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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
2N700MOTOROLA
auf Bestellung 3600 Stücke:
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2N700/18CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
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2N7000LGEN-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6010 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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2N7000Fairchild SemiconductorТранз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
auf Bestellung 291 Stücke:
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1+0.41 EUR
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2N7000Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 0.2A 0.4W
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2N7000Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3
auf Bestellung 10 Stücke:
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2N7000Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
auf Bestellung 44857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.46 EUR
10+0.33 EUR
100+0.27 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.19 EUR
4000+0.14 EUR
8000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000DIOTECDescription: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7000
Produktcode: 182880
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,32 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
JHGF: THT
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2N7000STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
490+0.29 EUR
778+0.18 EUR
1289+0.1 EUR
1645+0.078 EUR
2218+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 490
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2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 6750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
577+0.25 EUR
2500+0.22 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 577
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2N7000DIOTECTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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2N7000LUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
930+0.077 EUR
1390+0.051 EUR
1425+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 930
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2N7000LUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
930+0.077 EUR
1390+0.051 EUR
1425+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 930
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2N7000STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 0.35 A
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2N7000STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 76880 Stücke:
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309+0.46 EUR
706+0.2 EUR
730+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
10000+0.12 EUR
30000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 309
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2N7000onsemiDescription: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 47922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.77 EUR
34+0.53 EUR
100+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
2000+0.21 EUR
5000+0.19 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 132226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2573+0.21 EUR
10000+0.18 EUR
100000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2573
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2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000LGETransistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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2N7000EDU-2N7000 SMD N channel transistors
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2N7000Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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2N7000
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 4534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 55135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 79592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
361+0.4 EUR
826+0.17 EUR
856+0.16 EUR
1000+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 361
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000
Produktcode: 20638
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NXPTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar 228 Stück:
50 Stück - stock Köln
178 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.25 EUR
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2N7000Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 80010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.069 EUR
8000+0.057 EUR
12000+0.054 EUR
20000+0.051 EUR
40000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.062 EUR
8000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.087 EUR
8000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000DIOTECTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
auf Bestellung 10185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.26 EUR
695+0.1 EUR
926+0.077 EUR
1608+0.044 EUR
1701+0.042 EUR
4000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
695+0.1 EUR
926+0.077 EUR
1608+0.044 EUR
1701+0.042 EUR
4000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000onsemi / FairchildMOSFETs FET 60V 50 OHM TO92
auf Bestellung 94075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.79 EUR
10+0.54 EUR
100+0.28 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
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2N7000DIOTECDescription: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 76897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+0.7 EUR
311+0.44 EUR
710+0.19 EUR
735+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 206
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000
Produktcode: 200238
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CJTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 48 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 Stück:
2000 Stück - erwartet 19.07.2025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 27168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2573+0.21 EUR
10000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2573
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 79592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.59 EUR
361+0.38 EUR
826+0.16 EUR
856+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 243
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000LGETransistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
auf Bestellung 4962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+0.59 EUR
170+0.42 EUR
216+0.33 EUR
397+0.18 EUR
421+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4962 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
170+0.42 EUR
216+0.33 EUR
397+0.18 EUR
421+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000Microchip TechnologyMOSFETs 60V 5Ohm
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2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 13821 Stücke:
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56+0.32 EUR
83+0.21 EUR
138+0.13 EUR
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1000+0.081 EUR
2000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2000+0.07 EUR
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2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 AMONXP SemiconductorsMOSFETs TRENCH 31V-99V G2
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2N7000,126NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000,126NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
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2N7000-APMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2000+0.19 EUR
4000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
8000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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2N7000-D26Zonsemi / FairchildMOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
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5+0.68 EUR
10+0.45 EUR
100+0.34 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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2N7000-D26ZONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10710 Stücke:
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2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
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2N7000-D26ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2289 Stücke:
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143+0.5 EUR
215+0.33 EUR
295+0.24 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.14 EUR
4000+0.099 EUR
24000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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2N7000-D26ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 53629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
41+0.44 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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2N7000-D26ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2289 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
215+0.33 EUR
295+0.24 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 114000 Stücke:
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4000+0.1 EUR
24000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
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2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6580 Stücke:
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425+0.34 EUR
549+0.25 EUR
555+0.24 EUR
560+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 425
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2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.59 EUR
380+0.36 EUR
425+0.31 EUR
549+0.23 EUR
555+0.22 EUR
560+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 243
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2N7000-D26ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.16 EUR
4000+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
50000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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2N7000-D74ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
Produkt ist nicht verfügbar
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2N7000-D74ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.88 EUR
33+0.54 EUR
100+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
618+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 618
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.21 EUR
4000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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2N7000-D74Zonsemi / FairchildMOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
auf Bestellung 8506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.55 EUR
100+0.22 EUR
2000+0.2 EUR
4000+0.19 EUR
10000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.17 EUR
4000+0.16 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 2047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.79 EUR
36+0.49 EUR
100+0.24 EUR
500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Zonsemi / FairchildMOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
auf Bestellung 2092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.81 EUR
10+0.5 EUR
100+0.24 EUR
500+0.22 EUR
2000+0.16 EUR
4000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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2N7000-D75ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+0.61 EUR
180+0.4 EUR
230+0.31 EUR
334+0.21 EUR
477+0.15 EUR
506+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
180+0.4 EUR
230+0.31 EUR
334+0.21 EUR
477+0.15 EUR
506+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 117
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2N7000-D75ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.14 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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2N7000-GMicrochip TechnologyMOSFETs 60V 5Ohm
auf Bestellung 4514 Stücke:
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4+0.79 EUR
25+0.67 EUR
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Mindestbestellmenge: 4
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2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 434 Stücke:
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177+0.81 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+0.96 EUR
146+0.49 EUR
157+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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293+0.47 EUR
320+0.42 EUR
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2N7000-G
Produktcode: 182408
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Transistoren > MOSFET N-CH
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2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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240+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 240
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2N7000-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
146+0.49 EUR
157+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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385+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 385
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2N7000-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 4167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.77 EUR
28+0.65 EUR
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 3844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
293+0.49 EUR
320+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 293
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2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 9000 Stücke:
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278+0.51 EUR
308+0.45 EUR
331+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7000-TAVishay USE 2N7000KL-TR1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-TR1VishayVishay USE 2N7000KL-TR1-E3
Produkt ist nicht verfügbar
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2N70002
Produktcode: 53073
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Transistoren > MOSFET N-CH
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2N70002NXP
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2N7000BUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 102421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
49+0.36 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.16 EUR
2000+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
50000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 31942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3513+0.15 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3513
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BUON-SemicoductorTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000BU (bulk); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA; 2N7000 T2N7000
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BUONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+0.23 EUR
2500+0.17 EUR
5000+0.16 EUR
7500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 616
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 5824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1431+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1431
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BUonsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel Sm Sig
auf Bestellung 14075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.54 EUR
10+0.33 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 5824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
535+0.27 EUR
883+0.16 EUR
1431+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 535
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BU_TonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000CSMSemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin CLLCC-1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000CSM-JQR-ASemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin CLLCC-1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000CSM.01Welwyn Components / TT ElectronicsMOSFETs PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000GonsemiMOSFETs 60V 200mA N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000KRectronTO-92
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000KL-TR1-E3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.47A 3-Pin TO-226AA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000L
Produktcode: 175310
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,15 mA
Rds(on), Ohm: 1,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 20 /
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000PSTOADiodes IncTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin E-Line
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000RLRAON05+06+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000RLRAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000RLRAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000RLRAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000RLRAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000RLRAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000RLRMG
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000RLRMGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000RLRMGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000RLRPGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000RLRPGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7000TA
Produktcode: 173012
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.13 EUR
4000+0.11 EUR
6000+0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.12 EUR
4000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000TAONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+0.49 EUR
191+0.37 EUR
235+0.3 EUR
281+0.25 EUR
338+0.21 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000TAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.67 EUR
39+0.46 EUR
100+0.24 EUR
500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.12 EUR
4000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000TAonsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel Sm Sig
auf Bestellung 8064 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.63 EUR
10+0.47 EUR
100+0.24 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000TAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.14 EUR
4000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.12 EUR
4000+0.11 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000TAONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
191+0.37 EUR
235+0.3 EUR
281+0.25 EUR
338+0.21 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 148
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2N7000TA+
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
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2N7001
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001VishayArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDCKRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.28 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.26 EUR
15000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDCKRTexas InstrumentsTranslation - Voltage Levels 1-bit dual-supply bu ffered voltage signa
auf Bestellung 4060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.01 EUR
10+0.63 EUR
25+0.55 EUR
100+0.39 EUR
250+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDCKRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 27962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.11 EUR
25+0.73 EUR
100+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDCKR
Produktcode: 162137
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IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
644+0.22 EUR
701+0.2 EUR
769+0.17 EUR
852+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 644
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDPWRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR 5X2SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8)
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
370+0.39 EUR
637+0.22 EUR
644+0.21 EUR
701+0.18 EUR
769+0.16 EUR
852+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 370
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
15000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDPWRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR 5X2SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8)
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 7891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.92 EUR
33+0.54 EUR
100+0.31 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDPWRTexas InstrumentsTranslation - Voltage Levels 1-bit dual-supply bu ffered voltage signa
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDPWR-STexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8)
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TDPWRG4Texas InstrumentsTranslation - Voltage Levels 1-bit dual-supply buffered voltage signal converter
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TEVMTexas InstrumentsOther Development Tools 2N7001TEVM
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TEVMTexas Instruments2N7001T Level Translator Evaluation Board
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TEVMTexas Instruments2N7001T Level Translator Evaluation Board
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TEVMTexas Instruments2N7001T Level Translator Evaluation Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TEVMTexas InstrumentsDescription: EVAL BOARD FOR 2N7001T
Packaging: Bulk
Function: Level Shifter
Type: Interface
Utilized IC / Part: 2N7001T
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 37155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.07 EUR
22+0.81 EUR
100+0.55 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.28 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsTranslation - Voltage Levels Automotive 1-bit dua l-supply buffered vo
auf Bestellung 33780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.06 EUR
10+0.81 EUR
100+0.55 EUR
250+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1020000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4588+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 4588
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002UMWTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 UMW T2N7002 UMW
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
18000+0.092 EUR
36000+0.083 EUR
54000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 207000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002JUXINGTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JUXING T2N7002 JUX
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002DIOTECTransistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC
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2N7002Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
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2N7002Infineon TechnologiesMOSFETs
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2N7002DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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2N7002MLCCBASETransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; 2N7002 MLCCBASE T2N7002 MLC
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2N7002ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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2N7002GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL
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2N7002
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2N7002Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd.MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
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2N7002Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT 2N70
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2N7002Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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2N7002onsemi / FairchildMOSFETs N-CHANNEL 60V 115mA
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002onsemiDescription: MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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43+0.42 EUR
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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6000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
12000+0.14 EUR
27000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 114000 Stücke:
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2N7002NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
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2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 234
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2718000 Stücke:
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3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.088 EUR
24000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002 SLKOR T2N7002 SLK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 8600 Stücke:
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1000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
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3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
24000+0.09 EUR
45000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Mindestbestellmenge: 1000
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 114000 Stücke:
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3000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
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2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 603000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4927+0.029 EUR
9000+0.022 EUR
45000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 4927
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2N7002DIOTECTransistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002NexperiaMOSFETs SOT23 N CHAN 60V
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2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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2N7002Microchip TechnologyMOSFETs 60V 7.5Ohm
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2N7002Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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934+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 932
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2N7002Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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157+0.11 EUR
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2766000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
24000+0.1 EUR
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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2N7002LGETrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002 LGE T2N7002 LGE
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2N7002MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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2N7002GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL
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2N7002PanJit InternationalMOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
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2N7002STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 0.20 A 1.8 Ohm STripFET
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2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 153299 Stücke:
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1025+0.07 EUR
1389+0.051 EUR
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002onsemiDescription: MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 87000 Stücke:
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3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
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2N7002HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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6000+0.058 EUR
60000+0.053 EUR
300000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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2N7002NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
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2N7002Yangjie Electronic TechnologyN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
auf Bestellung 990000 Stücke:
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10205+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 10205
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2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4808+0.03 EUR
9000+0.024 EUR
24000+0.023 EUR
45000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 4808
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002SHIKUESTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002 SHIKUES T2N7002 SHK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2N7002ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 512706 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 942000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3938+0.036 EUR
9000+0.026 EUR
24000+0.019 EUR
45000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 3938
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2N7002HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 HXY MOSFET T2N7002 HXY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
30000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 156509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2858+0.05 EUR
3290+0.042 EUR
9000+0.034 EUR
24000+0.028 EUR
30000+0.026 EUR
45000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 2858
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2N7002DIOTECTransistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
295+0.24 EUR
382+0.19 EUR
421+0.17 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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2N7002Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N
auf Bestellung 120990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+0.19 EUR
20+0.14 EUR
100+0.12 EUR
500+0.095 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.062 EUR
9000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.044 EUR
6000+0.038 EUR
9000+0.032 EUR
15000+0.029 EUR
30000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2718000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.088 EUR
24000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
auf Bestellung 1755000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7937+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 7937
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4879+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 4879
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2N7002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 74287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.41 EUR
295+0.24 EUR
382+0.19 EUR
421+0.17 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
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2N7002(Transistor)
Produktcode: 47271
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HottechTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
JHGF: SMD
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2N7002 BK PBFREECentral SemiconductorMOSFETs N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs
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2N7002 BK PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Box
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002 BK PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 Box
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2N7002 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
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11+0.28 EUR
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3000+0.069 EUR
6000+0.058 EUR
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2N7002 L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
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2N7002 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002 T/RPANJIT0604+
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2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorMOSFETs N-Ch 60V .2A
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100+0.19 EUR
3000+0.13 EUR
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2N7002 TR PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 198845 Stücke:
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63+0.28 EUR
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2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002 TR PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 198000 Stücke:
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9000+0.12 EUR
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2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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12000+0.17 EUR
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2N7002 TR TIN/LEADCentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002 TR TIN/LEADCentral SemiconductorMOSFETs N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 350mW
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2N7002 TR13 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002 TR13 PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002 TR13 PBFREECentral SemiconductorMOSFETs N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs
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5000+0.17 EUR
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2N7002 TR13 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002 TR13 TIN/LEADCentral SemiconductorMOSFET N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 115mA 350mW
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2N7002(12P)PHILIPSSOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
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2N7002(702)
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2N7002,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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3290+0.043 EUR
24000+0.038 EUR
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2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 258000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4485+0.032 EUR
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2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3760+0.038 EUR
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2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 257 Stücke:
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2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4082+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 4082
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2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3290+0.043 EUR
18000+0.038 EUR
27000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3290
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2N7002,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 132117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.3 EUR
91+0.19 EUR
201+0.088 EUR
500+0.07 EUR
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2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 597000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4367+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 4367
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2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2817+0.051 EUR
3876+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 2817
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 249000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4465+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 4465
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2N7002,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 0,3 А; Ptot, Вт = 0,83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Rds = 5 Ом @ 500 мА, 10 В; Tексп, °C = -65...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 1440 Stücke:
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2N7002,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 895801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1908000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2445+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 2445
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1590000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4406+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 4406
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5077+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 5077
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 555000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4406+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 4406
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,215NXPTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 30V; 5Ohm; 300mA; 830mW; -65°C~150°C; 2N7002.215; 2N7002,215 T2N7002 NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002,215NexperiaMOSFETs SOT23 N CHAN 60V
auf Bestellung 334706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.32 EUR
15+0.19 EUR
100+0.093 EUR
500+0.074 EUR
1000+0.072 EUR
3000+0.04 EUR
24000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 249000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4465+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 4465
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4485+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 4485
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 131000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5388000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4465+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 4465
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2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1862858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15152+0.035 EUR
100000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 15152
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2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2445+0.058 EUR
3000+0.05 EUR
6000+0.042 EUR
15000+0.035 EUR
30000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 2445
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2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4673+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 4673
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2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5388000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
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2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1686000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4348+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 4348
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2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 26403 Stücke:
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358+0.2 EUR
511+0.14 EUR
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1047+0.068 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26403 Stücke:
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358+0.2 EUR
511+0.14 EUR
832+0.086 EUR
1047+0.068 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,235NEXPERIA2N7002.235 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,235NexperiaMOSFETs 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET
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13+0.23 EUR
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1000+0.072 EUR
5000+0.07 EUR
10000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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10000+0.056 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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10000+0.039 EUR
20000+0.035 EUR
50000+0.031 EUR
100000+0.026 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,235Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 3414 Stücke:
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56+0.32 EUR
79+0.22 EUR
160+0.11 EUR
500+0.087 EUR
1000+0.073 EUR
2000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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10000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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10000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,235NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,235Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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10000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-01-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-FDiodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1296+0.11 EUR
1504+0.092 EUR
1997+0.066 EUR
3000+0.054 EUR
6000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 1296
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 340000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.046 EUR
20000+0.041 EUR
30000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 670000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
100+0.72 EUR
500+0.14 EUR
600+0.12 EUR
1640+0.043 EUR
10000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.045 EUR
20000+0.04 EUR
30000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13-F-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
20000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
20000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V 200mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7-FMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7-F
Produktcode: 186256
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CJTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
JHGF: SMD
auf Bestellung 2879 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7-FDIODES/ZETEXTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.16 EUR
676+0.11 EUR
951+0.075 EUR
1042+0.069 EUR
1117+0.064 EUR
3031+0.024 EUR
3206+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1047000 Stücke:
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9000+0.024 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3387000 Stücke:
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2N7002-7-FDiodes INC.N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,37; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
auf Bestellung 685 Stücke:
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2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
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2N7002-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 60V 200mW
auf Bestellung 207686 Stücke:
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12+0.25 EUR
19+0.15 EUR
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500+0.074 EUR
1000+0.062 EUR
3000+0.04 EUR
6000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 771704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.25 EUR
122+0.14 EUR
238+0.074 EUR
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2N7002-7-F
Produktcode: 170068
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DiodesTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
JHGF: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7-FDIODES/ZETEXTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 59910 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1635000 Stücke:
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3938+0.036 EUR
6000+0.032 EUR
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Mindestbestellmenge: 3938
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2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3387000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3938+0.036 EUR
6000+0.032 EUR
9000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3938
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2N7002-7-FDIODES/ZETEXTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 38500 Stücke:
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3000+0.053 EUR
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2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1047000 Stücke:
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4000+0.036 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 768000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
9000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
676+0.11 EUR
951+0.075 EUR
1042+0.069 EUR
1117+0.064 EUR
3031+0.024 EUR
3206+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1635000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7-F-50Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7-F.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23, FULL REEL
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-CTAnalog Power Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 0.6A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 15 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
31+0.57 EUR
100+0.34 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-D87ZON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-D87ZON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 5087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-D87ZON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-F169ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-F2-0000HFYYTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002 SOT23 YANGJIE T2N7002 YY
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.51 EUR
43+0.42 EUR
100+0.22 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
286+0.5 EUR
293+0.47 EUR
301+0.44 EUR
308+0.41 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 286
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.14 EUR
147+0.94 EUR
172+0.77 EUR
200+0.71 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.99 EUR
25+0.84 EUR
100+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-GComchip TechnologyMOSFETs BVDD=60V ID=200mA
auf Bestellung 60288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.59 EUR
10+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - 2N7002-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
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2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002-GonsemiMOSFETs FET 60V 5.0 OHM
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2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
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2N7002-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 0.8A; SOT23-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 0.8A
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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105+0.69 EUR
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122+0.59 EUR
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2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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286+0.48 EUR
293+0.45 EUR
301+0.42 EUR
308+0.4 EUR
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2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
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2N7002-GComchip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 0.8A; SOT23-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 0.8A
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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105+0.69 EUR
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2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.68 EUR
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2N7002-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.081 EUR
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2N7002-HFComchip TechnologyN-Channel MOSFET
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2N7002-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
auf Bestellung 5544 Stücke:
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40+0.44 EUR
66+0.27 EUR
153+0.12 EUR
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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2N7002-HFComchip TechnologyMOSFETs 0.25A 60V N-CHANNEL MOSFET
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8+0.4 EUR
11+0.26 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.093 EUR
9000+0.067 EUR
24000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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2N7002-HFComchip TechnologyN-Channel MOSFET
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2N7002-L
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2N7002-L T/RDIODES0841+
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N7002-LT/RPANJITSOT-23 08+
auf Bestellung 2800 Stücke:
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2N7002-MTF
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2N7002-NLFIARCHILD07+
auf Bestellung 3010 Stücke:
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2N7002-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-2N7002K-GE3
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2N7002-T1
Produktcode: 15283
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 07.05.2015
JHGF: SMD
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2N7002-T1VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.69 EUR
282+0.49 EUR
335+0.4 EUR
459+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 208
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2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+0.43 EUR
459+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 335
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2N7002-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.17 EUR
521+0.14 EUR
737+0.097 EUR
1303+0.055 EUR
1378+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
466+0.31 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.25 EUR
5000+0.23 EUR
10000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 466
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
521+0.14 EUR
737+0.097 EUR
1303+0.055 EUR
1378+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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2N7002-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.53 EUR
19+0.95 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 0.115A 0.2W
auf Bestellung 419945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.46 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-E3-LVishay / SiliconixMOSFETs 60V 0.115A 0.2W
Produkt ist nicht verfügbar
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2N7002-T1-ERVishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
235+0.31 EUR
410+0.18 EUR
590+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 235
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 5928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.11 EUR
26+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1142+0.13 EUR
1306+0.11 EUR
1365+0.097 EUR
2000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 1142
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+0.31 EUR
410+0.18 EUR
590+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 235
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2N7002-T1-JITVishay / SiliconixMOSFETs
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2N7002-T1/72VISHAY
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N7002-T1/72KBLSI
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N7002-T1/72NSILICONIX
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N7002-T2VishayMOSFET
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2N7002-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50729 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2500+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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2N7002-TPMicro Crystal
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4762+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4762
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2N7002-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.047 EUR
6000+0.042 EUR
9000+0.039 EUR
15000+0.036 EUR
21000+0.034 EUR
