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NVTFS027N10MCLTAG ONSEMI nvtfs027n10mcl-d.pdf NVTFS027N10MCLTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS040N10MCLTAG ONSEMI nvtfs040n10mcl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 82A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 82A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS052P04M8LTAG ONSEMI nvtfs052p04m8l-d.pdf NVTFS052P04M8LTAG SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS070N10MCLTAG ONSEMI nvtfs070n10mcl-d.pdf NVTFS070N10MCLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS4C02NTAG ONSEMI nvtfs4c02n-d.pdf NVTFS4C02NTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAG ONSEMI nvtfs4c05n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 433A; 34W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 433A
Power dissipation: 34W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NWFTAG ONSEMI NVTFS4C05N-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 433A; 34W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 433A
Power dissipation: 34W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTAG ONSEMI nvtfs4c06n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; Idm: 367A; 37W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 37W
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 367A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTWG ONSEMI nvtfs4c06n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; Idm: 367A; 37W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 37W
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 367A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NTWG ONSEMI NVTFS4C08N-D.PDF ONSMS39047-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 NVTFS4C08NTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C10NWFTAG ONSEMI nvtfs4c10n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 47A; Idm: 196A; 14W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 14W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFS4C13NTAG ONSEMI nvtfs4c13n-d.pdf NVTFS4C13NTAG SMD N channel transistors
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NVTFS4C13NTWG ONSEMI nvtfs4c13n-d.pdf NVTFS4C13NTWG SMD N channel transistors
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NVTFS4C13NWFTAG ONSEMI nvtfs4c13n-d.pdf NVTFS4C13NWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS4C13NWFTWG ONSEMI nvtfs4c13n-d.pdf NVTFS4C13NWFTWG SMD N channel transistors
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NVTFS4C25NTAG ONSEMI NVTFS4C25N-D.PDF NVTFS4C25NTAG SMD N channel transistors
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NVTFS4C25NWFTAG ONSEMI NVTFS4C25N-D.PDF NVTFS4C25NWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG ONSEMI nvtfs5116pl-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Case: WDFN8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
80+0.9 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
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Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTWG ONSEMI nvtfs5116pl-d.pdf NVTFS5116PLTWG SMD P channel transistors
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NVTFS5116PLWFTAG ONSEMI nvtfs5116pl-d.pdf NVTFS5116PLWFTAG SMD P channel transistors
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NVTFS5116PLWFTWG ONSEMI nvtfs5116pl-d.pdf NVTFS5116PLWFTWG SMD P channel transistors
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NVTFS5124PLTAG ONSEMI nvtfs5124pl-d.pdf NVTFS5124PLTAG SMD P channel transistors
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NVTFS5124PLTWG ONSEMI nvtfs5124pl-d.pdf NVTFS5124PLTWG SMD P channel transistors
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NVTFS5124PLWFTAG ONSEMI nvtfs5124pl-d.pdf NVTFS5124PLWFTAG SMD P channel transistors
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NVTFS5C453NLTAG ONSEMI nvtfs5c453nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3.1mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C453NLWFTAG ONSEMI nvtfs5c453nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3.1mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFS5C454NLTAG ONSEMI nvtfs5c454nl-d.pdf NVTFS5C454NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C454NLWFTAG ONSEMI nvtfs5c454nl-d.pdf NVTFS5C454NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C460NLTAG ONSEMI NVTFS5C460NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C460NLWFTAG ONSEMI NVTFS5C460NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C466NLTAG ONSEMI nvtfs5c466nl-d.pdf NVTFS5C466NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C466NLWFTAG ONSEMI NVTFS5C466NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C471NLTAG ONSEMI nvtfs5c471nl-d.pdf NVTFS5C471NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C471NLWFTAG ONSEMI nvtfs5c471nl-d.pdf NVTFS5C471NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C478NLTAG ONSEMI NVTFS5C478NL-D.PDF NVTFS5C478NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C478NLWFTAG ONSEMI nvtfs5c478nl-d.pdf NVTFS5C478NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C658NLTAG ONSEMI nvtfs5c658nl-d.pdf NVTFS5C658NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C658NLWFTAG ONSEMI NVTFS5C658NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C670NLTAG ONSEMI nvtfs5c670nl-d.pdf NVTFS5C670NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C670NLWFTAG ONSEMI nvtfs5c670nl-d.pdf NVTFS5C670NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C673NLTAG ONSEMI nvtfs5c673nl-d.pdf NVTFS5C673NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C673NLWFTAG ONSEMI nvtfs5c673nl-d.pdf NVTFS5C673NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C680NLTAG ONSEMI nvtfs5c680nl-d.pdf NVTFS5C680NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C680NLWFTAG ONSEMI nvtfs5c680nl-d.pdf NVTFS5C680NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H850NLTAG ONSEMI NVTFS6H850NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H850NLWFTAG ONSEMI nvtfs6h850nl-d.pdf NVTFS6H850NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H850NTAG ONSEMI nvtfs6h850n-d.pdf NVTFS6H850NTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H850NWFTAG ONSEMI nvtfs6h850n-d.pdf NVTFS6H850NWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H854NLTAG ONSEMI NVTFS6H854NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H854NLWFTAG ONSEMI NVTFS6H854NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H854NTAG ONSEMI nvtfs6h854n-d.pdf NVTFS6H854NTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H854NWFTAG ONSEMI nvtfs6h854n-d.pdf NVTFS6H854NWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H860NLTAG ONSEMI NVTFS6H860NL-D.PDF NVTFS6H860NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H860NLWFTAG ONSEMI NVTFS6H860NL-D.PDF NVTFS6H860NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H860NTAG ONSEMI NVTFS6H860NTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H880NLWFTAG ONSEMI NVTFS6H880NL-D.PDF NVTFS6H880NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H880NTAG ONSEMI nvtfs6h880n-d.pdf NVTFS6H880NTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H880NWFTAG ONSEMI NVTFS6H880NWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H888NLTAG ONSEMI nvtfs6h888nl-d.pdf NVTFS6H888NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H888NLWFTAG ONSEMI NVTFS6H888NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS027N10MCLTAG nvtfs027n10mcl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS027N10MCLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS040N10MCLTAG nvtfs040n10mcl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 82A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 82A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS052P04M8LTAG nvtfs052p04m8l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS052P04M8LTAG SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS070N10MCLTAG nvtfs070n10mcl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS070N10MCLTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAG nvtfs4c02n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS4C02NTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAG nvtfs4c05n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 433A; 34W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 433A
Power dissipation: 34W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NWFTAG NVTFS4C05N-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 433A; 34W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 433A
Power dissipation: 34W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTAG nvtfs4c06n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; Idm: 367A; 37W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 37W
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 367A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTWG nvtfs4c06n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; Idm: 367A; 37W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 37W
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 367A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NTWG NVTFS4C08N-D.PDF ONSMS39047-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
Hersteller: ONSEMI
NVTFS4C08NTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C10NWFTAG nvtfs4c10n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 47A; Idm: 196A; 14W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 14W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NTAG nvtfs4c13n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS4C13NTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NTWG nvtfs4c13n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS4C13NTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NWFTAG nvtfs4c13n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS4C13NWFTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NWFTWG nvtfs4c13n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS4C13NWFTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C25NTAG NVTFS4C25N-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
NVTFS4C25NTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C25NWFTAG NVTFS4C25N-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
NVTFS4C25NWFTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG nvtfs5116pl-d.pdf
NVTFS5116PLTAG
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Case: WDFN8
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3.1mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3.1mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
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