Produkte > 2N7 > 2N7002DW

2N7002DW


2N7002DW-D.PDF
Produktcode: 174754
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:


Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote 2N7002DW nach Preis ab 0.095 EUR bis 0.77 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2N7002DW 2N7002DW Hersteller : ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
18000+0.1 EUR
30000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW Hersteller : ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
12000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW Hersteller : ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
12000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW Hersteller : onsemi 2N7002DW-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.16 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW Hersteller : ONSEMI 2N7002DW.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
227+0.32 EUR
317+0.23 EUR
363+0.2 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW Hersteller : onsemi 2N7002DW-D.PDF MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 79422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.77 EUR
10+0.47 EUR
100+0.3 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW Hersteller : onsemi 2N7002DW-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 42577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+0.77 EUR
38+0.47 EUR
100+0.3 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW Hersteller : ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW Hersteller : ONSEMI 2303978.pdf Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW Hersteller : ONSEMI 2303978.pdf Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH