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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTR1P02LT3G ONSEMI ntr1p02lt1-d.pdf NTR1P02LT3G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02T1G NTR1P02T1G ONSEMI ntr1p02t1-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
368+0.19 EUR
459+0.16 EUR
500+0.14 EUR
770+0.093 EUR
820+0.087 EUR
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR2101PT1G NTR2101PT1G ONSEMI ntr2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1971 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
236+0.3 EUR
336+0.21 EUR
385+0.19 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR3A052PZT1G ONSEMI ntr3a052pz-d.pdf NTR3A052PZT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR3C21NZT1G ONSEMI ntr3c21nz-d.pdf NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4003NT1G NTR4003NT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A3582F9A20745&compId=NTR4003N.PDF?ci_sign=b3216589411edabf78a677fe51c768f1946900ff Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.56A; 0.69W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.15nC
Drain current: 0.56A
Power dissipation: 0.69W
On-state resistance: 2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
837+0.086 EUR
1819+0.039 EUR
1924+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 837
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4003NT3G NTR4003NT3G ONSEMI ntr4003n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 0.83W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4101PT1G NTR4101PT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE591CCD84FB8864469&compId=ntr4101.pdf?ci_sign=fbfb8af33574955611661724f77d3c1560fda68d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; 0.21W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
379+0.19 EUR
407+0.18 EUR
528+0.14 EUR
593+0.12 EUR
1040+0.069 EUR
1099+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ONSEMI ntr4170n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
234+0.31 EUR
311+0.23 EUR
350+0.2 EUR
432+0.17 EUR
455+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A38021576A745&compId=NTR4171P.PDF?ci_sign=9e065e98ff36bdf407baec3146c6e6c7e1152928 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.4nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+1.43 EUR
72+0.99 EUR
196+0.37 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4501NT1G NTR4501NT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8E63E79CB0B20D4&compId=NxR4501N.PDF?ci_sign=180ebdc299f6e6ce523ffcbfd17d89734c695aba Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5336 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
298+0.24 EUR
400+0.18 EUR
455+0.16 EUR
705+0.1 EUR
736+0.097 EUR
3000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4502PT1G NTR4502PT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A3B056DCAC745&compId=NTR4502P.PDF?ci_sign=92bd47813be3d7a8d5de3a68b98339d2d3c7479b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.56A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
368+0.19 EUR
463+0.15 EUR
506+0.14 EUR
1021+0.07 EUR
1064+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4503NT1G NTR4503NT1G ONSEMI ntr4503n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.6nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.73W
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
417+0.17 EUR
506+0.14 EUR
556+0.13 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5103NT1G NTR5103NT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE897B85D3E3D7CF3D7&compId=NTR5103N.pdf?ci_sign=6d06c1312903dbec21cd185ba9f078608659e61a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.42W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 0.81nC
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.42W
On-state resistance: 3Ω
Drain-source voltage: 60V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1872 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
521+0.14 EUR
736+0.097 EUR
861+0.083 EUR
1064+0.067 EUR
1731+0.041 EUR
1832+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5105PT1G NTR5105PT1G ONSEMI ntr5105p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
447+0.16 EUR
645+0.11 EUR
755+0.095 EUR
872+0.082 EUR
957+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G ONSEMI ntr5198nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
295+0.24 EUR
369+0.19 EUR
505+0.14 EUR
827+0.087 EUR
875+0.082 EUR
6000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTRV4101PT1G ONSEMI ntr4101p-d.pdf NTRV4101PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G NTS2101PT1G ONSEMI nts2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 0.29W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
205+0.35 EUR
264+0.27 EUR
298+0.24 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS260SFT1G ONSEMI nts260sf-d.pdf NTS260SFT1G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4001NT1G NTS4001NT1G ONSEMI nts4001n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.33W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
472+0.15 EUR
550+0.13 EUR
815+0.088 EUR
935+0.077 EUR
1067+0.067 EUR
1454+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4101PT1G NTS4101PT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A3E1CDF086745&compId=NTS4101P.PDF?ci_sign=561d50a6497bdf37f67c6b1eaa8f4de7f4a29c97 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Power dissipation: 0.329W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.4nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
83+0.86 EUR
100+0.72 EUR
164+0.43 EUR
450+0.16 EUR
1500+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4173PT1G ONSEMI nts4173p-d.pdf NTS4173PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4409NT1G NTS4409NT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A40ECE502E745&compId=NTS4409N.PDF?ci_sign=63654eab07e08ab6a86203eac12ae7ed71bc8f9e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.75A; 0.28W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
