Technische Details 2N7002-D87Z ON Semiconductor / Fairchild
Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 200mW (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote 2N7002-D87Z
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2N7002_D87Z | Fairchild Semiconductor |
 Description: MOSFET NCH 60V 115MA SOT23 |
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2N7002-D87Z | ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 |
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2N7002-D87Z | ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 |
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| 2N7002D87Z | Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200mW (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active |
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| 2N7002_D87Z |
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Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET NCH 60V 115MA SOT23
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| 2N7002-D87Z |
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Hersteller: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
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| 2N7002-D87Z |
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Hersteller: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
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| 2N7002D87Z |
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Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
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