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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
NTMJS1D4N06CLTWG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 262A; Idm: 900A; 90W; LFPAK8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 262A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 90W Case: LFPAK8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMJST2D6N08HTXG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 131.5A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 131.5A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 58W Case: TCPAK10 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMS10P02R2G	ONSEMI	NTMS10P02R2G SMD P channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMS4177PR2G	ONSEMI	NTMS4177PR2G SMD P channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMS5P02R2G	ONSEMI	NTMS5P02R2G SMD P channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT045N065SC1	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 197A; 94W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 39A Pulsed drain current: 197A Power dissipation: 94W Case: TDFN4 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT061N60S5F	ONSEMI	NTMT061N60S5F SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT064N65S3H	ONSEMI	NTMT064N65S3H SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT090N65S3HF	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36A; Idm: 90A; 272W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 36A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 272W Case: TDFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT095N65S3H	ONSEMI	NTMT095N65S3H SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT110N65S3HF	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 240W Case: TDFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 69A Gate charge: 62nC Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT150N65S3HF	ONSEMI	NTMT150N65S3HF SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT185N60S5H	ONSEMI	NTMT185N60S5H SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT190N65S3H	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 129W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 129W Case: TDFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMT190N65S3HF	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 162W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 162W Case: TDFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS001N06CLTXG	ONSEMI	NTMTS001N06CLTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS001N06CTXG	ONSEMI	NTMTS001N06CTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS002N08MC	ONSEMI	NTMTS002N08MC SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS002N10MCTXG	ONSEMI	NTMTS002N10MCTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS0D4N04CLTXG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 553.8A; Idm: 900A; 122W Gate charge: 163nC On-state resistance: 0.4mΩ Power dissipation: 122W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 553.8A Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 900A Case: Power88 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS0D4N04CTXG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 558A; Idm: 900A; 122W; Power88 Gate charge: 251nC On-state resistance: 450µΩ Power dissipation: 122W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 558A Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 900A Case: Power88 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS0D6N04CLTXG	ONSEMI	NTMTS0D6N04CLTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS0D7N04CTXG	ONSEMI	NTMTS0D7N04CTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS0D7N06CLTXG	ONSEMI	NTMTS0D7N06CLTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS0D7N06CTXG	ONSEMI	NTMTS0D7N06CTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS1D2N08H	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 335A; Idm: 900A; 150W; DFNW8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 150W Case: DFNW8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 147nC On-state resistance: 1.1mΩ Drain-source voltage: 80V Drain current: 335A Pulsed drain current: 900A Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS1D5N08H	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 255A; Idm: 900A; 83W; DFNW8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 83W Case: DFNW8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 125nC On-state resistance: 1.5mΩ Drain-source voltage: 80V Drain current: 255A Pulsed drain current: 900A Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS1D6N10MCTXG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 273A; Idm: 900A; 146W; DFNW8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 146W Case: DFNW8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 106nC On-state resistance: 1.7mΩ Drain-source voltage: 100V Drain current: 273A Pulsed drain current: 900A Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTS4D3N15MC	ONSEMI	NTMTS4D3N15MC SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTSC002N10MCTXG	ONSEMI	NTMTSC002N10MCTXG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTSC1D5N08MC	ONSEMI	NTMTSC1D5N08MC SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTSC1D6N10MCTXG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 267A; Idm: 900A; 145W; Power88 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: Power88 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 900A Drain-source voltage: 100V Drain current: 267A Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 106nC On-state resistance: 1.7mΩ Power dissipation: 145W Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMTSC4D3N15MC	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 174A; Idm: 900A; 293W; TDFNW8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 900A Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: TDFNW8 Gate charge: 79nC On-state resistance: 4.45mΩ Power dissipation: 293W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 174A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMYS014N06CLTWG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 37A; Idm: 185A; 12W; LFPAK56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 37A Pulsed drain current: 185A Power dissipation: 12W Case: LFPAK56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMYS021N06CLTWG	ONSEMI	NTMYS021N06CLTWG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMYS025N06CLTWG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 103A; 7.6W; LFPAK56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 21A Pulsed drain current: 103A Power dissipation: 7.6W Case: LFPAK56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMYS1D2N04CLTWG	ONSEMI	NTMYS1D2N04CLTWG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMYS2D2N06CLTWG	ONSEMI	NTMYS2D2N06CLTWG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMYS2D4N04CTWG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 138A; Idm: 829A; 27W; LFPAK56 Gate charge: 32nC On-state resistance: 2.3mΩ Power dissipation: 27W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 138A Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 829A Case: LFPAK56 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMYS2D9N04CLTWG	ONSEMI	NTMYS2D9N04CLTWG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMYS3D5N04CTWG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 102A; Idm: 554A; 34W; LFPAK56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 102A Pulsed drain current: 554A Power dissipation: 34W Case: LFPAK56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMYS4D1N06CLTWG	ONSEMI	NTMYS4D1N06CLTWG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMYS4D5N04CTWG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 400A; 27W; LFPAK56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 27W Case: LFPAK56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMYS7D3N04CLTWG	ONSEMI	NTMYS7D3N04CLTWG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTMYS8D0N04CTWG	ONSEMI	NTMYS8D0N04CTWG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTND31015NZTAG	ONSEMI	NTND31015NZTAG SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTND31225CZTAG	ONSEMI	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Mounting: SMD Case: XLLGA6 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.125W Drain current: 220/-127mA On-state resistance: 1.5/5Ω Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20/-20V Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: complementary pair Anzahl je Verpackung: 8000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTNS3164NZT5G	ONSEMI	NTNS3164NZT5G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTNS3166NZT5G	ONSEMI	NTNS3166NZT5G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTNS3193NZT5G	ONSEMI	NTNS3193NZT5G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTP011N15MC	ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74.3A; Idm: 374A; 136.4W Kind of package: tube Gate charge: 37nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 374A Mounting: THT Case: TO220-3 Drain-source voltage: 150V Drain current: 74.3A On-state resistance: 10.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136.4W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTP055N65S3H	ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; Idm: 132A; 305W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220-3 On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 132A Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 96nC Drain current: 47A Power dissipation: 305W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTP067N65S3H	ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 266W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 67mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTP082N65S3F	ONSEMI	NTP082N65S3F THT N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTP095N65S3H	ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 84A; 208W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 208W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTP095N65S3HF	ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36A; Idm: 90A; 272W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 36A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 272W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTP110N65S3HF	ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 240W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 69A Gate charge: 62nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTP125N60S5H	ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 77A; 152W; TO220-3 Polarisation: unipolar Gate charge: 37.3nC On-state resistance: 0.125Ω Drain current: 22A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 152W Pulsed drain current: 77A Case: TO220-3 Drain-source voltage: 600V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTP125N65S3H	ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 171W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 67A Power dissipation: 171W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTP150N65S3HF	ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube On-state resistance: 0.15Ω Drain current: 24A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMJS1D4N06CLTWG

Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 262A; Idm: 900A; 90W; LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 262A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 90W
Case: LFPAK8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke