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BC856BLT3G

BC856BLT3G ON

BC856ALT1-D.pdf
Produktcode: 216566
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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 МГц
Spannung Uce, V: 65 В
Spannung Ucb, V: 80 В
Strom Ic, A: 0,1 А
Stromverstärkung h21, max: 150
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC856BLT3G BC856BLT3G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9010+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 9010 Stücke
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BC856BLT3G BC856BLT3G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 365000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30613+0.021 EUR
100000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 30613 Stücke
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BC856BLT3G BC856BLT3G onsemi BC856ALT1-D.PDF Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.032 EUR
20000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BC856BLT3G BC856BLT3G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2440+0.073 EUR
4202+0.04 EUR
4348+0.038 EUR
6579+0.024 EUR
6667+0.023 EUR
9010+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 2440 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT3G BC856BLT3G onsemi BC856ALT1-D.PDF Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 50904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.21 EUR
157+0.13 EUR
254+0.082 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.052 EUR
2000+0.045 EUR
5000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT3G BC856BLT3G onsemi BC856ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
auf Bestellung 49693 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
11+0.31 EUR
25+0.13 EUR
100+0.083 EUR
500+0.065 EUR
1000+0.048 EUR
2500+0.046 EUR
5000+0.042 EUR
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BC856BLT3G BC856BLT3G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BC856BLT3G BC856BLT3G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BC856BLT3G ONN BC856ALT1-D.PDF
auf Bestellung 3464 Stücke:
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BC856BLT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10561 Stücke:
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BC856BLT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 365000 Stücke:
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BC856BLT3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.032 EUR
20000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BC856BLT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10561 Stücke:
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4202+0.04 EUR
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BC856BLT3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
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AnzahlPrivatkunde
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157+0.13 EUR
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BC856BLT3G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
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25+0.13 EUR
100+0.083 EUR
500+0.065 EUR
1000+0.048 EUR
2500+0.046 EUR
5000+0.042 EUR
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BC856BLT3G 2353764.pdf
BC856BLT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT3G 2353764.pdf
BC856BLT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BC856BLT3G BC856ALT1-D.PDF
Hersteller: ONN
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PMEG4005AEA,115
Produktcode: 149444
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PMEG4005AEA.pdf
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Produkt ist nicht verfügbar
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PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k
Produktcode: 134236
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pdtc123j_ser.pdf
PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k
Hersteller: Nexperia
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 230 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 А
Stromverstärkung h21: 100
Montage: SMD
auf Bestellung 720 St.:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT1G
Produktcode: 112578
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bc846blt1g.pdf
BC846BLT1G
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 100 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 65 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 А
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 4000 St.
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    BAV23,215
    Produktcode: 105492
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    		bav23_ser-datasheet.pdf
    Hersteller: NXP
    Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
    Gehäuse: SOT143B
    Sperrspannung Vrr, V: 200 V
    Mittlerer Strom Iav, A: 0,225 A
    Sperrverzögerungszeit Trr, ns: Zwei Dioden
    Bemerkung: zwei Dioden
    Montage: SMD
    auf Bestellung 613 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    VS-10MQ100NTRPBF
    Produktcode: 59111
    1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		vs-10mq100npbf-datasheet.pdf
    VS-10MQ100NTRPBF
    Hersteller: Vishay
    Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
    Gehäuse: SMA (DO-214AC)
    Sperrspannung Vrrm, V: 100 V
    Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 A
    Durchlassspannung Vf, V: 0,78 V
    Montage: SMD
    Stoßstrom Ifsm, A: 30 А
    verfügbar: 6243 St.
    • 15 St. - stock Köln
    • 6228 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    AnzahlPrivatkunde
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    100+0.1 EUR
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