| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NCP1251BSN65T1G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NCP1251BSN65T1G - PWM-Controller, Current-Mode, bis zu 28V Versorgungsspannung, 65/100kHz, 500mAout, TSOP-6tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: 71kHz Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Schaltfrequenz, min.: 61kHz MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 65kHz Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig) Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: - Tastverhältnis, min.: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Tastverhältnis, max.: 84% SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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74LCX07BQX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74LCX07BQX - PUFFER, NICHT INVERTIEREND, -40 BIS 85°C tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 7407 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74LCX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX07 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAS16DXV6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS16DXV6T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, isoliert, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-563 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BAS16 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAS16P2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS16P2T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PIR-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PIR-GEVB - Evaluationsboard, PIR-Shield, kostengünstige Passiv-Infrarot-Steueranwendungen tariffCode: 84733020 Prozessorkern: NCS36000 Kit-Anwendungsbereich: Sensor productTraceability: No rohsCompliant: NA Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCS36000 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Controller für passiven Infrarotdetektor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA usEccn: EAR99 Produktpalette: IOT SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC807-16LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC807-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 47380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC33725TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC33725TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 28814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC33716BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC33716BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9057 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC33716TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC33716TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC33725BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC33725BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 22543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GBPC1506W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBPC1506W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 15 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 300A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: Modul usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBPC1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GBU8J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU8J - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU8J productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2064 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GBU8K | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU8K - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU8K productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GBU8B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU8B - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU8B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GBU8D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU8D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU8D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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74AC00SCX | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 74AC00SCX - NAND-Gatter, 74AC00, 8 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: NAND-Gatter Logik-IC-Familie: 74AC Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74AC00 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Vier SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1727 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RHRG75120 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RHRG75120 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 75 A, Einfach, 3.2 V, 85 ns, 500 A Bauform - Diode: TO-247 Durchlassspannung Vf max.: 3.2 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 85 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 75 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: RHRG7 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 500 Betriebstemperatur, max.: 175 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DF10S2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF10S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 1.5 A, SDIP, 1.1 V, 4 Pin(s) Durchlassspannung Vf max.: 1.1 Bauform - Brückengleichrichter: SDIP Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1 Anzahl der Pins: 4 Anzahl der Phasen: Eine Phase Betriebstemperatur, max.: 150 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5 Produktpalette: - SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TL431ACDG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TL431ACDG - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431A, 2.495V bis 36V, SOIC-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 36V IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Referenzspannung, min.: 2.495V MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: 0°C Temperaturkoeffizient: 50ppm/C Eingangsspannung, max.: 36V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TL431A productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 70°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 1% SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 791 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TL431BCLPG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TL431BCLPG - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt - einstellbar, TL431B, 2.495V bis 36V, TO-226AA-3 Bauform - Spannungsreferenz: TO-92 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: 0 Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TL431B Referenzspannung: 2.495V bis 36V Betriebstemperatur, max.: 70 Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.4 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC846BLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC846BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5817G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5817G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 20 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 450 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 450mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5817 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 759 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4747ATR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4747ATR - Zener-Diode, 20 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: 1N47xxA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 20V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 39034 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CAT5119TBI-00-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5119TBI-00-GT3 - IC, DIGITAL POT 100KOHM 32, SGL, SOT23-6 Bauform - Potentiometer: SOT-23 Anzahl der Potentiometer: Single Widerstandsverlauf: Linear Anzahl Schritte: 32 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: - Versorgungsspannung, min.: 2.7 Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: 2 Wire, Serial Gesamtwiderstand: 100 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: Single 32 -Tap Non-Volatile Digital Pots Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQU11P06TU. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQU11P06TU. - P CHANNEL MOSFET, -60V, 9.4A, IPAK tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FNB41060 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FNB41060 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 10 A, 1.5 V, 32 W, 150 °C, SPM26-AAA tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Dauer-Kollektorstrom: 10A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: 32W euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: SPM26-AAA Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Anzahl der Pins: 26Pin(s) Produktpalette: Motion SPM 45 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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74ACT04SC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74ACT04SC - Inverter, 74ACT04, 1 Eingang, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74ACT hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74ACT04 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Sechs SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1517 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HGTG11N120CND | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 43A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SGL160N60UFDTU. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SGL160N60UFDTU. - IGBT, 160 A, 2.6 V, 250 W, 600 V, TO-264, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6 DC-Kollektorstrom: 160 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-264 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 250 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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FAN3100CSX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN3100CSX - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-18V Versorgungsspannung, 3Aout, 15ns Verzögerung, SOT-23-5 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 3A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: 15ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5818 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAS21HT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS21HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 625 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 625mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAS21 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 30158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAS21LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS21LT3G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 625mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS21 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAS21LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS21LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 625mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS21 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 70767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD681G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD681G. - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-225 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD681G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD681G - Transistor, NPN, 100V, 4A, 150°C, 40W, TO-225 Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 750 Verlustleistung Pd: 40 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-225 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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FUSB380CUCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FUSB380CUCX - USB-Schnittstelle, Kabel-ID USB Typ C, USB 2.0, 3.0, 2.4 V, 5.5 V, WLCSP, 12 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES USB-Version: USB 2.0, 3.0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V Anzahl der Anschlüsse: - euEccn: NLR USB-IC: Kabel-ID USB Typ C Anzahl der Pins: 12Pin(s) Übertragungsrate: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS0610 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 36652 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR0202PLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 18815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR5105PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 196mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 347mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 19863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP361SNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP361SNT1G - Positiver Überspannungsschutz-Controller, USB, interner PMOS-FET, 1.2V bis 20V Versorgung, TSOP-5 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anzahl der Zellen: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Abschaltstrom: 750mA MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.2V Batterie-/Akkutyp: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Batterie-/Akkuschutz: Überstrom, Überspannung productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD4152PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm Verlustleistung, p-Kanal: 272mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 272mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 34757 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTA4151PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTA4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.26 ohm, SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 760mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV euEccn: NLR Verlustleistung: 301mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 84226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3904TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3904TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 33072 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3904BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3904BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 80593 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3904TF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3904TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 15164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3904TAR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3904TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 10923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N3904TFR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3904TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 12966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3904TFR. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3904TFR. - TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92, FULL REEL tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC547CBU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC547CBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 135355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BC547CTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC547CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignal, NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BC547BBU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC547BBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BC547CTFR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC547CTFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3029 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BC547BTF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC547BTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NE5532AD8R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NE5532AD8R2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 10 MHz, 9 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 9V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 300nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 70°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NE5532D8R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NE5532D8R2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 10 MHz, 9 V/µs, 3V bis 20V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 20V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 9V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 300nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 70°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2518 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N4733ATR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4733ATR - Zener-Diode, Baureihe 1N47, 5.1 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N47xxA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RFP12N10L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NCP1251BSN65T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1251BSN65T1G - PWM-Controller, Current-Mode, bis zu 28V Versorgungsspannung, 65/100kHz, 500mAout, TSOP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 71kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Schaltfrequenz, min.: 61kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 84%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP1251BSN65T1G - PWM-Controller, Current-Mode, bis zu 28V Versorgungsspannung, 65/100kHz, 500mAout, TSOP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 71kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Schaltfrequenz, min.: 61kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 84%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 74LCX07BQX |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX07BQX - PUFFER, NICHT INVERTIEREND, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7407
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX07
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - 74LCX07BQX - PUFFER, NICHT INVERTIEREND, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7407
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX07
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAS16DXV6T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS16DXV6T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, isoliert, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-563
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAS16DXV6T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, isoliert, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-563
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAS16P2T5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS16P2T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BAS16P2T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PIR-GEVB |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PIR-GEVB - Evaluationsboard, PIR-Shield, kostengünstige Passiv-Infrarot-Steueranwendungen
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCS36000
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCS36000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Controller für passiven Infrarotdetektor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Produktpalette: IOT
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - PIR-GEVB - Evaluationsboard, PIR-Shield, kostengünstige Passiv-Infrarot-Steueranwendungen
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCS36000
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCS36000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Controller für passiven Infrarotdetektor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Produktpalette: IOT
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC807-16LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC807-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 47380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC33725TA |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC33725TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC33725TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 28814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC33716BU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC33716BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC33716BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC33716TA |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC33716TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC33716TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC33725BU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC33725BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC33725BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 22543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GBPC1506W |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC1506W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 15 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - GBPC1506W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 15 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GBU8J |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU8J - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU8J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - GBU8J - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU8J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GBU8K |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU8K - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU8K
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - GBU8K - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU8K
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GBU8B |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU8B - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU8B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - GBU8B - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU8B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GBU8D |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU8D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU8D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - GBU8D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU8D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 74AC00SCX | |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC00SCX - NAND-Gatter, 74AC00, 8 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74AC00SCX - NAND-Gatter, 74AC00, 8 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RHRG75120 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRG75120 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 75 A, Einfach, 3.2 V, 85 ns, 500 A
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassspannung Vf max.: 3.2
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 85
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 75
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: RHRG7
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 500
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - RHRG75120 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 75 A, Einfach, 3.2 V, 85 ns, 500 A
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassspannung Vf max.: 3.2
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 85
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 75
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: RHRG7
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 500
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DF10S2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF10S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 1.5 A, SDIP, 1.1 V, 4 Pin(s)
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Betriebstemperatur, max.: 150
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Produktpalette: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - DF10S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 1.5 A, SDIP, 1.1 V, 4 Pin(s)
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Betriebstemperatur, max.: 150
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Produktpalette: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TL431ACDG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431ACDG - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431A, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431A
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - TL431ACDG - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431A, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431A
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TL431BCLPG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431BCLPG - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt - einstellbar, TL431B, 2.495V bis 36V, TO-226AA-3
Bauform - Spannungsreferenz: TO-92
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: 0
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TL431B
Referenzspannung: 2.495V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 70
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - TL431BCLPG - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt - einstellbar, TL431B, 2.495V bis 36V, TO-226AA-3
Bauform - Spannungsreferenz: TO-92
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: 0
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TL431B
Referenzspannung: 2.495V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 70
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BC846BLT3G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC846BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC846BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N5817G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5817G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 20 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5817
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N5817G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 20 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5817
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N4747ATR |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4747ATR - Zener-Diode, 20 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 1N4747ATR - Zener-Diode, 20 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N7000BU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N7000 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 39034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N7000TA |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CAT5119TBI-00-GT3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5119TBI-00-GT3 - IC, DIGITAL POT 100KOHM 32, SGL, SOT23-6
Bauform - Potentiometer: SOT-23
Anzahl der Potentiometer: Single
Widerstandsverlauf: Linear
Anzahl Schritte: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: -
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: 2 Wire, Serial
Gesamtwiderstand: 100
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Single 32 -Tap Non-Volatile Digital Pots
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - CAT5119TBI-00-GT3 - IC, DIGITAL POT 100KOHM 32, SGL, SOT23-6
Bauform - Potentiometer: SOT-23
Anzahl der Potentiometer: Single
Widerstandsverlauf: Linear
Anzahl Schritte: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: -
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: 2 Wire, Serial
Gesamtwiderstand: 100
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Single 32 -Tap Non-Volatile Digital Pots
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FQU11P06TU. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQU11P06TU. - P CHANNEL MOSFET, -60V, 9.4A, IPAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - FQU11P06TU. - P CHANNEL MOSFET, -60V, 9.4A, IPAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FNB41060 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB41060 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 10 A, 1.5 V, 32 W, 150 °C, SPM26-AAA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 32W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SPM26-AAA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: Motion SPM 45
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FNB41060 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 10 A, 1.5 V, 32 W, 150 °C, SPM26-AAA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 32W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SPM26-AAA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: Motion SPM 45
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 74ACT04SC |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT04SC - Inverter, 74ACT04, 1 Eingang, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74ACT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74ACT04SC - Inverter, 74ACT04, 1 Eingang, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74ACT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| HGTG11N120CND |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 43A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 43A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SGL160N60UFDTU. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SGL160N60UFDTU. - IGBT, 160 A, 2.6 V, 250 W, 600 V, TO-264, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
DC-Kollektorstrom: 160
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-264
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - SGL160N60UFDTU. - IGBT, 160 A, 2.6 V, 250 W, 600 V, TO-264, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
DC-Kollektorstrom: 160
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-264
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FAN3100CSX |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN3100CSX - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-18V Versorgungsspannung, 3Aout, 15ns Verzögerung, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FAN3100CSX - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-18V Versorgungsspannung, 3Aout, 15ns Verzögerung, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAS21HT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS21HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BAS21HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAS21LT3G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS21LT3G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BAS21LT3G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAS21LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS21LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BAS21LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 70767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BD681G. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD681G. - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BD681G. - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BD681G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD681G - Transistor, NPN, 100V, 4A, 150°C, 40W, TO-225
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - BD681G - Transistor, NPN, 100V, 4A, 150°C, 40W, TO-225
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FUSB380CUCX |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FUSB380CUCX - USB-Schnittstelle, Kabel-ID USB Typ C, USB 2.0, 3.0, 2.4 V, 5.5 V, WLCSP, 12 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0, 3.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: Kabel-ID USB Typ C
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FUSB380CUCX - USB-Schnittstelle, Kabel-ID USB Typ C, USB 2.0, 3.0, 2.4 V, 5.5 V, WLCSP, 12 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0, 3.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: Kabel-ID USB Typ C
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NDS0610 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 36652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTR0202PLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 18815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTR5105PT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 19863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP361SNT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP361SNT1G - Positiver Überspannungsschutz-Controller, USB, interner PMOS-FET, 1.2V bis 20V Versorgung, TSOP-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Zellen: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Abschaltstrom: 750mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
Batterie-/Akkutyp: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Batterie-/Akkuschutz: Überstrom, Überspannung
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP361SNT1G - Positiver Überspannungsschutz-Controller, USB, interner PMOS-FET, 1.2V bis 20V Versorgung, TSOP-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Zellen: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Abschaltstrom: 750mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
Batterie-/Akkutyp: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Batterie-/Akkuschutz: Überstrom, Überspannung
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9663 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTJD4152PT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 272mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 272mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 34757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTA4151PT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTA4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.26 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 301mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTA4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.26 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 301mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 84226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N3904TA |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3904TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2N3904TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 33072 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N3904BU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3904BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2N3904BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 80593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N3904TF |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3904TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N3904TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N3904TAR |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3904TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - 2N3904TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 10923 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N3904TFR |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3904TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - 2N3904TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 12966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N3904TFR. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3904TFR. - TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N3904TFR. - TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC547CBU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC547CBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC547CBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 135355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC547CTA |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC547CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignal, NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC547CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignal, NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC547BBU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC547BBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC547BBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC547CTFR |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC547CTFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC547CTFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC547BTF |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC547BTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC547BTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NE5532AD8R2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5532AD8R2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 10 MHz, 9 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 9V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NE5532AD8R2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 10 MHz, 9 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 9V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NE5532D8R2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5532D8R2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 10 MHz, 9 V/µs, 3V bis 20V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 9V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NE5532D8R2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 10 MHz, 9 V/µs, 3V bis 20V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 9V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N4733ATR |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4733ATR - Zener-Diode, Baureihe 1N47, 5.1 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4733ATR - Zener-Diode, Baureihe 1N47, 5.1 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RFP12N10L | |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH