| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FDS6574A | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDS6574A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.004 ohm, SOIC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 16 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NTP055N65S3H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP055N65S3H - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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NCP305LSQ30T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP305LSQ30T1G - Überwachungsschaltung/Spannungswächter, Active-Low, 800mV-10V, 3V Schwelle, 1 Wächter, SC-82AB-4 tariffCode: 85423990 Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 100ms Bauform - digitaler IC: SC-82AB usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 800mV euEccn: NLR Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitor(e) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 10V Schwellenspannung: 3V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NLVSV1T34DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVSV1T34DFT2G - Pegelumsetzer, 1 Eingang, 24mA, 3.3ns, 900mV bis 4.5V, SC-88A-5 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: SC-88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 900mV Logiktyp: Pegelumsetzer euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Ausbreitungsverzögerung: 0 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 4.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NLVSV1T34DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVSV1T34DFT2G - Pegelumsetzer, 1 Eingang, 24mA, 3.3ns, 900mV bis 4.5V, SC-88A-5 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: SC-88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 900mV Logiktyp: Pegelumsetzer euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Ausbreitungsverzögerung: 0 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 4.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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7SB385DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 7SB385DFT2G - Bus-Schalter, 1 Kanäle, Bus-Switch, 3 ohm, SC-88A, 5 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Schaltertyp: Bus-Switch Bauform - Logikbaustein: SC-88A Versorgungsspannung: 4V bis 5.5V Einschaltwiderstand, max.: 20ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 4V Schalterkonfiguration: SPST euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Durchlasswiderstand, max.: 3ohm Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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7SB385DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 7SB385DFT2G - Bus-Schalter, 1 Kanäle, Bus-Switch, 3 ohm, SC-88A, 5 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Schaltertyp: Bus-Switch Bauform - Logikbaustein: SC-88A Versorgungsspannung: 4V bis 5.5V Einschaltwiderstand, max.: 20ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 4V Schalterkonfiguration: SPST euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Durchlasswiderstand, max.: 3ohm Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NLVVHC1G126DFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHC1G126DFT1G - PUFFER, AEC-Q100, -55 BIS 125°C Logik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: - Bauform - Logikbaustein: SC-88A Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 2 Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVJ2394SA3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1341 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVJ3557SA3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4567 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVJ2394SA3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1341 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVJ3557SA3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4567 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FFSP3065A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSP3065A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 100 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 100 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FFSH3065A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSH3065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 100 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 100nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP4304BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4304BDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, 8.3V bis 30V, SOIC-8 tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 IC-Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 8.3V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2511 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP4304BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4304BDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, 8.3V bis 30V, SOIC-8 tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 IC-Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 8.3V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2511 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDH44N50 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDH44N50 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 750W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UF4003 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF4003 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: UF400 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NL17SZ07DBVT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17SZ07DBVT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NL17SZ07P5T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17SZ07P5T5G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NLVVHC1G07DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHC1G07DFT2G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NLV74VHC1G07DTT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV74VHC1G07DTT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NL17VHC1G07DTT1G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17VHC1G07DTT1G. - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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CAT25080VI-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT25080VI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 8Kbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CAT25080YI-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s) tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Speicherdichte: 8Kbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NGTB25N120IHLWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB25N120IHLWG - IGBT, 50 A, 1.85 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 192 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NGTB25N120SWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB25N120SWG - IGBT, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 385 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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FDC655BN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 55390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NGTB50N120FL2WG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB50N120FL2WG - IGBT, 100 A, 2.2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 535 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NGTB40N65FL2WG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB40N65FL2WG - IGBT, 80 A, 1.7 V, 366 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 366 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NGTB40N65IHL2WG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB40N65IHL2WG - IGBT, 650V 40A FS2 INDUCTION HEATING SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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NGTB30N65IHL2WG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB30N65IHL2WG - IGBT, 650V 30A FS2 INDUCTION HEATING SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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NGTB50N65FL2WG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB50N65FL2WG - IGBT, 650V 50A FS2 SOLAR/UPS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NGTB35N60FL2WG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB35N60FL2WG - IGBT, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Verlustleistung: 300 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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NGTB40N135IHRWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB40N135IHRWG - IGBT, 80 A, 2.4 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35 Verlustleistung: 394 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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NGTB10N60FG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB10N60FG - IGBT, 20 A, 1.5 V, 40 W, 600 V, SC-67, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Verlustleistung: 40 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20 Bauform - Transistor: SC-67 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NGTB50N60L2WG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB50N60L2WG - IGBT, 600V, 100A, 175°C, 500W, TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Verlustleistung: 500 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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S1JHE | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S1JHE - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 782 ns, 20 A tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: SOD-323HE Durchlassstoßstrom: 20A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 782ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S1JHE | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S1JHE - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 782 ns, 20 A tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: SOD-323HE Durchlassstoßstrom: 20A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 782ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S1JFL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S1JFL - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 2 µs, 30 A tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 2µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP8880 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 54 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 55 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 55 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0116 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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FDN352AP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 82416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB20N50F | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP1607BDR2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1607BDR2G. - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: 70kHz Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Schaltfrequenz, min.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: -300mV euEccn: NLR Frequenzmodus: - PFC-Betriebsmodus: CrCM - Critical Conduction Mode Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Spannung productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UF3C120080K4S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 254.2W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX84B10LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84B10LT1G - Zener-Diode, 10 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6388G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N6388G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 20hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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NC7SP32P5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SP32P5X - OR-Gatter, NC7SP32, 2 Eingänge, 2.6mA, 0.9V bis 3.6V, TinyLogic, äußerst energiesparend, SC70-5 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCP1012AP133G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1012AP133G - AC / DC CONVERTERS SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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| FCB290N80 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 17 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 212 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 212 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FCB290N80 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 17 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 212 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 212 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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BZX84B15LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84B15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84BxxxLT1G productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 15V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2942 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX84B15LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84B15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84BxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 15V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 20745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX84B9V1LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84B9V1LT1G - Zener-Diode, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84BxxxLT1G productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 9.1V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX84B9V1LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84B9V1LT1G - Zener-Diode, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84BxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 9.1V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX84B12LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84B12LT1G - Zener-Diode, 12 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84BxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3099 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV891330PD50R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV891330PD50R2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), AEC-Q100, 3.7V bis 36Vin, 5V/3Aout, 2MHz, HSOIC-8 Schaltfrequenz: 2 Bauform - DC/DC-Wandler-IC: HSOIC Ausgangsstrom: 3 Nennausgangsspannung: 5 MSL: MSL 2 - 1 Jahr Eingangsspannung, max.: 36 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsspannung, min.: 3.7 Topologie: Buck (Abwärts) Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NL37WZ17USG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL37WZ17USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8 Logik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: 37WZ Bauform - Logikbaustein: US8 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NL37WZ17USG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL37WZ17USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CAT5113VI-01-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5113VI-01-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 1 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V tariffCode: 85423990 Bauform - Potentiometer: SOIC rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anzahl der Potentiometer: Einfach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl Schritte: 100 Betriebstemperatur, min.: 0°C Widerstandstoleranz: 20% Versorgungsspannung, min.: 2.5V Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C euEccn: NLR Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab Gesamtwiderstand: 1kohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 70°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS6574A |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6574A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDS6574A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NCP305LSQ30T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP305LSQ30T1G - Überwachungsschaltung/Spannungswächter, Active-Low, 800mV-10V, 3V Schwelle, 1 Wächter, SC-82AB-4
tariffCode: 85423990
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 100ms
Bauform - digitaler IC: SC-82AB
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 800mV
euEccn: NLR
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitor(e)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 10V
Schwellenspannung: 3V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP305LSQ30T1G - Überwachungsschaltung/Spannungswächter, Active-Low, 800mV-10V, 3V Schwelle, 1 Wächter, SC-82AB-4
tariffCode: 85423990
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 100ms
Bauform - digitaler IC: SC-82AB
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 800mV
euEccn: NLR
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitor(e)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 10V
Schwellenspannung: 3V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NLVSV1T34DFT2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVSV1T34DFT2G - Pegelumsetzer, 1 Eingang, 24mA, 3.3ns, 900mV bis 4.5V, SC-88A-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Ausbreitungsverzögerung: 0
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NLVSV1T34DFT2G - Pegelumsetzer, 1 Eingang, 24mA, 3.3ns, 900mV bis 4.5V, SC-88A-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Ausbreitungsverzögerung: 0
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NLVSV1T34DFT2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVSV1T34DFT2G - Pegelumsetzer, 1 Eingang, 24mA, 3.3ns, 900mV bis 4.5V, SC-88A-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Ausbreitungsverzögerung: 0
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NLVSV1T34DFT2G - Pegelumsetzer, 1 Eingang, 24mA, 3.3ns, 900mV bis 4.5V, SC-88A-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Ausbreitungsverzögerung: 0
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 7SB385DFT2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 7SB385DFT2G - Bus-Schalter, 1 Kanäle, Bus-Switch, 3 ohm, SC-88A, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bus-Switch
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Versorgungsspannung: 4V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 20ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 3ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 7SB385DFT2G - Bus-Schalter, 1 Kanäle, Bus-Switch, 3 ohm, SC-88A, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bus-Switch
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Versorgungsspannung: 4V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 20ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 3ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 7SB385DFT2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 7SB385DFT2G - Bus-Schalter, 1 Kanäle, Bus-Switch, 3 ohm, SC-88A, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bus-Switch
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Versorgungsspannung: 4V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 20ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 3ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 7SB385DFT2G - Bus-Schalter, 1 Kanäle, Bus-Switch, 3 ohm, SC-88A, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bus-Switch
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Versorgungsspannung: 4V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 20ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 3ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NLVVHC1G126DFT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1G126DFT1G - PUFFER, AEC-Q100, -55 BIS 125°C
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLVVHC1G126DFT1G - PUFFER, AEC-Q100, -55 BIS 125°C
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSVJ2394SA3T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSVJ3557SA3T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSVJ2394SA3T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSVJ3557SA3T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FFSP3065A |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP3065A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 100 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 100
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FFSP3065A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 100 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 100
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FFSH3065A |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH3065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FFSH3065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP4304BDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4304BDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, 8.3V bis 30V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8.3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP4304BDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, 8.3V bis 30V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8.3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP4304BDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4304BDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, 8.3V bis 30V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8.3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP4304BDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, 8.3V bis 30V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8.3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDH44N50 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH44N50 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDH44N50 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| UF4003 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF4003 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF400
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - UF4003 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF400
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NL17SZ07DBVT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ07DBVT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NL17SZ07DBVT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NL17SZ07P5T5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ07P5T5G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NL17SZ07P5T5G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NLVVHC1G07DFT2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1G07DFT2G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLVVHC1G07DFT2G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NLV74VHC1G07DTT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74VHC1G07DTT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV74VHC1G07DTT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NL17VHC1G07DTT1G. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17VHC1G07DTT1G. - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NL17VHC1G07DTT1G. - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT25080VI-GT3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25080VI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CAT25080VI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CAT25080YI-GT3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NGTB25N120IHLWG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB25N120IHLWG - IGBT, 50 A, 1.85 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 192
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NGTB25N120IHLWG - IGBT, 50 A, 1.85 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 192
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NGTB25N120SWG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB25N120SWG - IGBT, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 385
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NGTB25N120SWG - IGBT, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 385
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDC655BN |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 55390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NGTB50N120FL2WG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB50N120FL2WG - IGBT, 100 A, 2.2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 535
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NGTB50N120FL2WG - IGBT, 100 A, 2.2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 535
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NGTB40N65FL2WG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N65FL2WG - IGBT, 80 A, 1.7 V, 366 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 366
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NGTB40N65FL2WG - IGBT, 80 A, 1.7 V, 366 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 366
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NGTB40N65IHL2WG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N65IHL2WG - IGBT, 650V 40A FS2 INDUCTION HEATING
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NGTB40N65IHL2WG - IGBT, 650V 40A FS2 INDUCTION HEATING
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NGTB30N65IHL2WG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB30N65IHL2WG - IGBT, 650V 30A FS2 INDUCTION HEATING
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NGTB30N65IHL2WG - IGBT, 650V 30A FS2 INDUCTION HEATING
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NGTB50N65FL2WG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB50N65FL2WG - IGBT, 650V 50A FS2 SOLAR/UPS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NGTB50N65FL2WG - IGBT, 650V 50A FS2 SOLAR/UPS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NGTB35N60FL2WG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB35N60FL2WG - IGBT, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 300
