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2N7002DW

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002DW 2N7002DW ON Semiconductor 2n7002dw-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
12000+0.12 EUR
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30000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW ON Semiconductor 2n7002dw-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW ON Semiconductor 2n7002dw-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 8954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
797+0.23 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 797 Stücke
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2N7002DW 2N7002DW onsemi 2N7002DW-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW MULTICOMP PRO 4778062.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N7002DW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 115 A, 7.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
730+0.35 EUR
1048+0.23 EUR
1413+0.15 EUR
1822+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 730 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW onsemi 2N7002DW-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
35+0.62 EUR
50+0.44 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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2N7002DW 2N7002DW ONSEMI 2303978.pdf Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+1.17 EUR
479+0.49 EUR
547+0.39 EUR
730+0.3 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
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2N7002DW 2N7002DW ONSEMI 2303978.pdf Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+1.17 EUR
479+0.49 EUR
547+0.39 EUR
730+0.3 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW onsemi 2N7002DW-D.PDF MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 36444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+1 EUR
100+0.63 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW DIODES/ZETEX 2N7002DW-D.PDF Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002DW-7-F 2N7002DW-7-F T2N7002dw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2n7002dw-d.pdf
2N7002DW
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
12000+0.12 EUR
18000+0.12 EUR
30000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2n7002dw-d.pdf
2N7002DW
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2n7002dw-d.pdf
2N7002DW
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 8954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
797+0.23 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 797 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW-D.PDF
2N7002DW
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002DW 4778062.pdf
2N7002DW
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002DW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 115 A, 7.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
730+0.35 EUR
1048+0.23 EUR
1413+0.15 EUR
1822+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 730 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW-D.PDF
2N7002DW
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+1 EUR
35+0.62 EUR
50+0.44 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2303978.pdf
2N7002DW
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
216+1.17 EUR
479+0.49 EUR
547+0.39 EUR
730+0.3 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2303978.pdf
2N7002DW
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
216+1.17 EUR
479+0.49 EUR
547+0.39 EUR
730+0.3 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW-D.PDF
2N7002DW
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 36444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.43 EUR
10+1 EUR
100+0.63 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW-D.PDF
Hersteller: DIODES/ZETEX
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002DW-7-F 2N7002DW-7-F T2N7002dw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH