Produkte > ONSEMI > Alle Produkte des Herstellers ONSEMI (148571) > Seite 1858 nach 2477

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1853 1854 1855 1856 1857 1858 1859 1860 1861 1862 1863 1976 2223 2470 2477  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTH4L067N65S3H ONSEMI nth4l067n65s3h-d.pdf NTH4L067N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L070N120M3S ONSEMI nth4l070n120m3s-d.pdf NTH4L070N120M3S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L075N065SC1 ONSEMI nth4l075n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L080N120SC1 ONSEMI nth4l080n120sc1-d.pdf NTH4L080N120SC1 THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.88 EUR
5+14.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L160N120SC1 NTH4L160N120SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EE96D99D9D00C7&compId=NTH4L160N120SC1.PDF?ci_sign=9e37dfc6081c0f6f095eec4143b8416a99723221 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12.3A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 55.5W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 224mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN040N65S3H ONSEMI nth4ln040n65s3h-d.pdf NTH4LN040N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN067N65S3H ONSEMI nth4ln067n65s3h-d.pdf NTH4LN067N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHC5513T1G ONSEMI nthc5513-d.pdf NTHC5513T1G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD3100CT1G ONSEMI nthd3100c-d.pdf NTHD3100CT1G Multi channel transistors
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
103+0.69 EUR
109+0.66 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD3101FT1G ONSEMI nthd3101f-d.pdf NTHD3101FT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD3102CT1G ONSEMI nthd3102c-d.pdf NTHD3102CT1G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD4102PT1G ONSEMI nthd4102p-d.pdf NTHD4102PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD4502NT1G ONSEMI nthd4502n-d.pdf NTHD4502NT1G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD4508NT1G ONSEMI nthd4508n-d.pdf NTHD4508NT1G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL015N065SC1 ONSEMI nthl015n065sc1-d.pdf NTHL015N065SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL017N60S5H ONSEMI nthl017n60s5h-d.pdf NTHL017N60S5H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL019N65S3H ONSEMI nthl019n65s3h-d.pdf NTHL019N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N090SC1 ONSEMI nthl020n090sc1-d.pdf NTHL020N090SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EEAE42BBD540C7&compId=NTHL020N120SC1.PDF?ci_sign=ad8511e864d07f13b519235b7c577d9feffe137c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL022N120M3S ONSEMI nthl022n120m3s-d.pdf NTHL022N120M3S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL023N065M3S ONSEMI nthl023n065m3s-d.pdf NTHL023N065M3S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL025N065SC1 ONSEMI nthl025n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL027N65S3HF ONSEMI nthl027n65s3hf-d.pdf NTHL027N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL033N65S3HF ONSEMI nthl033n65s3hf-d.pdf NTHL033N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120M3S ONSEMI nthl040n120m3s-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38A; Idm: 134A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EEB6CE3B7C60C7&compId=NTHL040N120SC1.PDF?ci_sign=d6a134f46763306b2ba210f070ef926d26e4738a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3F ONSEMI nthl040n65s3f-d.pdf NTHL040N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3HF ONSEMI nthl040n65s3hf-d.pdf NTHL040N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5H NTHL041N60S5H ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE8818C1A9CA0D6&compId=NTHL041N60S5H.PDF?ci_sign=8f07e389ca7b9532b8cec4d5e06a9f47b7f04df9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 108nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.22 EUR
8+9.55 EUR
10+9.3 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1 ONSEMI nthl045n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 46A; Idm: 191A; 145W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 191A
Power dissipation: 145W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL050N65S3HF ONSEMI nthl050n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 378W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 145A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 37A
On-state resistance: 41mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N065SC1 ONSEMI nthl060n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 33A; Idm: 143A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 143A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N090SC1 NTHL060N090SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9C130B5FFE020C7&compId=NTHL060N090SC1.PDF?ci_sign=4f4e75bd0c782dbca3f693c8e50594f0f8f18f01 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 110W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.36 EUR
7+11.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3F ONSEMI nthl065n65s3f-d.pdf NTHL065N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3HF ONSEMI nthl065n65s3hf-d.pdf NTHL065N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3H ONSEMI nthl067n65s3h-d.pdf NTHL067N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL075N065SC1 NTHL075N065SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBDAE9828496F60D6&compId=NTHL075N065SC1.PDF?ci_sign=430aea5e6198bb2ffbb8f61c66a0b836c3d03f91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL080N120SC1A ONSEMI nthl080n120sc1a-d.pdf NTHL080N120SC1A THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL082N65S3F ONSEMI nthl082n65s3f-d.pdf NTHL082N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL082N65S3HF ONSEMI nthl082n65s3hf-d.pdf NTHL082N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL095N65S3H ONSEMI nthl095n65s3h-d.pdf NTHL095N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL095N65S3HF ONSEMI nthl095n65s3hf-d.pdf NTHL095N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL099N60S5 ONSEMI nthl099n60s5-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 95A; 184W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 184W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 95A
