Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTBLS001N06C | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTBLS0D8N08XTXG | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTBLS1D1N08H | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 311W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 311W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 166nC On-state resistance: 1.05mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 351A Pulsed drain current: 900A Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTBLS1D5N08MC | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 298A; Idm: 4487A; 2.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.9W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 111nC On-state resistance: 1.53mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 298A Pulsed drain current: 4487A Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTBLS1D5N10MCTXG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 312A; Idm: 2055A; 161W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 161W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 131nC On-state resistance: 1.5mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 312A Pulsed drain current: 2055A Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTBLS1D7N08H | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 203A; Idm: 1173A; 83W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 83W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 121nC On-state resistance: 1.7mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 203A Pulsed drain current: 1173A Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTBLS1D7N10MCTXG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 272A; Idm: 2137A; 147W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 147W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 115nC On-state resistance: 1.8mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 272A Pulsed drain current: 2137A Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTBLS4D0N15MC | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 2255A; 316W Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Case: H-PSOF8L Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 90.4nC On-state resistance: 4.4mΩ Power dissipation: 316W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 187A Pulsed drain current: 2255A Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTBS2D7N06M7 | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTBS9D0N10MC | ONSEMI | NTBS9D0N10MC SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD14N03RT4G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 2.5A; Idm: 28A; 20.8W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 20.8W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.117Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD18N06LT4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD20N03L27T4G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 74W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Power dissipation: 74W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD20N06T4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
![]() |
NTD20P06LT4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -15.5A Power dissipation: 65W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1919 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTD24N06LT4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 24A Power dissipation: 62.5W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NTD250N65S3H | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 36A; 106W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 106W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.25Ω Drain current: 13A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 36A Drain-source voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
![]() |
NTD25P03LT4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -25A Power dissipation: 75W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 20nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1053 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
NTD280N60S5Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 39A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 17.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD2955T4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK Kind of package: reel; tape Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -18A Drain current: -12A Gate charge: 15nC On-state resistance: 0.18Ω Power dissipation: 55W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1172 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
NTD3055-094T4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 94mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2428 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
NTD3055-150T4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 27A; 28.8W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9A Power dissipation: 28.8W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 27A Gate charge: 7.1nC Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
![]() |
NTD3055L104T4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 606 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
NTD3055L170T4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 28.5W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3A Power dissipation: 28.5W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD360N65S3H | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 296mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD360N80S3Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.2A; Idm: 32.5A; 96W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8.2A Pulsed drain current: 32.5A Power dissipation: 96W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 25.3nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD4302T4G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD4804NT4G | ONSEMI |
![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD4805NT4G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD4808N-1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD4858NT4G | ONSEMI |
![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD4860NT4G | ONSEMI |
![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD5802NT4G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD5862NT4G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD5C434NT4G | ONSEMI | NTD5C434NT4G SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD5C446NT4G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD5C632NLT4G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD5C648NLT4G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD5C688NLT4G | ONSEMI | NTD5C688NLT4G SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD600N80S3Z | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD6414ANT4G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD6415ANLT4G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD6416ANLT4G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTD6416ANT4G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTDS015N15MCT4G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTDV20N06T4G-VF01 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTDV20P06LT4G-VF01 | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
![]() |
NTE4151PT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.76A Power dissipation: 313mW Case: SC89 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.1nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5890 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
NTE4153NT1G | ONSEMI |
![]() |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
NTF2955T1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223 Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A On-state resistance: 0.185Ω Power dissipation: 2.3W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 488 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
NTF3055-100T1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTF3055L108T1G | ONSEMI |
![]() |
auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
NTF5P03T3G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTGD1100LT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTGD3148NT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTGD4167CT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 1.9/-1.4A Power dissipation: 0.9W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 90/170mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTGS3130NT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTGS3136PT1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTGS3433T1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NTGS3441T1G | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
NTBLS001N06C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTBLS001N06C SMD N channel transistors
NTBLS001N06C SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTBLS0D8N08XTXG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTBLS0D8N08XTXG SMD N channel transistors
NTBLS0D8N08XTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTBLS1D1N08H |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 311W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 311W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 166nC
On-state resistance: 1.05mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 351A
Pulsed drain current: 900A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 311W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 311W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 166nC
On-state resistance: 1.05mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 351A
Pulsed drain current: 900A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTBLS1D5N08MC |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 298A; Idm: 4487A; 2.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.9W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 111nC
On-state resistance: 1.53mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 298A
Pulsed drain current: 4487A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 298A; Idm: 4487A; 2.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.9W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 111nC
On-state resistance: 1.53mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 298A
Pulsed drain current: 4487A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTBLS1D5N10MCTXG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 312A; Idm: 2055A; 161W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 161W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 131nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 312A
Pulsed drain current: 2055A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 312A; Idm: 2055A; 161W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 161W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 131nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 312A
Pulsed drain current: 2055A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTBLS1D7N08H |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 203A; Idm: 1173A; 83W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 83W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 121nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 203A
Pulsed drain current: 1173A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 203A; Idm: 1173A; 83W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 83W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 121nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 203A
Pulsed drain current: 1173A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTBLS1D7N10MCTXG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 272A; Idm: 2137A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 147W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 1.8mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 272A
Pulsed drain current: 2137A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 272A; Idm: 2137A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 147W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 1.8mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 272A
Pulsed drain current: 2137A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTBLS4D0N15MC |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 2255A; 316W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Case: H-PSOF8L
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 90.4nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 316W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 187A
Pulsed drain current: 2255A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 2255A; 316W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Case: H-PSOF8L
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 90.4nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 316W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 187A
Pulsed drain current: 2255A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTBS2D7N06M7 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTBS2D7N06M7 SMD N channel transistors
NTBS2D7N06M7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTBS9D0N10MC |
Hersteller: ONSEMI
NTBS9D0N10MC SMD N channel transistors
NTBS9D0N10MC SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD14N03RT4G | ![]() |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 2.5A; Idm: 28A; 20.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 20.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 2.5A; Idm: 28A; 20.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 20.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD18N06LT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD20N03L27T4G |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 74W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 74W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD20N06T4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD20P06LT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.22 EUR |
73+ | 0.98 EUR |
124+ | 0.58 EUR |
131+ | 0.55 EUR |
2500+ | 0.53 EUR |
NTD24N06LT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD250N65S3H |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 36A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 36A
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 36A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 36A
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD25P03LT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1053 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.43 EUR |
62+ | 1.16 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
NTD280N60S5Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 39A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 39A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD2955T4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -12A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 55W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -12A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 55W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
67+ | 1.07 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
93+ | 0.78 EUR |
152+ | 0.47 EUR |
161+ | 0.45 EUR |
NTD3055-094T4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
63+ | 1.14 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
98+ | 0.73 EUR |
174+ | 0.41 EUR |
184+ | 0.39 EUR |
2500+ | 0.38 EUR |
NTD3055-150T4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 27A; 28.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 28.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Gate charge: 7.1nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 27A; 28.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 28.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Gate charge: 7.1nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD3055L104T4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
54+ | 1.34 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
103+ | 0.69 EUR |
109+ | 0.66 EUR |
500+ | 0.63 EUR |
NTD3055L170T4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 28.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 28.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 28.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 28.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD360N65S3H |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 296mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 296mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD360N80S3Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.2A; Idm: 32.5A; 96W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 32.5A
Power dissipation: 96W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25.3nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.2A; Idm: 32.5A; 96W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 32.5A
Power dissipation: 96W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25.3nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD4302T4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTD4302T4G SMD N channel transistors
NTD4302T4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD4804NT4G |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTD4804NT4G SMD N channel transistors
NTD4804NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD4805NT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTD4805NT4G SMD N channel transistors
NTD4805NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD4808N-1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTD4808N-1G THT N channel transistors
NTD4808N-1G THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD4858NT4G |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTD4858NT4G SMD N channel transistors
NTD4858NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD4860NT4G |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTD4860NT4G SMD N channel transistors
NTD4860NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD5802NT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTD5802NT4G SMD N channel transistors
NTD5802NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD5862NT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTD5862NT4G SMD N channel transistors
NTD5862NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD5C434NT4G |
Hersteller: ONSEMI
NTD5C434NT4G SMD N channel transistors
NTD5C434NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD5C446NT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTD5C446NT4G SMD N channel transistors
NTD5C446NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD5C632NLT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTD5C632NLT4G SMD N channel transistors
NTD5C632NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD5C648NLT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTD5C648NLT4G SMD N channel transistors
NTD5C648NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD5C688NLT4G |
Hersteller: ONSEMI
NTD5C688NLT4G SMD N channel transistors
NTD5C688NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD600N80S3Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTD600N80S3Z SMD N channel transistors
NTD600N80S3Z SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD6414ANT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTD6414ANT4G SMD N channel transistors
NTD6414ANT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD6415ANLT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTD6415ANLT4G SMD N channel transistors
NTD6415ANLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD6416ANLT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTD6416ANLT4G SMD N channel transistors
NTD6416ANLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTD6416ANT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTD6416ANT4G SMD N channel transistors
NTD6416ANT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTDS015N15MCT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTDS015N15MCT4G SMD N channel transistors
NTDS015N15MCT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTDV20N06T4G-VF01 |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTDV20P06LT4G-VF01 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTDV20P06LT4G-VF01 SMD P channel transistors
NTDV20P06LT4G-VF01 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE4151PT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Power dissipation: 313mW
Case: SC89
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.1nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Power dissipation: 313mW
Case: SC89
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.1nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
556+ | 0.13 EUR |
758+ | 0.094 EUR |
1021+ | 0.07 EUR |
1145+ | 0.062 EUR |
1292+ | 0.055 EUR |
1389+ | 0.051 EUR |
2591+ | 0.028 EUR |
NTE4153NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTE4153NT1G SMD N channel transistors
NTE4153NT1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
65+ | 1.1 EUR |
146+ | 0.49 EUR |
401+ | 0.17 EUR |
6000+ | 0.1 EUR |
NTF2955T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
46+ | 1.56 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
105+ | 0.68 EUR |
500+ | 0.66 EUR |
NTF3055-100T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTF3055-100T1G SMD N channel transistors
NTF3055-100T1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTF3055L108T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTF3055L108T1G SMD N channel transistors
NTF3055L108T1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
58+ | 1.25 EUR |
146+ | 0.49 EUR |
154+ | 0.46 EUR |
5000+ | 0.45 EUR |
NTF5P03T3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTF5P03T3G SMD P channel transistors
NTF5P03T3G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTGD1100LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTGD1100LT1G Multi channel transistors
NTGD1100LT1G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTGD3148NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTGD3148NT1G Multi channel transistors
NTGD3148NT1G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTGD4167CT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTGS3130NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTGS3130NT1G SMD N channel transistors
NTGS3130NT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTGS3136PT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTGS3136PT1G SMD P channel transistors
NTGS3136PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTGS3433T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTGS3433T1G SMD P channel transistors
NTGS3433T1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTGS3441T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NTGS3441T1G SMD P channel transistors
NTGS3441T1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH