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2N5551 (Bipolartransistor NPN)

2N5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild

2N5551.pdf
Produktcode: 31024
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
auf Bestellung 790 St.:
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2N5551 2N5551
Produktcode: 193606
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Hersteller : Hottech 2N5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
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2N5551
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 		2N5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf 2N5551.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 13584 Stücke:
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625+0.11 EUR
837+0.086 EUR
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4000+0.028 EUR
8000+0.024 EUR
12000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 625
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2N5551 2N5551 Hersteller : CDIL 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf 2N5551.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 5575 Stücke:
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2000+0.036 EUR
2425+0.03 EUR
2725+0.026 EUR
2975+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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2N5551 2N5551 Hersteller : GOODWORK 2N5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3000+0.011 EUR
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4000 Stücke:
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4000 Stücke:
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4000+0.045 EUR
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2N5551 2N5551 Hersteller : SLKOR T2N5551_SLK_SLKOR_0001.pdf Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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1000+0.049 EUR
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.049 EUR
8000+0.043 EUR
12000+0.041 EUR
20000+0.038 EUR
28000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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2N5551 2N5551 Hersteller : JSMicro Semiconductor T2N5551_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 13588 Stücke:
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2133+0.069 EUR
2639+0.055 EUR
4000+0.045 EUR
8000+0.038 EUR
12000+0.035 EUR
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2N5551 2N5551 Hersteller : FUXINSEMI 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf 2N5551.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 TO92 NPN 180V 600mA 625m T2N5551 FUX
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Anzahl Preis
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2N5551 2N5551 Hersteller : Lumimax Optoelectronic Technology 2N5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.16 EUR
197+0.09 EUR
334+0.053 EUR
500+0.041 EUR
1000+0.033 EUR
2000+0.03 EUR
3000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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2N5551 2N5551 Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 2N5551%20TO-92-3.PDF Description: 160V 625MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.16 EUR
179+0.099 EUR
294+0.06 EUR
500+0.043 EUR
1000+0.038 EUR
2000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+0.26 EUR
112+0.16 EUR
181+0.098 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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2N5551 2N5551 Hersteller : ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 12731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
486+0.3 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 486
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2N5551 2N5551 Hersteller : MIC 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf 2N5551.pdf NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5551 2N5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5551 2N5551 Hersteller : MULTICOMP PRO 2861202.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5550-2n5551_Diotec.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 180, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 80/125 @ 10 мА, Icutoff-max = 50 нА, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
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2N5401
Produktcode: 209904
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T2N5401_DIOTEC_0001.pdf
2N5401
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92 bent
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 150 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
auf Bestellung 1164 St.:
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0,22 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R22)
Produktcode: 1260
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SQP_080911.pdf
0,22 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R22)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Resistenz: 0,22 Ohm
Leistung: 5W
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
U Betriebs.,V: 750V
Abmessungen, mm: 22,0x10,0x9,5; dAusfuhr.=0,8
Typ: Ausfuhrungs-, Zement-, Draht-
auf Bestellung 160 St.:
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Anzahl Preis
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10+0.14 EUR
100+0.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0,1 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R1)
Produktcode: 2312
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SQP_080911.pdf
0,1 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R1)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Resistenz: 0,1 Ohm
Leistung: 5W
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
U Betriebs.,V: 750V
Abmessungen, mm: 22,0x10,0x9,5; dAusfuhr.=0,8
Typ: Ausfuhrungs-, Zement-, Draht-
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Anzahl Preis
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10+0.09 EUR
100+0.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TL431AIZ
Produktcode: 81324
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description en.CD00001246.pdf
TL431AIZ
Hersteller: ST
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
Gehäuse: TO-92
Kurzbeschreibung: Die Bezugsspannung
Spannung: 2,5...37V
Temp.Bereich: -40…+105°C
Монтаж: THT
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
auf Bestellung 705 St.:
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Anzahl Preis
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100+0.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM324N
Produktcode: 162910
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Flm224 LM324.pdf INSLS09156-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw en.CD00001046.pdf lm2902a-d.pdf
LM324N
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Vc, V: 32 V
BW, MHz: 1,2 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 5 mV
Geschw. Nar., V/mks: 1 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
ZCODE: 4
Монтаж: THT
auf Bestellung 222 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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