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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PZTA42T1G ONSEMI pzta42t1-d.pdf PZTA42T1G NPN SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PZTA56 ONSEMI pzta56-d.pdf PZTA56 PNP SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PZTA64 ONSEMI pzta64-d.pdf FAIRS31315-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw PZTA64 PNP SMD Darlington transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PZTA92T1G PZTA92T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD19C1E04110469&compId=PZTA92T1G.PDF?ci_sign=5155cf7ed4ab257b98f0f7594162010ed984a0c9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
261+0.27 EUR
315+0.23 EUR
343+0.21 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QEB363ZR ONSEMI qeb363-d.pdf QEB363ZR IR LEDs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QEB373GR ONSEMI QEB373.pdf QEB373GR IR LEDs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QED123 QED123 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885F7ED6E086BEA18&compId=QED123.pdf?ci_sign=bb002984a180cecf9587a9d93b0e72ae62c01ef1 Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; diffused,orange; 70mW; 16°; 1.7VDC; THT; 100mA
Type of diode: IR transmitter
LED diameter: 5mm
LED lens: diffused; orange
Radiant power: 70mW
Viewing angle: 16°
Operating voltage: 1.7V DC
Wavelength of peak sensitivity: 890nm
Mounting: THT
LED current: 100mA
Shape: round
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
148+0.48 EUR
177+0.4 EUR
266+0.27 EUR
281+0.25 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QED123A4R0 QED123A4R0 ONSEMI qed123-d.pdf Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; diffused,violet; 200W; 16°; 1.7VDC; THT; 100mA
Type of diode: IR transmitter
LED diameter: 5mm
LED lens: diffused; violet
Radiant power: 200W
Viewing angle: 16°
Operating voltage: 1.7V DC
Wavelength of peak sensitivity: 890nm
Mounting: THT
LED current: 100mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
134+0.54 EUR
226+0.32 EUR
239+0.3 EUR
1200+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QED223 ONSEMI qed223-d.pdf QED223 IR LEDs
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QED223A4R0 ONSEMI qed223-d.pdf QED223A4R0 IR LEDs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QED234 QED234 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885F806D8E739EA18&compId=QED234.PDF?ci_sign=b43f1cb402f4be64f05f72cb1ae7bf50a30bfee7 Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; transparent; 27mW; 40°; 1.6VDC; λp max: 940nm
Operating voltage: 1.6V DC
LED diameter: 5mm
LED lens: transparent
LED current: 100mA
Viewing angle: 40°
Wavelength of peak sensitivity: 940nm
Radiant power: 27mW
Shape: round
Type of diode: IR transmitter
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
278+0.26 EUR
321+0.22 EUR
353+0.2 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QEE113 ONSEMI QEE113.pdf QEE113 IR LEDs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QEE122 ONSEMI QEE122_123.pdf QEE122 IR LEDs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QEE123 ONSEMI QEE122_123.pdf QEE123 IR LEDs
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
108+0.66 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QRD1114 QRD1114 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED38B99FA199E4689E4&compId=QRD1114.PDF?ci_sign=cae341d6dc36b0952f7ab9b14988345fb26a2fc2 description Category: PCB Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; NPN; Usup: 5VDC; PCB
Type of sensor: photoelectric
Operation mode: diffuse-reflective
Output configuration: NPN
Supply voltage: 5V DC
Mounting: PCB
Body dimensions: 4.39x6.1x4.65mm
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
41+1.74 EUR
42+1.72 EUR
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSB34CGR ONSEMI QSB34-D.PDF QSB34CGR Photodiodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSB34GR ONSEMI QSB34-D.PDF QSB34GR Photodiodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSB363GR ONSEMI qsb363-d.pdf QSB363GR Phototransistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSB363ZR ONSEMI qsb363-d.pdf QSB363ZR Phototransistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
57+1.26 EUR
156+0.46 EUR
2000+0.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSD123 QSD123 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AA5ACF8F04CD8BF&compId=QSD123.PDF?ci_sign=ec83fd9646a118ab31a4d852f8894c855637688f Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24°
Type of photoelement: phototransistor
Mounting: THT
LED diameter: 5mm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Collector-emitter voltage: 30V
Viewing angle: 24°
LED lens: black with IR filter
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
130+0.55 EUR
177+0.41 EUR
223+0.32 EUR
235+0.3 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSD124 ONSEMI qsd123-d.pdf Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24°
Type of photoelement: phototransistor
Mounting: THT
LED diameter: 5mm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Collector-emitter voltage: 30V
Viewing angle: 24°
LED lens: black with IR filter
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSD2030 QSD2030 ONSEMI QSD2030-D.PDF Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex
Mounting: THT
Type of photoelement: photodiode
LED lens: transparent
Wavelength: 400...1100nm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Operating voltage: 1.3V
