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BC556BTA | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BC556BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 35932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC556BTF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC556BTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 16015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC556ABU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC556ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD240CTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD240CTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 15 Verlustleistung Pd: 30 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SS26FL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS26FL - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 2 A, Einfach, SOD-123F, 2 Pin(s), 700 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123F Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 700mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 36664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TIP41CG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP41CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TIPxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN86265P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 47536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN86265P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 800 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.5 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.3 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KA3525A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KA3525A - SNT-Controller, 8V-35V Versorgungsspannung, 5.1V/500mAout, 430kHz, DIP-16 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 500mA usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 5.1V Frequenz: 430kHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Eingangsspannung: -999V Anzahl der Pins: 16Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 35V Betriebstemperatur, max.: 70°C |
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BCP53-16T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP53-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP53-16T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP53-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9926 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP53-10T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP53-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC850CLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC850CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 800hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 16784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR14 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSR14 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 18973 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NC7NZ04K8X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7NZ04K8X - Inverter, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, US8-8 Logik-IC-Sockelnummer: - Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 7NZ Bauform - Logikbaustein: US8 Ausgangsstrom: 32 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: - Logiktyp: Inverter Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: 7NZ04 Versorgungsspannung, max.: 5.5 Anzahl der Eingänge: 1 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl von Elementen: Drei SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 2449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NC7NZ04K8X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7NZ04K8X - Inverter, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, US8-8 Logik-IC-Sockelnummer: - Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 7NZ Bauform - Logikbaustein: US8 Ausgangsstrom: 32 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: - Logiktyp: Inverter Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: 7NZ04 Versorgungsspannung, max.: 5.5 Anzahl der Eingänge: 1 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl von Elementen: Drei SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 2449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ES1JFL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1JFL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123F Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 16467 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ES1JAF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1JAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 34 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AD Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 34ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 667 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ES1JAF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1JAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 34 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AD Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 34ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 667 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGA25S125P-SN00337 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA25S125P-SN00337 - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NXV65HR82DS1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXV65HR82DS1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 126W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 126W Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NXV65HR82DS2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXV65HR82DS2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 126W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 126W Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NXV65HR82DZ2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 126W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 126W Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NXV65HR82DZ1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 126W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 126W Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NXV04V120DB1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXV04V120DB1 - MOSFET-Transistor, AEC-Q101, Sechsfach n-Kanal, 160 A, 40 V, 850 µohm, 10 V, 4 V Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 160 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: - Produktpalette: - Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 850 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N4742ATR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4742ATR - Zener-Diode, Baureihe 1N47, 12 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N47xxA productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 31251 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TIP2955G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP2955G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 15 A, 90 W, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TIPxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 2.5MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N4748A. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4748A. - Zener-Diode, 22 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 productTraceability: No Zener-Spannung, nom.: 22V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 2Pins euEccn: NLR Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Betriebstemperatur, max.: 200°C usEccn: EAR99 Diodenmontage: Durchsteckmontage Produktpalette: 1N47xxA |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RSL10-SENSE-DB-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RSL10-SENSE-DB-GEVK - Evaluationskit, Funk-SoC-Sensorkit RSL10, Bluetooth 5.0, Wearables-Entwicklung, Debugger Prozessorkern: - Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: - Produktpalette: RSL10 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BDW94CFTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDW94CFTU - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 30 W, 12 A, TO-220F, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 30W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-220F Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 12A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC857CLT1G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 40952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC857CWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 34930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSR05F40NXT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR05F40NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 500 mA, 460 mV, 10 A, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 0402 Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 460mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR05 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9091 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSR0240HT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0240HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 710 mV, 1 A, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 710mV Sperrverzögerungszeit: 3ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR02 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSR0620P2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0620P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 520 mV, 1 A, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 520mV Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR06 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSR01L30NXT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR01L30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 100 mA, 530 mV, 4 A, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 0201 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 530mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR01 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSR0520V2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0520V2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 480 mV, 2 A, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 480mV Sperrverzögerungszeit: 12ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NSR05 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSR20F30NXT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR20F30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 2 A, 480 mV, 28 A, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 0603 Durchlassstoßstrom: 28A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 480mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR20 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 18598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSR0240V2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0240V2T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 250 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 700 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 700mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR02 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSR0340HT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 590mV Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR03 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 24910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSR10F40NXT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR10F40NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 1 A, 490 mV, 18 A, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 502 Durchlassstoßstrom: 18A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 490mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4661 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSR0240P2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0240P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 2 A, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR02 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSR0340HT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 590mV Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR03 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NSR0340HT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 590mV Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR03 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 24910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NSR0340P2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0340P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 560 mV, 1 A, 125 °C Bauform - Diode: SOD-923 Durchlassspannung Vf max.: 560 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: NSR03 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 1 Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 40 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NSR0140P2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0140P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 70 mA, 350 mV, 500 mA, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 350mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR01 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH60N60UFDTU-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH60N60UFDTU-F085 - IGBT, 600V, 60A, 1.8V, TO-247 FIELD STOP SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5886G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5886G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 4hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 25A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-204AA Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5885G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5885G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 4 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Übergangsfrequenz ft: 4 Bauform - Transistor: TO-204 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 2NXXXX Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5884G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5884G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 25A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-204AA Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N5883G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5883G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 4 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Übergangsfrequenz ft: 4 Bauform - Transistor: TO-204 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 2NXXXX Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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LIGHTING-1-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LIGHTING-1-GEVK - EVALUATIONSKIT, LED-STEUERUNG tariffCode: 84733020 rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: LED-Treiberplatine FL7760, LED-Modul, Board BLE-Konnektivität, AC/DC-Stromversorgungsplatine hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 55V Core-Chip: FL7760 Eingangsspannung, max.: 270V Dimmsteuerung: Analog, PWM euEccn: NLR Bausteintopologie: Buck (Abwärts) Eingangsspannung, min.: 90V Produktpalette: - productTraceability: No Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N4005RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4005RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4005 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 127972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N4005G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4005G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57090CDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57090CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCD57252DWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57252DWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1836 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SECO-NCD57000-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SECO-NCD57000-GEVB - Tochterplatine, NCD57000DWR2G, IGBT-Gate-Treiber tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Anwendungs-Tochterplatine NCD57000DWR2G Prozessorhersteller: On Semiconductor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Prozessorserie: - Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber usEccn: EAR99 Prozessorfamilie: - euEccn: NLR Prozessorkern: NCD57000DWR2G Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCD57080BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCD5701BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.8A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: 13.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 56ns Ausgabeverzögerung: 63ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCD57080CDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC Sinkstrom: 6 Treiberkonfiguration: - Leistungsschalter: IGBT Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.4 Quellstrom: 6 Spitzenausgangsstrom: 8 Bauform - Treiber: NSOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 60 Ausgabeverzögerung: 60 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC556BTA |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC556BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC556BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC556BTF |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC556BTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC556BTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 16015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC556ABU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC556ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC556ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BD240CTU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD240CTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Verlustleistung Pd: 30
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - BD240CTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Verlustleistung Pd: 30
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SS26FL |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS26FL - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 2 A, Einfach, SOD-123F, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - SS26FL - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 2 A, Einfach, SOD-123F, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 36664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TIP41CG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP41CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TIPxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - TIP41CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TIPxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDN86265P |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 47536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDN86265P |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 800
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 800
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| KA3525A |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA3525A - SNT-Controller, 8V-35V Versorgungsspannung, 5.1V/500mAout, 430kHz, DIP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 5.1V
Frequenz: 430kHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Eingangsspannung: -999V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Description: ONSEMI - KA3525A - SNT-Controller, 8V-35V Versorgungsspannung, 5.1V/500mAout, 430kHz, DIP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 5.1V
Frequenz: 430kHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Eingangsspannung: -999V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCP53-16T3G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP53-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BCP53-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BCP53-16T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP53-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BCP53-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BCP53-10T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP53-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BCP53-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC850CLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC850CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 800hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC850CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 800hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 16784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSR14 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSR14 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BSR14 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 18973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NC7NZ04K8X |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7NZ04K8X - Inverter, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7NZ
Bauform - Logikbaustein: US8
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logiktyp: Inverter
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 7NZ04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NC7NZ04K8X - Inverter, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7NZ
Bauform - Logikbaustein: US8
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logiktyp: Inverter
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 7NZ04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NC7NZ04K8X |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7NZ04K8X - Inverter, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7NZ
Bauform - Logikbaustein: US8
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logiktyp: Inverter
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 7NZ04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NC7NZ04K8X - Inverter, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7NZ
Bauform - Logikbaustein: US8
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logiktyp: Inverter
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 7NZ04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ES1JFL |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1JFL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - ES1JFL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 16467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ES1JAF |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1JAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 34 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 34ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - ES1JAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 34 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 34ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ES1JAF |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1JAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 34 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 34ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - ES1JAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 34 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 34ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FGA25S125P-SN00337 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA25S125P-SN00337 - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FGA25S125P-SN00337 - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NXV65HR82DS1 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV65HR82DS1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NXV65HR82DS1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NXV65HR82DS2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV65HR82DS2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NXV65HR82DS2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NXV65HR82DZ2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NXV65HR82DZ1 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NXV04V120DB1 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV04V120DB1 - MOSFET-Transistor, AEC-Q101, Sechsfach n-Kanal, 160 A, 40 V, 850 µohm, 10 V, 4 V
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NXV04V120DB1 - MOSFET-Transistor, AEC-Q101, Sechsfach n-Kanal, 160 A, 40 V, 850 µohm, 10 V, 4 V
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N4742ATR |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4742ATR - Zener-Diode, Baureihe 1N47, 12 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4742ATR - Zener-Diode, Baureihe 1N47, 12 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 31251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TIP2955G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP2955G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 15 A, 90 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TIPxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2.5MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - TIP2955G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 15 A, 90 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TIPxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2.5MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N4748A. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4748A. - Zener-Diode, 22 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Zener-Spannung, nom.: 22V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pins
