| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NCD5701ADR2G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 13.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 56ns Ausgabeverzögerung: 63ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD5701ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 13.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 56ns Ausgabeverzögerung: 63ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD5703ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.8A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 59ns Ausgabeverzögerung: 54ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57085DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57085DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 7.5A Treiberkonfiguration: Nicht invertierend rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -65°C Quellstrom: 7A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD5703ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.8A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 59ns Ausgabeverzögerung: 54ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57090ADWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57080BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: NSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57090ADWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57090DDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57090DDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: Nicht invertierend rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -65°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57090y productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SECO-NCD5700-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SECO-NCD5700-GEVB - Tochterplatine, FODM217D/FODM611/NCD5700DR2G, IGBT-Gate-Treiber tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Anwendungs-Tochterplatine FODM217D/FODM611/NCD5700DR2G Prozessorhersteller: On Semiconductor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Prozessorserie: - Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber usEccn: EAR99 Prozessorfamilie: - euEccn: NLR Prozessorkern: FODM217D, FODM611, NCD5700DR2G Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD5701BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.8A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: 13.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 56ns Ausgabeverzögerung: 63ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57090EDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, Logik-ICs Sinkstrom: 6.5 Treiberkonfiguration: Nicht invertierend Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Eingang: Logik-ICs Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -65 Quellstrom: 6.5 Versorgungsspannung, min.: 3.3 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: NCx57090y Versorgungsspannung, max.: 15 Eingabeverzögerung: 60 Ausgabeverzögerung: 60 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57080CDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC Sinkstrom: 6 Treiberkonfiguration: - Leistungsschalter: IGBT Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.4 Quellstrom: 6 Spitzenausgangsstrom: 8 Bauform - Treiber: NSOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 60 Ausgabeverzögerung: 60 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SS15FA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS15FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 1 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 700 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 700mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4003RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4003RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5684 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4003RLG. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4003RLG. - STANDARD DIODE, 1A, 200V, 59-10, FULL REEL Bauform - Diode: Axial Leaded Durchlassspannung Vf max.: 1.1 Diodenkonfiguration: Single Sperrerholzeit Trr, max.: - Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30 Betriebstemperatur, max.: 175 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200 SVHC: Lead |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5363BRLG | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 1N5363BRLG - Zener-Diode, 30 V, 5 W, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Surmetic 1N53 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 30V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N5364BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5364BG - Zener-Diode, 33 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 017AA rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N53 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 33V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTTFS5820NLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5820NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.0101 ohm, WDFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 37 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 33 Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 5387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTTFS5116PLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTTFS5826NLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5826NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 20 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 19 Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTTFS005N04CTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 69 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 50 Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTTFS6H860NLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS6H860NLTAG - MOSFET'S - SINGLE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTTFS5C454NLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 85 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 55 Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTTFS5116PLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTWG - MOSFET'S - SINGLE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTTFS008P03P8Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 0.0025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 4778 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTTFS1D8N02P1E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 0.00105 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTTFS004N04CTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS004N04CTAG - MOSFET'S - SINGLE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTTFS5C454NLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 85 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 55 Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTTFS5C670NLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0054 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTTFS005N04CTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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NTTFS030N06CTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS030N06CTAG - MOSFET'S - SINGLE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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NTTFS2D8N04HLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS2D8N04HLTAG - MOSFET'S - SINGLE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NTTFS5116PLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 5.7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.2 Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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NTTFS2D1N04HLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2873 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTTFS1D2N02P1E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS1D2N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 860 µohm, PQFN Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 180 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 52 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 860 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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NTTFS015P03P8ZTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTAG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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NTTFS5C454NLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTWG - MOSFET'S - SINGLE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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| ADD5043-915-1-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ADD5043-915-1-GEVK - Erweiterungsboard, AX5043 RFIC, Erweiterungskit für DVK-2 Development Kits, 915MHz Art des Zubehörs: Erweiterungskit HF-Transceiver 915MHz Zur Verwendung mit: DVK-2-Evaluationskit von On Semiconductor Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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DVK-SFEU-1-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DVK-SFEU-1-GEVK - Development Kit, AX-SFEU HF-Transceiver-SoC, RCZ1, Sigfox-verbundene Anwendungen, Miniatur Prozessorkern: AX8052, AX5043 Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: SIGFOX-Evaluationsboard, SMA-Antenne, AXSDB-Debugging-Adapter, USB-Kabel, AX-Debugging-Kabel Unterart Anwendung: HF-Transceiver Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FDC6330L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6330L - Integrierter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 20V, 2.5A, SSOT-6 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.08ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: 2.5A IC-Gehäuse / Bauform: SSOT MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 20V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 86887 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FFA60UP30DNTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFA60UP30DNTU - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.5 V, 55 ns Bauform - Diode: TO-3P Durchlassspannung Vf max.: 1.5 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Sperrerholzeit Trr, max.: 55 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 300 Betriebstemperatur, max.: 175 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 300 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FFA60UP20DNTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFA60UP20DNTU - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 32 ns Bauform - Diode: TO-3P Durchlassspannung Vf max.: 1.15 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Sperrerholzeit Trr, max.: 32 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 300 Betriebstemperatur, max.: 175 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FFAF60UA60DN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFAF60UA60DN - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 60 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.2 V, 90 ns, 180 A Bauform - Diode: TO-3PF Durchlassspannung Vf max.: 2.2 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Sperrerholzeit Trr, max.: 90 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 60 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: FFAF6 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 180 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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BAS40-04LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS40-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 200mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 11834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAS40-04LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS40-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 200mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 11834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CAT5113LI-01-G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5113LI-01-G. - IC, DIGITAL POT 1KOHM 100, SINGLE, 8-DIP Bauform - Potentiometer: DIP Anzahl der Potentiometer: Single Widerstandsverlauf: Linear Anzahl Schritte: 100 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.5 Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: Serial Gesamtwiderstand: 1 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Single 100-Tap Non-Volatile Digital Pots Versorgungsspannung, max.: 6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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CAT5110SDI-10-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5110SDI-10-GT3 - IC, DIGITAL POT, 10KOHM, 32, SGL, SC70-6 Bauform - Potentiometer: SC-70 Anzahl der Potentiometer: Single Widerstandsverlauf: Linear Anzahl Schritte: 32 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: - Versorgungsspannung, min.: 2.7 Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: 2 Wire, Serial Gesamtwiderstand: 10 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: Single 32 -Tap Non-Volatile Digital Pots Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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CAT5171TBI-00GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5171TBI-00GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT) MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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CAT5119SDI-00GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5119SDI-00GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT) MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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CAT5119SDI-10GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5119SDI-10GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT) MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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CAT5115ZI-10-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5115ZI-10-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 10K MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NC7SV74K8X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SV74K8X - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, NC7S74, D, 1 ns, 200 MHz, 24 mA, US8 tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 7474 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: NC7S Bauform - Logikbaustein: US8 IC-Ausgang: Komplementär hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz: 200MHz Flip-Flop-Typ: D Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 900mV Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74 euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Ausbreitungsverzögerung: 1ns Triggertyp: Positive Taktflanke Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LV52117QATXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LV52117QATXG - DC/DC-Schaltregler, invertierend, 2 Ausgänge, bis 4.6Vin, 5.8V/0.1Aout, 1.74MHz, TDFN-12 Schaltfrequenz: 1.74 Ausgangsstrom - Ausgang 2: 100 Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TDFN Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge MSL: MSL 1 - unbegrenzt Reglerausgang: Einstellbar Eingangsspannung, max.: 4.6 Eingangsspannung, min.: 2.75 Topologie: Synchroner Boost (Aufwärts), invertierend Anzahl der Pins: 12 Produktpalette: - Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5.8 Betriebstemperatur, max.: 85 Ausgangsspannung - Ausgang 2: -4.6 Ausgangsstrom - Ausgang 1: 100 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LV52117QATXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LV52117QATXG - DC/DC-Schaltregler, invertierend, 2 Ausgänge, bis 4.6Vin, 5.8V/0.1Aout, 1.74MHz, TDFN-12 Schaltfrequenz: 1.74 Ausgangsstrom - Ausgang 2: 100 Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TDFN Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge MSL: MSL 1 - unbegrenzt Reglerausgang: Einstellbar Eingangsspannung, max.: 4.6 Eingangsspannung, min.: 2.75 Topologie: Synchroner Boost (Aufwärts), invertierend Anzahl der Pins: 12 Produktpalette: - Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5.8 Betriebstemperatur, max.: 85 Ausgangsspannung - Ausgang 2: -4.6 Ausgangsstrom - Ausgang 1: 100 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV20061SQ3T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20061SQ3T2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Eingang, 1 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70 tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1.2V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NRVB0530T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVB0530T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 5.5A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 430mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NRVB0530T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVB0530T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 5.5A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 430mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BAT54AWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAT54AWT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 800mV Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT54 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 24929 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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A5191HRTPG-XTD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - A5191HRTPG-XTD - HART-Modem, 3V bis 5.5V, PLCC-28 tariffCode: 85423990 IC-Funktion: HART-Modem rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 5A991.b.2 IC-Bauform: PLCC Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NCD5701ADR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD5701ADR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD5703ADR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD57085DR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57085DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 7A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCD57085DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 7A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD5703ADR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD57090ADWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCD57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD57080BDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD57090ADWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCD57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD57090DDWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090DDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57090y
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCD57090DDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57090y
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 761 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SECO-NCD5700-GEVB |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SECO-NCD5700-GEVB - Tochterplatine, FODM217D/FODM611/NCD5700DR2G, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Anwendungs-Tochterplatine FODM217D/FODM611/NCD5700DR2G
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: FODM217D, FODM611, NCD5700DR2G
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - SECO-NCD5700-GEVB - Tochterplatine, FODM217D/FODM611/NCD5700DR2G, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Anwendungs-Tochterplatine FODM217D/FODM611/NCD5700DR2G
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: FODM217D, FODM611, NCD5700DR2G
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD5701BDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD57090EDWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, Logik-ICs
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Logik-ICs
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -65
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCx57090y
Versorgungsspannung, max.: 15
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, Logik-ICs
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Logik-ICs
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -65
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCx57090y
Versorgungsspannung, max.: 15
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD57080CDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
Sinkstrom: 6
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.4
Quellstrom: 6
Spitzenausgangsstrom: 8
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCD57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
Sinkstrom: 6
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.4
Quellstrom: 6
Spitzenausgangsstrom: 8
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SS15FA |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS15FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 1 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SS15FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 1 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N4003RLG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4003RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4003RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N4003RLG. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4003RLG. - STANDARD DIODE, 1A, 200V, 59-10, FULL REEL
Bauform - Diode: Axial Leaded
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Diodenkonfiguration: Single
Sperrerholzeit Trr, max.: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - 1N4003RLG. - STANDARD DIODE, 1A, 200V, 59-10, FULL REEL
Bauform - Diode: Axial Leaded
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Diodenkonfiguration: Single
Sperrerholzeit Trr, max.: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5363BRLG | |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5363BRLG - Zener-Diode, 30 V, 5 W, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Surmetic 1N53
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N5363BRLG - Zener-Diode, 30 V, 5 W, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Surmetic 1N53
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N5364BG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5364BG - Zener-Diode, 33 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N5364BG - Zener-Diode, 33 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTTFS5820NLTAG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5820NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.0101 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 37
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS5820NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.0101 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 37
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 5387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTTFS5116PLTAG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTTFS5826NLTAG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5826NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS5826NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS005N04CTAG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 69