Viewing angle: 40°
Front: convex
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.46 EUR
100+0.72 EUR
134+0.53 EUR
250+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSD2030F QSD2030F ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE888DA4229BBDFD3D1&compId=QSD2030F.pdf?ci_sign=c7df101a1dab84c1184918d4a108563b828289ad Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 700÷1100nm; 20°; 1.3V; convex; black
Operating voltage: 1.3V
Front: convex
Mounting: THT
Type of photoelement: photodiode
Wavelength: 700...1100nm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Viewing angle: 20°
LED lens: black
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
128+0.56 EUR
157+0.46 EUR
185+0.39 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSE113 QSE113 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1FCA4E3280F86F1A303005056AB0C4F&compId=QSE113.pdf?ci_sign=e66144b7aa43619eb683965b000bd994881bba28 Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 5V; 50°
Type of photoelement: phototransistor
Mounting: THT
LED diameter: 5mm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Collector-emitter voltage: 5V
Viewing angle: 50°
LED lens: black with IR filter
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.75 EUR
35+2.04 EUR
96+0.74 EUR
250+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSE113E3R0 ONSEMI FAIR-S-A0001351863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 1.65mm; λp max: 880nm; 30V; 50°
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 1.65mm
Collector-emitter voltage: 30V
Viewing angle: 50°
LED lens: black with IR filter
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB520S30T1G RB520S30T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A5857FEB98745&compId=RB520S30T1.PDF?ci_sign=37722e3db194550fdbdf96a99a32ad2ff8602c36 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.6V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
622+0.11 EUR
944+0.076 EUR
1374+0.052 EUR
1613+0.044 EUR
2284+0.031 EUR
3356+0.021 EUR
3572+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 622
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB520S30T5G ONSEMI rb520s30t1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.6V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
562+0.13 EUR
1000+0.072 EUR
1316+0.054 EUR
1678+0.043 EUR
2416+0.03 EUR
3547+0.02 EUR
3760+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 562
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB521S30T1G RB521S30T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869A43024A15E469&compId=RB521S30T1G.PDF?ci_sign=48b92461107cfecd44fd07bb38d6f7024174608e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.5V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
632+0.11 EUR
770+0.093 EUR
1021+0.07 EUR
1183+0.06 EUR
1701+0.042 EUR
2891+0.025 EUR
3068+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 632
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB521S30T5G ONSEMI rb521s30t1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB751S40T1G ONSEMI rb751s40t1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.37V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3991 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
556+0.13 EUR
715+0.1 EUR
1000+0.072 EUR
1169+0.061 EUR
1629+0.044 EUR
2203+0.032 EUR
2326+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB751S40T5G ONSEMI rb751s40t1-d.pdf RB751S40T5G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB751V40T1G ONSEMI rb751v40t1-d.pdf RB751V40T1G SMD Schottky diodes
auf Bestellung 3617 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
315+0.23 EUR
1868+0.038 EUR
1975+0.036 EUR
9000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 315
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD12N06RLESM9A RFD12N06RLESM9A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DEBCBDF03DC745&compId=RFD12N06RLESM.pdf?ci_sign=b329f5809fdc790d1cc6e79cb1df143b63b41d5d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 49W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 49W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.33 EUR
69+1.05 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD14N05LSM RFD14N05LSM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09A7212A76F1A303005056AB0C4F&compId=RFD14N05L.pdf?ci_sign=0ef83a4d3cf5eb7191282b3a520946c463f2fa01 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 48W
Gate-source voltage: ±10V
Drain current: 14A
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
76+0.95 EUR
90+0.8 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DEC36DF631C745&compId=RFD14N05LSM.pdf?ci_sign=b272be3abc18f017634ba6fad0e3ff4ef3c4fd3e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2096 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
95+0.76 EUR
141+0.51 EUR
149+0.48 EUR
250+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DECAA1801C6745&compId=RFD14N05SM9A.pdf?ci_sign=47ce6443d8b653473e0be2be6a7e70ce337923f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7743 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
124+0.58 EUR
130+0.55 EUR
134+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DED89819534745&compId=RFD16N05LSM.pdf?ci_sign=32c18ccd0ce4e1c084e81432ae4b32379f5f3710 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2252 Stücke:
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51+1.42 EUR
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RFD16N05SM9A ONSEMI rfd16n05sm-d.pdf RFD16N05SM9A SMD N channel transistors
