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NVMFWS014P04M8LT1G ONSEMI nvmfs014p04m8l-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -52.1A; Idm: -268A; 30W; DFN5
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -52.1A
Pulsed drain current: -268A
Power dissipation: 30W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS015N10MCLT1G ONSEMI nvmfs015n10mcl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47.1A; Idm: 259A; 23.8W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47.1A
Pulsed drain current: 259A
Power dissipation: 23.8W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS016N06CT1G ONSEMI nvmfs016n06c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 226A; 18W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 226A
Power dissipation: 18W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS016N10MCLT1G ONSEMI nvmfs016n10mcl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 243A; 32W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 243A
Power dissipation: 32W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS021N10MCLT1G ONSEMI nvmfs021n10mcl-d.pdf NVMFWS021N10MCLT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS0D4N04XMT1G ONSEMI nvmfws0d4n04xm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 509A; Idm: 900A; 197W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 509A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 197W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 420µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 132nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS0D5N04XMT1G ONSEMI nvmfws0d5n04xm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 414A; Idm: 900A; 163W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 414A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 163W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 520µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 97.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS0D7N04XMT1G ONSEMI nvmfws0d7n04xm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 323A; Idm: 900A; 134W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 323A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 134W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS1D5N08XT1G ONSEMI nvmfws1d5n08x-d.pdf NVMFWS1D5N08XT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS1D9N08XT1G ONSEMI nvmfws1d9n08x-d.pdf NVMFWS1D9N08XT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS2D1N08XT1G ONSEMI NVMFWS2D1N08XT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS2D3N04XMT1G ONSEMI nvmfws2d3n04xm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 121A; Idm: 688A; 63W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 121A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 63W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS2D3P04M8LT1G ONSEMI nvmfs2d3p04m8l-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -222A; Idm: -900A; 103W; DFNW5
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -222A
Pulsed drain current: -900A
Power dissipation: 103W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 157nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS2D5N08XT1G ONSEMI nvmfws2d5n08x-d.pdf NVMFWS2D5N08XT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS3D0P04M8LT1G ONSEMI nvmfs3d0p04m8l-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -183A; Idm: -900A; 86W; DFNW5
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -183A
Pulsed drain current: -900A
Power dissipation: 86W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 124nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS3D6N10MCLT1G ONSEMI nvmfs3d6n10mcl-d.pdf NVMFWS3D6N10MCLT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJD012N06CLTWG ONSEMI nvmjd012n06cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 153A; 21W; LFPAK8
Case: LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 11.5nC
On-state resistance: 11.9mΩ
Power dissipation: 21W
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 153A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS0D8N04CLTWG ONSEMI NVMJS0D8N04CLTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS0D9N04CLTWG ONSEMI nvmjs0d9n04cl-d.pdf NVMJS0D9N04CLTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS1D0N04CTWG ONSEMI nvmjs1d0n04c-d.pdf NVMJS1D0N04CTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS1D2N04CLTWG ONSEMI NVMJS1D2N04CLTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS1D3N04CTWG ONSEMI NVMJS1D3N04CTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS1D4N06CLTWG ONSEMI nvmjs1d4n06cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 262A; Idm: 900A; 90W; LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 262A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 90W
Case: LFPAK8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS1D5N04CLTWG ONSEMI nvmjs1d5n04cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 900A; 53W; LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS1D6N06CLTWG ONSEMI Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 250A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 83W
Case: LFPAK8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS1D7N04CTWG ONSEMI nvmjs1d7n04c-d.pdf NVMJS1D7N04CTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS2D5N06CLTWG ONSEMI nvmjs2d5n06cl-d.pdf NVMJS2D5N06CLTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJST0D9N04CTXG ONSEMI nvmjst0d9n04c-d.pdf NVMJST0D9N04CTXG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJST1D3N04CTXG ONSEMI nvmjst1d3n04c-d.pdf NVMJST1D3N04CTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJST1D4N06CLTXG ONSEMI nvmjst1d4n06cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 58W
Case: TCPAK10
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJST1D6N04CTXG ONSEMI nvmjst1d6n04c-d.pdf NVMJST1D6N04CTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJST2D6N08HTXG ONSEMI nvmjst2d6n08h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 131.5A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 131.5A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 58W
Case: TCPAK10
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJST3D3N04CTXG ONSEMI nvmjst3d3n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 157A; Idm: 900A; 75W; TCPAK10
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 75W
Case: TCPAK10
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMS5P02R2G ONSEMI ntms5p02r2-d.pdf NVMS5P02R2G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS001N06CLTXG ONSEMI nvmts001n06cl-d.pdf NVMTS001N06CLTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS001N06CTXG ONSEMI nvmts001n06c-d.pdf NVMTS001N06CTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS0D4N04CLTXG ONSEMI nvmts0d4n04cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 553.8A; Idm: 900A; 122W; DFNW8
Gate charge: 163nC
On-state resistance: 0.4mΩ
Power dissipation: 122W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 553.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 900A
Case: DFNW8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS0D6N04CLTXG ONSEMI nvmts0d6n04cl-d.pdf NVMTS0D6N04CLTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS0D6N04CTXG ONSEMI nvmts0d6n04c-d.pdf NVMTS0D6N04CTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS0D7N04CLTXG ONSEMI nvmts0d7n04cl-d.pdf NVMTS0D7N04CLTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS0D7N04CTXG ONSEMI nvmts0d7n04c-d.pdf NVMTS0D7N04CTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS0D7N06CLTXG ONSEMI nvmts0d7n06cl-d.pdf NVMTS0D7N06CLTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS0D7N06CTXG ONSEMI nvmts0d7n06c-d.pdf NVMTS0D7N06CTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS1D2N08H ONSEMI nvmts1d2n08h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 337A; Idm: 900A; 150W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 147nC
