Produkte > Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN > 2N5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild
2N5551 (Bipolartransistor NPN)

2N5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild

2N5551.pdf
Produktcode: 31024
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar 36 Stück:
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.05 EUR
100+0.04 EUR
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2N5551 2N5551
Produktcode: 193606
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Hersteller : Hottech 2N5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 1660 Stück:
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2N5551 2N5551
Produktcode: 193606
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Hersteller : Hottech 2N5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 1660 Stück:
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 19389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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3876+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3876
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
691+0.21 EUR
1507+0.10 EUR
1523+0.09 EUR
1537+0.09 EUR
2552+0.05 EUR
2565+0.05 EUR
2794+0.04 EUR
3165+0.04 EUR
3195+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 691
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2N5551 2N5551
Produktcode: 175303
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Hersteller : Fair 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
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2N5551
+1
 		2N5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
848+0.08 EUR
1087+0.07 EUR
1525+0.05 EUR
1873+0.04 EUR
3268+0.02 EUR
3449+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 385
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2N5551
+1
 		2N5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 19389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
848+0.08 EUR
1087+0.07 EUR
1525+0.05 EUR
1873+0.04 EUR
3268+0.02 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2552+0.06 EUR
2778+0.05 EUR
3145+0.04 EUR
3185+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2552
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551 Hersteller : Lumimax Optoelectronic Technology 2N5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
121+0.15 EUR
124+0.14 EUR
155+0.11 EUR
217+0.08 EUR
226+0.08 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 121
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 5332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.29 EUR
22+0.13 EUR
100+0.08 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
4000+0.05 EUR
8000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551 Hersteller : ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 13200 Stücke:
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60+2.85 EUR
120+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 7811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 Hersteller : MIC 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2N5551 Hersteller : JSMicro Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+0.10 EUR
64+0.09 EUR
100+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 Hersteller : Diotec 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.18 EUR
10+0.16 EUR
100+0.15 EUR
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2N5551 Hersteller : JOTRIN ELECTRONICS 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1+0.18 EUR
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2N5551 Hersteller : SLKOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2N5551 2N5551 Hersteller : CDIL 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
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2N5551 Hersteller : Diodes Incorporated 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC 2N5551.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5551 Hersteller : ROHM Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N5551 2N5551 Hersteller : onsemi 2N5551_D-1801438.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N5551 2N5551 Hersteller : NXP Semiconductors 2N5550_5551_4-60942.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5551 Hersteller : Rectron Rectron_11_30_2020_2N5551-1951896.pdf Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN 0.6A 160V HighVol
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2N5551 2N5551 Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf Description: 160V 625MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Bag
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diodes Incorporated 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.2A TO-92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5551 2N5551 Hersteller : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC 2N5551.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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2N5551 2N5551 Hersteller : CDIL 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5401
Produktcode: 177484
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2n5400.pdf LUMIMAX2N5401.PDF 2N5400-01.pdf 5399_2N5401%20TO-92-3.pdf
2N5401
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
auf Bestellung 456 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 Stück:
2000 Stück - erwartet 03.05.2025
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10 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-10KR – Hitano)
Produktcode: 169934
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mfr_series-hitano-datasheet.pdf
10 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-10KR – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
auf Bestellung 9277 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10000 Stück:
10000 Stück - erwartet
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LM358N
Produktcode: 181180
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2011041434_HGSEMI-LM358M-TR_C398078.pdf
LM358N
Hersteller: HGSEMI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
auf Bestellung 487 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1N4148
Produktcode: 176824
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1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
auf Bestellung 12001 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD140
Produktcode: 15292
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BD136,138,140.pdf
BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1389 Stück
104 Stück - stock Köln
1285 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.14 EUR
10+0.12 EUR
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