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NGTB35N60FL2WG - IGBT, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 300
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NGTB40N135IHRWG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N135IHRWG - IGBT, 80 A, 2.4 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35
Verlustleistung: 394
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NGTB40N135IHRWG - IGBT, 80 A, 2.4 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35
Verlustleistung: 394
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NGTB10N60FG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB10N60FG - IGBT, 20 A, 1.5 V, 40 W, 600 V, SC-67, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 40
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20
Bauform - Transistor: SC-67
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NGTB10N60FG - IGBT, 20 A, 1.5 V, 40 W, 600 V, SC-67, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 40
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20
Bauform - Transistor: SC-67
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NGTB50N60L2WG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB50N60L2WG - IGBT, 600V, 100A, 175°C, 500W, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NGTB50N60L2WG - IGBT, 600V, 100A, 175°C, 500W, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S1JHE |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S1JHE - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 782 ns, 20 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323HE
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 782ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - S1JHE - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 782 ns, 20 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323HE
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 782ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| S1JHE |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S1JHE - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 782 ns, 20 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323HE
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 782ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - S1JHE - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 782 ns, 20 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323HE
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 782ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| S1JFL |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S1JFL - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - S1JFL - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDP8880 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 54
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0116
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDP8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 54
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0116
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDN352AP |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 82416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDB20N50F |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP1607BDR2G. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1607BDR2G. - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Frequenzmodus: -
PFC-Betriebsmodus: CrCM - Critical Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Spannung
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCP1607BDR2G. - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Frequenzmodus: -
PFC-Betriebsmodus: CrCM - Critical Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Spannung
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| UF3C120080K4S |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BZX84B10LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B10LT1G - Zener-Diode, 10 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BZX84B10LT1G - Zener-Diode, 10 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N6388G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6388G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N6388G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NC7SP32P5X |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SP32P5X - OR-Gatter, NC7SP32, 2 Eingänge, 2.6mA, 0.9V bis 3.6V, TinyLogic, äußerst energiesparend, SC70-5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7SP32P5X - OR-Gatter, NC7SP32, 2 Eingänge, 2.6mA, 0.9V bis 3.6V, TinyLogic, äußerst energiesparend, SC70-5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP1012AP133G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1012AP133G - AC / DC CONVERTERS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP1012AP133G - AC / DC CONVERTERS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FCB290N80 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 17
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 212
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 17
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 212
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FCB290N80 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 17
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 212
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 17
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 212
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZX84B15LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BZX84B15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BZX84B15LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - BZX84B15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BZX84B9V1LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B9V1LT1G - Zener-Diode, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BZX84B9V1LT1G - Zener-Diode, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BZX84B9V1LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B9V1LT1G - Zener-Diode, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BZX84B9V1LT1G - Zener-Diode, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BZX84B12LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B12LT1G - Zener-Diode, 12 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BZX84B12LT1G - Zener-Diode, 12 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV891330PD50R2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV891330PD50R2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), AEC-Q100, 3.7V bis 36Vin, 5V/3Aout, 2MHz, HSOIC-8
Schaltfrequenz: 2
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: HSOIC
Ausgangsstrom: 3
Nennausgangsspannung: 5
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Eingangsspannung, max.: 36
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 3.7
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCV891330PD50R2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), AEC-Q100, 3.7V bis 36Vin, 5V/3Aout, 2MHz, HSOIC-8
Schaltfrequenz: 2
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: HSOIC
Ausgangsstrom: 3
Nennausgangsspannung: 5
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Eingangsspannung, max.: 36
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 3.7
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Stück im Wert von UAH
| NL37WZ17USG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL37WZ17USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 37WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NL37WZ17USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 37WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| NL37WZ17USG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL37WZ17USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NL37WZ17USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| CAT5113VI-01-GT3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-01-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 1 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Widerstandstoleranz: 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 1kohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - CAT5113VI-01-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 1 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Widerstandstoleranz: 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 1kohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH