2N5551 (Bipolartransistor NPN) (Fairchild) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31024
Hersteller: FairchildGehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250

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1000 Stück - erwartet
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Technische Details 2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Preis 2N5551 (Bipolartransistor NPN) ab 0.02 EUR bis 1.63 EUR
Produktcode: 175303 Hersteller: Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN ![]() |
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2N5551 Hersteller: HOTTECH NPN 600mA 160V 625mW Trans. 2N5551 TO92 T2N5551 Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N5551 Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Material: 2N5551-DIO NPN THT transistors ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N5551 Hersteller: 2N5551 NPN 160V 60mA 0.625W TO92 ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N5551 Hersteller: Diotec Semiconductor Description: BJT TO-92 160V 600MA Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Packaging: Strip Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92 ![]() |
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2N5551 Hersteller: Diotec Semiconductor Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, TO-92, 160V, 600mA, NPN ![]() ![]() ![]() ![]() |
auf Bestellung 23487 Stücke ![]() Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N5551 Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Material: 2N5551-DIO NPN THT transistors ![]() ![]() ![]() ![]() |
22690 Stücke |
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2N5551 Hersteller: Diotec Semiconductor Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo ![]() |
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2N5551 Hersteller: Diotec Semiconductor Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo ![]() |
4023 Stücke |
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2N5551 Hersteller: Diotec Semiconductor Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo ![]() |
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2N5551 Hersteller: Rectron Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN 0.6A 160V HighVol ![]() |
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2N5551 Hersteller: NXP Semiconductors Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD ![]() |
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2N5551 Hersteller: onsemi Bipolar Transistors - BJT 600mA 180V NPN ![]() |
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2N5551 Hersteller: ---- NPN, U=160V, I=0.6A, 0.625, 100, TO-92 2N5551-(to-92) ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N5551 Hersteller: ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT 600mA 180V NPN ![]() |
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2N5551 Hersteller: Diotec Semiconductor Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N5551 Hersteller: Diotec Semiconductor Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N5551 Hersteller: Diotec Transistor: NPN, bipolar, 180V, 600mA, 625mW, TO92, Ammo Pack ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N5551 Hersteller: Fairchild Semiconductor Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Bulk ![]() |
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2N5551 Hersteller: NTE Electronics, Inc Description: T-NPN SI- HIV AMP Power - Max: 625 mW Packaging: Bag Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads ![]() |
auf Bestellung 3384 Stücke ![]() Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N5551 Hersteller: onsemi Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA ![]() |
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2N5401 Produktcode: 4034 |
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Hersteller: Farchild Semiconductor
Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150
U, V: 160
I, А: 0.6
h21,max: 400
250 Stück - stock KölnTransistoren - Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150
U, V: 160
I, А: 0.6
h21,max: 400
auf Bestellung 17877 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
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BD139 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 4745 |
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Hersteller: NXP
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
55 Stück - stock KölnTransistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
3091 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
200 Stück - erwartet 31.05.2022
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1N4148 Schaltdiode THT 100V 200mA 4ns Ultraschnell Universaldiode Produktcode: 7711 |
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Hersteller: YJ/Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100
Iav, A: 01.02.2000
Trr, ns: Schneller
Bemerkung: 1N4448
2752 Stück - stock KölnDioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100
Iav, A: 01.02.2000
Trr, ns: Schneller
Bemerkung: 1N4448
8004 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Möglichen Substitutionen |
1N4448 Produktcode: 20338 |
1N4007 Dioden Brücke Produktcode: 1574 |
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Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
№ 7: 8541100090
3145 Stück - stock KölnDioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
№ 7: 8541100090
18941 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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