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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
NVMFS6H852NLWFT1G	ONSEMI	NVMFS6H852NLWFT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS6H852NT1G	ONSEMI	NVMFS6H852NT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS6H852NWFT1G	ONSEMI	NVMFS6H852NWFT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS6H858NLT1G	ONSEMI	NVMFS6H858NLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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NVMFS6H864NLT1G	ONSEMI	NVMFS6H864NLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS6H864NLWFT1G	ONSEMI	NVMFS6H864NLWFT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS6H864NT1G	ONSEMI	NVMFS6H864NT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS9D6P04M8LT1G	ONSEMI	NVMFS9D6P04M8LT1G SMD P channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFSC0D9N04C	ONSEMI	NVMFSC0D9N04C SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFSC0D9N04CL	ONSEMI	NVMFSC0D9N04CL SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFSC1D6N06CL	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 224A; Idm: 900A; 83W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 224A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 83W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 91nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFSW6D1N08HT1G	ONSEMI	NVMFSW6D1N08HT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWD024N06CT1G	ONSEMI	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 24A; Idm: 85A; 14W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 24A Pulsed drain current: 85A Power dissipation: 14W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWD030N06CT1G	ONSEMI	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 19A; Idm: 63A; 11W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 19A Pulsed drain current: 63A Power dissipation: 11W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS002N10MCLT1G	ONSEMI	NVMFWS002N10MCLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS003N10MCT1G	ONSEMI	NVMFWS003N10MCT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS003P03P8ZT1G	ONSEMI	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -234A; Idm: -900A; 84.4W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -234A Pulsed drain current: -900A Power dissipation: 84.4W Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 167nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS004N10MCT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 138A; Idm: 900A; 82W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 138A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 82W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS005N10MCLT1G	ONSEMI	NVMFWS005N10MCLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS014P04M8LT1G	ONSEMI	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -52.1A; Idm: -268A; 30W; DFN5 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -52.1A Pulsed drain current: -268A Power dissipation: 30W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS015N10MCLT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47.1A; Idm: 259A; 23.8W; DFNW5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 47.1A Pulsed drain current: 259A Power dissipation: 23.8W Case: DFNW5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS016N06CT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 226A; 18W; DFNW5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 33A Pulsed drain current: 226A Power dissipation: 18W Case: DFNW5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS016N10MCLT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 243A; 32W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 46A Pulsed drain current: 243A Power dissipation: 32W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS021N10MCLT1G	ONSEMI	NVMFWS021N10MCLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS0D4N04XMT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 509A; Idm: 900A; 197W; DFNW5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 509A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 197W Case: DFNW5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 420µΩ Mounting: SMD Gate charge: 132nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS0D5N04XMT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 414A; Idm: 900A; 163W; DFNW5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 414A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 163W Case: DFNW5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 520µΩ Mounting: SMD Gate charge: 97.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS0D7N04XMT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 323A; Idm: 900A; 134W; DFNW5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 323A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 134W Case: DFNW5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 71.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS1D5N08XT1G	ONSEMI	NVMFWS1D5N08XT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS1D9N08XT1G	ONSEMI	NVMFWS1D9N08XT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS2D1N08XT1G	ONSEMI	NVMFWS2D1N08XT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS2D3N04XMT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 121A; Idm: 688A; 63W; DFNW5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 121A Pulsed drain current: 688A Power dissipation: 63W Case: DFNW5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS2D3P04M8LT1G	ONSEMI	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -222A; Idm: -900A; 103W; DFNW5 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -222A Pulsed drain current: -900A Power dissipation: 103W Case: DFNW5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 157nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS2D5N08XT1G	ONSEMI	NVMFWS2D5N08XT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS3D0P04M8LT1G	ONSEMI	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -183A; Idm: -900A; 86W; DFNW5 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -183A Pulsed drain current: -900A Power dissipation: 86W Case: DFNW5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 124nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFWS3D6N10MCLT1G	ONSEMI	NVMFWS3D6N10MCLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMJD012N06CLTWG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 153A; 21W; LFPAK8 Case: LFPAK8 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 11.5nC On-state resistance: 11.9mΩ Power dissipation: 21W Drain current: 42A Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 153A Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMJS0D8N04CLTWG	ONSEMI	NVMJS0D8N04CLTWG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMJS0D9N04CLTWG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 330A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 83W Case: LFPAK8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 820µΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMJS1D0N04CTWG	ONSEMI	NVMJS1D0N04CTWG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMJS1D2N04CLTWG	ONSEMI	NVMJS1D2N04CLTWG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMJS1D3N04CTWG	ONSEMI	NVMJS1D3N04CTWG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMJS1D4N06CLTWG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 262A; Idm: 900A; 90W; LFPAK8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 262A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 90W Case: LFPAK8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMJS1D5N04CLTWG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 900A; 53W; LFPAK8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 53W Case: LFPAK8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMJS1D6N06CLTWG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 250A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 83W Case: LFPAK8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 91nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMJS1D7N04CTWG	ONSEMI	NVMJS1D7N04CTWG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMJS2D5N06CLTWG	ONSEMI	NVMJS2D5N06CLTWG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMJST0D9N04CTXG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 531A; Idm: 900A; 278W; TCPAK10 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 531A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 278W Case: TCPAK10 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.07mΩ Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMJST1D3N04CTXG	ONSEMI	NVMJST1D3N04CTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMJST1D4N06CLTXG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 198A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 58W Case: TCPAK10 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.49mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMJST1D6N04CTXG	ONSEMI	NVMJST1D6N04CTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMJST2D6N08HTXG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 131.5A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 131.5A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 58W Case: TCPAK10 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMJST3D3N04CTXG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 157A; Idm: 900A; 75W; TCPAK10 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 157A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 75W Case: TCPAK10 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMS5P02R2G	ONSEMI	NVMS5P02R2G SMD P channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMTS001N06CLTXG	ONSEMI	NVMTS001N06CLTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMTS001N06CTXG	ONSEMI	NVMTS001N06CTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMTS0D4N04CLTXG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 553.8A; Idm: 900A; 122W; DFNW8 Gate charge: 163nC On-state resistance: 0.4mΩ Power dissipation: 122W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 553.8A Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 900A Case: DFNW8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMTS0D6N04CLTXG	ONSEMI	NVMTS0D6N04CLTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMTS0D6N04CTXG	ONSEMI	NVMTS0D6N04CTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFS6H852NLWFT1G