| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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FDT86256 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT86256 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC857BDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 45 V, 100 mAtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 380mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - |
auf Bestellung 15803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NLV14040BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14040BDR2G - 12-BIT BINARY COUNTERMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NLV14040BDTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14040BDTR2G - 12-BIT BINARY COUNTERMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NLV14029BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14029BDR2G - BINARY/DECADE UP/DOWN COUNTERMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NLV14040BDG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14040BDG - 12-BIT BINARY COUNTERMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 672 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NLV14020BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14020BDR2G - 14-BIT BINARY COUNTERMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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DAP222T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-416 Durchlassstoßstrom: 2A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 80V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 37920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1201S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1201S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DAN222G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DAN222G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 ABauform - Diode: SOT-416 Durchlassstoßstrom: 2 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2 Sperrverzögerungszeit: 4 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FSQ0165RLX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSQ0165RLX - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHESMSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FGL12040WD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGL12040WD - IGBT, 1200 V, 40 A FIELD STOP TRENCHSVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 375 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FAN5333BSX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5Schaltfrequenz: 1.5 IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 30 Betriebstemperatur, min.: -40 Eingangsspannung, max.: 5.5 Bauform - Treiber: SOT-23 Ausgangsstrom, max.: 65 Bausteintopologie: Boost (Aufwärts) Eingangsspannung, min.: 1.8 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FAN5333ASX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 30V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: - Eingangsspannung, min.: 1.8V Topologie: Boost Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 8920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FAN5333BSX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5Aout, 1.5MHz, SOT-23-5Schaltfrequenz: 1.5 IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 30 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Eingangsspannung, max.: 5.5 Bauform - Treiber: SOT-23 Bausteintopologie: Boost (Aufwärts) Ausgangsstrom, max.: 1.5 Eingangsspannung, min.: 1.8 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FAN5333BSX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5IC-Montage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NCV2931ACDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV2931ACDR2G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 6V bis 40Vin, 160mV Dropout, 3V bis 29.5Vout/0.1Aout, SOIC-8tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 3V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 29.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV3065DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 250kHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Schaltfrequenz, typ.: 250kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V Bauform - Treiber: SOIC SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Ausgangsstrom, max.: 1.5A Bausteintopologie: Boost, Buck Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsspannung, min.: 3V Topologie: Boost, Buck Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 898 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CPH3360-TL-W. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 1.6 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 900 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6 Verlustleistung: 900 Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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CPH3360-TL-W. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, OberflächenmontageVerlustleistung: 900 Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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BC807-40LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC807-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 40317 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P6KE15A.. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - P6KE15A.. - TVS-Diode, P6KE1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, DO-204AC, 2 Pin(s)Bauform - Diode: DO-204AC Durchbruchspannung, min.: 14.3 Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 15.8 Sperrspannung: 12.8 Spitzenimpulsverlustleistung: 600 TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: P6KE1 Klemmspannung, max.: 21.2 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NRVBA340T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mVBauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 100 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 450 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NRVBA340T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mVSVHC: Lead (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NRVBA340T3G-VF01 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mVSVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| NRVBA340T3G-VF01 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mVBauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 100 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 450 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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UF3C065030K4S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 441W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NUP4202W1T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP4202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP42tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-88 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 500W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: NUP42 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 39865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD180G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2488 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CS5173EDR8G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Fest Ausgangsspannung, min.: 3V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 39V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1.5A Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 560kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 30V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 2.7V Topologie: Boost Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: No Ausgangsstrom, max.: 1.5A Wirkungsgrad: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CS5173EDR8G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Fest Ausgangsspannung, min.: 3V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 39V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1.5A Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 560kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 30V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 2.7V Topologie: Boost Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: No Ausgangsstrom, max.: 1.5A Wirkungsgrad: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX85-C6V2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX85-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °CZener-Spannung, nom.: 6.2 Verlustleistung: 1 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 1 Betriebstemperatur, max.: 200 Produktpalette: BZX85C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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DFB2040 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DFB2040 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 20 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 VBauform - Brückengleichrichter: TS-6P Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20 Anzahl der Pins: 4 Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchlassspannung, max.: 1 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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EU-SIGFOX-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EU-SIGFOX-GEVB - Entwicklungsboard, Sigfox, 868MHz (EU), Erweiterungsboard für IoT-Development KitProzessorkern: AX-SFEU-1-01-TX30 Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: IoT-IDK-EU-SigFox-Evaluationsboard AX-SFEU-1-01-TX30 Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT) Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FDS6612A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FDS6670AS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6670AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.0075 ohm, SOIC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 13.5 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: PowerTrench SyncFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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FDS6690AS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6690AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 10 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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S2J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S2J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 50A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 2µs Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S2J productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 7145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NL17SZ126DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17SZ126DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 17SZ Bauform - Logikbaustein: SOT-353 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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BCX19LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCX19LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 8435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CAT5113VI-00-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 VBauform - Potentiometer: SOIC Anzahl der Potentiometer: Einfach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl Schritte: 100 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.7 Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell Gesamtwiderstand: 100 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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CAT5113VI-00-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 VSVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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CAT5140ZI-00-GT3. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5140ZI-00-GT3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V Bauform - Potentiometer: MSOP Anzahl der Potentiometer: Einfach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl Schritte: 256 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.5 Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C Gesamtwiderstand: 100 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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CAT5111ZI-00-T3. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5111ZI-00-T3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V Bauform - Potentiometer: MSOP Anzahl der Potentiometer: Einfach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl Schritte: 100 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.5 Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab Gesamtwiderstand: 100 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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CAT5221WI-00-T1. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5221WI-00-T1. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Zweifach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V Bauform - Potentiometer: SOIC Anzahl der Potentiometer: Zweifach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl Schritte: 64 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.5 Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C Gesamtwiderstand: 100 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 20 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FDPF12N50FT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF12N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.59 ohm, TO-220F, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 11.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 42 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 42 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.59 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FDPF55N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCL31000ASGEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCL31000ASGEVB - Evaluationsboard, NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-TreiberProzessorkern: NCL31000MNITWG, NCL31000MNSTWG, NCL31001MNITWG, NCL31001MNSTWG Prozessorarchitektur: - Prozessorfamilie: - Anzahl der Bits: - Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber Prozessorserie: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FQA70N10 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 214W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA32N20C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 204W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 204W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA10N80C-F109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 10 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 240 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 240 Bauform - Transistor: TO-3PN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA40N25 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 280W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA9P25 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 10.5 A, 0.48 ohm, TO-3PNDrain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 10.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA28N15 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA28N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.067 ohm, TO-3PN, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 33 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 227 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 227 Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FQA6N90C-F109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 6 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 198 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 198 Bauform - Transistor: TO-3PN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FQA65N20 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA65N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-3P, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 65 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 310 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 310 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FQA8N100C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 225W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
auf Bestellung 654 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA170N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA170N06 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 60 V, 170 A, 0.0056 ohm, TO-3P, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 170 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDT86256 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 73+ | 3.45 EUR |
| 96+ | 2.44 EUR |
| 250+ | 1.65 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
| FDT86256 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 1.65 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
| BC857BDW1T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
Description: ONSEMI - BC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 15803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 541+ | 0.46 EUR |
| 1132+ | 0.2 EUR |
| 1465+ | 0.14 EUR |
| 1965+ | 0.11 EUR |
| 2233+ | 0.096 EUR |
| NLV14040BDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14040BDR2G - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV14040BDR2G - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NLV14040BDTR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14040BDTR2G - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV14040BDTR2G - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NLV14029BDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14029BDR2G - BINARY/DECADE UP/DOWN COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV14029BDR2G - BINARY/DECADE UP/DOWN COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NLV14040BDG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14040BDG - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NLV14040BDG - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 672 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NLV14020BDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14020BDR2G - 14-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV14020BDR2G - 14-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DAP222T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 37920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 646+ | 0.39 EUR |
| 1077+ | 0.21 EUR |
| 1710+ | 0.13 EUR |
| 2526+ | 0.084 EUR |
| 2874+ | 0.075 EUR |
| 5000+ | 0.056 EUR |
| 2SB1201S-TL-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 71+ | 3.52 EUR |
| 112+ | 2.08 EUR |
| 168+ | 1.27 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |
| 2SB1201S-TL-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.52 EUR |
| 112+ | 2.08 EUR |
| 168+ | 1.27 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |
| DAN222G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DAN222G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 4
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - DAN222G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 4
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FSQ0165RLX |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSQ0165RLX - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FSQ0165RLX - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FGL12040WD |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGL12040WD - IGBT, 1200 V, 40 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FGL12040WD - IGBT, 1200 V, 40 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FAN5333BSX |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Ausgangsstrom, max.: 65
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Ausgangsstrom, max.: 65
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FAN5333ASX |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 5.32 EUR |
| 74+ | 3.15 EUR |
| 82+ | 2.62 EUR |
| 101+ | 2.13 EUR |
| 250+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
| FAN5333BSX |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5Aout, 1.5MHz, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Ausgangsstrom, max.: 1.5
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5Aout, 1.5MHz, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Ausgangsstrom, max.: 1.5
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FAN5333BSX |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
IC-Montage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
IC-Montage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCV2931ACDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV2931ACDR2G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 6V bis 40Vin, 160mV Dropout, 3V bis 29.5Vout/0.1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 29.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCV2931ACDR2G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 6V bis 40Vin, 160mV Dropout, 3V bis 29.5Vout/0.1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 29.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 93+ | 2.7 EUR |
| 218+ | 1.07 EUR |
| 289+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.61 EUR |
| NCV3065DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 250kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Bausteintopologie: Boost, Buck
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 250kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Bausteintopologie: Boost, Buck
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.39 EUR |
| 108+ | 2 EUR |
| 121+ | 1.77 EUR |
| 250+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.61 EUR |
| CPH3360-TL-W. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CPH3360-TL-W. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 900
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 900
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BC807-40LT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC807-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 40317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 562+ | 0.44 EUR |
| 1018+ | 0.23 EUR |
| 1722+ | 0.12 EUR |
| 2646+ | 0.081 EUR |
| 5000+ | 0.07 EUR |
| P6KE15A.. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - P6KE15A.. - TVS-Diode, P6KE1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, DO-204AC, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchbruchspannung, min.: 14.3
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15.8
Sperrspannung: 12.8
Spitzenimpulsverlustleistung: 600
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: P6KE1
Klemmspannung, max.: 21.2
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - P6KE15A.. - TVS-Diode, P6KE1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, DO-204AC, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchbruchspannung, min.: 14.3
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15.8
Sperrspannung: 12.8
Spitzenimpulsverlustleistung: 600
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: P6KE1
Klemmspannung, max.: 21.2
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NRVBA340T3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NRVBA340T3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NRVBA340T3G-VF01 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NRVBA340T3G-VF01 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| UF3C065030K4S |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: ONSEMI - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 63.22 EUR |
| 5+ | 48.12 EUR |
| 10+ | 34.65 EUR |
| 50+ | 34.62 EUR |
| 100+ | 34.55 EUR |
| 250+ | 34.51 EUR |
| NUP4202W1T2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP42
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-88
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 500W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP42
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NUP4202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP42
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-88
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 500W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP42
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 39865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 77+ | 3.25 EUR |
| 122+ | 1.9 EUR |
| 185+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| 1500+ | 0.81 EUR |
| BD180G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.52 EUR |
| 162+ | 1.44 EUR |
| 203+ | 1.06 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.74 EUR |
| CS5173EDR8G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 39V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 560kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 39V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 560kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 7.34 EUR |
| 61+ | 3.86 EUR |
| 67+ | 3.24 EUR |
| 100+ | 2.89 EUR |
| 250+ | 2.52 EUR |
| 500+ | 2.51 EUR |
| CS5173EDR8G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 39V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 560kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 39V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 560kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.89 EUR |
| 250+ | 2.52 EUR |
| 500+ | 2.51 EUR |
| BZX85-C6V2 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - BZX85-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DFB2040 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFB2040 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 20 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchlassspannung, max.: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - DFB2040 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 20 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchlassspannung, max.: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EU-SIGFOX-GEVB |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - EU-SIGFOX-GEVB - Entwicklungsboard, Sigfox, 868MHz (EU), Erweiterungsboard für IoT-Development Kit
Prozessorkern: AX-SFEU-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: IoT-IDK-EU-SigFox-Evaluationsboard AX-SFEU-1-01-TX30
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - EU-SIGFOX-GEVB - Entwicklungsboard, Sigfox, 868MHz (EU), Erweiterungsboard für IoT-Development Kit
Prozessorkern: AX-SFEU-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: IoT-IDK-EU-SigFox-Evaluationsboard AX-SFEU-1-01-TX30
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDS6612A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDS6670AS |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6670AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 13.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench SyncFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - FDS6670AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 13.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench SyncFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDS6690AS |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6690AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDS6690AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S2J |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - S2J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 215+ | 1.17 EUR |
| 481+ | 0.49 EUR |
| 550+ | 0.39 EUR |
| 730+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| NL17SZ126DFT2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ126DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NL17SZ126DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BCX19LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCX19LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BCX19LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 488+ | 0.51 EUR |
| 1076+ | 0.21 EUR |
| 1391+ | 0.15 EUR |
| 1793+ | 0.12 EUR |
| 2037+ | 0.1 EUR |
| CAT5113VI-00-GT3 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Gesamtwiderstand: 100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Gesamtwiderstand: 100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT5113VI-00-GT3 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT5140ZI-00-GT3. |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5140ZI-00-GT3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 256
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5140ZI-00-GT3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 256
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT5111ZI-00-T3. |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5111ZI-00-T3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5111ZI-00-T3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT5221WI-00-T1. |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5221WI-00-T1. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Zweifach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Zweifach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl Schritte: 64
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5221WI-00-T1. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Zweifach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Zweifach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl Schritte: 64
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDPF12N50FT |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.59 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.59
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDPF12N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.59 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.59
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDPF55N06 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 6.32 EUR |
| NCL31000ASGEVB |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL31000ASGEVB - Evaluationsboard, NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorkern: NCL31000MNITWG, NCL31000MNSTWG, NCL31001MNITWG, NCL31001MNSTWG
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Anzahl der Bits: -
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorserie: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCL31000ASGEVB - Evaluationsboard, NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorkern: NCL31000MNITWG, NCL31000MNSTWG, NCL31001MNITWG, NCL31001MNSTWG
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Anzahl der Bits: -
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorserie: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| FQA70N10 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 10.5 EUR |
| 40+ | 5.81 EUR |
| FQA32N20C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 204W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 204W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 204W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 204W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 8.72 EUR |
| 34+ | 6.91 EUR |
| 100+ | 4.41 EUR |
| FQA10N80C-F109 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 11.5 EUR |
| 26+ | 9.09 EUR |
| 100+ | 6.27 EUR |
| FQA40N25 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 280W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
Description: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 280W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 11.04 EUR |
| 37+ | 6.35 EUR |
| FQA9P25 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 10.5 A, 0.48 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 10.5 A, 0.48 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 7.25 EUR |
| 39+ | 6.06 EUR |
| 100+ | 3.88 EUR |
| 500+ | 3.27 EUR |
| FQA28N15 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA28N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.067 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA28N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.067 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FQA6N90C-F109 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 198
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 198
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 198
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 198
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FQA65N20 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA65N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 65
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA65N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 65
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FQA8N100C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 225W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 225W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 13.97 EUR |
| 28+ | 8.33 EUR |
| 100+ | 6.24 EUR |
| 500+ | 6.1 EUR |
| FQA170N06 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA170N06 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 60 V, 170 A, 0.0056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA170N06 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 60 V, 170 A, 0.0056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


