30000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1290000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6803+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 6803
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2N7002-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 29455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 50729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs 60V, 115mA
auf Bestellung 109719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.21 EUR
19+0.15 EUR
100+0.072 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4762+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4762
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4762+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4762
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2N7002-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 29455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 52941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.25 EUR
122+0.14 EUR
197+0.09 EUR
500+0.065 EUR
1000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4762+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4762
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2N7002-TP (2N7002-7-F)
Produktcode: 39940
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MCCTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 07.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
verfügbar 139 Stück:
1+0.036 EUR
10+0.024 EUR
100+0.023 EUR
1000+0.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-TP-B014Micro Commercial Components (MCC)MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-TP-HFMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-TP-HFMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-TRCentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002.215MOSFET 60V 0.3A (1.2A pulse), N Channel SOT-23-3
auf Bestellung 9956 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002.215
Produktcode: 73129
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NXPTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-236AB
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.025 EUR
10+0.022 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.018 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/12PPHILIPS
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/12WPHILIPS
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/700207+ SOT-23
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/702
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/GPHILIPSSOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/HAMRNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002/HAMR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3579000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3578830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15152+0.035 EUR
100000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 15152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/HAMRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.068 EUR
6000+0.061 EUR
9000+0.057 EUR
15000+0.053 EUR
21000+0.05 EUR
30000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/HAMRNEXPERIA60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 402000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.062 EUR
6000+0.054 EUR
9000+0.049 EUR
15000+0.043 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.036 EUR
75000+0.031 EUR
150000+0.029 EUR
300000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2630+0.071 EUR
6000+0.061 EUR
9000+0.055 EUR
15000+0.049 EUR
21000+0.045 EUR
30000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 2630
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 34164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2353+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 2353
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 38425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2630+0.063 EUR
3000+0.046 EUR
6000+0.044 EUR
9000+0.033 EUR
15000+0.031 EUR
21000+0.028 EUR
30000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 2630
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/HAMRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 47319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.33 EUR
86+0.21 EUR
139+0.13 EUR
500+0.093 EUR
1000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 402000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2630+0.063 EUR
3000+0.047 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.033 EUR
15000+0.032 EUR
21000+0.028 EUR
30000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 2630
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 34164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2353+0.061 EUR
3000+0.047 EUR
6000+0.034 EUR
15000+0.031 EUR
30000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 2353
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/HAMRNexperiaMOSFETs 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 13771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.35 EUR
14+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.072 EUR
3000+0.055 EUR
9000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002/S711215NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002702FAIRCHILD00+ 23
auf Bestellung 5300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N7002; 280mA; 60V; 350mW; 7,5R; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; DIOTEC (шт)
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2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002ADiodes IncorporatedMOSFET
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2N7002ADIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 19595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.14 EUR
834+0.086 EUR
1270+0.056 EUR
1719+0.042 EUR
3650+0.02 EUR
3847+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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2N7002ADIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19595 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.14 EUR
834+0.086 EUR
1270+0.056 EUR
1719+0.042 EUR
3650+0.02 EUR
3847+0.019 EUR
24000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
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2725+0.052 EUR
3290+0.042 EUR
3437+0.039 EUR
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2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
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5435+0.026 EUR
9000+0.023 EUR
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2N7002A
Produktcode: 161144
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ADiotec SemiconductorDescription: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 2478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+0.19 EUR
162+0.11 EUR
238+0.074 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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2N7002ADiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N
auf Bestellung 6399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+0.2 EUR
24+0.12 EUR
100+0.079 EUR
500+0.062 EUR
1000+0.053 EUR
3000+0.035 EUR
9000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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2N7002AKECN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,88 В @ 115 мА; SOT-23-3
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5320+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 5320
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2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.5A
Gate charge: 2.4nC
Technology: TRENCH POWER MV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.5A
Gate charge: 2.4nC
Technology: TRENCH POWER MV
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ADiotec Semiconductor2N7002A
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5129+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 5129
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2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.066 EUR
6000+0.054 EUR
9000+0.038 EUR
27000+0.03 EUR
51000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002ADiotec SemiconductorDescription: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.047 EUR
6000+0.046 EUR
9000+0.044 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3279+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3279
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.19 EUR
556+0.13 EUR
826+0.087 EUR
921+0.078 EUR
1583+0.045 EUR
1673+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
556+0.13 EUR
826+0.087 EUR
921+0.078 EUR
1583+0.045 EUR
1673+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3268+0.044 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3279+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3279
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
auf Bestellung 73061 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.28 EUR
96+0.18 EUR
180+0.098 EUR
1000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.29 EUR
15+0.19 EUR
100+0.095 EUR
3000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002A-7 T2N7002A-7 Diodes
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3559+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3559
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-AQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-RTK/PKECSOT23
auf Bestellung 8770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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2N7002A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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2N7002A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.32 EUR
90+0.2 EUR
145+0.12 EUR
500+0.089 EUR
1000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 60Vds 30Vgs 40Vgsm 115mA 300mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 759000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6098+0.023 EUR
189000+0.021 EUR
378000+0.019 EUR
567000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 6098
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2N7002A/7002N/A08+ SOT-23
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2N7002AKDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18000+0.022 EUR
27000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 18000
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2N7002AKDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AKDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18000+0.076 EUR
24000+0.072 EUR
30000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 18000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AK-QRNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Power Dissipation (Max): 320mW
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002AK-QRNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
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2N7002AK-QRNexperiaMOSFETs SOT23 N CHAN 60V
auf Bestellung 32717 Stücke:
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13+0.22 EUR
22+0.13 EUR
100+0.083 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.053 EUR
3000+0.046 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AK-QRNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AK-QRNEXPERIAN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
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2N7002AK-QRNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Power Dissipation (Max): 320mW
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.21 EUR
136+0.13 EUR
221+0.08 EUR
500+0.058 EUR
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AKM-QYLNexperiaMOSFETs 60 V, N-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 7940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.35 EUR
13+0.23 EUR
100+0.15 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.077 EUR
2500+0.069 EUR
5000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AKM-QYLNexperia USA Inc.Description: 2N7002AKM-Q/SOT883/XQFN3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.2 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AKQB-QZNexperia USA Inc.Description: 2N7002AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Packaging: Tape & Reel (TR)
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2N7002AKQB-QZNexperia USA Inc.Description: 2N7002AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
46+0.39 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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2N7002AKQB-QZNexperiaMOSFETs 60 V, N-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 4347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.71 EUR
10+0.53 EUR
100+0.3 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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2N7002AKRA-QZNexperiaMOSFETs 60 V, dual N-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 4175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.6 EUR
10+0.41 EUR
100+0.26 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.1 EUR
5000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AKS-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002AKS-QXNEXPERIAN-channel MOSFET
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2N7002AKS-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002AKS-QX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002AKS-QXNexperiaN-channel MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AKS-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002AKS-QX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AKS-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
42+0.43 EUR
100+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AKS-QXNexperiaN-channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AKS-QXNexperiaMOSFETs SOT363 N CHAN 60V
auf Bestellung 7204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.44 EUR
10+0.28 EUR
100+0.18 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.081 EUR
6000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AKW-QXNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AKW-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AKW-QXNexperiaMOSFETs SOT323 N CHAN 60V
auf Bestellung 7463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.3 EUR
15+0.2 EUR
100+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.072 EUR
3000+0.056 EUR
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AKW-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002AKW-QX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AKW-QXNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AKW-QXNEXPERIAN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AKW-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002AKW-QX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AKW-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
67+0.26 EUR
137+0.13 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-13
Produktcode: 208052
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.34 EUR
20000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
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2N7002AQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 535260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.32 EUR
84+0.21 EUR
190+0.093 EUR
500+0.089 EUR
1000+0.076 EUR
2000+0.073 EUR
5000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
468+0.15 EUR
1015+0.07 EUR
1568+0.046 EUR
1603+0.045 EUR
1656+0.043 EUR
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2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002AQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
auf Bestellung 1959 Stücke:
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295+0.24 EUR
468+0.15 EUR
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1568+0.046 EUR
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2N7002AQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002AQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 530000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.065 EUR
20000+0.05 EUR
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2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 560000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 10000
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2N7002AQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family
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14+0.21 EUR
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500+0.083 EUR
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5000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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2N7002AQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9125 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 520000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 10000
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2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 560000 Stücke:
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2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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20000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
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2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 776 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
auf Bestellung 1621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.23 EUR
486+0.15 EUR
715+0.1 EUR
841+0.085 EUR
1563+0.046 EUR
1621+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 313
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2N7002AQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002AQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family
auf Bestellung 34470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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12+0.24 EUR
100+0.15 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.051 EUR
6000+0.049 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 207573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.37 EUR
76+0.23 EUR
122+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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2N7002AQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3258+0.044 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.035 EUR
15000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3258
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 207000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.051 EUR
6000+0.049 EUR
9000+0.044 EUR
15000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1621 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
486+0.15 EUR
715+0.1 EUR
841+0.085 EUR
1563+0.046 EUR
1621+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002B-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002B-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKNexperiaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK
Produktcode: 73117
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 303000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3125+0.046 EUR
150000+0.04 EUR
225000+0.036 EUR
300000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NXP SemiconductorsMOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
auf Bestellung 14625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NexperiaMOSFETs SOT23 N CHAN 60V
auf Bestellung 1078483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.16 EUR
25+0.11 EUR
100+0.09 EUR
500+0.072 EUR
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 349173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
162+0.11 EUR
208+0.085 EUR
500+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 111727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 336000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4116+0.035 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NXPTrans MOSFET N-CH 60V 0.350A 2N7002BK T2N7002bk
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 969000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4185+0.034 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4185
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2689+0.053 EUR
3268+0.042 EUR
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 2689
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14086 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
404+0.18 EUR
678+0.11 EUR
1819+0.039 EUR
1924+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 336000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4099+0.035 EUR
6000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 4099
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 348000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.039 EUR
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 111727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 14086 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.24 EUR
404+0.18 EUR
678+0.11 EUR
1819+0.039 EUR
1924+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 303000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3425+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3425
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NXPТранз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT23 Vds=60V, 350 mA
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+0.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 336000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 62465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 969000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4185+0.034 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4185
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 43880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15152+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 15152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2689+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 2689
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKM,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
286+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 286
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKM,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKM,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKM,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKM/V,315NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL SIGNA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKM/VYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.45A 3-Pin DFN Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKM315Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL S
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKMB,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKMB,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.45A 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKMB,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKMB,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN-B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKSNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
6000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.065 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.047 EUR
24000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 119750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7264+0.074 EUR
10000+0.063 EUR
100000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 7264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 3908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.33 EUR
278+0.26 EUR
344+0.21 EUR
412+0.17 EUR
498+0.14 EUR
815+0.088 EUR
863+0.083 EUR
1000+0.081 EUR
1500+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 162000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS,115NexperiaMOSFETs SOT363 N CHAN 60V
auf Bestellung 54140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.48 EUR
10+0.34 EUR
100+0.15 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.079 EUR
6000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 295mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.065 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.047 EUR
24000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS,115NXP2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002BKS,115 2N7002BKS,115 T2N7002bks
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 295mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 166292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
51+0.35 EUR
119+0.15 EUR
500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3908 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
278+0.26 EUR
344+0.21 EUR
412+0.17 EUR
498+0.14 EUR
815+0.088 EUR
863+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 295mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS.115
Produktcode: 109130
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NXPTransistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS/DG/B2115Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKS/ZLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKSHNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
47+0.38 EUR
108+0.16 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKSHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKSHNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKSHNexperiaMOSFETs 60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.51 EUR
10+0.36 EUR
100+0.16 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.093 EUR
6000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKT,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.29A Automotive 3-Pin SC-75 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKT,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 290MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKT,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 290MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.11 EUR
8000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.13 EUR
8000+0.12 EUR
12000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
179+0.4 EUR
211+0.34 EUR
268+0.27 EUR
319+0.22 EUR
379+0.19 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 6068 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1774+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 1774
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV,115NexperiaMOSFETs SOT666 N CHAN 60V
