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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NCV7685DQR2G NCV7685DQR2G ONSEMI Description: ONSEMI - NCV7685DQR2G - LED-Treiber, DC/DC, 60mA, 28V, -40 bis 150°C, 12 Ausgänge, SMD, SSOP-EP-24
Schaltfrequenz: 1.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 28
Bauform - Treiber: SSOP-EP
Ausgangsstrom, max.: 60
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 12
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675. FDS6675. ONSEMI 2281690.pdf Description: ONSEMI - FDS6675. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT9555YI-T2 CAT9555YI-T2 ONSEMI CAT9555-D.PDF Description: ONSEMI - CAT9555YI-T2 - I/O-Erweiterung, 16bit, 400 kHz, I2C, SMBus, 2.3 V, 5.5 V, TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 2.3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Busfrequenz: 400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6065ADF FGA6065ADF ONSEMI FGA6065ADF-D.pdf Description: ONSEMI - FGA6065ADF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTSV20100CTG NTSV20100CTG ONSEMI ONSM-S-A0014594747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTSV20100CTG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 980 mV
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 980
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: NTSV2
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SECO-NCV7685RGB-GEVB SECO-NCV7685RGB-GEVB ONSEMI SECO-NCV7685RGB-GEVB_USER_MANUAL.PDF Description: ONSEMI - SECO-NCV7685RGB-GEVB - Demoboard, NCV7685, RGB-LED-Beleuchtungsanwendungen
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard NCV7685
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 60mA
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
Core-Chip: NCV7685
Dimmsteuerung: PWM
Eingangsspannung, max.: 24V
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Prozessorkern: NCV7685
Eingangsspannung, min.: 12V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
Anzahl der Ausgänge: 12Ausgänge
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+294.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4970N-35G. NTD4970N-35G. ONSEMI NTD4970N-D.PDF Description: ONSEMI - NTD4970N-35G. - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 30V 36A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 675 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680AS FDS6680AS ONSEMI 2299502.pdf description Description: ONSEMI - FDS6680AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.5 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV317BD2TR4G NCV317BD2TR4G ONSEMI 2160677.pdf Description: ONSEMI - NCV317BD2TR4G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.2V bis 37V/1.5Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.71 EUR
205+1.13 EUR
273+0.79 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50NZ FDPF12N50NZ ONSEMI ONSM-S-A0003584970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.09 EUR
61+3.81 EUR
100+2.78 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50T FDPF12N50T ONSEMI FDPF12N50T-D.pdf Description: ONSEMI - FDPF12N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50UT FDPF12N50UT ONSEMI FDPF12N50UT-D.pdf Description: ONSEMI - FDPF12N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3682 FDP3682 ONSEMI 2304459.pdf Description: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCP1402-TD-H PCP1402-TD-H ONSEMI ENA2303-D.PDF Description: ONSEMI - PCP1402-TD-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.2 A, 1.8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 1.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NFAQ1560R43T NFAQ1560R43T ONSEMI 3213436.pdf Description: ONSEMI - NFAQ1560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+38.71 EUR
10+28.83 EUR
50+26.61 EUR
100+24.36 EUR
250+23.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NFAQ0560R43T NFAQ0560R43T ONSEMI nfaq0560r43t-d.pdf Description: ONSEMI - NFAQ0560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 10 A, 2 kV, Modul, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 10A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: Modul
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.34 EUR
13+19.15 EUR
15+14.46 EUR
50+13.3 EUR
100+11.73 EUR
250+11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NFAQ0860L33T NFAQ0860L33T ONSEMI 3005733.pdf Description: ONSEMI - NFAQ0860L33T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 8 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 84733020
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 8A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.83 EUR
12+20 EUR
15+14.78 EUR
50+13.23 EUR
100+11.7 EUR
250+11.46 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NFAQ1560R43TL NFAQ1560R43TL ONSEMI nfaq1560r43t-d.pdf Description: ONSEMI - NFAQ1560R43TL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.69 EUR
10+23.6 EUR
12+18.12 EUR
50+17.52 EUR
100+16.9 EUR
250+16.3 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PN100A PN100A ONSEMI ONSM-S-A0003589371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PN100A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSE114 QSE114 ONSEMI 2572443.pdf Description: ONSEMI - QSE114 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 50°
Bauform - Transistor: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.83 EUR
195+1.19 EUR
216+1 EUR
241+0.89 EUR
273+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSE113E3R0 ONSEMI 2572443.pdf Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 50
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.42 EUR
158+1.48 EUR
241+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSE113E3R0 ONSEMI 2572443.pdf Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.42 EUR
158+1.48 EUR
241+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSE122 QSE122 ONSEMI QSE122-D.pdf Description: ONSEMI - QSE122 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSD2030 QSD2030 ONSEMI QSD2030-D.PDF Description: ONSEMI - QSD2030 - Fotodiode, 10nA, 880nm, 20°, -40°C bis 100°C, T-1 3/4 (5mm), 2 Pins
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Dunkelstrom: 0.01
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Betriebstemperatur, min.: -40
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880
Betriebstemperatur, max.: 100
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSD123A4R0 QSD123A4R0 ONSEMI QSD123-D.PDF Description: ONSEMI - QSD123A4R0 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 24
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSE133 QSE133 ONSEMI QSE133-D.pdf Description: ONSEMI - QSE133 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSD124 QSD124 ONSEMI 2287891.pdf Description: ONSEMI - QSD124 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+1.44 EUR
252+0.93 EUR
390+0.55 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSD123 QSD123 ONSEMI 2287891.pdf Description: ONSEMI - QSD123 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0522SRSC09SURA0-DP AR0522SRSC09SURA0-DP ONSEMI AR0522-D.PDF Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1680 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0521SR2C09SURA0-DP1 AR0521SR2C09SURA0-DP1 ONSEMI AR0521-D.PDF Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1680 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0522SRSC09SURA0-DR AR0522SRSC09SURA0-DR ONSEMI AR0522-D.PDF Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1680 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0521SR2C09SURA0-DR AR0521SR2C09SURA0-DR ONSEMI AR0521-D.PDF Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1680 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0521SR2C09SURA0-DR1 AR0521SR2C09SURA0-DR1 ONSEMI AR0521-D.PDF Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1680 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0521SR2C09SURA0-DP AR0521SR2C09SURA0-DP ONSEMI AR0521-D.PDF Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1680 Stücke
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NLV14082BDG NLV14082BDG ONSEMI MC14001B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14082BDG - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 935 Stücke
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NLV14082BDR2G NLV14082BDR2G ONSEMI MC14001B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14082BDR2G - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQPF17N40T FQPF17N40T ONSEMI FQPF17N40-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF17N40T - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
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S320 S320 ONSEMI 2304428.pdf Description: ONSEMI - S320 - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 900 mV
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S320
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.57 EUR
228+1.02 EUR
252+0.84 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
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BZX84C43LT1G BZX84C43LT1G ONSEMI 2236792.pdf Description: ONSEMI - BZX84C43LT1G - Zener-Diode, 43 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 43
Verlustleistung: 225
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 225
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NUD3124LT1G NUD3124LT1G ONSEMI 2337868.pdf Description: ONSEMI - NUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SZNUD3124LT1G SZNUD3124LT1G ONSEMI 2337868.pdf Description: ONSEMI - SZNUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.99 EUR
321+0.73 EUR
417+0.51 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
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FQP85N06 FQP85N06 ONSEMI 2304200.pdf Description: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.25 EUR
40+5.94 EUR
100+4.56 EUR
500+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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FOD2742B FOD2742B ONSEMI 2299643.pdf description Description: ONSEMI - FOD2742B - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 2.5 kV, 100 %, 50 kHz
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 2.5kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 50kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
116+2.01 EUR
125+1.73 EUR
135+1.58 EUR
148+1.45 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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QSD2030F QSD2030F ONSEMI 2287762.pdf Description: ONSEMI - QSD2030F - Photodiode, 20°, 10nA, 880nm, T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20°
euEccn: NLR
Dunkelstrom: 0.01µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 100°C
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
243+0.96 EUR
274+0.79 EUR
316+0.68 EUR
372+0.57 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30T65SHD FGA30T65SHD ONSEMI ONSM-S-A0003590852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.47 EUR
30+7.77 EUR
100+5.81 EUR
500+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N80C FQPF7N80C ONSEMI 2299854.pdf Description: ONSEMI - FQPF7N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.6 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSRD8620CTRG. SSRD8620CTRG. ONSEMI Description: ONSEMI - SSRD8620CTRG. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Anode, 1.3 V, 75 ns
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 45
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 75
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: SSRD8620CT
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 525 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NC7WZ17L6X NC7WZ17L6X ONSEMI 2287996.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+1.59 EUR
213+1.09 EUR
315+0.68 EUR
506+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NC7WZ17L6X NC7WZ17L6X ONSEMI 1725704.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+1.59 EUR
213+1.09 EUR
315+0.68 EUR
506+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NC7WZ17FHX NC7WZ17FHX ONSEMI NC7WZ17-D.PDF Description: ONSEMI - NC7WZ17FHX - BUFFERS & TRANSCEIVERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1048-6-TB-E 2SD1048-6-TB-E ONSEMI ONSMS36980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.84 EUR
472+0.49 EUR
752+0.29 EUR
1006+0.21 EUR
1262+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH041N65F-F155 FCH041N65F-F155 ONSEMI FCH041N65F-D.PDF Description: ONSEMI - FCH041N65F-F155 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60NF FCH47N60NF ONSEMI ONSM-S-A0012109438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCH47N60NF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45.8 A, 0.0575 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 45.8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0575
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+25.82 EUR
10+22.32 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60N FCH47N60N ONSEMI ONSM-S-A0012400105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCH47N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.0515 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 47
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0515
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0515
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
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NCS20071SN2T1G NCS20071SN2T1G ONSEMI 2337856.pdf Description: ONSEMI - NCS20071SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+1.39 EUR
241+0.96 EUR
309+0.69 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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NCS333ASN2T1G NCS333ASN2T1G ONSEMI 2620005.pdf Description: ONSEMI - NCS333ASN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOT-23
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 3.5µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.15V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 350kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+1.04 EUR
348+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCS20081SQ2T2G NCS20081SQ2T2G ONSEMI 2907099.pdf Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.4
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
197+1.18 EUR
260+0.82 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVR0230P2T5G NSVR0230P2T5G ONSEMI NSR0230P2-D.PDF Description: ONSEMI - NSVR0230P2T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 200 MA, 30 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH047AN08A0 FDH047AN08A0 ONSEMI FDH047AN08A0-D.PDF Description: ONSEMI - FDH047AN08A0 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 ONSEMI 3005762.pdf Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV7685DQR2G
NCV7685DQR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7685DQR2G - LED-Treiber, DC/DC, 60mA, 28V, -40 bis 150°C, 12 Ausgänge, SMD, SSOP-EP-24
Schaltfrequenz: 1.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 28
Bauform - Treiber: SSOP-EP
Ausgangsstrom, max.: 60
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 12
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675. 2281690.pdf
FDS6675.
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6675. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT9555YI-T2 CAT9555-D.PDF
CAT9555YI-T2
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT9555YI-T2 - I/O-Erweiterung, 16bit, 400 kHz, I2C, SMBus, 2.3 V, 5.5 V, TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 2.3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Busfrequenz: 400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6065ADF FGA6065ADF-D.pdf
FGA6065ADF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA6065ADF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTSV20100CTG ONSM-S-A0014594747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTSV20100CTG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTSV20100CTG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 980 mV
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 980
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: NTSV2
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SECO-NCV7685RGB-GEVB SECO-NCV7685RGB-GEVB_USER_MANUAL.PDF
SECO-NCV7685RGB-GEVB
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SECO-NCV7685RGB-GEVB - Demoboard, NCV7685, RGB-LED-Beleuchtungsanwendungen
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard NCV7685
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 60mA
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
Core-Chip: NCV7685
Dimmsteuerung: PWM
Eingangsspannung, max.: 24V
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Prozessorkern: NCV7685
Eingangsspannung, min.: 12V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
Anzahl der Ausgänge: 12Ausgänge
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+294.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4970N-35G. NTD4970N-D.PDF
NTD4970N-35G.
