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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
NTMFS5H610NLT1G	ONSEMI	NTMFS5H610NLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS5H615NLT1G	ONSEMI	NTMFS5H615NLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS5H630NLT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 748A; 36W; DFN5 Power dissipation: 36W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DFN5 Polarisation: unipolar Gate charge: 35nC On-state resistance: 3.1mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Pulsed drain current: 748A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS6D1N08HT1G	ONSEMI	NTMFS6D1N08HT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS6H800NLT1G	ONSEMI	NTMFS6H800NLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS6H800NT1G	ONSEMI	NTMFS6H800NT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS6H801NLT1G	ONSEMI	NTMFS6H801NLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS6H801NT1G	ONSEMI	NTMFS6H801NT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS6H818NLT1G	ONSEMI	NTMFS6H818NLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS6H818NT1G	ONSEMI	NTMFS6H818NT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS6H824NLT1G	ONSEMI	NTMFS6H824NLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS6H824NT1G	ONSEMI	NTMFS6H824NT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS6H836NLT1G	ONSEMI	NTMFS6H836NLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS6H836NT1G	ONSEMI	NTMFS6H836NT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS6H848NLT1G	ONSEMI	NTMFS6H848NLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS6H848NT1G	ONSEMI	NTMFS6H848NT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS6H852NLT1G	ONSEMI	NTMFS6H852NLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS6H864NLT1G	ONSEMI	NTMFS6H864NLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS7D5N15MC	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 95.6A; Idm: 478A; 166.7W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 95.6A Pulsed drain current: 478A Power dissipation: 166.7W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFS7D8N10GTWG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; Idm: 1656A; 187W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Pulsed drain current: 1656A Power dissipation: 187W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFSC004N08MC	ONSEMI	NTMFSC004N08MC SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFSC010N08M7	ONSEMI	NTMFSC010N08M7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFSC011N08M7	ONSEMI	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 61A; Idm: 180A; 31.2W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 61A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 31.2W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFSC012N15MC	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 80A; Idm: 1067A; 58W; PQFN8 Mounting: SMD Case: PQFN8 Drain-source voltage: 150V Drain current: 80A On-state resistance: 11.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 58W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 32.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1067A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFSC0D9N04CL	ONSEMI	NTMFSC0D9N04CL SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFSC1D6N06CL	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 235A; Idm: 900A; 166W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 235A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 166W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 91nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFSC2D9N08H	ONSEMI	NTMFSC2D9N08H SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFSC4D2N10MC	ONSEMI	NTMFSC4D2N10MC SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFSS1D5N06CL	ONSEMI	NTMFSS1D5N06CL SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMFWS1D5N08XT1G	ONSEMI	NTMFWS1D5N08XT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMJS0D7N03CGTWG	ONSEMI	NTMJS0D7N03CGTWG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMJS0D8N04CLTWG	ONSEMI	NTMJS0D8N04CLTWG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMJS0D9N04CLTWG	ONSEMI	NTMJS0D9N04CLTWG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMJS1D0N04CTWG	ONSEMI	NTMJS1D0N04CTWG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMJS1D2N04CLTWG	ONSEMI	NTMJS1D2N04CLTWG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMJS1D4N06CLTWG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 262A; Idm: 900A; 90W; LFPAK8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 262A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 90W Case: LFPAK8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMJST2D6N08HTXG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 131.5A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 131.5A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 58W Case: TCPAK10 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMS10P02R2G	ONSEMI	NTMS10P02R2G SMD P channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMS4177PR2G	ONSEMI	NTMS4177PR2G SMD P channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMS5P02R2G	ONSEMI	NTMS5P02R2G SMD P channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT045N065SC1	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 197A; 94W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 39A Pulsed drain current: 197A Power dissipation: 94W Case: TDFN4 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT061N60S5F	ONSEMI	NTMT061N60S5F SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT064N65S3H	ONSEMI	NTMT064N65S3H SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT090N65S3HF	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36A; Idm: 90A; 272W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 36A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 272W Case: TDFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT095N65S3H	ONSEMI	NTMT095N65S3H SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT110N65S3HF	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 240W Case: TDFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 69A Gate charge: 62nC Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT150N65S3HF	ONSEMI	NTMT150N65S3HF SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT185N60S5H	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 53A; 116W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 116W Case: TDFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT190N65S3H	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 129W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 129W Case: TDFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT190N65S3HF	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 162W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 162W Case: TDFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS001N06CLTXG	ONSEMI	NTMTS001N06CLTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS001N06CTXG	ONSEMI	NTMTS001N06CTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS002N08MC	ONSEMI	NTMTS002N08MC SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS002N10MCTXG	ONSEMI	NTMTS002N10MCTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS0D4N04CLTXG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 553.8A; Idm: 900A; 122W Gate charge: 163nC On-state resistance: 0.4mΩ Power dissipation: 122W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 553.8A Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 900A Case: Power88 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS0D4N04CTXG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 558A; Idm: 900A; 122W; Power88 Gate charge: 251nC On-state resistance: 450µΩ Power dissipation: 122W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 558A Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 900A Case: Power88 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS0D6N04CLTXG	ONSEMI	NTMTS0D6N04CLTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS0D7N04CTXG	ONSEMI	NTMTS0D7N04CTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS0D7N06CLTXG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 477A; Idm: 900A; 147.3W; DFNW8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 477A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 147.3W Case: DFNW8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 225nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS0D7N06CTXG	ONSEMI	NTMTS0D7N06CTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS5H610NLT1G