs6h850n-d.pdf NTTFS6H850NTAG SMD N channel transistors
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NTTFS6H854NLTAG ONSEMI NTTFS6H854NLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS6H854NTAG ONSEMI nttfs6h854n-d.pdf NTTFS6H854NTAG SMD N channel transistors
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NTTFS6H860NLTAG ONSEMI nttfs6h860nl-d.pdf NTTFS6H860NLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS6H880NLTAG ONSEMI NTTFS6H880NL-D.PDF NTTFS6H880NLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS8D1N08HTAG ONSEMI NTTFS8D1N08HTAG SMD N channel transistors
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NTTFSS1D1N02P1E ONSEMI nttfss1d1n02p1e-d.pdf NTTFSS1D1N02P1E SMD N channel transistors
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NTUD3169CZT5G ONSEMI ntud3169cz-d.pdf NTUD3169CZT5G Multi channel transistors
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NTUD3170NZT5G ONSEMI ntud3170nz-d.pdf NTUD3170NZT5G Multi channel transistors
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NTUD3174NZT5G ONSEMI NTUD3174NZ.PDF NTUD3174NZT5G SMD N channel transistors
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NTZD3152PT1G NTZD3152PT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A468CDB64C745&compId=NTZD3152P.PDF?ci_sign=bebe4c44be257e5f5e46cd20d05cd246bd216720 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.43A
Gate charge: 1.7nC
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 2Ω
Gate-source voltage: ±6V
Polarisation: unipolar
Case: SOT563
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
269+0.27 EUR
338+0.21 EUR
477+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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NTZD3154NT1G NTZD3154NT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A48FE5E974745&compId=NTZD3154N.PDF?ci_sign=90befe6bc4807925d5ef91cc5f523d5cd25cfb3e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 0.54A
Gate charge: 1.5nC
Gate-source voltage: ±7V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
177+0.41 EUR
211+0.34 EUR
348+0.21 EUR
421+0.17 EUR
544+0.13 EUR
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFF5A698E6CCB1BF&compId=NTZD3155C-DTE.PDF?ci_sign=a99d20c77ef06fca412dd9674351a405572fae70 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5/1.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
214+0.33 EUR
329+0.22 EUR
397+0.18 EUR
511+0.14 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ONSEMI ntzd3155c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
250+0.29 EUR
325+0.22 EUR
472+0.15 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD5110NT1G ONSEMI ntzd5110n-d.pdf NTZD5110NT1G Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS3151PT1G ONSEMI ntzs3151p-d.pdf NTZS3151PT1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUD3160DMT1G ONSEMI nud3160-d.pdf NUD3160DMT1G Power switches - integrated circuits
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NUD3160LT1G ONSEMI nud3160-d.pdf NUD3160LT1G Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUD4001DR2G NUD4001DR2G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A4BFCC4570745&compId=NUD4001.PDF?ci_sign=1cc3f8cd9f23cd854cc50a5e3e1b32981688a6c4 description Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO8; 500mA; 28V; Ch: 1; PWM
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: driver
Output current: 0.5A
Output voltage: 28V
Kind of integrated circuit: LED driver
Integrated circuit features: PWM
Number of channels: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
73+0.99 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
250+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUD4700SNT1G ONSEMI nud4700-d.pdf NUD4700SNT1G LED drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUF2042XV6T1G NUF2042XV6T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BED272E63EBABE28&compId=NUF2042XV6T1G.PDF?ci_sign=b77426701cd935eaaa236aff22d0c33344f7db51 Category: Filters - integrated circuits
Description: Filter: digital; line terminator; lowpass,EMI; SOT563; Ch: 2
Type of filter: digital
Kind of integrated circuit: line terminator
Kind of filter: EMI; lowpass
Case: SOT563
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Application: USB port ESD protection
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.76 EUR
48+1.49 EUR
132+0.54 EUR
250+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUF4401MNT1G ONSEMI nuf4401mn-d.pdf NUF4401MNT1G Filters - integrated circuits
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NUP1105LT1G ONSEMI nup1105l-d.pdf NUP1105LT1G Protection diodes - arrays
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NUP1301ML3T1G NUP1301ML3T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BE9367D5A540CE&compId=NUP1301ML3T1G.PDF?ci_sign=dd30dc4b5dd75dbe50d75d5d76913a96e45f8f00 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; double series; SOT23; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: double series
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 70V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2855 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
313+0.23 EUR
443+0.16 EUR
725+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP2105LT1G NUP2105LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BF7227F2F500CE&compId=NUP2105L.PDF?ci_sign=9dc66564d4b677f2b3de9a2ee094de05e6905279 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Kind of package: reel; tape
Application: CAN
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5799 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
506+0.14 EUR
562+0.13 EUR
658+0.11 EUR
1129+0.063 EUR
