2N5551 Hottech
Produktcode: 193606
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Hottech
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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2N5551 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 31024
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Fairchild |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPNGehäuse: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 Ucbo,V: 180 Ic,A: 0,6 h21: 250 ZCODE: THT |
auf Bestellung 790 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 13588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk |
auf Bestellung 12731 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz |
auf Bestellung 13584 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : GOODWORK |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : CDIL |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625/15W Case: TO92 Current gain: 30...250 Mounting: THT Frequency: 100...300MHz |
auf Bestellung 5575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : SLKOR |
Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLKAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : JSMicro Semiconductor |
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSMAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : FUXINSEMI |
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 TO92 NPN 180V 600mA 625m T2N5551 FUXAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 160V 625MW 80@10MA,5V 600MA NPNPackaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 4885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Lumimax Optoelectronic Technology |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 4742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 1133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : MIC |
NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 180, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 80/125 @ 10 мА, Icutoff-max = 50 нА, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
verfügbar 47 Stücke: |
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| 2N5401 Produktcode: 177484
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
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Stück im Wert von UAH
| 1N4007 Produktcode: 176822
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 72753 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N4148 Produktcode: 176824
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
auf Bestellung 24323 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N5401 Produktcode: 211236
1
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: JSMSEMI
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
auf Bestellung 845 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano) Produktcode: 11106
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 4387 St.
1164 St. - stock Köln
3223 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
3223 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
40000 St.
40000 St. - erwartet 10.08.2026
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.01 EUR |
| 100+ | 0.0056 EUR |












