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NVHL065N65S3F ONSEMI nvhl065n65s3f-d.pdf NVHL065N65S3F THT N channel transistors
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NVHL072N65S3 ONSEMI nvhl072n65s3-d.pdf NVHL072N65S3 THT N channel transistors
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NVHL080N120SC1A ONSEMI nvhl080n120sc1a-d.pdf NVHL080N120SC1A THT N channel transistors
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NVHL082N65S3F ONSEMI nvhl082n65s3f-d.pdf NVHL082N65S3F THT N channel transistors
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NVHL082N65S3HF ONSEMI nvhl082n65s3hf-d.pdf NVHL082N65S3HF THT N channel transistors
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NVHL1000N170M1 ONSEMI NVHL1000N170M1 THT N channel transistors
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NVHL110N65S3F ONSEMI nvhl110n65s3f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 58nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVHL110N65S3HF ONSEMI nvhl110n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 58nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVHL160N120SC1 ONSEMI nvhl160n120sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 337mΩ
Drain current: 12A
Power dissipation: 59W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVJD4152PT1G ONSEMI NVJD4152PT1G SMD P channel transistors
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NVJD4158CT1G ONSEMI ntjd4158c-d.pdf NVJD4158CT1G Multi channel transistors
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NVJD4401NT1G ONSEMI ntjd4401n-d.pdf NVJD4401NT1G Multi channel transistors
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NVJD5121NT1G ONSEMI ntjd5121n-d.pdf NVJD5121NT1G Multi channel transistors
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NVJD5121NT2G ONSEMI ntjd5121n-d.pdf NVJD5121NT2G SMD N channel transistors
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NVJS4151PT1G ONSEMI nvjs4151p-d.pdf NVJS4151PT1G SMD P channel transistors
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NVJS4405NT1G ONSEMI ntjs4405n-d.pdf NVJS4405NT1G SMD N channel transistors
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NVLJS053N12MCLTAG ONSEMI nvljs053n12mcl-d.pdf NVLJS053N12MCLTAG SMD N channel transistors
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NVLJWD040N06CLTAG ONSEMI nvljwd040n06cl-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 18A; Idm: 54A; 12W; WDFNW6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
Power dissipation: 12W
Case: WDFNW6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 54A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVLJWS011N06CLTAG ONSEMI nvljws011n06cl-d.pdf NVLJWS011N06CLTAG SMD N channel transistors
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NVLJWS013N03CLTAG ONSEMI nvljws013n03cl-d.pdf NVLJWS013N03CLTAG SMD N channel transistors
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NVLJWS022N06CLTAG ONSEMI nvljws022n06cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 90A; 14W; WDFNW6
Case: WDFNW6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 14W
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVLJWS6D0N04CLTAG ONSEMI nvljws6d0n04cl-d.pdf NVLJWS6D0N04CLTAG SMD N channel transistors
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NVMD4N03R2G ONSEMI ntmd4n03r2-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4A; Idm: 12A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMFD024N06CT1G ONSEMI nvmfd024n06c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 24A; Idm: 85A; 14W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 14W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMFD5877NLT1G ONSEMI nvmfd5877nl-d.pdf NVMFD5877NLT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C446NLT1G ONSEMI nvmfd5c446nl-d.pdf NVMFD5C446NLT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C446NLWFT1G ONSEMI nvmfd5c446nl-d.pdf NVMFD5C446NLWFT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C446NT1G ONSEMI nvmfd5c446n-d.pdf NVMFD5C446NT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C446NWFT1G ONSEMI nvmfd5c446n-d.pdf NVMFD5C446NWFT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C462NLT1G ONSEMI nvmfd5c462nl-d.pdf NVMFD5C462NLT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C462NLWFT1G ONSEMI nvmfd5c462nl-d.pdf NVMFD5C462NLWFT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C462NT1G ONSEMI nvmfd5c462n-d.pdf NVMFD5C462NT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C462NWFT1G ONSEMI NVMFD5C462N-D.PDF NVMFD5C462NWFT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C466NLT1G ONSEMI nvmfd5c466nl-d.pdf NVMFD5C466NLT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C466NLWFT1G ONSEMI nvmfd5c466nl-d.pdf NVMFD5C466NLWFT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C466NT1G ONSEMI nvmfd5c466n-d.pdf NVMFD5C466NT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C466NWFT1G ONSEMI nvmfd5c466n-d.pdf NVMFD5C466NWFT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C470NLT1G ONSEMI nvmfd5c470nl-d.pdf NVMFD5C470NLT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C470NT1G ONSEMI nvmfd5c470n-d.pdf NVMFD5C470NT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C470NWFT1G ONSEMI nvmfd5c470n-d.pdf NVMFD5C470NWFT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C478NLT1G ONSEMI nvmfd5c478nl-d.pdf NVMFD5C478NLT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C478NLWFT1G ONSEMI nvmfd5c478nl-d.pdf NVMFD5C478NLWFT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C478NT1G ONSEMI nvmfd5c478n-d.pdf NVMFD5C478NT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C478NWFT1G ONSEMI nvmfd5c478n-d.pdf NVMFD5C478NWFT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C650NLT1G ONSEMI nvmfd5c650nl-d.pdf NVMFD5C650NLT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C650NLWFT1G ONSEMI nvmfd5c650nl-d.pdf NVMFD5C650NLWFT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C668NLT1G ONSEMI nvmfd5c668nl-d.pdf NVMFD5C668NLT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C668NLWFT1G ONSEMI NVMFD5C668NLWFT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C672NLT1G ONSEMI nvmfd5c672nl-d.pdf NVMFD5C672NLT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C672NLWFT1G ONSEMI nvmfd5c672nl-d.pdf NVMFD5C672NLWFT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C674NLWFT1G ONSEMI nvmfd5c674nl-d.pdf NVMFD5C674NLWFT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C680NLT1G ONSEMI nvmfd5c680nl-d.pdf NVMFD5C680NLT1G SMD N channel transistors
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NVMFD5C680NLWFT1G ONSEMI nvmfd5c680nl-d.pdf NVMFD5C680NLWFT1G SMD N channel transistors
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NVMFD6H840NLT1G ONSEMI nvmfd6h840nl-d.pdf NVMFD6H840NLT1G SMD N channel transistors
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NVMFD6H840NLWFT1G ONSEMI nvmfd6h840nl-d.pdf NVMFD6H840NLWFT1G SMD N channel transistors
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NVMFD6H846NLT1G ONSEMI nvmfd6h846nl-d.pdf NVMFD6H846NLT1G SMD N channel transistors
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NVMFD6H852NLT1G ONSEMI nvmfd6h852nl-d.pdf NVMFD6H852NLT1G SMD N channel transistors
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NVMFD6H852NLWFT1G ONSEMI nvmfd6h852nl-d.pdf NVMFD6H852NLWFT1G SMD N channel transistors
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NVMFS005N10MCLT1G ONSEMI nvmfs005n10mcl-d.pdf NVMFS005N10MCLT1G SMD N channel transistors
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NVMFS014P04M8LT1G ONSEMI nvmfs014p04m8l-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -52.1A; Idm: -268A; 30W; DFN5
Mounting: SMD
Case: DFN5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -268A
Drain current: -52.1A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 13.8mΩ
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVHL065N65S3F nvhl065n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVHL065N65S3F THT N channel transistors
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NVHL072N65S3 nvhl072n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVHL072N65S3 THT N channel transistors
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NVHL080N120SC1A nvhl080n120sc1a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVHL080N120SC1A THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL082N65S3F nvhl082n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVHL082N65S3F THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL082N65S3HF nvhl082n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVHL082N65S3HF THT N channel transistors
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NVHL1000N170M1
Hersteller: ONSEMI
NVHL1000N170M1 THT N channel transistors
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NVHL110N65S3F nvhl110n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 58nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL110N65S3HF nvhl110n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 58nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVHL160N120SC1 nvhl160n120sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 337mΩ
Drain current: 12A
Power dissipation: 59W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVJD4152PT1G
Hersteller: ONSEMI
NVJD4152PT1G SMD P channel transistors
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NVJD4158CT1G ntjd4158c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVJD4158CT1G Multi channel transistors
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NVJD4401NT1G ntjd4401n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVJD4401NT1G Multi channel transistors
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NVJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVJD5121NT1G Multi channel transistors
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NVJD5121NT2G ntjd5121n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVJD5121NT2G SMD N channel transistors
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NVJS4151PT1G nvjs4151p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVJS4151PT1G SMD P channel transistors
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NVJS4405NT1G ntjs4405n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVJS4405NT1G SMD N channel transistors
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NVLJS053N12MCLTAG nvljs053n12mcl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVLJS053N12MCLTAG SMD N channel transistors
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NVLJWD040N06CLTAG nvljwd040n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 18A; Idm: 54A; 12W; WDFNW6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
Power dissipation: 12W
Case: WDFNW6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 54A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVLJWS011N06CLTAG nvljws011n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVLJWS011N06CLTAG SMD N channel transistors
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NVLJWS013N03CLTAG nvljws013n03cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVLJWS013N03CLTAG SMD N channel transistors
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NVLJWS022N06CLTAG nvljws022n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 90A; 14W; WDFNW6
Case: WDFNW6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 14W
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
NVLJWS6D0N04CLTAG SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4A; Idm: 12A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 24A; Idm: 85A; 14W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 14W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -52.1A; Idm: -268A; 30W; DFN5
Mounting: SMD
Case: DFN5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -268A
Drain current: -52.1A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 13.8mΩ
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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