On-state resistance: 1.1mΩ
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 337A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS1D5N08H ONSEMI nvmts1d5n08h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 273A; Idm: 900A; 129W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 129W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 273A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS1D6N10MCTXG ONSEMI nvmts1d6n10mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 273A; Idm: 900A; 146W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 146W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 273A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS4D3N15MC ONSEMI nvmts4d3n15mc-d.pdf NVMTS4D3N15MC SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTSC1D3N08M7TXG ONSEMI nvmtsc1d3n08m7-d.pdf NVMTSC1D3N08M7TXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTSC4D3N15MC ONSEMI nvmtsc4d3n15mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 165A; Idm: 900A; 146W; TDFNW8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 900A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TDFNW8
Gate charge: 79nC
On-state resistance: 4.45mΩ
Power dissipation: 146W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 165A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS003N08LHTWG ONSEMI nvmys003n08lh-d.pdf NVMYS003N08LHTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS005N10MCLTWG ONSEMI nvmys005n10mcl-d.pdf NVMYS005N10MCLTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS007N10MCLTWG ONSEMI nvmys007n10mcl-d.pdf NVMYS007N10MCLTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS008N08LHTWG ONSEMI nvmys008n08lh-d.pdf NVMYS008N08LHTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS011N04CTWG ONSEMI nvmys011n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 173A; 9.1W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 173A
Power dissipation: 9.1W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS012N10MCLTWG ONSEMI nvmys012n10mcl-d.pdf NVMYS012N10MCLTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS014N06CLTWG ONSEMI nvmys014n06cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 185A; 12W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 12W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS016N10MCLTWG ONSEMI nvmys016n10mcl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 264A; 32W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 32W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMYS020N08LHTWG ONSEMI nvmys020n08lh-d.pdf NVMYS020N08LHTWG SMD N channel transistors
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NVMYS021N06CLTWG ONSEMI nvmys021n06cl-d.pdf NVMYS021N06CLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS021N10MCLTWG ONSEMI NVMYS021N10MCLTWG SMD N channel transistors
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NVMFWS014P04M8LT1G nvmfs014p04m8l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -52.1A; Idm: -268A; 30W; DFN5
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -52.1A
Pulsed drain current: -268A
Power dissipation: 30W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS015N10MCLT1G nvmfs015n10mcl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47.1A; Idm: 259A; 23.8W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47.1A
Pulsed drain current: 259A
Power dissipation: 23.8W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS016N06CT1G nvmfs016n06c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 226A; 18W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 226A
Power dissipation: 18W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS016N10MCLT1G nvmfs016n10mcl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 243A; 32W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 243A
Power dissipation: 32W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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NVMFWS021N10MCLT1G nvmfs021n10mcl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMFWS021N10MCLT1G SMD N channel transistors
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NVMFWS0D4N04XMT1G nvmfws0d4n04xm-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 509A; Idm: 900A; 197W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 509A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 197W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 420µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 132nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS0D5N04XMT1G nvmfws0d5n04xm-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 414A; Idm: 900A; 163W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 414A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 163W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 520µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 97.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS0D7N04XMT1G nvmfws0d7n04xm-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 323A; Idm: 900A; 134W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 323A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 134W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS1D5N08XT1G nvmfws1d5n08x-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMFWS1D5N08XT1G SMD N channel transistors
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NVMFWS1D9N08XT1G nvmfws1d9n08x-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMFWS1D9N08XT1G SMD N channel transistors
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NVMFWS2D1N08XT1G
Hersteller: ONSEMI
NVMFWS2D1N08XT1G SMD N channel transistors
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NVMFWS2D3N04XMT1G nvmfws2d3n04xm-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 121A; Idm: 688A; 63W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 121A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 63W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS2D3P04M8LT1G nvmfs2d3p04m8l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -222A; Idm: -900A; 103W; DFNW5
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -222A
Pulsed drain current: -900A
Power dissipation: 103W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 157nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMFWS2D5N08XT1G nvmfws2d5n08x-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMFWS2D5N08XT1G SMD N channel transistors
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NVMFWS3D0P04M8LT1G nvmfs3d0p04m8l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -183A; Idm: -900A; 86W; DFNW5
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -183A
Pulsed drain current: -900A
Power dissipation: 86W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 124nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS3D6N10MCLT1G nvmfs3d6n10mcl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMFWS3D6N10MCLT1G SMD N channel transistors
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NVMJD012N06CLTWG nvmjd012n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 153A; 21W; LFPAK8
Case: LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 11.5nC
On-state resistance: 11.9mΩ
Power dissipation: 21W
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 153A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS0D8N04CLTWG
