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BC856BLT3G

BC856BLT3G ON

BC856ALT1-D.pdf
Produktcode: 216566
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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 65 V
U, V: 80 V
I, А: 0,1 A
h21,max: 150
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BC856BLT3G BC856BLT3G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10561 Stücke:
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BC856BLT3G BC856BLT3G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 365000 Stücke:
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30613+0.018 EUR
100000+0.015 EUR
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BC856BLT3G BC856BLT3G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10561 Stücke:
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2440+0.059 EUR
4202+0.033 EUR
4348+0.031 EUR
6579+0.02 EUR
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BC856BLT3G BC856BLT3G onsemi bc856alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
auf Bestellung 49693 Stücke:
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11+0.26 EUR
25+0.11 EUR
100+0.07 EUR
500+0.055 EUR
1000+0.04 EUR
5000+0.035 EUR
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BC856BLT3G BC856BLT3G onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
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BC856BLT3G BC856BLT3G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC856BLT3G BC856BLT3G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC856BLT3G ONN bc856alt1-d.pdf
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BC856BLT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC856BLT3G
Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
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BC856BLT3G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
auf Bestellung 49693 Stücke:
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BC856BLT3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
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Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
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BC856BLT3G 2353764.pdf
BC856BLT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC856BLT3G 2353764.pdf
BC856BLT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC856BLT3G bc856alt1-d.pdf
Hersteller: ONN
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Produktcode: 134236
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pdtc123j_ser.pdf
PDTC123JT (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k
Hersteller: Nexperia
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 100
ZCODE: SMD
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erwartet: 2000 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT1G
Produktcode: 112578
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bc846blt1g.pdf
BC846BLT1G
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
ZCODE: SMD
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BAV23
Produktcode: 105492
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bav23_ser-datasheet.pdf
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOT143B
Vrr, V: 200
Iav, A: 0.225
Trr, ns: zwei Dioden
Bemerkung: два діоди
Austauschbar:: SMD
auf Bestellung 4 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3522 St.:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-10MQ100NTRPBF
Produktcode: 59111
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vs-10mq100npbf-datasheet.pdf
VS-10MQ100NTRPBF
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Vrrm(V): 100
If(A): 1
VF@IF: 0.78
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 30 A
verfügbar: 6243 St.
15 St. - stock Köln
6228 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.11 EUR
100+0.088 EUR
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