1194+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP2201MR6T1G NUP2201MR6T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A7B76DBD1400A11C&compId=NUP2201MR6T1G-DTE.PDF?ci_sign=04874314368f014f2fd70a9e0ec59a9b56b14bda Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 25A; 500W; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP6
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Number of channels: 2
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 25A
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5379 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
133+0.54 EUR
159+0.45 EUR
172+0.42 EUR
228+0.31 EUR
241+0.3 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP2301MW6T1G NUP2301MW6T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BE9F0D73A100CE&compId=NUP2301MW6T1G.PDF?ci_sign=522814a721a84603658153e439260f7181ffa5d9 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays; SC88; Ch: 2; reel,tape; ESD
Case: SC88
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 70V
Type of diode: diode arrays
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2668 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
239+0.3 EUR
281+0.25 EUR
302+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP4114HMR6T1G NUP4114HMR6T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9C8BAB0A75BF00C7&compId=NUP4114.PDF?ci_sign=5d35c610d832eaa422109862e6a524956e4aaed1 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; TSOP6; Ch: 4; reel,tape; ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP6
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.5V
Max. forward impulse current: 12A
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP4114UCLW1T2G NUP4114UCLW1T2G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BEB0519E7C80CE&compId=NUP4114.PDF?ci_sign=d0c181f9c7d3243caf15d2f88151f666fe79324f Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; SC88; Ch: 4; reel,tape; ESD
Case: SC88
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 12A
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.5V
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2748 Stücke:
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167+0.43 EUR
204+0.35 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP4114UCW1T2G NUP4114UCW1T2G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BEB0519E7C80CE&compId=NUP4114.PDF?ci_sign=d0c181f9c7d3243caf15d2f88151f666fe79324f Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; SC88; Ch: 4; reel,tape; ESD
Case: SC88
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 12A
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.5V
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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37+1.93 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP4301MR6T1G NUP4301MR6T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BEBCE9911360CE&compId=NUP4301MR6T1G.PDF?ci_sign=c0c9d50ea049799b1959f4d08e53119a3cc282d2 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays; SC74; Ch: 4; reel,tape; ESD
Type of diode: diode arrays
Mounting: SMD
Case: SC74
Max. off-state voltage: 70V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Number of channels: 4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
246+0.29 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV24C04DTVLT3G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE80A79DE5463DE0D5&compId=NV24C04LV-D.pdf?ci_sign=f5e48c473d33e7f8902299d0c4efa3b6c35e08d7 Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; I2C; 512x8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; TSSOP8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS034N15MC nttfs034n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS034N15MC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS115P10M5 nttfs115p10m5-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS115P10M5 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS1D2N02P1E nttfs1d2n02p1e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS1D2N02P1E SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS1D8N02P1E nttfs1d8n02p1e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS1D8N02P1E SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS2D1N04HLTWG nttfs2d1n04hl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 958A; 83W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 958A
Power dissipation: 83W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS2D8N04HLTAG
Hersteller: ONSEMI
NTTFS2D8N04HLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS3D7N06HLTWG nttfs3d7n06hl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS3D7N06HLTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAG nttfs4c02n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS4C02NTAG SMD N channel transistors
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NTTFS4C05NTAG nttfs4c05n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 174A; 33W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 174A
Power dissipation: 33W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTAG nttfs4c06n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 166A; 31W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 166A
Power dissipation: 31W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTAG nttfs4c08n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS4C08NTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTAG nttfs4c10n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 44A; Idm: 128A; 23.6W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 23.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAG nttfs4c13n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS4C13NTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5116PLTAG nttfs5116pl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS5116PLTAG SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5116PLTWG nttfs5116pl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS5116PLTWG SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5C453NLTAG nttfs5c453nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5C453NLTWG nttfs5c453nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5C454NLTAG nttfs5c454nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS5C454NLTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5C460NLTAG
Hersteller: ONSEMI
NTTFS5C460NLTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5C466NLTAG nttfs5c466nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS5C466NLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS5C658NLTAG
Hersteller: ONSEMI
NTTFS5C658NLTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5C670NLTAG nttfs5c670nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS5C670NLTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5C670NLTWG nttfs5c670nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS5C670NLTWG SMD N channel transistors
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NTTFS5C673NLTAG nttfs5c673nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS5C673NLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS5C680NLTAG
Hersteller: ONSEMI
NTTFS5C680NLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS5D1N06HLTAG nttfs5d1n06hl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS5D1N06HLTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5D9N08HTWG nttfs5d9n08h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 535A; 100W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: WDFN8
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 5.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 84A
Power dissipation: 100W
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 535A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS6H850NLTAG nttfs6h850nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS6H850NLTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS6H850NTAG nttfs6h850n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS6H850NTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS6H854NLTAG
Hersteller: ONSEMI
NTTFS6H854NLTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS6H854NTAG nttfs6h854n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS6H854NTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS6H860NLTAG nttfs6h860nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS6H860NLTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS6H880NLTAG NTTFS6H880NL-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
NTTFS6H880NLTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS8D1N08HTAG
Hersteller: ONSEMI
NTTFS8D1N08HTAG SMD N channel transistors
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NTTFSS1D1N02P1E nttfss1d1n02p1e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFSS1D1N02P1E SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTUD3169CZT5G ntud3169cz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTUD3169CZT5G Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTUD3170NZT5G ntud3170nz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTUD3170NZT5G Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTUD3174NZT5G NTUD3174NZ.PDF
Hersteller: ONSEMI
NTUD3174NZT5G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3152PT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A468CDB64C745&compId=NTZD3152P.PDF?ci_sign=bebe4c44be257e5f5e46cd20d05cd246bd216720
NTZD3152PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.43A
Gate charge: 1.7nC
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 2Ω
Gate-source voltage: ±6V
Polarisation: unipolar
Case: SOT563
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
269+0.27 EUR
338+0.21 EUR
477+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A48FE5E974745&compId=NTZD3154N.PDF?ci_sign=90befe6bc4807925d5ef91cc5f523d5cd25cfb3e
NTZD3154NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 0.54A
Gate charge: 1.5nC
Gate-source voltage: ±7V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
177+0.41 EUR
211+0.34 EUR
348+0.21 EUR
421+0.17 EUR
544+0.13 EUR
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFF5A698E6CCB1BF&compId=NTZD3155C-DTE.PDF?ci_sign=a99d20c77ef06fca412dd9674351a405572fae70
NTZD3155CT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5/1.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
214+0.33 EUR
329+0.22 EUR
397+0.18 EUR
511+0.14 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT2G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT2G
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
250+0.29 EUR
325+0.22 EUR
472+0.15 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD5110NT1G ntzd5110n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTZD5110NT1G Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS3151PT1G ntzs3151p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTZS3151PT1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUD3160DMT1G nud3160-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NUD3160DMT1G Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUD3160LT1G nud3160-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NUD3160LT1G Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUD4001DR2G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A4BFCC4570745&compId=NUD4001.PDF?ci_sign=1cc3f8cd9f23cd854cc50a5e3e1b32981688a6c4
NUD4001DR2G
Hersteller: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO8; 500mA; 28V; Ch: 1; PWM
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: driver
Output current: 0.5A
Output voltage: 28V
Kind of integrated circuit: LED driver
Integrated circuit features: PWM
Number of channels: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
73+0.99 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
250+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUD4700SNT1G nud4700-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NUD4700SNT1G LED drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUF2042XV6T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BED272E63EBABE28&compId=NUF2042XV6T1G.PDF?ci_sign=b77426701cd935eaaa236aff22d0c33344f7db51
NUF2042XV6T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Filters - integrated circuits
Description: Filter: digital; line terminator; lowpass,EMI; SOT563; Ch: 2
Type of filter: digital
Kind of integrated circuit: line terminator
Kind of filter: EMI; lowpass
Case: SOT563
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Application: USB port ESD protection
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.76 EUR
48+1.49 EUR
132+0.54 EUR
250+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUF4401MNT1G nuf4401mn-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NUF4401MNT1G Filters - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP1105LT1G nup1105l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NUP1105LT1G Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP1301ML3T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BE9367D5A540CE&compId=NUP1301ML3T1G.PDF?ci_sign=dd30dc4b5dd75dbe50d75d5d76913a96e45f8f00
NUP1301ML3T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; double series; SOT23; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: double series
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 70V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2855 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
313+0.23 EUR
443+0.16 EUR
725+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP2105LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BF7227F2F500CE&compId=NUP2105L.PDF?ci_sign=9dc66564d4b677f2b3de9a2ee094de05e6905279
NUP2105LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Kind of package: reel; tape
Application: CAN
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5799 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
506+0.14 EUR
562+0.13 EUR
658+0.11 EUR
1129+0.063 EUR
1194+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP2201MR6T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A7B76DBD1400A11C&compId=NUP2201MR6T1G-DTE.PDF?ci_sign=04874314368f014f2fd70a9e0ec59a9b56b14bda
NUP2201MR6T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 25A; 500W; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP6
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Number of channels: 2
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 25A
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5379 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
133+0.54 EUR
159+0.45 EUR
172+0.42 EUR
228+0.31 EUR
241+0.3 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP2301MW6T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BE9F0D73A100CE&compId=NUP2301MW6T1G.PDF?ci_sign=522814a721a84603658153e439260f7181ffa5d9
NUP2301MW6T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays; SC88; Ch: 2; reel,tape; ESD
Case: SC88
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 70V
Type of diode: diode arrays
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2668 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
239+0.3 EUR
281+0.25 EUR
302+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP4114HMR6T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9C8BAB0A75BF00C7&compId=NUP4114.PDF?ci_sign=5d35c610d832eaa422109862e6a524956e4aaed1
NUP4114HMR6T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; TSOP6; Ch: 4; reel,tape; ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP6
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.5V
Max. forward impulse current: 12A
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP4114UCLW1T2G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BEB0519E7C80CE&compId=NUP4114.PDF?ci_sign=d0c181f9c7d3243caf15d2f88151f666fe79324f
NUP4114UCLW1T2G
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; SC88; Ch: 4; reel,tape; ESD
Case: SC88
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 12A
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.5V
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
204+0.35 EUR
228+0.31 EUR
302+0.24 EUR
343+0.21 EUR
486+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP4114UCW1T2G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BEB0519E7C80CE&compId=NUP4114.PDF?ci_sign=d0c181f9c7d3243caf15d2f88151f666fe79324f
NUP4114UCW1T2G
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; SC88; Ch: 4; reel,tape; ESD
Case: SC88
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 12A
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.5V
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.93 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
306+0.23 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP4301MR6T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BEBCE9911360CE&compId=NUP4301MR6T1G.PDF?ci_sign=c0c9d50ea049799b1959f4d08e53119a3cc282d2
NUP4301MR6T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays; SC74; Ch: 4; reel,tape; ESD
Type of diode: diode arrays
Mounting: SMD
Case: SC74
Max. off-state voltage: 70V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Number of channels: 4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
246+0.29 EUR
288+0.25 EUR
376+0.19 EUR
575+0.12 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV24C04DTVLT3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE80A79DE5463DE0D5&compId=NV24C04LV-D.pdf?ci_sign=f5e48c473d33e7f8902299d0c4efa3b6c35e08d7
Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; I2C; 512x8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; TSSOP8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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