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 69
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS6H860NLTAG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS6H860NLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS6H860NLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS5C454NLTAG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS5116PLTWG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS008P03P8Z |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 0.0025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 0.0025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTTFS1D8N02P1E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 0.00105 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 0.00105 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTTFS004N04CTAG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS004N04CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS004N04CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS5C454NLTAG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS5C670NLTAG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0054 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0054 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTTFS005N04CTAG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS030N06CTAG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS030N06CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS030N06CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS2D8N04HLTAG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS2D8N04HLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS2D8N04HLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS5116PLTAG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS2D1N04HLTWG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTTFS1D2N02P1E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS1D2N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 860 µohm, PQFN
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 860
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS1D2N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 860 µohm, PQFN
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 860
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS015P03P8ZTAG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTAG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTAG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS5C454NLTWG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ADD5043-915-1-GEVK |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ADD5043-915-1-GEVK - Erweiterungsboard, AX5043 RFIC, Erweiterungskit für DVK-2 Development Kits, 915MHz
Art des Zubehörs: Erweiterungskit HF-Transceiver 915MHz
Zur Verwendung mit: DVK-2-Evaluationskit von On Semiconductor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - ADD5043-915-1-GEVK - Erweiterungsboard, AX5043 RFIC, Erweiterungskit für DVK-2 Development Kits, 915MHz
Art des Zubehörs: Erweiterungskit HF-Transceiver 915MHz
Zur Verwendung mit: DVK-2-Evaluationskit von On Semiconductor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DVK-SFEU-1-GEVK |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DVK-SFEU-1-GEVK - Development Kit, AX-SFEU HF-Transceiver-SoC, RCZ1, Sigfox-verbundene Anwendungen, Miniatur
Prozessorkern: AX8052, AX5043
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: SIGFOX-Evaluationsboard, SMA-Antenne, AXSDB-Debugging-Adapter, USB-Kabel, AX-Debugging-Kabel
Unterart Anwendung: HF-Transceiver
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - DVK-SFEU-1-GEVK - Development Kit, AX-SFEU HF-Transceiver-SoC, RCZ1, Sigfox-verbundene Anwendungen, Miniatur
Prozessorkern: AX8052, AX5043
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: SIGFOX-Evaluationsboard, SMA-Antenne, AXSDB-Debugging-Adapter, USB-Kabel, AX-Debugging-Kabel
Unterart Anwendung: HF-Transceiver
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDC6330L |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6330L - Integrierter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 20V, 2.5A, SSOT-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.08ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2.5A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOT
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 20V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDC6330L - Integrierter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 20V, 2.5A, SSOT-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.08ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2.5A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOT
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 20V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 86887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FFA60UP30DNTU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFA60UP30DNTU - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.5 V, 55 ns
Bauform - Diode: TO-3P
Durchlassspannung Vf max.: 1.5
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Sperrerholzeit Trr, max.: 55
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 300
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FFA60UP30DNTU - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.5 V, 55 ns
Bauform - Diode: TO-3P
Durchlassspannung Vf max.: 1.5
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Sperrerholzeit Trr, max.: 55
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 300
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FFA60UP20DNTU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFA60UP20DNTU - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 32 ns
Bauform - Diode: TO-3P
Durchlassspannung Vf max.: 1.15
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Sperrerholzeit Trr, max.: 32
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FFA60UP20DNTU - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 32 ns
Bauform - Diode: TO-3P
Durchlassspannung Vf max.: 1.15
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Sperrerholzeit Trr, max.: 32
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FFAF60UA60DN |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFAF60UA60DN - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 60 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.2 V, 90 ns, 180 A
Bauform - Diode: TO-3PF
Durchlassspannung Vf max.: 2.2
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Sperrerholzeit Trr, max.: 90
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: FFAF6
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FFAF60UA60DN - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 60 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.2 V, 90 ns, 180 A
Bauform - Diode: TO-3PF
Durchlassspannung Vf max.: 2.2
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Sperrerholzeit Trr, max.: 90
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: FFAF6
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAS40-04LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS40-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BAS40-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAS40-04LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS40-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BAS40-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CAT5113LI-01-G. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113LI-01-G. - IC, DIGITAL POT 1KOHM 100, SINGLE, 8-DIP
Bauform - Potentiometer: DIP
Anzahl der Potentiometer: Single
Widerstandsverlauf: Linear
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Serial
Gesamtwiderstand: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Single 100-Tap Non-Volatile Digital Pots
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - CAT5113LI-01-G. - IC, DIGITAL POT 1KOHM 100, SINGLE, 8-DIP
Bauform - Potentiometer: DIP
Anzahl der Potentiometer: Single
Widerstandsverlauf: Linear
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Serial
Gesamtwiderstand: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Single 100-Tap Non-Volatile Digital Pots
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT5110SDI-10-GT3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5110SDI-10-GT3 - IC, DIGITAL POT, 10KOHM, 32, SGL, SC70-6
Bauform - Potentiometer: SC-70
Anzahl der Potentiometer: Single
Widerstandsverlauf: Linear
Anzahl Schritte: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: -
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: 2 Wire, Serial
Gesamtwiderstand: 10
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Single 32 -Tap Non-Volatile Digital Pots
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - CAT5110SDI-10-GT3 - IC, DIGITAL POT, 10KOHM, 32, SGL, SC70-6
Bauform - Potentiometer: SC-70
Anzahl der Potentiometer: Single
Widerstandsverlauf: Linear
Anzahl Schritte: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: -
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: 2 Wire, Serial
Gesamtwiderstand: 10
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Single 32 -Tap Non-Volatile Digital Pots
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT5171TBI-00GT3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5171TBI-00GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - CAT5171TBI-00GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT5119SDI-00GT3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5119SDI-00GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - CAT5119SDI-00GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT5119SDI-10GT3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5119SDI-10GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - CAT5119SDI-10GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT5115ZI-10-GT3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5115ZI-10-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 10K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - CAT5115ZI-10-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 10K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NC7SV74K8X |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SV74K8X - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, NC7S74, D, 1 ns, 200 MHz, 24 mA, US8
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: US8
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 200MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NC7SV74K8X - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, NC7S74, D, 1 ns, 200 MHz, 24 mA, US8
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: US8
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 200MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| LV52117QATXG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV52117QATXG - DC/DC-Schaltregler, invertierend, 2 Ausgänge, bis 4.6Vin, 5.8V/0.1Aout, 1.74MHz, TDFN-12
Schaltfrequenz: 1.74
Ausgangsstrom - Ausgang 2: 100
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TDFN
Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Reglerausgang: Einstellbar
Eingangsspannung, max.: 4.6
Eingangsspannung, min.: 2.75
Topologie: Synchroner Boost (Aufwärts), invertierend
Anzahl der Pins: 12
Produktpalette: -
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5.8
Betriebstemperatur, max.: 85
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -4.6
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 100
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - LV52117QATXG - DC/DC-Schaltregler, invertierend, 2 Ausgänge, bis 4.6Vin, 5.8V/0.1Aout, 1.74MHz, TDFN-12
Schaltfrequenz: 1.74
Ausgangsstrom - Ausgang 2: 100
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TDFN
Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Reglerausgang: Einstellbar
Eingangsspannung, max.: 4.6
Eingangsspannung, min.: 2.75
Topologie: Synchroner Boost (Aufwärts), invertierend
Anzahl der Pins: 12
Produktpalette: -
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5.8
Betriebstemperatur, max.: 85
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -4.6
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 100
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| LV52117QATXG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV52117QATXG - DC/DC-Schaltregler, invertierend, 2 Ausgänge, bis 4.6Vin, 5.8V/0.1Aout, 1.74MHz, TDFN-12
Schaltfrequenz: 1.74
Ausgangsstrom - Ausgang 2: 100
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TDFN
Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Reglerausgang: Einstellbar
Eingangsspannung, max.: 4.6
Eingangsspannung, min.: 2.75
Topologie: Synchroner Boost (Aufwärts), invertierend
Anzahl der Pins: 12
Produktpalette: -
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5.8
Betriebstemperatur, max.: 85
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -4.6
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 100
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - LV52117QATXG - DC/DC-Schaltregler, invertierend, 2 Ausgänge, bis 4.6Vin, 5.8V/0.1Aout, 1.74MHz, TDFN-12
Schaltfrequenz: 1.74
Ausgangsstrom - Ausgang 2: 100
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TDFN
Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Reglerausgang: Einstellbar
Eingangsspannung, max.: 4.6
Eingangsspannung, min.: 2.75
Topologie: Synchroner Boost (Aufwärts), invertierend
Anzahl der Pins: 12
Produktpalette: -
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5.8
Betriebstemperatur, max.: 85
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -4.6
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 100
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV20061SQ3T2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20061SQ3T2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Eingang, 1 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV20061SQ3T2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Eingang, 1 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NRVB0530T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB0530T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NRVB0530T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NRVB0530T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB0530T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NRVB0530T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAT54AWT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54AWT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BAT54AWT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 24929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| A5191HRTPG-XTD |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - A5191HRTPG-XTD - HART-Modem, 3V bis 5.5V, PLCC-28
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: HART-Modem
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.2
IC-Bauform: PLCC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - A5191HRTPG-XTD - HART-Modem, 3V bis 5.5V, PLCC-28
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: HART-Modem
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.2
IC-Bauform: PLCC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH