2N5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild
Produktcode: 31024
Hersteller: FairchildGehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar 36 Stück:
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.06 EUR |
10+ | 0.045 EUR |
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Möglichen Substitutionen 2N5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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2N5551 Produktcode: 193606 |
Hersteller : Hottech |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A ZCODE: THT |
auf Bestellung 630 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 2000 Stück: 2000 Stück - erwartet |
Weitere Produktangebote 2N5551 (Bipolartransistor NPN) nach Preis ab 0.02 EUR bis 0.67 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2N5551 Produktcode: 193606 |
Hersteller : Hottech |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A ZCODE: THT |
auf Bestellung 630 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 2000 Stück: 2000 Stück - erwartet |
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2N5551 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz |
auf Bestellung 7975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 7975 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625/15W Case: TO92 Current gain: 30...250 Mounting: THT Frequency: 100...300MHz |
auf Bestellung 2781 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625/15W Case: TO92 Current gain: 30...250 Mounting: THT Frequency: 100...300MHz Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 2781 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Electronics | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 7975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN |
auf Bestellung 8109 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92 Packaging: Strip Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 3721 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Lumimax Optoelectronic Technology |
Description: TRANS NPN EBC 0.6A 160V TO-92 Packaging: Bulk |
auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : SLKOR |
Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : MIC |
NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551 Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : HOTTECH |
NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551 Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : JSMicro Semiconductor |
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3 |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec | Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80 |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : ---- | NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : onsemi | Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 100MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : Rectron | Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN 0.6A 160V HighVol |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD |
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2N5551 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: BJT TO92 160V NPN 0.625W 150C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: BJT TO92 160V 600MA NPN 0.625W Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: BJT TO92 160V 600MA NPN 0.625W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 Produktcode: 175303 |
Hersteller : Fair |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A ZCODE: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5401 Produktcode: 177484 |
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
auf Bestellung 1868 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)BD139 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 4745 |
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
verfügbar: 41 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.1 EUR |
10+ | 0.088 EUR |
BD140 Produktcode: 15292 |
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 2027 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.14 EUR |
10+ | 0.12 EUR |
1N4007 Produktcode: 176822 |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 41157 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)LM358N Produktcode: 181180 |
Hersteller: HGSEMI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
auf Bestellung 490 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)