auf Bestellung 52377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.62 EUR
10+0.44 EUR
100+0.2 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1774+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 1774
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 29318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
38+0.47 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 6068 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1389+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1389
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+0.56 EUR
179+0.4 EUR
211+0.34 EUR
268+0.27 EUR
319+0.22 EUR
379+0.19 EUR
650+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.11 EUR
8000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV/DG/B2115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKVLNexperiaMOSFETs 60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 27926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.3 EUR
17+0.17 EUR
100+0.1 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.058 EUR
2500+0.055 EUR
5000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 179232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5601+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5601
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKVLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 192482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.035 EUR
20000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.28 EUR
112+0.16 EUR
188+0.094 EUR
500+0.073 EUR
1000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKVLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 11640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.24 EUR
397+0.18 EUR
481+0.15 EUR
770+0.093 EUR
933+0.077 EUR
1667+0.043 EUR
1767+0.04 EUR
2500+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 182317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5601+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5601
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKVLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11640 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
397+0.18 EUR
481+0.15 EUR
770+0.093 EUR
933+0.077 EUR
1667+0.043 EUR
1767+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.035 EUR
20000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15152+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 15152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKWNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 275mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.055 EUR
6000+0.052 EUR
9000+0.047 EUR
15000+0.046 EUR
21000+0.043 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 8370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.31 EUR
325+0.22 EUR
385+0.19 EUR
579+0.12 EUR
690+0.1 EUR
1169+0.061 EUR
1235+0.058 EUR
1500+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1078+0.21 EUR
2000+0.099 EUR
6000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 1078
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 310 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Qg, нКл = 0,6; Rds = 1.6 @ 500mA, 10V Ом; Ugs(th) = 2,1 @ 250µA В; Р, Вт = 0,275 (Ta); Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-323
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3077+0.046 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.035 EUR
15000+0.034 EUR
21000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 3077
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NexperiaMOSFETs 60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 16295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.38 EUR
12+0.24 EUR
100+0.12 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.081 EUR
3000+0.056 EUR
6000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 29975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4202+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 4202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NXPTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW; 2N7002BKW,115 T2N7002bkw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 275mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.37 EUR
75+0.24 EUR
149+0.12 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3077+0.046 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.035 EUR
15000+0.034 EUR
21000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 3077
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3040+0.047 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.036 EUR
15000+0.034 EUR
21000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3040
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
325+0.22 EUR
385+0.19 EUR
579+0.12 EUR
690+0.1 EUR
1169+0.061 EUR
1235+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 29975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4202+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 4202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002CKNexperia Inc.MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002CKNexperia USA Inc.Description: 2N7002 - SMALL SIGNAL FIELD-EFFE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002CKNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002CK,215NXPТранз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002CK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9260+0.058 EUR
10381+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 9260
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002CK,215NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002CK,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002CK,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 300 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 55 @ 25; Qg, нКл = 1,3 @ 4,5 В; Rds = 1,6 Ом @ 500 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 4284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002CK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002CKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 280000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002CKVLNexperiaMOSFET 60V N-CHANNEL 0.3A
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002CKVLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002CKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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2N7002CSMSemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin CLLCC-1
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2N7002CSM-QR-EBCSemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin LCC-1
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2N7002D87ZFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002DS6Rectron USADescription: MOSFET 2 N-CH 60V 250MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363-6L
Part Status: Active
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2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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9000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 306
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2N7002DWonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 45000 Stücke:
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3000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
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2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
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3000+0.12 EUR
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15000+0.1 EUR
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2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
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3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
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3000+0.11 EUR
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2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
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2N7002DWONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 205408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
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3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002DWONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.41 EUR
283+0.25 EUR
368+0.19 EUR
414+0.17 EUR
500+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
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2N7002DWonsemi / FairchildMOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect
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10+0.32 EUR
100+0.24 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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2N7002DWonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 45374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
57+0.31 EUR
100+0.23 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002DWONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4644 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
283+0.25 EUR
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500+0.14 EUR
550+0.13 EUR
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2N7002DW
Produktcode: 174754
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2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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2N7002DWONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 205408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002DW H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
auf Bestellung 168888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.52 EUR
10+0.39 EUR
100+0.22 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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2N7002DW K72..DIODES/ZETEXTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002DW-7-F 2N7002DW T2N7002dw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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2N7002DW L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW L6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
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2N7002DW-13-GDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-13-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V 200mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3108 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
463+0.15 EUR
684+0.1 EUR
1214+0.059 EUR
1286+0.056 EUR
12000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 166298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5236+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 5236
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.078 EUR
6000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 462000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.079 EUR
6000+0.065 EUR
9000+0.05 EUR
24000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.29 EUR
463+0.15 EUR
684+0.1 EUR
1214+0.059 EUR
1286+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 42510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.48 EUR
60+0.3 EUR
100+0.18 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 462000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.079 EUR
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2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002DW-7-F
Produktcode: 143738
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Transistoren > MOSFET N-CH
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2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 60V 200mW
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2N7002DW-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
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Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.091 EUR
6000+0.077 EUR
9000+0.067 EUR
15000+0.066 EUR
21000+0.065 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002DW-7-FMulticompN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
auf Bestellung 12112 Stücke:
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2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002DW-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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2N7002DW-7-F.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002DW-7-F. - MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 4.4OHM, 115mA, SOT-363-6
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
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2N7002DW-7-GDiodes IncorporatedMOSFETs
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2N7002DW-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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2N7002DW-GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Last Time Buy
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88
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390+0.37 EUR
636+0.22 EUR
1002+0.13 EUR
1211+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 390
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Last Time Buy
auf Bestellung 4485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.99 EUR
29+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-GonsemiMOSFETs FET 60V 2.0 MOHM
auf Bestellung 8 Stücke:
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3+1.09 EUR
10+0.68 EUR
100+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
45000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 555000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.096 EUR
6000+0.095 EUR
9000+0.094 EUR
15000+0.088 EUR
21000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs Dual N-CH 60V 115mA
auf Bestellung 12484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.57 EUR
10+0.35 EUR
100+0.22 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2N7002DW-TP - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 4.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
319+0.22 EUR
424+0.17 EUR
618+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 198000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
319+0.22 EUR
424+0.17 EUR
618+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2N7002DW-TP - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 4.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 557407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
55+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-TPQ2MCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-TPQ2Micro Commercial ComponentsDual N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW-TPQ2Micro Commercial Components (MCC)MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW1T1GLRCSOT363
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW1T1GONSOT-363 05+
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWA-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWA-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWA-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWAQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWAQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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2N7002DWAQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
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2N7002DWAQ-7Diodes IncDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWH6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
auf Bestellung 12714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.52 EUR
10+0.39 EUR
100+0.22 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.097 EUR
6000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 270000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.075 EUR
6000+0.061 EUR
9000+0.054 EUR
24000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 108780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 417000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.074 EUR
6000+0.061 EUR
9000+0.053 EUR
24000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
944+0.15 EUR
1252+0.11 EUR
1520+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 944
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2N7002DWH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12271 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
243+0.29 EUR
323+0.22 EUR
483+0.15 EUR
564+0.13 EUR
1458+0.049 EUR
1544+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 243
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2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 291000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.074 EUR
6000+0.061 EUR
9000+0.054 EUR
24000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002DWH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 12271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.29 EUR
323+0.22 EUR
483+0.15 EUR
564+0.13 EUR
1458+0.049 EUR
1544+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 243
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2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
auf Bestellung 94111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.48 EUR
60+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.4 EUR
627+0.22 EUR
944+0.14 EUR
1252+0.1 EUR
1520+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 387000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002DWH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 108780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 175885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
953+0.15 EUR
1271+0.11 EUR
2000+0.1 EUR
15000+0.091 EUR
30000+0.077 EUR
60000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 953
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2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
auf Bestellung 162165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.44 EUR
11+0.26 EUR
100+0.19 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 417000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.074 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.053 EUR
24000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.096 EUR
6000+0.082 EUR
9000+0.073 EUR
15000+0.07 EUR
30000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWK-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWK-13Diodes Inc2N7002 Family SOT363 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWK-13Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWK-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 261mA; Idm: 1.1A; 450mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 261mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.04nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.1A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 2536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.32 EUR
87+0.2 EUR
110+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWK-7Diodes Inc2N7002 Family SOT363 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWK-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
auf Bestellung 4283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.33 EUR
13+0.22 EUR
100+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
6000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWK-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 261mA; Idm: 1.1A; 450mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 261mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.04nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWKX-13Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWKX-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWKX-7Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWKX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWL-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT23-6L
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWL-TPMicro Commercial ComponentsDual N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWL-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET Dual N-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWL6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWQ-13-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5839570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
40+0.45 EUR
100+0.34 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWQ-13-FDiodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 10K
auf Bestellung 9579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+0.46 EUR
100+0.31 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.2 EUR
2500+0.19 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWQ-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWQ-13-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWQ-13-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5830000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWQ-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 6110000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWQ-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002DWQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DWQ-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002DWQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 14311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.56 EUR
42+0.42 EUR
100+0.24 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.079 EUR
6000+0.071 EUR
9000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002DWQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 0.8A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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2N7002DWQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 0.8A
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2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
6000+0.072 EUR
9000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002DWQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DWQ-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002DWQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.096 EUR
9000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002DWQ-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A
auf Bestellung 154076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.55 EUR
10+0.43 EUR
100+0.24 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1799+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 1799
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2N7002DWS-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 247mA; Idm: 1.8A; 370mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 247mA
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N7002DWS-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 247mA; Idm: 1.8A; 370mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 247mA
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.8A
Produkt ist nicht verfügbar
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2N7002DWS-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 2501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.62 EUR
10+0.38 EUR
100+0.18 EUR
500+0.15 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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2N7002DWS-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002DWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.6 EUR
48+0.37 EUR
100+0.2 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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2N7002DWS-7Diodes IncDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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2N7002DWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.096 EUR
9000+0.089 EUR
30000+0.088 EUR
75000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002DWT/RPANJITSOT-363 09+
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N7002EDiodes IncorporatedMOSFETs
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2N7002EShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 60V 300MA 3@10V,500MA 225MW N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
auf Bestellung 32623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.033 EUR
6000+0.029 EUR
9000+0.027 EUR
15000+0.025 EUR
21000+0.023 EUR
30000+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002EPanasonicMOSFETs Nch MOSFET 60V 0.3A RDS(on)=3ohms SOT-23
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2N7002EVishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23
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2N7002ENXPSOT23/SOT323
auf Bestellung 1772 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N7002EVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT 2N70
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2N7002EShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 60V 300MA 3@10V,500MA 225MW N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002EonsemiMOSFETs NFET SOT23 60V 115MA 7MO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ESILICONIX
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002E,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002E,215NexperiaMOSFETs TAPE7 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002E,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.385A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002E,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002E-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1938000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2052000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 969000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3425+0.042 EUR
6000+0.026 EUR
9000+0.025 EUR
15000+0.023 EUR
21000+0.022 EUR
30000+0.021 EUR
75000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3425
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002E-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.3 EUR
115+0.15 EUR
215+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1950000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 906000 Stücke:
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2N7002E-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2N7002E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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2N7002E-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N7002E-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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