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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
NVMFS5C404NLWFT1G	ONSEMI	NVMFS5C404NLWFT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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NVMFS5C430NAFT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 185A; Idm: 900A; 53W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 185A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 53W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS5C430NLAFT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; Idm: 900A; 53W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 140A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 53W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS5C430NWFAFT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 185A; Idm: 900A; 53W; DFNW5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 185A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 53W Case: DFNW5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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NVMFS5C450NAFT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 102A; Idm: 554A; 34W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 102A Pulsed drain current: 554A Power dissipation: 34W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS5C450NLAFT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 740A; 34W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 110A Pulsed drain current: 740A Power dissipation: 34W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS5C450NWFAFT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 102A; Idm: 554A; 34W; DFNW5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 102A Pulsed drain current: 554A Power dissipation: 34W Case: DFNW5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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NVMFS5C638NLT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 133A; Idm: 811A; 50W; DFN5 Case: DFN5 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 40.7nC On-state resistance: 3mΩ Power dissipation: 50W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 133A Pulsed drain current: 811A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS5C638NLWFT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 133A; Idm: 811A; 50W; DFNW5 Case: DFNW5 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 40.7nC On-state resistance: 3mΩ Power dissipation: 50W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 133A Pulsed drain current: 811A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS5C645NLAFT1G	ONSEMI	NVMFS5C645NLAFT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS5C645NT1G	ONSEMI	NVMFS5C645NT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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