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2N5551 Hottech

Name: 2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Brand: Fairchild
SKU: 31024
Price: 0.06 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 193606

Hersteller: Hottech
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT

auf Bestellung 1549 Stück:

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2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31024

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Hersteller : Fairchild

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT

verfügbar: 33 Stück

Anzahl	Preis
1+	0.06 EUR
10+	0.045 EUR
100+	0.04 EUR

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2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

auf Bestellung 5731 Stücke:

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Anzahl	Preis
2711+	0.053 EUR
3155+	0.044 EUR
4000+	0.036 EUR

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2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

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2N5551
Produktcode: 175303

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Hersteller : Fair

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT

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2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

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4000+	0.042 EUR
8000+	0.032 EUR

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2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

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Anzahl	Preis
4000+	0.042 EUR
8000+	0.032 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

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2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW

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4000+	0.046 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

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2N5551

Hersteller : CDIL

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz

auf Bestellung 1450 Stücke:

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Anzahl	Preis
1450+	0.049 EUR

Mindestbestellmenge: 1450

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2N5551

Hersteller : CDIL

auf Bestellung 1450 Stücke:

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Anzahl	Preis
1450+	0.049 EUR
1775+	0.04 EUR
5000+	0.024 EUR

Mindestbestellmenge: 1450

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2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN

auf Bestellung 21839 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
12+	0.24 EUR
19+	0.15 EUR
100+	0.093 EUR
500+	0.069 EUR
1000+	0.053 EUR
4000+	0.046 EUR
8000+	0.035 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW

auf Bestellung 3547 Stücke:

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Anzahl	Preis
72+	0.25 EUR
120+	0.15 EUR
192+	0.092 EUR
500+	0.066 EUR
1000+	0.058 EUR
2000+	0.051 EUR

Mindestbestellmenge: 72

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2N5551

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk

auf Bestellung 13243 Stücke:

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Anzahl	Preis
542+	0.26 EUR
556+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 542

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2N5551

Hersteller : MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 690 Stücke:

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2N5551

Hersteller : DIOTEC

Description: DIOTEC - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3880 Stücke:

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2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

auf Bestellung 7811 Stücke:

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2N5551

Hersteller : MIC

NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
1000+	0.043 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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2N5551

Hersteller : SLKOR

Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
1000+	0.046 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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2N5551

Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR

2N5551-DIO NPN THT transistors

auf Bestellung 8300 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
1334+	0.054 EUR
3268+	0.022 EUR
3449+	0.021 EUR

Mindestbestellmenge: 1334

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2N5551

Hersteller : JSMicro Semiconductor

Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
1000+	0.056 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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2N5551

Hersteller : Ningbo KLS electronic co.,ltd

NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92

auf Bestellung 886 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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2N5551

Hersteller : FUXINSEMI

Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 TO92 NPN 180V 600mA 625m T2N5551 FUX

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

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2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3

auf Bestellung 97 Stücke:

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2N5551

Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC

2N5551-LGE NPN THT transistors

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2N5551

Hersteller : Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 160V 0.2A TO-92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW

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2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

Produkt ist nicht verfügbar

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2N5551

Hersteller : Rectron

Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN 0.6A 160V HighVol

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2N5551

Hersteller : onsemi

Bipolar Transistors - BJT

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2N5551

Hersteller : NXP Semiconductors

Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD

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2N5551

Hersteller : ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

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2N5551

Hersteller : Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

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2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

Produkt ist nicht verfügbar

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2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

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2N5401
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Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400

auf Bestellung 264 Stück:

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1N4148
Produktcode: 176824

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Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns

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BD140
Produktcode: 15292

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Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250

verfügbar: 1489 Stück

104 Stück - stock Köln
1385 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

Anzahl	Preis
1+	0.14 EUR
10+	0.12 EUR

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1N4007
Produktcode: 176822

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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V

auf Bestellung 21048 Stück:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BD139
Produktcode: 191983

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Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT

auf Bestellung 516 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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