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2N5551

2N5551 Hottech

2N5551.pdf
Produktcode: 193606
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Hersteller: Hottech
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
Montage: THT
auf Bestellung: 594 St.
  • 594 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N5551 (NPN-Bipolartransistor) 2N5551 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 31024
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DIOTEC SEMICONDUCTOR 2N5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
verfügbar: 33 St.
  • 33 St. - stock Köln
auf Bestellung: 652 St.
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2N5551 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 31024
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2N5551.pdf
2N5551 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
verfügbar: 33 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N5551 2N5551 FUXINSEMI 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 1782722458911023.pdf 2n5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 TO92 NPN 180V 600mA 625m T2N5551 FUX
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.083 EUR
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2N5551 2N5551 ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 12701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+0.39 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
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2N5551 Diotec Semiconductor 2n5550-2n5551_Diotec.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 180, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 80/125 @ 10 мА, Icutoff-max = 50 нА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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2N5551 2N5551 GOODWORK 1782722458911023.pdf Description: SOT-23
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N5551 2N5551 Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 6407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3788+0.046 EUR
4673+0.037 EUR
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2N5551 2N5551 SLKOR T2N5551_SLK_SLKOR_0001.pdf Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2N5551 2N5551 MIC 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 1782722458911023.pdf 2n5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N5551 2N5551 JSMicro Semiconductor T2N5551_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.069 EUR
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2N5551 2N5551 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 2N5551%20TO-92-3.PDF Description: 160V 625MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.19 EUR
179+0.12 EUR
294+0.071 EUR
500+0.051 EUR
1000+0.045 EUR
2000+0.039 EUR
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2N5551 2N5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.31 EUR
1031+0.23 EUR
1316+0.17 EUR
1645+0.13 EUR
1898+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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2N5551 2N5551 Diotec Semiconductor 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 1782722458911023.pdf 2n5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 22880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.32 EUR
16+0.21 EUR
100+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.08 EUR
4000+0.069 EUR
8000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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2N5551 2N5551 MULTICOMP PRO 2861202.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
550+0.45 EUR
863+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 550 Stücke
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2N5551 2N5551 Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
auf Bestellung 3721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+3.8 EUR
50+1.93 EUR
100+0.99 EUR
250+0.43 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551 Lumimax Optoelectronic Technology 2N5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+46.03 EUR
197+4.69 EUR
334+0.52 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.086 EUR
2000+0.058 EUR
3000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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2N5551 2N5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 1782722458911023.pdf 2n5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 6297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5551 2N5551 Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551 CDIL 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 1782722458911023.pdf 2n5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 30...250
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 1782722458911023.pdf 2n5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf
2N5551
Hersteller: FUXINSEMI
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 TO92 NPN 180V 600mA 625m T2N5551 FUX
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 mmbt5551-d.pdf
2N5551
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 12701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
445+0.39 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2n5550-2n5551_Diotec.pdf
Hersteller: Diotec Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 180, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 80/125 @ 10 мА, Icutoff-max = 50 нА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 47 Stücke:
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2N5551 1782722458911023.pdf
2N5551
Hersteller: GOODWORK
Description: SOT-23
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2n5551.pdf
2N5551
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 6407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3788+0.046 EUR
4673+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3788 Stücke
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2N5551 T2N5551_SLK_SLKOR_0001.pdf
2N5551
Hersteller: SLKOR
Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2N5551 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 1782722458911023.pdf 2n5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf
2N5551
Hersteller: MIC
NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 T2N5551_JSM_JSMICRO_0001.pdf
2N5551
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551%20TO-92-3.PDF
2N5551
Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 160V 625MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
112+0.19 EUR
179+0.12 EUR
294+0.071 EUR
500+0.051 EUR
1000+0.045 EUR
2000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2n5551.pdf
2N5551
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+0.31 EUR
1031+0.23 EUR
1316+0.17 EUR
1645+0.13 EUR
1898+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 1782722458911023.pdf 2n5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf
2N5551
Hersteller: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 22880 Stücke:
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11+0.32 EUR
16+0.21 EUR
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2N5551
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 875 Stücke:
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550+0.45 EUR
863+0.27 EUR
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2N5551
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
auf Bestellung 3721 Stücke:
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25+3.8 EUR
50+1.93 EUR
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250+0.43 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.081 EUR
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2N5551
Hersteller: Lumimax Optoelectronic Technology
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4642 Stücke:
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112+46.03 EUR
197+4.69 EUR
334+0.52 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.086 EUR
2000+0.058 EUR
3000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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2N5551
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
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2N5551
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4 Stücke:
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2N5551
Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 30...250
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2N5401
Produktcode: 177484
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1787042700366915.pdf LUMIMAX2N5401.PDF 5399_2N5401%20TO-92-3.pdf 2n5400.pdf 2n5400.pdf 2N5401-D.PDF
2N5401
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 400 МГц
Spannung Uce, V: 150 В
Spannung Ucb, V: 160 В
Strom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21, max: 400
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16+0.079 EUR
22+0.055 EUR
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2N5401
Produktcode: 211236
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C2874604.pdf
2N5401
Hersteller: JSMSEMI
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 300 МГц
Spannung Uce, V: 150 В
Spannung Ucb, V: 160 В
Strom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21, max: 400
auf Bestellung: 732 St.
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100+0.039 EUR
1000+0.031 EUR
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 29525 St.
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31+0.039 EUR
39+0.031 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 31 St.
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1N4148
Produktcode: 176824
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1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Sperrspannung Vrr, V: 100 В
Mittlerer Strom Iav, A: 0,15 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 8 ns
Montage: THT
auf Bestellung: 11128 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139
Produktcode: 191983
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bd139.pdf BD135-D.PDF
BD139
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 190 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet
auf Bestellung: 329 St.
  • 329 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.27 EUR
10+0.25 EUR
100+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 St.
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