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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTD250N65S3H ONSEMI ntd250n65s3h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 36A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 36A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C33D1E4AC0469&compId=NTD25P03L.PDF?ci_sign=af1254d7e390a71e4b2172d326fc14e595eb2177 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1053 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
62+1.16 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD280N60S5Z ONSEMI ntd280n60s5z-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 39A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955T4G ONSEMI ntd2955-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Pulsed drain current: -18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1201 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
84+0.86 EUR
93+0.78 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094T4G ONSEMI ntd3055-094-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 10.9nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
84+0.86 EUR
98+0.73 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4G ONSEMI ntd3055-150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 27A; 28.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 28.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Gate charge: 7.1nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC82624C366B20C4&compId=NTD3055L104.pdf?ci_sign=ecf55127312336914a9621a1f1bbd24dd6b1c499 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
74+0.97 EUR
103+0.69 EUR
109+0.66 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170T4G ONSEMI ntd3055l170-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 28.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 28.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N65S3H ONSEMI ntd360n65s3h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 296mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N80S3Z ONSEMI ntd360n80s3z-d.pdf NTD360N80S3Z SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302T4G ONSEMI ntd4302-d.pdf NTD4302T4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804NT4G ONSEMI ntd4804n-d.pdf 33469fcfd43a1fce924b5cea052211cf.pdf NTD4804NT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805NT4G ONSEMI ntd4805n-d.pdf NTD4805NT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4808N-1G ONSEMI ntd4808n-d.pdf NTD4808N-1G THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4858NT4G ONSEMI ntd4858n-d.pdf b7034aa9e89ac466bfc2736ad0988ce9.pdf NTD4858NT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4860NT4G ONSEMI ntd4860n.pdf 8e320ef4066e26f5ee976ef643111446.pdf NTD4860NT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5802NT4G ONSEMI ntd5802n-d.pdf NTD5802NT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5862NT4G ONSEMI ONSM-S-A0000715522-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw NTD5862NT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C434NT4G ONSEMI NTD5C434NT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C446NT4G ONSEMI ONSM-S-A0008368936-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw NTD5C446NT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C632NLT4G ONSEMI ntd5c632nl-d.pdf NTD5C632NLT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C648NLT4G ONSEMI ntd5c648nl-d.pdf NTD5C648NLT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C688NLT4G ONSEMI NTD5C688NLT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD600N80S3Z ONSEMI ntd600n80s3z-d.pdf NTD600N80S3Z SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6414ANT4G ONSEMI ntd6414an-d.pdf NTD6414ANT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6415ANLT4G ONSEMI ntd6415anl-d.pdf NTD6415ANLT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANLT4G ONSEMI ntd6416anl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANT4G ONSEMI ntd6416an-d.pdf NTD6416ANT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTDS015N15MCT4G ONSEMI ntds015n15mc-d.pdf NTDS015N15MCT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTDV20N06T4G-VF01 ONSEMI Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTDV20P06LT4G-VF01 ONSEMI ntd20p06l-d.pdf NTDV20P06LT4G-VF01 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE4151PT1G NTE4151PT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A1B183D144745&compId=NTA4153N.PDF?ci_sign=01a5609438402e6bd1124b75d4f75378f43335a4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Power dissipation: 313mW
Case: SC89
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.1nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
556+0.13 EUR
758+0.094 EUR
1021+0.07 EUR
1145+0.062 EUR
1292+0.055 EUR
1389+0.051 EUR
2591+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE4153NT1G ONSEMI nta4153n-d.pdf NTE4153NT1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
146+0.49 EUR
401+0.17 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTF2955T1G NTF2955T1G ONSEMI ntf2955-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
59+1.23 EUR
100+0.72 EUR
105+0.68 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTF3055-100T1G ONSEMI ntf3055-100-d.pdf NTF3055-100T1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTF3055L108T1G ONSEMI ntf3055l108-d.pdf NTF3055L108T1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.25 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTF5P03T3G ONSEMI ntf5p03t3-d.pdf NTF5P03T3G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD1100LT1G ONSEMI ntgd1100l-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 8V; 2.4A; Idm: 10A; 430mW; TSOP6
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 0.43W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3148NT1G ONSEMI ntgd3148n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2A; 0.9W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4167CT1G ONSEMI ntgd4167c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3130NT1G ONSEMI ntgs3130n-d.pdf NTGS3130NT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3136PT1G ONSEMI ntgs3136p-d.pdf NTGS3136PT1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3433T1G ONSEMI ntgs3433t1-d.pdf NTGS3433T1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1G ONSEMI ntgs3441t1-d.pdf NTGS3441T1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443T1G ONSEMI ntgs3443t1-d.pdf NTGS3443T1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1G ONSEMI ntgs3446-d.pdf NTGS3446T1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3455T1G ONSEMI ntgs3455t1-d.pdf NTGS3455T1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4111PT1G ONSEMI ntgs4111p-d.pdf NTGS4111PT1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4141NT1G NTGS4141NT1G ONSEMI ntgs4141n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4619 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
194+0.37 EUR
298+0.24 EUR
315+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS5120PT1G ONSEMI ntgs5120p-d.pdf NTGS5120PT1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH027N65S3F-F155 ONSEMI nth027n65s3f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L013N120M3S ONSEMI nth4l013n120m3s-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 505A; 340W
Mounting: THT
Case: TO247-4
On-state resistance: 29mΩ
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 254nC
Power dissipation: 340W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 505A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L014N120M3P ONSEMI nth4l014n120m3p-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 407A; 343W
Mounting: THT
Case: TO247-4
On-state resistance: 29mΩ
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 322nC
Power dissipation: 343W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 407A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L015N065SC1 ONSEMI nth4l015n065sc1-d.pdf NTH4L015N065SC1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N120SC1 NTH4L020N120SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EE5DC865AD80C7&compId=NTH4L020N120SC1.PDF?ci_sign=05ea16743d8515b94e77752726b0da5b5f378b97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate-source voltage: -15...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L022N120M3S ONSEMI nth4l022n120m3s-d.pdf NTH4L022N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L023N065M3S ONSEMI nth4l023n065m3s-d.pdf NTH4L023N065M3S THT N channel transistors
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NTH4L025N065SC1 ONSEMI nth4l025n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L027N65S3F ONSEMI nth4l027n65s3f-d.pdf NTH4L027N65S3F THT N channel transistors
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NTH4L028N170M1 ONSEMI nth4l028n170m1-d.pdf NTH4L028N170M1 THT N channel transistors
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NTD250N65S3H ntd250n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 36A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 36A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LT4G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C33D1E4AC0469&compId=NTD25P03L.PDF?ci_sign=af1254d7e390a71e4b2172d326fc14e595eb2177
NTD25P03LT4G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1053 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
62+1.16 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD280N60S5Z ntd280n60s5z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 39A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955T4G ntd2955-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Pulsed drain current: -18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1201 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
84+0.86 EUR
93+0.78 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094T4G ntd3055-094-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 10.9nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
84+0.86 EUR
98+0.73 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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NTD3055-150T4G ntd3055-150-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 27A; 28.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 28.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Gate charge: 7.1nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC82624C366B20C4&compId=NTD3055L104.pdf?ci_sign=ecf55127312336914a9621a1f1bbd24dd6b1c499
NTD3055L104T4G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
74+0.97 EUR
103+0.69 EUR
109+0.66 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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NTD3055L170T4G ntd3055l170-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 28.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 28.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N65S3H ntd360n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 296mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTD360N80S3Z ntd360n80s3z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD360N80S3Z SMD N channel transistors
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NTD4302T4G ntd4302-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD4302T4G SMD N channel transistors
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NTD4804NT4G ntd4804n-d.pdf 33469fcfd43a1fce924b5cea052211cf.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD4804NT4G SMD N channel transistors
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NTD4805NT4G ntd4805n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD4805NT4G SMD N channel transistors
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NTD4808N-1G ntd4808n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD4808N-1G THT N channel transistors
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NTD4858NT4G ntd4858n-d.pdf b7034aa9e89ac466bfc2736ad0988ce9.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD4858NT4G SMD N channel transistors
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NTD4860NT4G ntd4860n.pdf 8e320ef4066e26f5ee976ef643111446.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD4860NT4G SMD N channel transistors
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NTD5802NT4G ntd5802n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD5802NT4G SMD N channel transistors
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NTD5862NT4G ONSM-S-A0000715522-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
NTD5862NT4G SMD N channel transistors
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NTD5C434NT4G
Hersteller: ONSEMI
NTD5C434NT4G SMD N channel transistors
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NTD5C446NT4G ONSM-S-A0008368936-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
NTD5C446NT4G SMD N channel transistors
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NTD5C632NLT4G ntd5c632nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD5C632NLT4G SMD N channel transistors
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NTD5C648NLT4G ntd5c648nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD5C648NLT4G SMD N channel transistors
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NTD5C688NLT4G
Hersteller: ONSEMI
NTD5C688NLT4G SMD N channel transistors
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NTD600N80S3Z ntd600n80s3z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD600N80S3Z SMD N channel transistors
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NTD6414ANT4G ntd6414an-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD6414ANT4G SMD N channel transistors
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NTD6415ANLT4G ntd6415anl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD6415ANLT4G SMD N channel transistors
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NTD6416ANLT4G ntd6416anl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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NTD6416ANT4G ntd6416an-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD6416ANT4G SMD N channel transistors
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NTDS015N15MCT4G ntds015n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTDS015N15MCT4G SMD N channel transistors
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NTDV20N06T4G-VF01
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTDV20P06LT4G-VF01 ntd20p06l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTDV20P06LT4G-VF01 SMD P channel transistors
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NTE4151PT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A1B183D144745&compId=NTA4153N.PDF?ci_sign=01a5609438402e6bd1124b75d4f75378f43335a4
NTE4151PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Power dissipation: 313mW
Case: SC89
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.1nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
758+0.094 EUR
1021+0.07 EUR
1145+0.062 EUR
1292+0.055 EUR
1389+0.051 EUR
2591+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE4153NT1G nta4153n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTE4153NT1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
146+0.49 EUR
401+0.17 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTF2955T1G ntf2955-d.pdf
NTF2955T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
59+1.23 EUR
100+0.72 EUR
105+0.68 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTF3055-100T1G ntf3055-100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTF3055-100T1G SMD N channel transistors
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NTF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTF3055L108T1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.25 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTF5P03T3G ntf5p03t3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTF5P03T3G SMD P channel transistors
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NTGD1100LT1G ntgd1100l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 8V; 2.4A; Idm: 10A; 430mW; TSOP6
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 0.43W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3148NT1G ntgd3148n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2A; 0.9W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4167CT1G ntgd4167c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3130NT1G ntgs3130n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTGS3130NT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3136PT1G ntgs3136p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTGS3136PT1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3433T1G ntgs3433t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTGS3433T1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1G ntgs3441t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTGS3441T1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443T1G ntgs3443t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTGS3443T1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1G ntgs3446-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTGS3446T1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3455T1G ntgs3455t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTGS3455T1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4111PT1G ntgs4111p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTGS4111PT1G SMD P channel transistors
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NTGS4141NT1G ntgs4141n-d.pdf
NTGS4141NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: ONSEMI
NTGS5120PT1G SMD P channel transistors
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NTH027N65S3F-F155 nth027n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L013N120M3S nth4l013n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 505A; 340W
Mounting: THT
Case: TO247-4
On-state resistance: 29mΩ
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 254nC
Power dissipation: 340W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 505A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L014N120M3P nth4l014n120m3p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 407A; 343W
Mounting: THT
Case: TO247-4
On-state resistance: 29mΩ
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 322nC
Power dissipation: 343W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 407A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L015N065SC1 THT N channel transistors
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NTH4L020N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate-source voltage: -15...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
NTH4L022N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L023N065M3S nth4l023n065m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L023N065M3S THT N channel transistors
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NTH4L025N065SC1 nth4l025n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L027N65S3F nth4l027n65s3f-d.pdf
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NTH4L027N65S3F THT N channel transistors
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NTH4L028N170M1 nth4l028n170m1-d.pdf
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