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4970N-35G. - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 30V 36A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 675 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680AS description 2299502.pdf
FDS6680AS
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.5 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV317BD2TR4G 2160677.pdf
NCV317BD2TR4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV317BD2TR4G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.2V bis 37V/1.5Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
146+1.71 EUR
205+1.13 EUR
273+0.79 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50NZ ONSM-S-A0003584970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF12N50NZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.09 EUR
61+3.81 EUR
100+2.78 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50T FDPF12N50T-D.pdf
FDPF12N50T
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50UT FDPF12N50UT-D.pdf
FDPF12N50UT
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3682 2304459.pdf
FDP3682
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCP1402-TD-H ENA2303-D.PDF
PCP1402-TD-H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCP1402-TD-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.2 A, 1.8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 1.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NFAQ1560R43T 3213436.pdf
NFAQ1560R43T
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ1560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+38.71 EUR
10+28.83 EUR
50+26.61 EUR
100+24.36 EUR
250+23.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NFAQ0560R43T nfaq0560r43t-d.pdf
NFAQ0560R43T
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ0560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 10 A, 2 kV, Modul, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 10A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: Modul
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+24.34 EUR
13+19.15 EUR
15+14.46 EUR
50+13.3 EUR
100+11.73 EUR
250+11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NFAQ0860L33T 3005733.pdf
NFAQ0860L33T
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ0860L33T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 8 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 84733020
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 8A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.83 EUR
12+20 EUR
15+14.78 EUR
50+13.23 EUR
100+11.7 EUR
250+11.46 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NFAQ1560R43TL nfaq1560r43t-d.pdf
NFAQ1560R43TL
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ1560R43TL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+29.69 EUR
10+23.6 EUR
12+18.12 EUR
50+17.52 EUR
100+16.9 EUR
250+16.3 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PN100A ONSM-S-A0003589371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PN100A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN100A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSE114 2572443.pdf
QSE114
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE114 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 50°
Bauform - Transistor: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
137+1.83 EUR
195+1.19 EUR
216+1 EUR
241+0.89 EUR
273+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSE113E3R0 2572443.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 50
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+2.42 EUR
158+1.48 EUR
241+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSE113E3R0 2572443.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+2.42 EUR
158+1.48 EUR
241+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSE122 QSE122-D.pdf
QSE122
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE122 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSD2030 QSD2030-D.PDF
QSD2030
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD2030 - Fotodiode, 10nA, 880nm, 20°, -40°C bis 100°C, T-1 3/4 (5mm), 2 Pins
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Dunkelstrom: 0.01
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Betriebstemperatur, min.: -40
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880
Betriebstemperatur, max.: 100
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSD123A4R0 QSD123-D.PDF
QSD123A4R0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD123A4R0 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 24
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSE133 QSE133-D.pdf
QSE133
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE133 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSD124 2287891.pdf
QSD124
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD124 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
174+1.44 EUR
252+0.93 EUR
390+0.55 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSD123 2287891.pdf
QSD123
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD123 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0522SRSC09SURA0-DP AR0522-D.PDF
AR0522SRSC09SURA0-DP
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1680 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0521SR2C09SURA0-DP1 AR0521-D.PDF
AR0521SR2C09SURA0-DP1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1680 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0522SRSC09SURA0-DR AR0522-D.PDF
AR0522SRSC09SURA0-DR
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1680 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0521SR2C09SURA0-DR AR0521-D.PDF
AR0521SR2C09SURA0-DR
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1680 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0521SR2C09SURA0-DR1 AR0521-D.PDF
AR0521SR2C09SURA0-DR1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1680 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0521SR2C09SURA0-DP AR0521-D.PDF
AR0521SR2C09SURA0-DP
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1680 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NLV14082BDG MC14001B-D.PDF
NLV14082BDG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14082BDG - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 935 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NLV14082BDR2G MC14001B-D.PDF
NLV14082BDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14082BDR2G - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF17N40T FQPF17N40-D.pdf
FQPF17N40T
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF17N40T - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S320 2304428.pdf
S320
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S320 - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 900 mV
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S320
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
159+1.57 EUR
228+1.02 EUR
252+0.84 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX84C43LT1G 2236792.pdf
BZX84C43LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C43LT1G - Zener-Diode, 43 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 43
Verlustleistung: 225
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 225
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUD3124LT1G 2337868.pdf
NUD3124LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SZNUD3124LT1G 2337868.pdf
SZNUD3124LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZNUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
255+0.99 EUR
321+0.73 EUR
417+0.51 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP85N06 2304200.pdf
FQP85N06
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+7.25 EUR
40+5.94 EUR
100+4.56 EUR
500+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FOD2742B description 2299643.pdf
FOD2742B
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD2742B - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 2.5 kV, 100 %, 50 kHz
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 2.5kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 50kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
82+3.05 EUR
116+2.01 EUR
125+1.73 EUR
135+1.58 EUR
148+1.45 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QSD2030F 2287762.pdf
QSD2030F
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD2030F - Photodiode, 20°, 10nA, 880nm, T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20°
euEccn: NLR
Dunkelstrom: 0.01µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 100°C
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
169+1.49 EUR
243+0.96 EUR
274+0.79 EUR
316+0.68 EUR
372+0.57 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30T65SHD ONSM-S-A0003590852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FGA30T65SHD
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+10.47 EUR
30+7.77 EUR
100+5.81 EUR
500+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N80C 2299854.pdf
FQPF7N80C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF7N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.6 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSRD8620CTRG.
SSRD8620CTRG.
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SSRD8620CTRG. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Anode, 1.3 V, 75 ns
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 45
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 75
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: SSRD8620CT
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 525 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NC7WZ17L6X 2287996.pdf
NC7WZ17L6X
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
157+1.59 EUR
213+1.09 EUR
315+0.68 EUR
506+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NC7WZ17L6X 1725704.pdf
NC7WZ17L6X
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
157+1.59 EUR
213+1.09 EUR
315+0.68 EUR
506+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NC7WZ17FHX NC7WZ17-D.PDF
NC7WZ17FHX
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ17FHX - BUFFERS & TRANSCEIVERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1048-6-TB-E ONSMS36980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1048-6-TB-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
295+0.84 EUR
472+0.49 EUR
752+0.29 EUR
1006+0.21 EUR
1262+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH041N65F-F155 FCH041N65F-D.PDF
FCH041N65F-F155
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH041N65F-F155 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60NF ONSM-S-A0012109438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCH47N60NF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH47N60NF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45.8 A, 0.0575 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 45.8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0575
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+25.82 EUR
10+22.32 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60N ONSM-S-A0012400105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCH47N60N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH47N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.0515 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 47
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0515
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0515
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCS20071SN2T1G 2337856.pdf
NCS20071SN2T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20071SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
180+1.39 EUR
241+0.96 EUR
309+0.69 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCS333ASN2T1G 2620005.pdf
NCS333ASN2T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS333ASN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOT-23
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 3.5µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.15V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 350kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
243+1.04 EUR
348+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCS20081SQ2T2G 2907099.pdf
NCS20081SQ2T2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.4
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+1.55 EUR
197+1.18 EUR
260+0.82 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVR0230P2T5G NSR0230P2-D.PDF
NSVR0230P2T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVR0230P2T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 200 MA, 30 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH047AN08A0 FDH047AN08A0-D.PDF
FDH047AN08A0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH047AN08A0 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120SC1 3005762.pdf
NVBG040N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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