183+0.39 EUR
216+0.33 EUR
249+0.29 EUR
288+0.25 EUR
432+0.17 EUR
459+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTBC070NP10M5L ONSEMI nttbc070np10m5l-d.pdf NTTBC070NP10M5L Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD022N10C ONSEMI nttfd022n10c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 349A; 26W; WQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 349A
Power dissipation: 26W
Case: WQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD2D8N03P1E ONSEMI nttfd2d8n03p1e-d.pdf NTTFD2D8N03P1E Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D0N04HLTWG ONSEMI nttfd4d0n04hl-d.pdf NTTFD4D0N04HLTWG Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAG ONSEMI nttfs002n04cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 142A
Pulsed drain current: 706A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CTAG ONSEMI Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008N04CTAG ONSEMI nttfs008n04c-d.pdf NTTFS008N04CTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008P03P8Z ONSEMI nttfs008p03p8z-d.pdf NTTFS008P03P8Z SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS010N10MCLTAG ONSEMI nttfs010n10mcl-d.pdf NTTFS010N10MCLTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS012N10MDTAG ONSEMI nttfs012n10md-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 217A; 62W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 217A
Power dissipation: 62W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS015N04CTAG ONSEMI nttfs015n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27A; Idm: 93A; 7.4W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 7.4W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS015P03P8ZTAG ONSEMI nttfs015p03p8z-d.pdf NTTFS015P03P8ZTAG SMD P channel transistors
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NTTFS015P03P8ZTWG ONSEMI nttfs015p03p8z-d.pdf NTTFS015P03P8ZTWG SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS020N06CTAG ONSEMI NTTFS020N06C-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 27A; Idm: 128A; 15W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 15W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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NTTFS022N15MC ONSEMI nttfs022n15mc-d.pdf NTTFS022N15MC SMD N channel transistors
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NTTFS030N06CTAG ONSEMI nttfs030n06c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 19A; Idm: 86A; 11W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 86A
Power dissipation: 11W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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NTTFS034N15MC ONSEMI nttfs034n15mc-d.pdf NTTFS034N15MC SMD N channel transistors
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NTTFS115P10M5 ONSEMI nttfs115p10m5-d.pdf NTTFS115P10M5 SMD P channel transistors
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NTTFS1D2N02P1E ONSEMI nttfs1d2n02p1e-d.pdf NTTFS1D2N02P1E SMD N channel transistors
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NTTFS1D8N02P1E ONSEMI nttfs1d8n02p1e-d.pdf NTTFS1D8N02P1E SMD N channel transistors
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NTTFS2D1N04HLTWG ONSEMI nttfs2d1n04hl-d.pdf NTTFS2D1N04HLTWG SMD N channel transistors
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NTTFS2D8N04HLTAG ONSEMI NTTFS2D8N04HLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS3D7N06HLTWG ONSEMI nttfs3d7n06hl-d.pdf NTTFS3D7N06HLTWG SMD N channel transistors
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NTTFS4C02NTAG ONSEMI nttfs4c02n-d.pdf NTTFS4C02NTAG SMD N channel transistors
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NTTFS4C05NTAG ONSEMI nttfs4c05n-d.pdf NTTFS4C05NTAG SMD N channel transistors
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NTTFS4C06NTAG ONSEMI nttfs4c06n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 166A; 31W; WDFN8
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.6nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 31W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 166A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTTFS4C08NTAG ONSEMI nttfs4c08n-d.pdf NTTFS4C08NTAG SMD N channel transistors
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NTTFS4C10NTAG ONSEMI nttfs4c10n-d.pdf NTTFS4C10NTAG SMD N channel transistors
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NTTFS4C13NTAG ONSEMI nttfs4c13n-d.pdf NTTFS4C13NTAG SMD N channel transistors
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NTTFS5116PLTAG ONSEMI nttfs5116pl-d.pdf NTTFS5116PLTAG SMD P channel transistors
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NTTFS5116PLTWG ONSEMI nttfs5116pl-d.pdf NTTFS5116PLTWG SMD P channel transistors
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NTTFS5C453NLTAG ONSEMI nttfs5c453nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTTFS5C453NLTWG ONSEMI nttfs5c453nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5C454NLTAG ONSEMI nttfs5c454nl-d.pdf NTTFS5C454NLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS5C460NLTAG ONSEMI NTTFS5C460NLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS5C466NLTAG ONSEMI nttfs5c466nl-d.pdf NTTFS5C466NLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS5C658NLTAG ONSEMI NTTFS5C658NLTAG SMD N channel transistors
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NTR1P02LT3G ntr1p02lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTR1P02LT3G SMD P channel transistors
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NTR1P02T1G ntr1p02t1-d.pdf
NTR1P02T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
368+0.19 EUR
459+0.16 EUR
500+0.14 EUR
770+0.093 EUR
820+0.087 EUR
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR2101PT1G ntr2101p-d.pdf
NTR2101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1971 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
236+0.3 EUR
336+0.21 EUR
385+0.19 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR3A052PZT1G ntr3a052pz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTR3A052PZT1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR3C21NZT1G ntr3c21nz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4003NT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A3582F9A20745&compId=NTR4003N.PDF?ci_sign=b3216589411edabf78a677fe51c768f1946900ff
NTR4003NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.56A; 0.69W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.15nC
Drain current: 0.56A
Power dissipation: 0.69W
On-state resistance: 2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
837+0.086 EUR
1819+0.039 EUR
1924+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 837
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4003NT3G ntr4003n-d.pdf
NTR4003NT3G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 0.83W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4101PT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE591CCD84FB8864469&compId=ntr4101.pdf?ci_sign=fbfb8af33574955611661724f77d3c1560fda68d
NTR4101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; 0.21W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
379+0.19 EUR
407+0.18 EUR
528+0.14 EUR
593+0.12 EUR
1040+0.069 EUR
1099+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
234+0.31 EUR
311+0.23 EUR
350+0.2 EUR
432+0.17 EUR
455+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4171PT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A38021576A745&compId=NTR4171P.PDF?ci_sign=9e065e98ff36bdf407baec3146c6e6c7e1152928
NTR4171PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.4nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+1.43 EUR
72+0.99 EUR
196+0.37 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4501NT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8E63E79CB0B20D4&compId=NxR4501N.PDF?ci_sign=180ebdc299f6e6ce523ffcbfd17d89734c695aba
NTR4501NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5336 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
298+0.24 EUR
400+0.18 EUR
455+0.16 EUR
705+0.1 EUR
736+0.097 EUR
3000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4502PT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A3B056DCAC745&compId=NTR4502P.PDF?ci_sign=92bd47813be3d7a8d5de3a68b98339d2d3c7479b
NTR4502PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.56A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
368+0.19 EUR
463+0.15 EUR
506+0.14 EUR
1021+0.07 EUR
1064+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
NTR4503NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.6nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.73W
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
417+0.17 EUR
506+0.14 EUR
556+0.13 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5103NT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE897B85D3E3D7CF3D7&compId=NTR5103N.pdf?ci_sign=6d06c1312903dbec21cd185ba9f078608659e61a
NTR5103NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.42W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 0.81nC
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.42W
On-state resistance: 3Ω
Drain-source voltage: 60V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1872 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
521+0.14 EUR
736+0.097 EUR
861+0.083 EUR
1064+0.067 EUR
1731+0.041 EUR
1832+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
NTR5105PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
447+0.16 EUR
645+0.11 EUR
755+0.095 EUR
872+0.082 EUR
957+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5198NLT1G ntr5198nl-d.pdf
NTR5198NLT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
295+0.24 EUR
369+0.19 EUR
505+0.14 EUR
827+0.087 EUR
875+0.082 EUR
6000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTRV4101PT1G ntr4101p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTRV4101PT1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G nts2101p-d.pdf
NTS2101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 0.29W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
205+0.35 EUR
264+0.27 EUR
298+0.24 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
NTS260SFT1G SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4001NT1G nts4001n-d.pdf
NTS4001NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.33W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
472+0.15 EUR
550+0.13 EUR
815+0.088 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4101PT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A3E1CDF086745&compId=NTS4101P.PDF?ci_sign=561d50a6497bdf37f67c6b1eaa8f4de7f4a29c97
NTS4101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Power dissipation: 0.329W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.4nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
NTS4173PT1G SMD P channel transistors
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NTS4409NT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A40ECE502E745&compId=NTS4409N.PDF?ci_sign=63654eab07e08ab6a86203eac12ae7ed71bc8f9e
NTS4409NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.75A; 0.28W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
183+0.39 EUR
216+0.33 EUR
249+0.29 EUR
288+0.25 EUR
432+0.17 EUR
459+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTBC070NP10M5L nttbc070np10m5l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTBC070NP10M5L Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD022N10C nttfd022n10c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 349A; 26W; WQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 349A
Power dissipation: 26W
Case: WQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD2D8N03P1E nttfd2d8n03p1e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFD2D8N03P1E Multi channel transistors
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NTTFD4D0N04HLTWG nttfd4d0n04hl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFD4D0N04HLTWG Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAG nttfs002n04cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 142A
Pulsed drain current: 706A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CTAG
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008N04CTAG nttfs008n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS008N04CTAG SMD N channel transistors
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NTTFS008P03P8Z nttfs008p03p8z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS008P03P8Z SMD P channel transistors
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NTTFS010N10MCLTAG nttfs010n10mcl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS010N10MCLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS012N10MDTAG nttfs012n10md-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 217A; 62W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 217A
Power dissipation: 62W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS015N04CTAG nttfs015n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27A; Idm: 93A; 7.4W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 7.4W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS015P03P8ZTAG nttfs015p03p8z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS015P03P8ZTAG SMD P channel transistors
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NTTFS015P03P8ZTWG nttfs015p03p8z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS015P03P8ZTWG SMD P channel transistors
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NTTFS020N06CTAG NTTFS020N06C-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 27A; Idm: 128A; 15W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 15W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS022N15MC nttfs022n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS022N15MC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS030N06CTAG nttfs030n06c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 19A; Idm: 86A; 11W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 86A
Power dissipation: 11W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS034N15MC nttfs034n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS034N15MC SMD N channel transistors
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NTTFS115P10M5 nttfs115p10m5-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS115P10M5 SMD P channel transistors
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NTTFS1D2N02P1E nttfs1d2n02p1e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS1D2N02P1E SMD N channel transistors
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NTTFS1D8N02P1E nttfs1d8n02p1e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS1D8N02P1E SMD N channel transistors
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NTTFS2D1N04HLTWG nttfs2d1n04hl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS2D1N04HLTWG SMD N channel transistors
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NTTFS2D8N04HLTAG
Hersteller: ONSEMI
NTTFS2D8N04HLTAG SMD N channel transistors
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NTTFS3D7N06HLTWG nttfs3d7n06hl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS3D7N06HLTWG SMD N channel transistors
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NTTFS4C02NTAG nttfs4c02n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS4C02NTAG SMD N channel transistors
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NTTFS4C05NTAG nttfs4c05n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS4C05NTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTAG nttfs4c06n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 166A; 31W; WDFN8
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.6nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 31W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 166A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTAG nttfs4c08n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS4C08NTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTAG nttfs4c10n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS4C10NTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAG nttfs4c13n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS4C13NTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5116PLTAG nttfs5116pl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS5116PLTAG SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5116PLTWG nttfs5116pl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS5116PLTWG SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5C453NLTAG nttfs5c453nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5C453NLTWG nttfs5c453nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5C454NLTAG nttfs5c454nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS5C454NLTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5C460NLTAG
Hersteller: ONSEMI
NTTFS5C460NLTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5C466NLTAG nttfs5c466nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS5C466NLTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5C658NLTAG
Hersteller: ONSEMI
NTTFS5C658NLTAG SMD N channel transistors
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