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2N7002DW

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Produktcode: 174754
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002DW 2N7002DW ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002DW 2N7002DW ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002DW 2N7002DW ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
12000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002DW 2N7002DW ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 8954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
833+0.2 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 833 Stücke
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2N7002DW 2N7002DW onsemi 2N7002DW-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002DW 2N7002DW MULTICOMP PRO 4778062.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N7002DW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 115 A, 7.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
730+0.35 EUR
1048+0.23 EUR
1413+0.15 EUR
1822+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 730 Stücke
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2N7002DW 2N7002DW ONSEMI 2N7002DW.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+0.61 EUR
178+0.48 EUR
205+0.42 EUR
293+0.29 EUR
341+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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2N7002DW 2N7002DW onsemi 2N7002DW-D.PDF MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 53629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.42 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW onsemi 2N7002DW-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
37+0.58 EUR
50+0.42 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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2N7002DW 2N7002DW ONSEMI 2303978.pdf Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+1.14 EUR
371+0.63 EUR
565+0.38 EUR
758+0.29 EUR
1500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
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2N7002DW 2N7002DW ONSEMI 2303978.pdf Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+1.14 EUR
371+0.63 EUR
565+0.38 EUR
758+0.29 EUR
1500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW JSMicro Semiconductor 2N7002DW-D.PDF Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 115mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002DW-7-F; 2N7002DW-G; 2N7002DWH6327XTSA1; 2N7002DW-TP; 2N7002DW JSMICRO T2N7002dw JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N7002DW 2n7002dwd.pdf
2N7002DW
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2n7002dwd.pdf
2N7002DW
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2n7002dwd.pdf
2N7002DW
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
12000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2n7002dwd.pdf
2N7002DW
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 8954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
833+0.2 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 833 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW-D.PDF
2N7002DW
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002DW 4778062.pdf
2N7002DW
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002DW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 115 A, 7.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
730+0.35 EUR
1048+0.23 EUR
1413+0.15 EUR
1822+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 730 Stücke
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2N7002DW 2N7002DW.PDF
2N7002DW
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
139+0.61 EUR
178+0.48 EUR
205+0.42 EUR
293+0.29 EUR
341+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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2N7002DW 2N7002DW-D.PDF
2N7002DW
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 53629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.94 EUR
10+0.42 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW-D.PDF
2N7002DW
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+0.94 EUR
37+0.58 EUR
50+0.42 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2303978.pdf
2N7002DW
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
219+1.14 EUR
371+0.63 EUR
565+0.38 EUR
758+0.29 EUR
1500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2303978.pdf
2N7002DW
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
219+1.14 EUR
371+0.63 EUR
565+0.38 EUR
758+0.29 EUR
1500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
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2N7002DW 2N7002DW-D.PDF
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 115mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002DW-7-F; 2N7002DW-G; 2N7002DWH6327XTSA1; 2N7002DW-TP; 2N7002DW JSMICRO T2N7002dw JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH