IRF540

IRF540

Produktcode: 7921
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 28
Rds(on), Ohm: 0.077

IRF540, IRF540S.pdf
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Technische Details IRF540

Möglichen Substitutionen

IRF540PBF
IRF540PBF
Produktcode: 22634
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 28
Rds(on), Ohm: 0.077
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
91021.pdf
100 Stück - erwartet 06.02.2022
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
66 Stück - stock Köln
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10+ 0.79 EUR
IRF540N
IRF540N
Produktcode: 1956
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Rds(on), Ohm: 44
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
irf540n-datasheet.pdf

Preis IRF540 ab 1.6 EUR bis 1.6 EUR

IRF540
IRF540
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
MOTOS04825-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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IRF540
Hersteller: UNBRANDED
Description: UNBRANDED - IRF540 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
On Resistance Rds(on): 0.07
Power Dissipation Pd: 145
Continuous Drain Current Id: 27
Operating Temperature Max: -
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Threshold Voltage Vgs: -
Drain Source Voltage Vds: 100
Transistor Case Style: TO-220
Rds(on) Test Voltage Vgs: -
No. of Pins: 3
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IRF540
IRF540
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
91021.pdf
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IRF540
IRF540
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
1112cd00003275.pdf
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IRF540
IRF540
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220
irf540-d.pdf
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IRF540
IRF540
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET MOSFET 100V .077 OHM M
stmicroelectronics_cd00003275-1205438.pdf
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IRF540
IRF540
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF540PBF
91021-1768337.pdf
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IRF540
IRF540
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
IRF540.pdf
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IRF540
IRF540
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
91021.pdf
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