Produkte > ONSEMI > Alle Produkte des Herstellers ONSEMI (148582) > Seite 1862 nach 2477

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1857 1858 1859 1860 1861 1862 1863 1864 1865 1866 1867 1976 2223 2470 2477  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTMTS1D2N08H ONSEMI ntmts1d2n08h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 335A; Idm: 900A; 150W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 147nC
On-state resistance: 1.1mΩ
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 335A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMTS1D5N08H ONSEMI ntmts1d5n08h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 255A; Idm: 900A; 83W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 83W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 255A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMTS1D6N10MCTXG ONSEMI ntmts1d6n10mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 273A; Idm: 900A; 146W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 146W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 273A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMTS4D3N15MC ONSEMI ntmts4d3n15mc-d.pdf NTMTS4D3N15MC SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMTSC002N10MCTXG ONSEMI ntmtsc002n10mc-d.pdf NTMTSC002N10MCTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMTSC1D5N08MC ONSEMI ntmtsc1d5n08mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 287A; Idm: 3500A; 250W; DFNW8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 101nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 3500A
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 287A
On-state resistance: 1.56mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMTSC1D6N10MCTXG ONSEMI ntmtsc1d6n10mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 267A; Idm: 900A; 145W; Power88
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 145W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 900A
Mounting: SMD
Case: Power88
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 267A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMTSC4D3N15MC ONSEMI ntmtsc4d3n15mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 174A; Idm: 900A; 293W; TDFNW8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 900A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TDFNW8
Gate charge: 79nC
On-state resistance: 4.45mΩ
Power dissipation: 293W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 174A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS014N06CLTWG ONSEMI ntmys014n06cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 37A; Idm: 185A; 12W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 12W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS021N06CLTWG ONSEMI ntmys021n06cl-d.pdf NTMYS021N06CLTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS025N06CLTWG ONSEMI ntmys025n06cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 103A; 7.6W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 103A
Power dissipation: 7.6W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS1D2N04CLTWG ONSEMI ntmys1d2n04cl-d.pdf NTMYS1D2N04CLTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS2D2N06CLTWG ONSEMI ntmys2d2n06cl-d.pdf NTMYS2D2N06CLTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS2D4N04CTWG ONSEMI ntmys2d4n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 138A; Idm: 829A; 27W; LFPAK56
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 138A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 829A
Case: LFPAK56
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS2D9N04CLTWG ONSEMI NTMYS2D9N04CLTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS3D5N04CTWG ONSEMI ntmys3d5n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 102A; Idm: 554A; 34W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 554A
Power dissipation: 34W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS4D1N06CLTWG ONSEMI NTMYS4D1N06CLTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS4D5N04CTWG ONSEMI Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 400A; 27W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 27W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS7D3N04CLTWG ONSEMI ntmys7d3n04cl-d.pdf NTMYS7D3N04CLTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS8D0N04CTWG ONSEMI ntmys8d0n04c-d.pdf NTMYS8D0N04CTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTND31015NZTAG ONSEMI ntnd31015nz-d.pdf NTND31015NZTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTND31225CZTAG ONSEMI ntnd31225cz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Case: XLLGA6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.125W
Drain current: 220/-127mA
On-state resistance: 1.5/5Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 8000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3164NZT5G ONSEMI ntns3164nz-d.pdf NTNS3164NZT5G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3166NZT5G ONSEMI NTNS3166NZT5G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3193NZT5G ONSEMI ntns3193nz-d.pdf NTNS3193NZT5G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP011N15MC ONSEMI ntp011n15mc-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74.3A; Idm: 374A; 136.4W
Kind of package: tube
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 374A
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74.3A
On-state resistance: 10.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136.4W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP055N65S3H ONSEMI ntp055n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; Idm: 132A; 305W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 96nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 132A
Drain current: 47A
Power dissipation: 305W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP067N65S3H ONSEMI ntp067n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 266W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP082N65S3F ONSEMI ntp082n65s3f-d.pdf NTP082N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP095N65S3H ONSEMI ntp095n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 84A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP095N65S3HF ONSEMI ntp095n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36A; Idm: 90A; 272W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 272W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP110N65S3HF ONSEMI ntp110n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 62nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP125N60S5H ONSEMI ntp125n60s5h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 77A; 152W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37.3nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 22A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 152W
Pulsed drain current: 77A
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP125N65S3H ONSEMI ntp125n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 171W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 171W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP150N65S3HF ONSEMI ntp150n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP165N65S3H NTP165N65S3H ONSEMI ntp165n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Drain current: 19A
Power dissipation: 142W
Pulsed drain current: 53A
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.2 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP190N65S3HF ONSEMI ntp190n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 162W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 162W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP360N80S3Z ONSEMI ntp360n80s3z-d.pdf NTP360N80S3Z THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP5D0N15MC ONSEMI ntp5d0n15mc-d.pdf NTP5D0N15MC THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6410ANG ONSEMI ntb6410an-d.pdf NTP6410ANG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6412ANG ONSEMI ntb6412an-d.pdf NTP6412ANG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP7D3N15MC ONSEMI ntp7d3n15mc-d.pdf NTP7D3N15MC THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF082N65S3F ONSEMI ntpf082n65s3f-d.pdf NTPF082N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF095N65S3H ONSEMI ntpf095n65s3h-d.pdf NTPF095N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF110N65S3HF ONSEMI ntpf110n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 62nC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF125N65S3H ONSEMI ntpf125n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF150N65S3HF ONSEMI ntpf150n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.15Ω
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF165N65S3H ONSEMI ntpf165n65s3h-d.pdf NTPF165N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF190N65S3H ONSEMI ntpf190n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF190N65S3HF ONSEMI ntpf190n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF190N65S3HF ONSEMI ntpf190n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF250N65S3H ONSEMI ntpf250n65s3h-d.pdf NTPF250N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF360N65S3H ONSEMI ntpf360n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 28A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF360N80S3Z ONSEMI ntpf360n80s3z-d.pdf NTPF360N80S3Z THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF450N80S3Z ONSEMI ntpf450n80s3z-d.pdf NTPF450N80S3Z THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF600N80S3Z ONSEMI ntpf600n80s3z-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 21A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDABD57F79D57B80D3&compId=NTR0202PL.PDF?ci_sign=c89bac867850fdce5262bd307008ebf3c1178ec0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.18nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
531+0.13 EUR
667+0.11 EUR
823+0.087 EUR
910+0.079 EUR
1701+0.042 EUR
1806+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 531
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT1G NTR1P02LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A32A4A467C745&compId=NTR1P02LT1.PDF?ci_sign=6153e17001fb94ed0623505a384015ac0deda37a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 3.1nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
391+0.18 EUR
503+0.14 EUR
3000+0.086 EUR
6000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT3G ONSEMI ntr1p02lt1-d.pdf NTR1P02LT3G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02T1G NTR1P02T1G ONSEMI ntr1p02t1-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
368+0.19 EUR
459+0.16 EUR
500+0.14 EUR
770+0.093 EUR
820+0.087 EUR
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMTS1D2N08H ntmts1d2n08h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 335A; Idm: 900A; 150W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 147nC
On-state resistance: 1.1mΩ
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 335A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMTS1D5N08H ntmts1d5n08h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 255A; Idm: 900A; 83W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 83W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 255A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMTS1D6N10MCTXG ntmts1d6n10mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 273A; Idm: 900A; 146W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 146W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 273A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMTS4D3N15MC ntmts4d3n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMTS4D3N15MC SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMTSC002N10MCTXG ntmtsc002n10mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMTSC002N10MCTXG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMTSC1D5N08MC ntmtsc1d5n08mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 287A; Idm: 3500A; 250W; DFNW8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 101nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 3500A
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 287A
On-state resistance: 1.56mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMTSC1D6N10MCTXG ntmtsc1d6n10mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 267A; Idm: 900A; 145W; Power88
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 145W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 900A
Mounting: SMD
Case: Power88
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 267A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMTSC4D3N15MC ntmtsc4d3n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 174A; Idm: 900A; 293W; TDFNW8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 900A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TDFNW8
Gate charge: 79nC
On-state resistance: 4.45mΩ
Power dissipation: 293W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 174A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS014N06CLTWG ntmys014n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 37A; Idm: 185A; 12W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 12W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS021N06CLTWG ntmys021n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMYS021N06CLTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS025N06CLTWG ntmys025n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 103A; 7.6W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 103A
Power dissipation: 7.6W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS1D2N04CLTWG ntmys1d2n04cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMYS1D2N04CLTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS2D2N06CLTWG ntmys2d2n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMYS2D2N06CLTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS2D4N04CTWG ntmys2d4n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 138A; Idm: 829A; 27W; LFPAK56
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 138A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 829A
Case: LFPAK56
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS2D9N04CLTWG
Hersteller: ONSEMI
NTMYS2D9N04CLTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS3D5N04CTWG ntmys3d5n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 102A; Idm: 554A; 34W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 554A
Power dissipation: 34W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS4D1N06CLTWG
Hersteller: ONSEMI
NTMYS4D1N06CLTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS4D5N04CTWG
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 400A; 27W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 27W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS7D3N04CLTWG ntmys7d3n04cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMYS7D3N04CLTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS8D0N04CTWG ntmys8d0n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTMYS8D0N04CTWG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTND31015NZTAG ntnd31015nz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTND31015NZTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTND31225CZTAG ntnd31225cz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Case: XLLGA6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.125W
Drain current: 220/-127mA
On-state resistance: 1.5/5Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 8000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3164NZT5G ntns3164nz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTNS3164NZT5G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3166NZT5G
Hersteller: ONSEMI
NTNS3166NZT5G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3193NZT5G ntns3193nz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTNS3193NZT5G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP011N15MC ntp011n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74.3A; Idm: 374A; 136.4W
Kind of package: tube
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 374A
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74.3A
On-state resistance: 10.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136.4W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP055N65S3H ntp055n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; Idm: 132A; 305W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 96nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 132A
Drain current: 47A
Power dissipation: 305W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP067N65S3H ntp067n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 266W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP082N65S3F ntp082n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTP082N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP095N65S3H ntp095n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 84A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP095N65S3HF ntp095n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36A; Idm: 90A; 272W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 272W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP110N65S3HF ntp110n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 62nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP125N60S5H ntp125n60s5h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 77A; 152W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37.3nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 22A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 152W
Pulsed drain current: 77A
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP125N65S3H ntp125n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 171W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 171W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP150N65S3HF ntp150n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP165N65S3H ntp165n65s3h-d.pdf
NTP165N65S3H
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Drain current: 19A
Power dissipation: 142W
Pulsed drain current: 53A
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.2 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP190N65S3HF ntp190n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 162W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 162W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP360N80S3Z ntp360n80s3z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTP360N80S3Z THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP5D0N15MC ntp5d0n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTP5D0N15MC THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6410ANG ntb6410an-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTP6410ANG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6412ANG ntb6412an-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTP6412ANG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP7D3N15MC ntp7d3n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTP7D3N15MC THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF082N65S3F ntpf082n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTPF082N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF095N65S3H ntpf095n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTPF095N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF110N65S3HF ntpf110n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 62nC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF125N65S3H ntpf125n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF150N65S3HF ntpf150n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.15Ω
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF165N65S3H ntpf165n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTPF165N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF190N65S3H ntpf190n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF190N65S3HF ntpf190n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF190N65S3HF ntpf190n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF250N65S3H ntpf250n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTPF250N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF360N65S3H ntpf360n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 28A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF360N80S3Z ntpf360n80s3z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTPF360N80S3Z THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF450N80S3Z ntpf450n80s3z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTPF450N80S3Z THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF600N80S3Z ntpf600n80s3z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 21A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR0202PLT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDABD57F79D57B80D3&compId=NTR0202PL.PDF?ci_sign=c89bac867850fdce5262bd307008ebf3c1178ec0
NTR0202PLT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.18nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
531+0.13 EUR
667+0.11 EUR
823+0.087 EUR
910+0.079 EUR
1701+0.042 EUR
1806+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 531
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A32A4A467C745&compId=NTR1P02LT1.PDF?ci_sign=6153e17001fb94ed0623505a384015ac0deda37a
NTR1P02LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 3.1nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
391+0.18 EUR
503+0.14 EUR
3000+0.086 EUR
6000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT3G ntr1p02lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTR1P02LT3G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02T1G ntr1p02t1-d.pdf
NTR1P02T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
368+0.19 EUR
459+0.16 EUR
500+0.14 EUR
770+0.093 EUR
820+0.087 EUR
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1857 1858 1859 1860 1861 1862 1863 1864 1865 1866 1867 1976 2223 2470 2477  [ Nächste Seite >> ]