Gate charge: 48nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL1000N170M1 ONSEMI NTHL1000N170M1-D.PDF NTHL1000N170M1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL110N65S3F ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EB6D0A3C8600C4&compId=NTHL110N65S3F.pdf?ci_sign=f8f73c30ce89f168b0320364212851dad40cfe0a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 58nC
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL125N65S3H ONSEMI nthl125n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 171W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 171W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9C13DAA45B960C7&compId=NTHL160N120SC1.PDF?ci_sign=c717d8e84721511fa32e0a71bba611e3703b0361 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 59W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL185N60S5H ONSEMI nthl185n60s5h-d.pdf NTHL185N60S5H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL190N65S3HF ONSEMI nthl190n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 162W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHLD040N65S3HF ONSEMI nthld040n65s3hf-d.pdf NTHLD040N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4101PT1G ONSEMI nths4101p-d.pdf NTHS4101PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD1155LT1G ONSEMI ntjd1155l-d.pdf NTJD1155LT1G Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
123+0.58 EUR
277+0.26 EUR
291+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G ONSEMI ntjd4001n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
187+0.38 EUR
275+0.26 EUR
327+0.22 EUR
496+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD4105CT1G ONSEMI ntjd4105c-d.pdf NTJD4105CT1G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD4105CT2G ONSEMI ntjd4105c-d.pdf NTJD4105CT2G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD4152PT1G ONSEMI ntjd4152p-d.pdf NTJD4152PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD4158CT1G ONSEMI ntjd4158c-d.pdf NTJD4158CT1G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A2B8CB75CC745&compId=NTJD4401N.PDF?ci_sign=e7b06145f6f2ab2d1eff110c0d2ecf1a04763571 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 445mΩ
Drain current: 0.46A
Gate charge: 1.3nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4650 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
167+0.43 EUR
191+0.37 EUR
329+0.22 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD5121NT1G ONSEMI ntjd5121n-d.pdf NTJD5121NT1G Multi channel transistors
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
168+0.43 EUR
984+0.073 EUR
1041+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS3151PT1G ONSEMI ntjs3151p-d.pdf NTJS3151PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L067N65S3H nth4l067n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L067N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L070N120M3S nth4l070n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L070N120M3S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L075N065SC1 nth4l075n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L080N120SC1 nth4l080n120sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L080N120SC1 THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.88 EUR
5+14.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L160N120SC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EE96D99D9D00C7&compId=NTH4L160N120SC1.PDF?ci_sign=9e37dfc6081c0f6f095eec4143b8416a99723221
NTH4L160N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12.3A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 55.5W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 224mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN040N65S3H nth4ln040n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4LN040N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN067N65S3H nth4ln067n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4LN067N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHC5513T1G nthc5513-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHC5513T1G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD3100CT1G nthd3100c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHD3100CT1G Multi channel transistors
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.54 EUR
103+0.69 EUR
109+0.66 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD3101FT1G nthd3101f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHD3101FT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD3102CT1G nthd3102c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHD3102CT1G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD4102PT1G nthd4102p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHD4102PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD4502NT1G nthd4502n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHD4502NT1G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD4508NT1G nthd4508n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHD4508NT1G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL015N065SC1 nthl015n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL015N065SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL017N60S5H nthl017n60s5h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL017N60S5H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL019N65S3H nthl019n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL019N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N090SC1 nthl020n090sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL020N090SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N120SC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EEAE42BBD540C7&compId=NTHL020N120SC1.PDF?ci_sign=ad8511e864d07f13b519235b7c577d9feffe137c
NTHL020N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL022N120M3S nthl022n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL022N120M3S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL023N065M3S nthl023n065m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL023N065M3S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL025N065SC1 nthl025n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL027N65S3HF nthl027n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL027N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL033N65S3HF nthl033n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL033N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120M3S nthl040n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38A; Idm: 134A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120SC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EEB6CE3B7C60C7&compId=NTHL040N120SC1.PDF?ci_sign=d6a134f46763306b2ba210f070ef926d26e4738a
NTHL040N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3F nthl040n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL040N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3HF nthl040n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL040N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE8818C1A9CA0D6&compId=NTHL041N60S5H.PDF?ci_sign=8f07e389ca7b9532b8cec4d5e06a9f47b7f04df9
NTHL041N60S5H
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 108nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.22 EUR
8+9.55 EUR
10+9.3 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1 nthl045n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 46A; Idm: 191A; 145W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 191A
Power dissipation: 145W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL050N65S3HF nthl050n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 378W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 145A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 37A
On-state resistance: 41mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N065SC1 nthl060n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 33A; Idm: 143A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 143A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N090SC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9C130B5FFE020C7&compId=NTHL060N090SC1.PDF?ci_sign=4f4e75bd0c782dbca3f693c8e50594f0f8f18f01
NTHL060N090SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 110W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.36 EUR
7+11.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3F nthl065n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL065N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3HF nthl065n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL065N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3H nthl067n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL067N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL075N065SC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBDAE9828496F60D6&compId=NTHL075N065SC1.PDF?ci_sign=430aea5e6198bb2ffbb8f61c66a0b836c3d03f91
NTHL075N065SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL080N120SC1A nthl080n120sc1a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL080N120SC1A THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL082N65S3F nthl082n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL082N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL082N65S3HF nthl082n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL082N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL095N65S3H nthl095n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL095N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL095N65S3HF nthl095n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL095N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL099N60S5 nthl099n60s5-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 95A; 184W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 184W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 95A
Gate charge: 48nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL1000N170M1 NTHL1000N170M1-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
NTHL1000N170M1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL110N65S3F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EB6D0A3C8600C4&compId=NTHL110N65S3F.pdf?ci_sign=f8f73c30ce89f168b0320364212851dad40cfe0a
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 58nC
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL125N65S3H nthl125n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 171W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 171W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL160N120SC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9C13DAA45B960C7&compId=NTHL160N120SC1.PDF?ci_sign=c717d8e84721511fa32e0a71bba611e3703b0361
NTHL160N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 59W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL185N60S5H nthl185n60s5h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL185N60S5H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL190N65S3HF nthl190n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 162W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHLD040N65S3HF nthld040n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHLD040N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4101PT1G nths4101p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHS4101PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD1155LT1G ntjd1155l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJD1155LT1G Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
123+0.58 EUR
277+0.26 EUR
291+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD4001NT1G ntjd4001n-d.pdf
NTJD4001NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
187+0.38 EUR
275+0.26 EUR
327+0.22 EUR
496+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD4105CT1G ntjd4105c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJD4105CT1G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD4105CT2G ntjd4105c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJD4105CT2G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD4152PT1G ntjd4152p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJD4152PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD4158CT1G ntjd4158c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJD4158CT1G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD4401NT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A2B8CB75CC745&compId=NTJD4401N.PDF?ci_sign=e7b06145f6f2ab2d1eff110c0d2ecf1a04763571
NTJD4401NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 445mΩ
Drain current: 0.46A
Gate charge: 1.3nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4650 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
167+0.43 EUR
191+0.37 EUR
329+0.22 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJD5121NT1G Multi channel transistors
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
168+0.43 EUR
984+0.073 EUR
1041+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS3151PT1G ntjs3151p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJS3151PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1853 1854 1855 1856 1857 1858 1859 1860 1861 1862 1863 1976 2223 2470 2477  [ Nächste Seite >> ]