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2N5551

2N5551 Hottech

2N5551.pdf
Produktcode: 193606
Hersteller: Hottech
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 2110 St.:
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2N5551 (Bipolartransistor NPN) 2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31024
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Hersteller : Fairchild 2N5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 963 St.
33 St. - stock Köln
930 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.045 EUR
100+0.04 EUR
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.048 EUR
8000+0.043 EUR
12000+0.04 EUR
20000+0.037 EUR
28000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 18128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2106+0.068 EUR
2605+0.053 EUR
4000+0.043 EUR
8000+0.035 EUR
12000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 2106
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2N5551 2N5551 Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 2N5551%20TO-92-3.PDF Description: 160V 625MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 5180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.16 EUR
179+0.099 EUR
292+0.06 EUR
500+0.043 EUR
1000+0.038 EUR
2000+0.033 EUR
5000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.25 EUR
113+0.16 EUR
182+0.097 EUR
500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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2N5551 2N5551 Hersteller : ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 12731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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486+0.29 EUR
500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 486
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2N5551 2N5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5551 2N5551 Hersteller : MULTICOMP PRO 2861202.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 285 Stücke:
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4000 Stücke:
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2N5551 Hersteller : SLKOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2N5551 Hersteller : JSMicro Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2N5551 Hersteller : FUXINSEMI 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 TO92 NPN 180V 600mA 625m T2N5551 FUX
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3
auf Bestellung 97 Stücke:
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2N5551 Hersteller : Ningbo KLS electronic co.,ltd 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5551 2N5551
Produktcode: 175303
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Hersteller : Fair 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551
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 		2N5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 18128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
625+0.11 EUR
837+0.086 EUR
1363+0.052 EUR
1725+0.041 EUR
2128+0.034 EUR
4000+0.028 EUR
8000+0.024 EUR
12000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 625
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2N5551 2N5551 Hersteller : Lumimax Optoelectronic Technology 2N5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.16 EUR
193+0.092 EUR
333+0.053 EUR
500+0.041 EUR
1000+0.033 EUR
2000+0.03 EUR
3000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 3162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+0.24 EUR
19+0.15 EUR
100+0.093 EUR
500+0.069 EUR
1000+0.053 EUR
4000+0.046 EUR
8000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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2N5551 2N5551 Hersteller : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5551 Hersteller : Diodes Incorporated 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.2A TO-92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551 Hersteller : Diodes Incorporated 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551 2N5551 Hersteller : NXP Semiconductors 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD
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2N5551 2N5551 Hersteller : onsemi 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551 Hersteller : Rectron Rectron-11-30-2020-2N5551.pdf Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN 0.6A 160V HighVol
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2N5551 Hersteller : ROHM Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N5551 2N5551 Hersteller : CDIL 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC 2N5551.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5401
Produktcode: 177484
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2n5400.pdf 2n5400.pdf
2N5401
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
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1N4148
Produktcode: 176824
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1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
auf Bestellung 28588 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 79946 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 5000 St.:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5401
Produktcode: 211236
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C2874604.pdf
2N5401
Hersteller: JSMSEMI
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
auf Bestellung 935 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 6631 St.
1164 St. - stock Köln
5467 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 St.
40000 St. - erwartet 30.08.2026
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH