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2N7002DW

2N7002DW ON Semiconductor

2n7002dwd.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details 2N7002DW ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 200mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 200mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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2N7002DW 2N7002DW Hersteller : ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
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2N7002DW 2N7002DW Hersteller : onsemi 2n7002dw-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
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2N7002DW 2N7002DW Hersteller : ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
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2N7002DW 2N7002DW Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BB753968D40A0D2&compId=2N7002DW.PDF?ci_sign=c4ff59784590c39884845c645f2eafbde65b15b6 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Anzahl Preis
173+0.41 EUR
283+0.25 EUR
368+0.19 EUR
414+0.17 EUR
500+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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2N7002DW 2N7002DW Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BB753968D40A0D2&compId=2N7002DW.PDF?ci_sign=c4ff59784590c39884845c645f2eafbde65b15b6 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N7002DW 2N7002DW Hersteller : ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
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2N7002DW 2N7002DW Hersteller : ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
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9000+0.08 EUR
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2N7002DW 2N7002DW Hersteller : onsemi / Fairchild 2n7002dw-d.pdf MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect
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2N7002DW 2N7002DW Hersteller : onsemi 2n7002dw-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
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2N7002DW 2N7002DW Hersteller : ONSEMI 2303978.pdf Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2N7002DW 2N7002DW Hersteller : ONSEMI 2303978.pdf Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2N7002DW 2N7002DW Hersteller : ON Semiconductor 2n7002dw-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
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2N7002DW 2N7002DW Hersteller : ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
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