Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SBF720T1G | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
SBR640CTT4G | ONSEMI |
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SBR80520LT1G | ONSEMI |
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SBR80520LT3G | ONSEMI |
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SBRA8160NT3G | ONSEMI |
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SBRB1045G | ONSEMI |
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SBRB1045T4G | ONSEMI |
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SBRB1545CTG | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 7.5Ax2; tube Type of diode: Schottky rectifying Case: D2PAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 45V Load current: 7.5A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Kind of package: tube Max. forward impulse current: 150A Max. forward voltage: 0.84V Max. load current: 15A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SBRB20200CTT4G | ONSEMI |
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SBRD81035CTLG | ONSEMI |
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SBRD8320G | ONSEMI |
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SBRD8360G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 60V; 3A; tube Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 60V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.7V Max. forward impulse current: 75A Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SBRD8835LG | ONSEMI |
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SBRD8835LT4G-VF01 | ONSEMI |
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SBRS81100NT3G | ONSEMI |
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SBRS8120NT3G | ONSEMI | SBRS8120NT3G SMD Schottky diodes |
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SBRS8130LNT3G | ONSEMI |
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SBRS8140NT3G | ONSEMI |
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SBRS8190NT3G | ONSEMI |
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SBRS8340T3G | ONSEMI |
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SBRV660VCTT4G | ONSEMI |
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SCH1332-TL-W | ONSEMI |
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SD05T1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS; 350W; 6.2V; 24A; unidirectional; SOD323; reel,tape; ESD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.35kW Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6.2V Max. forward impulse current: 24A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD323 Mounting: SMD Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2687 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SD12CT1G | ONSEMI |
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auf Bestellung 409 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SD12T1G | ONSEMI |
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SFP9530 | ONSEMI |
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SFT1342-TL-W | ONSEMI |
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SG3525ANG | ONSEMI |
![]() Description: IC: PMIC; PWM controller; 0.5A; 0.1÷400kHz; Ch: 1; DIP16; push-pull Output current: 0.5A Mounting: THT Topology: push-pull Type of integrated circuit: PMIC Case: DIP16 Kind of package: tube Operating temperature: 0...70°C Duty cycle factor: 0...49% Number of channels: 1 Power: 1W Operating voltage: 4...35V Supply voltage: 8...35V Frequency: 0.1...400kHz Kind of integrated circuit: PWM controller Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 883 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SGP23N60UFDTU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 12A; 40W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 40W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Collector current: 12A Pulsed collector current: 92A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI4435DY | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Case: SO8 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.8A Gate charge: 24nC On-state resistance: 35mΩ Power dissipation: 2.5W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1782 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4542DY | ONSEMI |
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SL24T1G | ONSEMI |
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sm05t1g | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Diode: TVS array; 6.7V; 17A; 300W; double,common anode; SOT23; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 6.7V Peak pulse power dissipation: 0.3kW Semiconductor structure: common anode; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 5V Kind of package: reel; tape Leakage current: 10µA Max. forward impulse current: 17A Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SM12T1G | ONSEMI |
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SM15T1G | ONSEMI |
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auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SM24T1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 26.7V; 5A; 300W; double,common anode; SOT23; ESD Type of diode: TVS array Peak pulse power dissipation: 0.3kW Max. off-state voltage: 24V Breakdown voltage: 26.7V Max. forward impulse current: 5A Semiconductor structure: common anode; double Case: SOT23 Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2704 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SM36T1G | ONSEMI |
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auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SMF05CT1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 6.2÷7.2V; 8A; 100W; common anode; SC88; Ch: 5; ESD Type of diode: TVS array Peak pulse power dissipation: 0.1kW Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6.2...7.2V Max. forward impulse current: 8A Semiconductor structure: common anode Case: SC88 Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Version: ESD Number of channels: 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5452 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SMF05T1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 6÷7.2V; 1A; 200W; common anode; SC88A; Ch: 4; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 6...7.2V Max. forward impulse current: 1A Peak pulse power dissipation: 0.2kW Semiconductor structure: common anode Mounting: SMD Case: SC88A Max. off-state voltage: 5V Leakage current: 5µA Number of channels: 4 Kind of package: reel; tape Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMF12CT1G | ONSEMI |
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SMMBD2837LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.2V; reel,tape Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 75V Max. forward voltage: 1.2V Load current: 0.15A Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 4ns Max. forward impulse current: 450mA Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMMBD301LT3G | ONSEMI |
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SMMBD330T1G | ONSEMI |
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SMMBD7000LT3G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 1.6A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: double series Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 1.6A Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMMBD701LT1G | ONSEMI |
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SMMBD770T1G | ONSEMI |
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SMMBD914LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOT23 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 1A Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMMBD914LT3G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOT23 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 1A Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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SMMBF4393LT1G | ONSEMI |
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SMMBFJ175LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -60mA; 225mW; SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Drain current: -60mA Power dissipation: 0.225W Kind of channel: enhancement On-state resistance: 125Ω Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-JFET Mounting: SMD Case: SOT23 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMMBFJ177LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -20mA; 225mW; SOT23 On-state resistance: 300Ω Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-JFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Drain current: -20mA Power dissipation: 0.225W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMMBFJ309LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 30mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMMBFJ310LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 60mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMMBFJ310LT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 60mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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SMMBT2222ALT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMMBT2222ALT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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SMMBT2222AWT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
SMMBT2369ALT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40...120 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
SMMBT2907ALT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
SMMBT2907ALT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
SBF720T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SBF720T1G NPN SMD transistors
SBF720T1G NPN SMD transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBR640CTT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SBR640CTT4G SMD Schottky diodes
SBR640CTT4G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBR80520LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SBR80520LT1G SMD Schottky diodes
SBR80520LT1G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBR80520LT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SBR80520LT3G SMD Schottky diodes
SBR80520LT3G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBRA8160NT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SBRA8160NT3G SMD Schottky diodes
SBRA8160NT3G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBRB1045G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SBRB1045G SMD Schottky diodes
SBRB1045G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBRB1045T4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SBRB1045T4G SMD Schottky diodes
SBRB1045T4G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBRB1545CTG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 7.5Ax2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 7.5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.84V
Max. load current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 7.5Ax2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 7.5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.84V
Max. load current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBRB20200CTT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SBRB20200CTT4G SMD Schottky diodes
SBRB20200CTT4G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBRD81035CTLG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SBRD81035CTLG SMD Schottky diodes
SBRD81035CTLG SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBRD8320G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SBRD8320G SMD Schottky diodes
SBRD8320G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBRD8360G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 60V; 3A; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 60V; 3A; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBRD8835LG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SBRD8835LG SMD Schottky diodes
SBRD8835LG SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBRD8835LT4G-VF01 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SBRD8835LT4G-VF01 SMD Schottky diodes
SBRD8835LT4G-VF01 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBRS81100NT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SBRS81100NT3G SMD Schottky diodes
SBRS81100NT3G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBRS8120NT3G |
Hersteller: ONSEMI
SBRS8120NT3G SMD Schottky diodes
SBRS8120NT3G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBRS8130LNT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SBRS8130LNT3G SMD Schottky diodes
SBRS8130LNT3G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBRS8140NT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SBRS8140NT3G SMD Schottky diodes
SBRS8140NT3G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBRS8190NT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SBRS8190NT3G SMD Schottky diodes
SBRS8190NT3G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBRS8340T3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SBRS8340T3G SMD Schottky diodes
SBRS8340T3G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SBRV660VCTT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SBRV660VCTT4G SMD Schottky diodes
SBRV660VCTT4G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCH1332-TL-W |
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Hersteller: ONSEMI
SCH1332TLW-ONS SMD P channel transistors
SCH1332TLW-ONS SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SD05T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 6.2V; 24A; unidirectional; SOD323; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 6.2V; 24A; unidirectional; SOD323; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2687 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
179+ | 0.4 EUR |
249+ | 0.29 EUR |
353+ | 0.2 EUR |
414+ | 0.17 EUR |
794+ | 0.09 EUR |
834+ | 0.086 EUR |
9000+ | 0.083 EUR |
SD12CT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SD12CT1G Bidirectional TVS SMD diodes
SD12CT1G Bidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
143+ | 0.5 EUR |
409+ | 0.17 EUR |
3000+ | 0.15 EUR |
SD12T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SD12T1G Unidirectional TVS SMD diodes
SD12T1G Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SFP9530 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SFP9530 THT P channel transistors
SFP9530 THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SFT1342-TL-W |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SFT1342-TL-W SMD P channel transistors
SFT1342-TL-W SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SG3525ANG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 0.5A; 0.1÷400kHz; Ch: 1; DIP16; push-pull
Output current: 0.5A
Mounting: THT
Topology: push-pull
Type of integrated circuit: PMIC
Case: DIP16
Kind of package: tube
Operating temperature: 0...70°C
Duty cycle factor: 0...49%
Number of channels: 1
Power: 1W
Operating voltage: 4...35V
Supply voltage: 8...35V
Frequency: 0.1...400kHz
Kind of integrated circuit: PWM controller
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 0.5A; 0.1÷400kHz; Ch: 1; DIP16; push-pull
Output current: 0.5A
Mounting: THT
Topology: push-pull
Type of integrated circuit: PMIC
Case: DIP16
Kind of package: tube
Operating temperature: 0...70°C
Duty cycle factor: 0...49%
Number of channels: 1
Power: 1W
Operating voltage: 4...35V
Supply voltage: 8...35V
Frequency: 0.1...400kHz
Kind of integrated circuit: PWM controller
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
43+ | 1.7 EUR |
58+ | 1.24 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
250+ | 0.96 EUR |
500+ | 0.94 EUR |
SGP23N60UFDTU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 12A; 40W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 92A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 12A; 40W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 92A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SI4435DY |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1782 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
45+ | 1.62 EUR |
67+ | 1.08 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
106+ | 0.68 EUR |
500+ | 0.65 EUR |
SI4542DY |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SI4542DY Multi channel transistors
SI4542DY Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SL24T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SL24T1G Diodes - others
SL24T1G Diodes - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
sm05t1g | ![]() |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.7V; 17A; 300W; double,common anode; SOT23; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.7V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 17A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.7V; 17A; 300W; double,common anode; SOT23; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.7V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 17A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
264+ | 0.27 EUR |
414+ | 0.17 EUR |
528+ | 0.14 EUR |
692+ | 0.1 EUR |
736+ | 0.097 EUR |
861+ | 0.083 EUR |
1064+ | 0.067 EUR |
SM12T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SM12T1G Protection diodes - arrays
SM12T1G Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SM15T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SM15T1G Protection diodes - arrays
SM15T1G Protection diodes - arrays
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
120+ | 0.6 EUR |
215+ | 0.33 EUR |
3000+ | 0.22 EUR |
SM24T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.7V; 5A; 300W; double,common anode; SOT23; ESD
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.7V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.7V; 5A; 300W; double,common anode; SOT23; ESD
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.7V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
250+ | 0.29 EUR |
379+ | 0.19 EUR |
658+ | 0.11 EUR |
770+ | 0.093 EUR |
820+ | 0.087 EUR |
1000+ | 0.086 EUR |
SM36T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SM36T1G Protection diodes - arrays
SM36T1G Protection diodes - arrays
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
176+ | 0.41 EUR |
210+ | 0.34 EUR |
353+ | 0.2 EUR |
3000+ | 0.12 EUR |
SMF05CT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.2÷7.2V; 8A; 100W; common anode; SC88; Ch: 5; ESD
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.1kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2...7.2V
Max. forward impulse current: 8A
Semiconductor structure: common anode
Case: SC88
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Number of channels: 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.2÷7.2V; 8A; 100W; common anode; SC88; Ch: 5; ESD
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.1kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2...7.2V
Max. forward impulse current: 8A
Semiconductor structure: common anode
Case: SC88
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Number of channels: 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5452 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
264+ | 0.27 EUR |
360+ | 0.2 EUR |
447+ | 0.16 EUR |
486+ | 0.15 EUR |
695+ | 0.1 EUR |
736+ | 0.097 EUR |
9000+ | 0.096 EUR |
SMF05T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.2V; 1A; 200W; common anode; SC88A; Ch: 4; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...7.2V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Semiconductor structure: common anode
Mounting: SMD
Case: SC88A
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.2V; 1A; 200W; common anode; SC88A; Ch: 4; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...7.2V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Semiconductor structure: common anode
Mounting: SMD
Case: SC88A
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMF12CT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SMF12CT1G Protection diodes - arrays
SMF12CT1G Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMMBD2837LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.2V; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 75V
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 0.15A
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 450mA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.2V; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 75V
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 0.15A
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 450mA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMMBD301LT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SMMBD301LT3G SMD Schottky diodes
SMMBD301LT3G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMMBD330T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SMMBD330T1G SMD Schottky diodes
SMMBD330T1G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMMBD7000LT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 1.6A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 1.6A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 1.6A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 1.6A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMMBD701LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SMMBD701LT1G SMD Schottky diodes
SMMBD701LT1G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMMBD770T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SMMBD770T1G SMD Schottky diodes
SMMBD770T1G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMMBD914LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMMBD914LT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMMBF4393LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
SMMBF4393LT1G SMD N channel transistors
SMMBF4393LT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMMBFJ175LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -60mA; 225mW; SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -60mA
Power dissipation: 0.225W
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 125Ω
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -60mA; 225mW; SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -60mA
Power dissipation: 0.225W
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 125Ω
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMMBFJ177LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -20mA; 225mW; SOT23
On-state resistance: 300Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -20mA
Power dissipation: 0.225W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -20mA; 225mW; SOT23
On-state resistance: 300Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -20mA
Power dissipation: 0.225W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMMBFJ309LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMMBFJ310LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMMBFJ310LT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMMBT2222ALT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMMBT2222ALT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SMMBT2222AWT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SMMBT2369ALT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
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SMMBT2907ALT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
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SMMBT2907ALT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
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