euEccn: NLR
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: 1N47xxA
Description: ONSEMI - 1N4748A. - Zener-Diode, 22 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Zener-Spannung, nom.: 22V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pins
euEccn: NLR
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: 1N47xxA
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RSL10-SENSE-DB-GEVK |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RSL10-SENSE-DB-GEVK - Evaluationskit, Funk-SoC-Sensorkit RSL10, Bluetooth 5.0, Wearables-Entwicklung, Debugger
Prozessorkern: -
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: -
Produktpalette: RSL10
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - RSL10-SENSE-DB-GEVK - Evaluationskit, Funk-SoC-Sensorkit RSL10, Bluetooth 5.0, Wearables-Entwicklung, Debugger
Prozessorkern: -
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: -
Produktpalette: RSL10
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BDW94CFTU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDW94CFTU - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 30 W, 12 A, TO-220F, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 12A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - BDW94CFTU - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 30 W, 12 A, TO-220F, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 12A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC857CLT1G | |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 40952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC857CWT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 34930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSR05F40NXT5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR05F40NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 500 mA, 460 mV, 10 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0402
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 460mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSR05F40NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 500 mA, 460 mV, 10 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0402
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 460mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSR0240HT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0240HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 710 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 710mV
Sperrverzögerungszeit: 3ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSR0240HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 710 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 710mV
Sperrverzögerungszeit: 3ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSR0620P2T5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0620P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 520 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 520mV
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR06
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSR0620P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 520 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 520mV
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR06
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSR01L30NXT5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR01L30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 100 mA, 530 mV, 4 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0201
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 530mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSR01L30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 100 mA, 530 mV, 4 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0201
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 530mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSR0520V2T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0520V2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 480 mV, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 480mV
Sperrverzögerungszeit: 12ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSR0520V2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 480 mV, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 480mV
Sperrverzögerungszeit: 12ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSR20F30NXT5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR20F30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 2 A, 480 mV, 28 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0603
Durchlassstoßstrom: 28A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 480mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR20
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSR20F30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 2 A, 480 mV, 28 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0603
Durchlassstoßstrom: 28A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 480mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR20
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 18598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSR0240V2T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0240V2T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 250 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSR0240V2T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 250 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSR0340HT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 24910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSR10F40NXT5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR10F40NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 1 A, 490 mV, 18 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 502
Durchlassstoßstrom: 18A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 490mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSR10F40NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 1 A, 490 mV, 18 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 502
Durchlassstoßstrom: 18A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 490mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSR0240P2T5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0240P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 2 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSR0240P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 2 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSR0340HT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSR0340HT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 24910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSR0340P2T5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0340P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 560 mV, 1 A, 125 °C
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassspannung Vf max.: 560
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: NSR03
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 1
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 40
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NSR0340P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 560 mV, 1 A, 125 °C
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassspannung Vf max.: 560
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: NSR03
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 1
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 40
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NSR0140P2T5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0140P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 70 mA, 350 mV, 500 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 350mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSR0140P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 70 mA, 350 mV, 500 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 350mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FGH60N60UFDTU-F085 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH60N60UFDTU-F085 - IGBT, 600V, 60A, 1.8V, TO-247 FIELD STOP
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FGH60N60UFDTU-F085 - IGBT, 600V, 60A, 1.8V, TO-247 FIELD STOP
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5886G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5886G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 4hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2N5886G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 4hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N5885G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5885G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2N5885G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5884G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5884G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Description: ONSEMI - 2N5884G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N5883G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5883G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - 2N5883G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LIGHTING-1-GEVK |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LIGHTING-1-GEVK - EVALUATIONSKIT, LED-STEUERUNG
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: LED-Treiberplatine FL7760, LED-Modul, Board BLE-Konnektivität, AC/DC-Stromversorgungsplatine
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 55V
Core-Chip: FL7760
Eingangsspannung, max.: 270V
Dimmsteuerung: Analog, PWM
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Buck (Abwärts)
Eingangsspannung, min.: 90V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - LIGHTING-1-GEVK - EVALUATIONSKIT, LED-STEUERUNG
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: LED-Treiberplatine FL7760, LED-Modul, Board BLE-Konnektivität, AC/DC-Stromversorgungsplatine
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 55V
Core-Chip: FL7760
Eingangsspannung, max.: 270V
Dimmsteuerung: Analog, PWM
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Buck (Abwärts)
Eingangsspannung, min.: 90V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N4005RLG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4005RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4005
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4005RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4005
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 127972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N4005G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4005G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 1N4005G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD57090CDWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCD57090CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCD57252DWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57252DWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCD57252DWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SECO-NCD57000-GEVB |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SECO-NCD57000-GEVB - Tochterplatine, NCD57000DWR2G, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Anwendungs-Tochterplatine NCD57000DWR2G
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: NCD57000DWR2G
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - SECO-NCD57000-GEVB - Tochterplatine, NCD57000DWR2G, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Anwendungs-Tochterplatine NCD57000DWR2G
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: NCD57000DWR2G
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD57080BDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD5701BDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD57080CDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
Sinkstrom: 6
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.4
Quellstrom: 6
Spitzenausgangsstrom: 8
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCD57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
Sinkstrom: 6
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.4
Quellstrom: 6
Spitzenausgangsstrom: 8
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH