BC637
Produktcode: 153329
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Weitere Produktangebote BC637 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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BC637 | LGE |
NPN 1A 60V 800mW 150MHz Replacement: BC639 BC637 TBC637 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BC637 | LGE |
NPN 1A 60V 800mW 150MHz Replacement: BC639 BC637 TBC637 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BC637 | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 34838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC637 |
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Hersteller: LGE
NPN 1A 60V 800mW 150MHz Replacement: BC639 BC637 TBC637
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
NPN 1A 60V 800mW 150MHz Replacement: BC639 BC637 TBC637
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 400+ | 0.11 EUR |
| BC637 |
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Hersteller: LGE
NPN 1A 60V 800mW 150MHz Replacement: BC639 BC637 TBC637
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
NPN 1A 60V 800mW 150MHz Replacement: BC639 BC637 TBC637
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 0.11 EUR |
| BC637 |
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Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 60V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 34838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3620+ | 0.14 EUR |