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RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DEF32D2AF8E745&compId=RFD16N06LESM.pdf?ci_sign=ea3565670b80d04c4e5eda160f79d71f2a980904 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DEE558ACB94745&compId=RFD3055LESM.pdf?ci_sign=129cc0944e6a4e688008b2cf6f899e1a94afbadf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 331 Stücke:
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100+0.72 EUR
117+0.61 EUR
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139+0.51 EUR
144+0.5 EUR
152+0.47 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP12N10L RFP12N10L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0A69AD4932F1A303005056AB0C4F&compId=RFP12N10L.pdf?ci_sign=59981552e8dd0fdaa159369c664c384f3c73ae15 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06 RFP50N06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AB3A6FEB9F1A303005056AB0C4F&compId=RFP50N06.pdf?ci_sign=97a5effd8691ccb8bb007880ff25eb5b1a0ba7ed Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
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32+2.3 EUR
34+2.14 EUR
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Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N06 RFP70N06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AD2A80011F1A303005056AB0C4F&compId=RFP70N06.pdf?ci_sign=37cbf21055510181f40c0cc0e576e7ca72fcd8b0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 156nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 574 Stücke:
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28+2.62 EUR
42+1.72 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGF1A RGF1A ONSEMI FAIR-S-A0002364047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RGF1B RGF1B ONSEMI ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIR-S-A0002364047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGF1D RGF1D ONSEMI ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGF1G RGF1G ONSEMI ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2726 Stücke:
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179+0.4 EUR
216+0.33 EUR
311+0.23 EUR
329+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
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RGF1J RGF1J ONSEMI ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 250ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGF1M RGF1M ONSEMI ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1A ONSEMI RS1A-RS1M%20N0988%20REV.B.pdf RS1A SMD universal diodes
auf Bestellung 7657 Stücke:
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142+0.5 EUR
444+0.16 EUR
470+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 142
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1D ONSEMI RS1A-RS1M%20N0988%20REV.B.pdf RS1D SMD universal diodes
auf Bestellung 6975 Stücke:
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103+0.7 EUR
477+0.15 EUR
506+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G RS1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB3B076CBCCAF80C7&compId=RS1x.pdf?ci_sign=3d4e89b20994d952e50b49ade03c5e22aeed0c79 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Capacitance: 10pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.19W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1J RS1J ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB3B076CBCCAF80C7&compId=RS1x.pdf?ci_sign=3d4e89b20994d952e50b49ade03c5e22aeed0c79 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
Case: DO214AC; SMA
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 1A
Power dissipation: 1.19W
Max. forward voltage: 1.3V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
323+0.22 EUR
410+0.17 EUR
491+0.15 EUR
513+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1K ONSEMI RS1A-RS1M%20N0988%20REV.B.pdf RS1K-ONS SMD universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1M RS1M ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB3B076CBCCAF80C7&compId=RS1x.pdf?ci_sign=3d4e89b20994d952e50b49ade03c5e22aeed0c79 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Power dissipation: 1.19W
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
315+0.23 EUR
428+0.17 EUR
486+0.15 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
5000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSL10-002GEVB ONSEMI rsl10-d.pdf RSL10-002GEVB Development kits - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSL10-COIN-GEVB ONSEMI RSL10-COIN-GEVB Development kits - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSL10-SENSE-DB-GEVK ONSEMI RSL10_Sensor_Dev_Kit.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation
Type of development kit: evaluation
Components: BHI150; BHI160; BME680; INMP522; N24RF64; NOA1305; RSL10
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSL10-SENSE-GEVK ONSEMI RSL10_Sensor_Dev_Kit.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation
Type of development kit: evaluation
Components: BHI150; BHI160; BME680; INMP522; N24RF64; NOA1305; RSL10
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSL10-SIP-001GEVB ONSEMI RSL10-SIP-001GEVB Development kits - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PZTA42T1G pzta42t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
PZTA42T1G NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PZTA56 pzta56-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
PZTA56 PNP SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PZTA64 pzta64-d.pdf FAIRS31315-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
PZTA64 PNP SMD Darlington transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PZTA92T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD19C1E04110469&compId=PZTA92T1G.PDF?ci_sign=5155cf7ed4ab257b98f0f7594162010ed984a0c9
PZTA92T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
261+0.27 EUR
315+0.23 EUR
343+0.21 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QEB363ZR qeb363-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
QEB363ZR IR LEDs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QEB373GR QEB373.pdf
Hersteller: ONSEMI
QEB373GR IR LEDs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QED123 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885F7ED6E086BEA18&compId=QED123.pdf?ci_sign=bb002984a180cecf9587a9d93b0e72ae62c01ef1
QED123
Hersteller: ONSEMI
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; diffused,orange; 70mW; 16°; 1.7VDC; THT; 100mA
Type of diode: IR transmitter
LED diameter: 5mm
LED lens: diffused; orange
Radiant power: 70mW
Viewing angle: 16°
Operating voltage: 1.7V DC
Wavelength of peak sensitivity: 890nm
Mounting: THT
LED current: 100mA
Shape: round
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
148+0.48 EUR
177+0.4 EUR
266+0.27 EUR
281+0.25 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QED123A4R0 qed123-d.pdf
QED123A4R0
Hersteller: ONSEMI
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; diffused,violet; 200W; 16°; 1.7VDC; THT; 100mA
Type of diode: IR transmitter
LED diameter: 5mm
LED lens: diffused; violet
Radiant power: 200W
Viewing angle: 16°
Operating voltage: 1.7V DC
Wavelength of peak sensitivity: 890nm
Mounting: THT
LED current: 100mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.77 EUR
134+0.54 EUR
226+0.32 EUR
239+0.3 EUR
1200+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QED223 qed223-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
QED223 IR LEDs
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QED223A4R0 qed223-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
QED223A4R0 IR LEDs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QED234 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885F806D8E739EA18&compId=QED234.PDF?ci_sign=b43f1cb402f4be64f05f72cb1ae7bf50a30bfee7
QED234
Hersteller: ONSEMI
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; transparent; 27mW; 40°; 1.6VDC; λp max: 940nm
Operating voltage: 1.6V DC
LED diameter: 5mm
LED lens: transparent
LED current: 100mA
Viewing angle: 40°
Wavelength of peak sensitivity: 940nm
Radiant power: 27mW
Shape: round
Type of diode: IR transmitter
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
278+0.26 EUR
321+0.22 EUR
353+0.2 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QEE113 QEE113.pdf
Hersteller: ONSEMI
QEE113 IR LEDs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QEE122 QEE122_123.pdf
Hersteller: ONSEMI
QEE122 IR LEDs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QEE123 QEE122_123.pdf
Hersteller: ONSEMI
QEE123 IR LEDs
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
108+0.66 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QRD1114 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED38B99FA199E4689E4&compId=QRD1114.PDF?ci_sign=cae341d6dc36b0952f7ab9b14988345fb26a2fc2
QRD1114
Hersteller: ONSEMI
Category: PCB Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; NPN; Usup: 5VDC; PCB
Type of sensor: photoelectric
Operation mode: diffuse-reflective
Output configuration: NPN
Supply voltage: 5V DC
Mounting: PCB
Body dimensions: 4.39x6.1x4.65mm
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
41+1.74 EUR
42+1.72 EUR
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSB34CGR QSB34-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
QSB34CGR Photodiodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSB34GR QSB34-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
QSB34GR Photodiodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSB363GR qsb363-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
QSB363GR Phototransistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSB363ZR qsb363-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
QSB363ZR Phototransistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
57+1.26 EUR
156+0.46 EUR
2000+0.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSD123 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AA5ACF8F04CD8BF&compId=QSD123.PDF?ci_sign=ec83fd9646a118ab31a4d852f8894c855637688f
QSD123
Hersteller: ONSEMI
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24°
Type of photoelement: phototransistor
Mounting: THT
LED diameter: 5mm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Collector-emitter voltage: 30V
Viewing angle: 24°
LED lens: black with IR filter
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
130+0.55 EUR
177+0.41 EUR
223+0.32 EUR
235+0.3 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSD124 qsd123-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24°
Type of photoelement: phototransistor
Mounting: THT
LED diameter: 5mm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Collector-emitter voltage: 30V
Viewing angle: 24°
LED lens: black with IR filter
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSD2030 QSD2030-D.PDF
QSD2030
Hersteller: ONSEMI
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex
Mounting: THT
Type of photoelement: photodiode
LED lens: transparent
Wavelength: 400...1100nm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Operating voltage: 1.3V
Viewing angle: 40°
Front: convex
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.46 EUR
100+0.72 EUR
134+0.53 EUR
250+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSD2030F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE888DA4229BBDFD3D1&compId=QSD2030F.pdf?ci_sign=c7df101a1dab84c1184918d4a108563b828289ad
QSD2030F
Hersteller: ONSEMI
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 700÷1100nm; 20°; 1.3V; convex; black
Operating voltage: 1.3V
Front: convex
Mounting: THT
Type of photoelement: photodiode
Wavelength: 700...1100nm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Viewing angle: 20°
LED lens: black
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
128+0.56 EUR
157+0.46 EUR
185+0.39 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSE113 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1FCA4E3280F86F1A303005056AB0C4F&compId=QSE113.pdf?ci_sign=e66144b7aa43619eb683965b000bd994881bba28
QSE113
Hersteller: ONSEMI
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 5V; 50°
Type of photoelement: phototransistor
Mounting: THT
LED diameter: 5mm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Collector-emitter voltage: 5V
Viewing angle: 50°
LED lens: black with IR filter
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.75 EUR
35+2.04 EUR
96+0.74 EUR
250+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSE113E3R0 FAIR-S-A0001351863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 1.65mm; λp max: 880nm; 30V; 50°
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 1.65mm
Collector-emitter voltage: 30V
Viewing angle: 50°
LED lens: black with IR filter
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB520S30T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A5857FEB98745&compId=RB520S30T1.PDF?ci_sign=37722e3db194550fdbdf96a99a32ad2ff8602c36
RB520S30T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.6V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
622+0.11 EUR
944+0.076 EUR
1374+0.052 EUR
1613+0.044 EUR
2284+0.031 EUR
3356+0.021 EUR
3572+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 622
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB520S30T5G rb520s30t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.6V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
562+0.13 EUR
1000+0.072 EUR
1316+0.054 EUR
1678+0.043 EUR
2416+0.03 EUR
3547+0.02 EUR
3760+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 562
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB521S30T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869A43024A15E469&compId=RB521S30T1G.PDF?ci_sign=48b92461107cfecd44fd07bb38d6f7024174608e
RB521S30T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.5V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
632+0.11 EUR
770+0.093 EUR
1021+0.07 EUR
1183+0.06 EUR
1701+0.042 EUR
2891+0.025 EUR
3068+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 632
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB521S30T5G rb521s30t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB751S40T1G rb751s40t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.37V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3991 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
715+0.1 EUR
1000+0.072 EUR
1169+0.061 EUR
1629+0.044 EUR
2203+0.032 EUR
2326+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB751S40T5G rb751s40t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
RB751S40T5G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB751V40T1G rb751v40t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
RB751V40T1G SMD Schottky diodes
auf Bestellung 3617 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
315+0.23 EUR
1868+0.038 EUR
1975+0.036 EUR
9000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 315
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD12N06RLESM9A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DEBCBDF03DC745&compId=RFD12N06RLESM.pdf?ci_sign=b329f5809fdc790d1cc6e79cb1df143b63b41d5d
RFD12N06RLESM9A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 49W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 49W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.33 EUR
69+1.05 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD14N05LSM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09A7212A76F1A303005056AB0C4F&compId=RFD14N05L.pdf?ci_sign=0ef83a4d3cf5eb7191282b3a520946c463f2fa01
RFD14N05LSM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 48W
Gate-source voltage: ±10V
Drain current: 14A
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
76+0.95 EUR
90+0.8 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD14N05LSM9A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DEC36DF631C745&compId=RFD14N05LSM.pdf?ci_sign=b272be3abc18f017634ba6fad0e3ff4ef3c4fd3e
RFD14N05LSM9A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2096 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
95+0.76 EUR
141+0.51 EUR
149+0.48 EUR
250+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD14N05SM9A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DECAA1801C6745&compId=RFD14N05SM9A.pdf?ci_sign=47ce6443d8b653473e0be2be6a7e70ce337923f7
RFD14N05SM9A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7743 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
124+0.58 EUR
130+0.55 EUR
134+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD16N05LSM9A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DED89819534745&compId=RFD16N05LSM.pdf?ci_sign=32c18ccd0ce4e1c084e81432ae4b32379f5f3710
RFD16N05LSM9A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2252 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
63+1.15 EUR
70+1.03 EUR
85+0.85 EUR
90+0.8 EUR
100+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD16N05SM9A rfd16n05sm-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
RFD16N05SM9A SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD16N06LESM9A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DEF32D2AF8E745&compId=RFD16N06LESM.pdf?ci_sign=ea3565670b80d04c4e5eda160f79d71f2a980904
RFD16N06LESM9A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
46+1.57 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD3055LESM9A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DEE558ACB94745&compId=RFD3055LESM.pdf?ci_sign=129cc0944e6a4e688008b2cf6f899e1a94afbadf
RFD3055LESM9A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
117+0.61 EUR
127+0.57 EUR
139+0.51 EUR
144+0.5 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP12N10L description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0A69AD4932F1A303005056AB0C4F&compId=RFP12N10L.pdf?ci_sign=59981552e8dd0fdaa159369c664c384f3c73ae15
RFP12N10L
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.93 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AB3A6FEB9F1A303005056AB0C4F&compId=RFP50N06.pdf?ci_sign=97a5effd8691ccb8bb007880ff25eb5b1a0ba7ed
RFP50N06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
34+2.14 EUR
40+1.83 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AD2A80011F1A303005056AB0C4F&compId=RFP70N06.pdf?ci_sign=37cbf21055510181f40c0cc0e576e7ca72fcd8b0
RFP70N06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 156nC
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RGF1A FAIR-S-A0002364047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RGF1A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
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RGF1B ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIR-S-A0002364047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RGF1B
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RGF1D ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RGF1D
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RGF1G ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RGF1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
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RGF1J ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RGF1J
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 250ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RGF1M ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RGF1M
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RS1A RS1A-RS1M%20N0988%20REV.B.pdf
Hersteller: ONSEMI
RS1A SMD universal diodes
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RS1D RS1A-RS1M%20N0988%20REV.B.pdf
Hersteller: ONSEMI
RS1D SMD universal diodes
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RS1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB3B076CBCCAF80C7&compId=RS1x.pdf?ci_sign=3d4e89b20994d952e50b49ade03c5e22aeed0c79
RS1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Capacitance: 10pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.19W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB3B076CBCCAF80C7&compId=RS1x.pdf?ci_sign=3d4e89b20994d952e50b49ade03c5e22aeed0c79
RS1J
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
Case: DO214AC; SMA
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 1A
Power dissipation: 1.19W
Max. forward voltage: 1.3V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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323+0.22 EUR
410+0.17 EUR
491+0.15 EUR
513+0.14 EUR
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RS1K RS1A-RS1M%20N0988%20REV.B.pdf
Hersteller: ONSEMI
RS1K-ONS SMD universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB3B076CBCCAF80C7&compId=RS1x.pdf?ci_sign=3d4e89b20994d952e50b49ade03c5e22aeed0c79
RS1M
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Power dissipation: 1.19W
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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5000+0.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSL10-002GEVB rsl10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
RSL10-002GEVB Development kits - others
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSL10-COIN-GEVB
Hersteller: ONSEMI
RSL10-COIN-GEVB Development kits - others
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSL10-SENSE-DB-GEVK RSL10_Sensor_Dev_Kit.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation
Type of development kit: evaluation
Components: BHI150; BHI160; BME680; INMP522; N24RF64; NOA1305; RSL10
Programmers and development kits features: Bluetooth board
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSL10-SENSE-GEVK RSL10_Sensor_Dev_Kit.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation
Type of development kit: evaluation
Components: BHI150; BHI160; BME680; INMP522; N24RF64; NOA1305; RSL10
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSL10-SIP-001GEVB
Hersteller: ONSEMI
RSL10-SIP-001GEVB Development kits - others
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