2N5551 (Bipolartransistor NPN) (Fairchild) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

2N5551 (Bipolartransistor NPN)

2N5551 (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 31024
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250

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Technische Details 2N5551 (Bipolartransistor NPN)

Preis 2N5551 (Bipolartransistor NPN) ab 0.02 EUR bis 1.63 EUR


Produktcode: 175303
Hersteller:
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

975277

2N5551
Hersteller: HOTTECH
NPN 600mA 160V 625mW Trans. 2N5551 TO92 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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2N5551
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: 2N5551-DIO NPN THT transistors
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2N5551
Hersteller:
2N5551 NPN 160V 60mA 0.625W TO92
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2N5551
2N5551
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: BJT TO-92 160V 600MA
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Strip
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
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960+ 0.082 EUR
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4000+ 0.074 EUR
2N5551
2N5551
Hersteller: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, TO-92, 160V, 600mA, NPN
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2N5551
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: 2N5551-DIO NPN THT transistors
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2N5551
2N5551
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5551
2N5551
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5551
2N5551
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5551
Hersteller: Rectron
Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN 0.6A 160V HighVol
Rectron_11_30_2020_2N5551-1951896.pdf
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2N5551
2N5551
Hersteller: NXP Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD
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2N5551
2N5551
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 180V NPN
2N5551_D-1801438.pdf
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2N5551
Hersteller: ----
NPN, U=160V, I=0.6A, 0.625, 100, TO-92 2N5551-(to-92)
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2N5551
2N5551
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 600mA 180V NPN
2N5551_D-1801438.pdf
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2N5551
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5551
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
FAIRS24024-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N5550%20Rev4.pdf 2N5550_1.pdf 2n5551.pdf
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2N5551
Hersteller: Diotec
Transistor: NPN, bipolar, 180V, 600mA, 625mW, TO92, Ammo Pack
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2N5551
2N5551
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
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2N5551
2N5551
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: T-NPN SI- HIV AMP
Power - Max: 625 mW
Packaging: Bag
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
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2N5551
2N5551
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
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2N5401
Produktcode: 4034
2N5401.pdf
2N5401
Hersteller: Farchild Semiconductor
Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150
U, V: 160
I, А: 0.6
h21,max: 400
250 Stück - stock Köln
auf Bestellung 17877 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.03 EUR
10+ 0.028 EUR
100+ 0.024 EUR
10000+ 0.017 EUR
BD139 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4745
BD135,137,139.pdf
BD139 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
55 Stück - stock Köln
3091 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
200 Stück - erwartet 31.05.2022
1+ 0.1 EUR
10+ 0.088 EUR
100+ 0.08 EUR
1N4148 Schaltdiode THT 100V 200mA 4ns Ultraschnell Universaldiode
Produktcode: 7711
техническая информация 1n4148-datasheet.pdf
1N4148 Schaltdiode THT 100V 200mA 4ns Ultraschnell Universaldiode
Hersteller: YJ/Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100
Iav, A: 01.02.2000
Trr, ns: Schneller
Bemerkung: 1N4448
2752 Stück - stock Köln
8004 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.3 EUR
10+ 0.25 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.0062 EUR
Möglichen Substitutionen
1N4448
Produktcode: 20338
1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574
техническая информация 1N4001-1N4007.pdf
1N4007 Dioden Brücke
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
№ 7: 8541100090
3145 Stück - stock Köln
18941 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.35 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.011 EUR