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NTA4153NT1G NTA4153NT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A09F50BAA0745&compId=NTA4153N.PDF?ci_sign=e21734cf39a2d99c197db01f4643ddbc77046164 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.915A; 0.3W; SC75; ESD
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.915A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 1.82nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3529 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
205+0.35 EUR
313+0.23 EUR
396+0.18 EUR
463+0.15 EUR
532+0.13 EUR
808+0.089 EUR
855+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 205
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTA7002NT1G NTA7002NT1G ONSEMI nta7002n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.154A; 0.3W; SC75
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.154A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
379+0.19 EUR
447+0.16 EUR
682+0.1 EUR
810+0.088 EUR
1296+0.055 EUR
1370+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB004N10G ONSEMI ntb004n10g-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 201A; Idm: 3002A; 340W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 201A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 175nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 3002A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB011N15MC ONSEMI ntb011n15mc-d.pdf NTB011N15MC SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F ONSEMI ntb082n65s3f-d.pdf NTB082N65S3F SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB095N65S3HF ONSEMI ntb095n65s3hf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36A; Idm: 90A; 272W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: D2PAK
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 66nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 36A
Power dissipation: 272W
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB110N65S3HF ONSEMI ntb110n65s3hf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 62nC
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB150N65S3HF ONSEMI ntb150n65s3hf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB190N65S3HF ONSEMI ntb190n65s3hf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 162W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 162W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB25P06T4G ONSEMI ntb25p06-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27.5A; 120W; D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27.5A
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB5D0N15MC ONSEMI ntb5d0n15mc-d.pdf NTB5D0N15MC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB6410ANT4G ONSEMI NTB6410AN-D.PDF NTB6410ANT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB6413ANT4G ONSEMI ntb6413an-d.pdf NTB6413ANT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB7D3N15MC ONSEMI ntb7d3n15mc-d.pdf NTB7D3N15MC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG014N120M3P ONSEMI ntbg014n120m3p-d.pdf NTBG014N120M3P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG015N065SC1 ONSEMI ntbg015n065sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 103A; Idm: 422A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 103A
Pulsed drain current: 422A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 283nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N090SC1 ONSEMI ntbg020n090sc1-d.pdf NTBG020N090SC1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N120SC1 ONSEMI ntbg020n120sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 3.7W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate-source voltage: -5...20V
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG022N120M3S ONSEMI ntbg022n120m3s-d.pdf NTBG022N120M3S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG025N065SC1 ONSEMI ntbg025n065sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 284A
Power dissipation: 197W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG028N170M1 ONSEMI ntbg028n170m1-d.pdf NTBG028N170M1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG030N120M3S ONSEMI NTBG030N120M3S-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 207A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 207A
Power dissipation: 174W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120M3S ONSEMI NTBG040N120M3S-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 149A
Power dissipation: 131W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120SC1 ONSEMI ntbg040n120sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1 ONSEMI ntbg045n065sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 44A; Idm: 184A; 121W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 121W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N065SC1 ONSEMI ntbg060n065sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N090SC1 ONSEMI ntbg060n090sc1-d.pdf NTBG060N090SC1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG070N120M3S ONSEMI NTBG070N120M3S-D.PDF NTBG070N120M3S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG080N120SC1 ONSEMI ntbg080n120sc1-d.pdf NTBG080N120SC1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG1000N170M1 ONSEMI NTBG1000N170M1-D.PDF NTBG1000N170M1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG160N120SC1 ONSEMI ntbg160n120sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13.7A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS004N10G ONSEMI ntbgs004n10g-d.pdf NTBGS004N10G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MC ONSEMI ntbgs4d1n15mc-d.pdf NTBGS4D1N15MC SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS6D5N15MC ONSEMI ntbgs6d5n15mc-d.pdf NTBGS6D5N15MC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1 ONSEMI ntbl045n065sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 51A; Idm: 182A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 182A
Power dissipation: 174W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3H ONSEMI ntbl050n65s3h-d.pdf NTBL050N65S3H SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL070N65S3 ONSEMI ntbl070n65s3-d.pdf NTBL070N65S3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS001N06C ONSEMI ntbls001n06c-d.pdf NTBLS001N06C SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D8N08XTXG ONSEMI ntbls0d8n08x-d.pdf NTBLS0D8N08XTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D1N08H ONSEMI ntbls1d1n08h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 311W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 311W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 166nC
On-state resistance: 1.05mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 351A
Pulsed drain current: 900A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N08MC ONSEMI ntbls1d5n08mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 298A; Idm: 4487A; 2.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.9W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 111nC
On-state resistance: 1.53mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 298A
Pulsed drain current: 4487A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N10MCTXG ONSEMI NTBLS1D5N10MC-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 312A; Idm: 2055A; 161W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 161W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 131nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 312A
Pulsed drain current: 2055A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D7N08H ONSEMI ntbls1d7n08h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 203A; Idm: 1173A; 83W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 83W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 121nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 203A
Pulsed drain current: 1173A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D7N10MCTXG ONSEMI NTBLS1D7N10MC-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 272A; Idm: 2137A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 147W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 1.8mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 272A
Pulsed drain current: 2137A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS4D0N15MC ONSEMI ntbls4d0n15mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 2255A; 316W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Case: H-PSOF8L
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 90.4nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 316W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 187A
Pulsed drain current: 2255A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBS2D7N06M7 ONSEMI ntbs2d7n06m7-d.pdf NTBS2D7N06M7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBS9D0N10MC ONSEMI NTBS9D0N10MC SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G ONSEMI ntd14n03r-d.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 2.5A; Idm: 28A; 20.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 20.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LT4G ONSEMI ntd18n06l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27T4G ONSEMI NTD20N03L27%2CNVD20N03L27.pdf dc425789654009921b1e785ec5a8f5d1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 74W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4G ONSEMI ntd20n06-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A89E7BC6C8FF9E27&compId=NTD20P06-DTE.PDF?ci_sign=cd706c4a6fc93bc90b41bca030c4664c37cc4ead Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1932 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
73+0.98 EUR
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131+0.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4G NTD24N06LT4G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A0E2CD678E745&compId=NTD24N06L_STD24N06L.PDF?ci_sign=dc0fbb3e0e102e8018ba27692a89ce96ff889cd0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD250N65S3H ONSEMI ntd250n65s3h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 36A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 36A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C33D1E4AC0469&compId=NTD25P03L.PDF?ci_sign=af1254d7e390a71e4b2172d326fc14e595eb2177 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1053 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
62+1.16 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD280N60S5Z ONSEMI ntd280n60s5z-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 39A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955T4G ONSEMI ntd2955-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Pulsed drain current: -18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1201 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
84+0.86 EUR
93+0.78 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094T4G ONSEMI ntd3055-094-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 10.9nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2428 Stücke:
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63+1.14 EUR
84+0.86 EUR
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174+0.41 EUR
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2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4G ONSEMI ntd3055-150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 27A; 28.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 28.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Gate charge: 7.1nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC82624C366B20C4&compId=NTD3055L104.pdf?ci_sign=ecf55127312336914a9621a1f1bbd24dd6b1c499 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
74+0.97 EUR
103+0.69 EUR
109+0.66 EUR
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Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTA4153NT1G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A09F50BAA0745&compId=NTA4153N.PDF?ci_sign=e21734cf39a2d99c197db01f4643ddbc77046164
NTA4153NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.915A; 0.3W; SC75; ESD
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.915A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 1.82nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3529 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
205+0.35 EUR
313+0.23 EUR
396+0.18 EUR
463+0.15 EUR
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808+0.089 EUR
855+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 205
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTA7002NT1G nta7002n-d.pdf
NTA7002NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.154A; 0.3W; SC75
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.154A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
379+0.19 EUR
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682+0.1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB004N10G ntb004n10g-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 201A; Idm: 3002A; 340W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 201A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 175nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 3002A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB011N15MC ntb011n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTB011N15MC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTB082N65S3F SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB095N65S3HF ntb095n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36A; Idm: 90A; 272W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: D2PAK
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 66nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 36A
Power dissipation: 272W
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB110N65S3HF ntb110n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 62nC
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB150N65S3HF ntb150n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB190N65S3HF ntb190n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 162W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 162W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB25P06T4G ntb25p06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27.5A; 120W; D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27.5A
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB5D0N15MC ntb5d0n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTB5D0N15MC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB6410ANT4G NTB6410AN-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
NTB6410ANT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB6413ANT4G ntb6413an-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTB6413ANT4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB7D3N15MC ntb7d3n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTB7D3N15MC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG014N120M3P ntbg014n120m3p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTBG014N120M3P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG015N065SC1 ntbg015n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 103A; Idm: 422A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 103A
Pulsed drain current: 422A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 283nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N090SC1 ntbg020n090sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTBG020N090SC1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N120SC1 ntbg020n120sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 3.7W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate-source voltage: -5...20V
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG022N120M3S ntbg022n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTBG022N120M3S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG025N065SC1 ntbg025n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 284A
Power dissipation: 197W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG028N170M1 ntbg028n170m1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTBG028N170M1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 207A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 207A
Power dissipation: 174W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 149A
Power dissipation: 131W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1 ntbg045n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 44A; Idm: 184A; 121W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 121W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N065SC1 ntbg060n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
NTBG060N090SC1 SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
NTBG070N120M3S SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
NTBG080N120SC1 SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
NTBG1000N170M1 SMD N channel transistors
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NTBG160N120SC1 ntbg160n120sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13.7A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS004N10G ntbgs004n10g-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTBGS004N10G SMD N channel transistors
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NTBGS4D1N15MC ntbgs4d1n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTBGS4D1N15MC SMD N channel transistors
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NTBGS6D5N15MC ntbgs6d5n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTBGS6D5N15MC SMD N channel transistors
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NTBL045N065SC1 ntbl045n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 51A; Idm: 182A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 182A
Power dissipation: 174W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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NTBL050N65S3H ntbl050n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTBL050N65S3H SMD N channel transistors
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NTBL070N65S3 ntbl070n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTBL070N65S3 SMD N channel transistors
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NTBLS001N06C ntbls001n06c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTBLS001N06C SMD N channel transistors
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NTBLS0D8N08XTXG ntbls0d8n08x-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTBLS0D8N08XTXG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D1N08H ntbls1d1n08h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 311W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 311W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 166nC
On-state resistance: 1.05mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 351A
Pulsed drain current: 900A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N08MC ntbls1d5n08mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 298A; Idm: 4487A; 2.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.9W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 111nC
On-state resistance: 1.53mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 298A
Pulsed drain current: 4487A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N10MCTXG NTBLS1D5N10MC-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 312A; Idm: 2055A; 161W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 161W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 131nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 312A
Pulsed drain current: 2055A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D7N08H ntbls1d7n08h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 203A; Idm: 1173A; 83W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 83W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 121nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 203A
Pulsed drain current: 1173A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D7N10MCTXG NTBLS1D7N10MC-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 272A; Idm: 2137A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 147W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 1.8mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 272A
Pulsed drain current: 2137A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS4D0N15MC ntbls4d0n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 2255A; 316W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Case: H-PSOF8L
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 90.4nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 316W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 187A
Pulsed drain current: 2255A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBS2D7N06M7 ntbs2d7n06m7-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTBS2D7N06M7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBS9D0N10MC
Hersteller: ONSEMI
NTBS9D0N10MC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 2.5A; Idm: 28A; 20.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 20.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LT4G ntd18n06l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27%2CNVD20N03L27.pdf dc425789654009921b1e785ec5a8f5d1.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 74W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4G ntd20n06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LT4G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A89E7BC6C8FF9E27&compId=NTD20P06-DTE.PDF?ci_sign=cd706c4a6fc93bc90b41bca030c4664c37cc4ead
NTD20P06LT4G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1932 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
73+0.98 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
2500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A0E2CD678E745&compId=NTD24N06L_STD24N06L.PDF?ci_sign=dc0fbb3e0e102e8018ba27692a89ce96ff889cd0
NTD24N06LT4G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD250N65S3H ntd250n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 36A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 36A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LT4G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C33D1E4AC0469&compId=NTD25P03L.PDF?ci_sign=af1254d7e390a71e4b2172d326fc14e595eb2177
NTD25P03LT4G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1053 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
62+1.16 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD280N60S5Z ntd280n60s5z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 39A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955T4G ntd2955-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Pulsed drain current: -18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1201 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
84+0.86 EUR
93+0.78 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094T4G ntd3055-094-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 10.9nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
84+0.86 EUR
98+0.73 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4G ntd3055-150-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 27A; 28.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 28.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Gate charge: 7.1nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC82624C366B20C4&compId=NTD3055L104.pdf?ci_sign=ecf55127312336914a9621a1f1bbd24dd6b1c499
NTD3055L104T4G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
74+0.97 EUR
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