Hersteller: ONSEMI
NVMJS0D8N04CLTWG SMD N channel transistors
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NVMJS0D9N04CLTWG nvmjs0d9n04cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMJS0D9N04CLTWG SMD N channel transistors
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NVMJS1D0N04CTWG nvmjs1d0n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMJS1D0N04CTWG SMD N channel transistors
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NVMJS1D2N04CLTWG
Hersteller: ONSEMI
NVMJS1D2N04CLTWG SMD N channel transistors
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NVMJS1D3N04CTWG
Hersteller: ONSEMI
NVMJS1D3N04CTWG SMD N channel transistors
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NVMJS1D4N06CLTWG nvmjs1d4n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 262A; Idm: 900A; 90W; LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 262A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 90W
Case: LFPAK8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS1D5N04CLTWG nvmjs1d5n04cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 900A; 53W; LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMJS1D6N06CLTWG
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 250A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 83W
Case: LFPAK8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS1D7N04CTWG nvmjs1d7n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMJS1D7N04CTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS2D5N06CLTWG nvmjs2d5n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMJS2D5N06CLTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJST0D9N04CTXG nvmjst0d9n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMJST0D9N04CTXG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJST1D3N04CTXG nvmjst1d3n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMJST1D3N04CTXG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJST1D4N06CLTXG nvmjst1d4n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 58W
Case: TCPAK10
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJST1D6N04CTXG nvmjst1d6n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMJST1D6N04CTXG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJST2D6N08HTXG nvmjst2d6n08h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 131.5A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 131.5A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 58W
Case: TCPAK10
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJST3D3N04CTXG nvmjst3d3n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 157A; Idm: 900A; 75W; TCPAK10
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 75W
Case: TCPAK10
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMS5P02R2G ntms5p02r2-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMS5P02R2G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS001N06CLTXG nvmts001n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMTS001N06CLTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS001N06CTXG nvmts001n06c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMTS001N06CTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS0D4N04CLTXG nvmts0d4n04cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 553.8A; Idm: 900A; 122W; DFNW8
Gate charge: 163nC
On-state resistance: 0.4mΩ
Power dissipation: 122W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 553.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 900A
Case: DFNW8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS0D6N04CLTXG nvmts0d6n04cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMTS0D6N04CLTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS0D6N04CTXG nvmts0d6n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMTS0D6N04CTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS0D7N04CLTXG nvmts0d7n04cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMTS0D7N04CLTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS0D7N04CTXG nvmts0d7n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMTS0D7N04CTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS0D7N06CLTXG nvmts0d7n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMTS0D7N06CLTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS0D7N06CTXG nvmts0d7n06c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMTS0D7N06CTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS1D2N08H nvmts1d2n08h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 337A; Idm: 900A; 150W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 147nC
On-state resistance: 1.1mΩ
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 337A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS1D5N08H nvmts1d5n08h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 273A; Idm: 900A; 129W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 129W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 273A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS1D6N10MCTXG nvmts1d6n10mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 273A; Idm: 900A; 146W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 146W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 273A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTS4D3N15MC nvmts4d3n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMTS4D3N15MC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTSC1D3N08M7TXG nvmtsc1d3n08m7-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMTSC1D3N08M7TXG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMTSC4D3N15MC nvmtsc4d3n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 165A; Idm: 900A; 146W; TDFNW8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 900A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TDFNW8
Gate charge: 79nC
On-state resistance: 4.45mΩ
Power dissipation: 146W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 165A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS003N08LHTWG nvmys003n08lh-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMYS003N08LHTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS005N10MCLTWG nvmys005n10mcl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMYS005N10MCLTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS007N10MCLTWG nvmys007n10mcl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMYS007N10MCLTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS008N08LHTWG nvmys008n08lh-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMYS008N08LHTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS011N04CTWG nvmys011n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 173A; 9.1W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 173A
Power dissipation: 9.1W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS012N10MCLTWG nvmys012n10mcl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMYS012N10MCLTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS014N06CLTWG nvmys014n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 185A; 12W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 12W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS016N10MCLTWG nvmys016n10mcl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 264A; 32W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 32W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS020N08LHTWG nvmys020n08lh-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMYS020N08LHTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS021N06CLTWG nvmys021n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMYS021N06CLTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS021N10MCLTWG
Hersteller: ONSEMI
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