Produkte > 2N7 > 2N7002DW

2N7002DW

2N7002DW-D.PDF
Produktcode: 174754
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:


Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote 2N7002DW nach Preis ab 0.13 EUR bis 1.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002DW 2N7002DW ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
12000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
27000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW onsemi 2N7002DW-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 68890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW ONSEMI 2N7002DW.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+0.61 EUR
178+0.48 EUR
205+0.42 EUR
293+0.29 EUR
341+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW onsemi 2N7002DW-D.PDF MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 65382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW onsemi 2N7002DW-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 68923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
37+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW ONSEMI 2303978.pdf Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+1.05 EUR
394+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW ONSEMI 2303978.pdf Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+1.05 EUR
394+0.6 EUR
607+0.36 EUR
800+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2n7002dwd.pdf
2N7002DW
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2n7002dwd.pdf
2N7002DW
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
12000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2n7002dwd.pdf
2N7002DW
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
27000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW-D.PDF
2N7002DW
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 68890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW.PDF
2N7002DW
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
139+0.61 EUR
178+0.48 EUR
205+0.42 EUR
293+0.29 EUR
341+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW-D.PDF
2N7002DW
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 65382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.92 EUR
10+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW-D.PDF
2N7002DW
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 68923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+0.94 EUR
37+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2303978.pdf
2N7002DW
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
239+1.05 EUR
394+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2303978.pdf
2N7002DW
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
239+1.05 EUR
394+0.6 EUR
607+0.36 EUR
800+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2n7002dwd.pdf
2N7002DW
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH