Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
---|---|---|---|---|---|
NVMFS016N10MCLT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 243A; 32W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 46A Pulsed drain current: 243A Power dissipation: 32W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS021N10MCLT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS024N06CT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 158A; 14W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Pulsed drain current: 158A Power dissipation: 14W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS025P04M8LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -34.6A; Idm: -204A; 22.1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -34.6A Pulsed drain current: -204A Power dissipation: 22.1W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS027N10MCLT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS040N10MCLT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 94A; 18W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A Pulsed drain current: 94A Power dissipation: 18W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS2D3P04M8LT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS3D0P04M8LT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS3D6N10MCLT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS4C01NT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS4C01NWFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS4C03NT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS4C03NWFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS4C05NT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; Idm: 174A; 79W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 127A Pulsed drain current: 174A Power dissipation: 79W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS4C05NWFT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; Idm: 174A; 79W; DFNW5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 127A Pulsed drain current: 174A Power dissipation: 79W Case: DFNW5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS4C302NWFT1G | ONSEMI | NVMFS4C302NWFT1G SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5113PLT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5113PLWFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5A160PLZT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C404NAFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C404NLAFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C404NLWFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C404NT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C404NWFAFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C406NLT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C406NLWFT1G | ONSEMI | NVMFS5C406NLWFT1G SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C406NT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C406NWFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C410NAFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C410NLAFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C410NWFAFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C410NWFET1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 900A; 83W; DFN5 Case: DFN5 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 86nC On-state resistance: 920µΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 83W Drain current: 300A Pulsed drain current: 900A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C420NLT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C420NLWFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C420NT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C420NWFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C423NLAFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C426NAFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C426NLT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C426NLWFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C426NWFAFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C430NAFT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 185A; Idm: 900A; 53W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 185A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 53W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
![]() |
NVMFS5C430NLAFT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; Idm: 900A; 53W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 140A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 53W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
NVMFS5C430NWFAFT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 185A; Idm: 900A; 53W; DFNW5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 185A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 53W Case: DFNW5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C442NAFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C442NAFT1G-YE | ONSEMI | NVMFS5C442NAFT1GYE SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C442NLAFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C442NWFAFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C442NWFET1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; Idm: 900A; 42W; DFNW5 Case: DFNW5 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 32nC On-state resistance: 2.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 42W Drain current: 140A Pulsed drain current: 900A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C450NAFT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 102A; Idm: 554A; 34W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 102A Pulsed drain current: 554A Power dissipation: 34W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C450NLAFT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 740A; 34W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 110A Pulsed drain current: 740A Power dissipation: 34W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C450NWFAFT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 102A; Idm: 554A; 34W; DFNW5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 102A Pulsed drain current: 554A Power dissipation: 34W Case: DFNW5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C456NLAFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C456NT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C456NWFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C460NLAFT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 78A; Idm: 396A; 25W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 78A Pulsed drain current: 396A Power dissipation: 25W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C460NLWFT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 78A; Idm: 396A; 25W; DFNW5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 78A Pulsed drain current: 396A Power dissipation: 25W Case: DFNW5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C460NT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C460NWFT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
NVMFS5C466NLT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
NVMFS016N10MCLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 243A; 32W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 243A
Power dissipation: 32W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 243A; 32W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 243A
Power dissipation: 32W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS021N10MCLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS021N10MCLT1G SMD N channel transistors
NVMFS021N10MCLT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS024N06CT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 158A; 14W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 158A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 158A; 14W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 158A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS025P04M8LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -34.6A; Idm: -204A; 22.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -34.6A
Pulsed drain current: -204A
Power dissipation: 22.1W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -34.6A; Idm: -204A; 22.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -34.6A
Pulsed drain current: -204A
Power dissipation: 22.1W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS027N10MCLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS027N10MCLT1G SMD N channel transistors
NVMFS027N10MCLT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS040N10MCLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 94A; 18W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 94A
Power dissipation: 18W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 94A; 18W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 94A
Power dissipation: 18W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS2D3P04M8LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS2D3P04M8LT1G SMD P channel transistors
NVMFS2D3P04M8LT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS3D0P04M8LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS3D0P04M8LT1G SMD P channel transistors
NVMFS3D0P04M8LT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS3D6N10MCLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS3D6N10MCLT1G SMD N channel transistors
NVMFS3D6N10MCLT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS4C01NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS4C01NT1G SMD N channel transistors
NVMFS4C01NT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS4C01NWFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS4C01NWFT1G SMD N channel transistors
NVMFS4C01NWFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS4C03NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS4C03NT1G SMD N channel transistors
NVMFS4C03NT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS4C03NWFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS4C03NWFT1G SMD N channel transistors
NVMFS4C03NWFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS4C05NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; Idm: 174A; 79W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 127A
Pulsed drain current: 174A
Power dissipation: 79W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; Idm: 174A; 79W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 127A
Pulsed drain current: 174A
Power dissipation: 79W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS4C05NWFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; Idm: 174A; 79W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 127A
Pulsed drain current: 174A
Power dissipation: 79W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; Idm: 174A; 79W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 127A
Pulsed drain current: 174A
Power dissipation: 79W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS4C302NWFT1G |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS4C302NWFT1G SMD N channel transistors
NVMFS4C302NWFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5113PLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5113PLT1G SMD P channel transistors
NVMFS5113PLT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5113PLWFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5113PLWFT1G SMD P channel transistors
NVMFS5113PLWFT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5A160PLZT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5A160PLZT1G SMD P channel transistors
NVMFS5A160PLZT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C404NAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C404NAFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C404NAFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C404NLAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C404NLAFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C404NLAFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C404NLWFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C404NLWFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C404NLWFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C404NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C404NT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C404NT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C404NWFAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C404NWFAFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C404NWFAFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C406NLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C406NLT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C406NLT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C406NLWFT1G |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C406NLWFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C406NLWFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C406NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C406NT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C406NT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C406NWFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C406NWFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C406NWFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C410NAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C410NAFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C410NAFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C410NLAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C410NLAFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C410NLAFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C410NWFAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C410NWFAFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C410NWFAFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C410NWFET1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 900A; 83W; DFN5
Case: DFN5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 920µΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 83W
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 900A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 900A; 83W; DFN5
Case: DFN5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 920µΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 83W
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 900A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C420NLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C420NLT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C420NLT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C420NLWFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C420NLWFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C420NLWFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C420NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C420NT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C420NT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C420NWFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C420NWFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C420NWFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C423NLAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C423NLAFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C423NLAFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C426NAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C426NAFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C426NAFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C426NLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C426NLT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C426NLT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C426NLWFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C426NLWFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C426NLWFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C426NWFAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C426NWFAFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C426NWFAFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C430NAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 185A; Idm: 900A; 53W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 53W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 185A; Idm: 900A; 53W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 53W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C430NLAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; Idm: 900A; 53W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 53W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; Idm: 900A; 53W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 53W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C430NWFAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 185A; Idm: 900A; 53W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 53W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 185A; Idm: 900A; 53W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 53W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C442NAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C442NAFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C442NAFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C442NAFT1G-YE |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C442NAFT1GYE SMD N channel transistors
NVMFS5C442NAFT1GYE SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C442NLAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C442NLAFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C442NLAFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C442NWFAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C442NWFAFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C442NWFAFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C442NWFET1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; Idm: 900A; 42W; DFNW5
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 2.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 42W
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 900A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; Idm: 900A; 42W; DFNW5
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 2.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 42W
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 900A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C450NAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 102A; Idm: 554A; 34W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 554A
Power dissipation: 34W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 102A; Idm: 554A; 34W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 554A
Power dissipation: 34W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C450NLAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 740A; 34W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 740A
Power dissipation: 34W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 740A; 34W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 740A
Power dissipation: 34W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C450NWFAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 102A; Idm: 554A; 34W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 554A
Power dissipation: 34W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 102A; Idm: 554A; 34W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 554A
Power dissipation: 34W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C456NLAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C456NLAFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C456NLAFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C456NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C456NT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C456NT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C456NWFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C456NWFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C456NWFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C460NLAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 78A; Idm: 396A; 25W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 25W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 78A; Idm: 396A; 25W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 25W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C460NLWFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 78A; Idm: 396A; 25W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 25W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 78A; Idm: 396A; 25W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 25W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C460NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C460NT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C460NT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C460NWFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C460NWFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C460NWFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVMFS5C466NLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVMFS5C466NLT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C466NLT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH