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2N5551 (Bipolartransistor NPN)

2N5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild

2N5551.pdf
Produktcode: 31024
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar 147 Stück:
33 Stück - stock Köln
114 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N5551 2N5551
Produktcode: 193606
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Hersteller : Hottech 2N5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 494 Stück:
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2N5551 2N5551
Produktcode: 193606
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Hersteller : Hottech 2N5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
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2N5551
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 		2N5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 4298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
715+0.1 EUR
807+0.089 EUR
1250+0.057 EUR
1931+0.037 EUR
2284+0.031 EUR
2646+0.027 EUR
4000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 715
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2N5551
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 		2N5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
715+0.1 EUR
807+0.089 EUR
1250+0.057 EUR
1931+0.037 EUR
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2N5551 2N5551 Hersteller : CDIL 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 30...250
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1850+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1850
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2N5551 2N5551 Hersteller : CDIL 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 30...250
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1850+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1850
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.043 EUR
8000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.043 EUR
8000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2755+0.052 EUR
3195+0.044 EUR
4000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 2755
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2N5551 2N5551 Hersteller : Lumimax Optoelectronic Technology 2N5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.095 EUR
195+0.09 EUR
334+0.053 EUR
354+0.05 EUR
500+0.038 EUR
1000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 186
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 21413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+0.24 EUR
19+0.15 EUR
100+0.093 EUR
500+0.069 EUR
1000+0.053 EUR
4000+0.046 EUR
8000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 2748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.25 EUR
118+0.15 EUR
191+0.092 EUR
500+0.067 EUR
1000+0.059 EUR
2000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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2N5551 2N5551 Hersteller : ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 12857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
542+0.27 EUR
556+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 542
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5551 2N5551 Hersteller : DIOTEC 2n5551.pdf Description: DIOTEC - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5551 2N5551 Hersteller : MULTICOMP PRO 2861202.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 7811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5551 Hersteller : MIC 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2N5551 Hersteller : SLKOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2N5551 Hersteller : JSMicro Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2N5551 Hersteller : Ningbo KLS electronic co.,ltd 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5551 2N5551
Produktcode: 175303
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Hersteller : Fair 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551 Hersteller : FUXINSEMI 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 TO92 NPN 180V 600mA 625m T2N5551 FUX
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5551 2N5551 Hersteller : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diodes Incorporated 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.2A TO-92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551 2N5551 Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 2N5551%20TO-92-3.PDF Description: 160V 625MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 Hersteller : Rectron Rectron-11-30-2020-2N5551.pdf Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN 0.6A 160V HighVol
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551 Hersteller : onsemi 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Bipolar Transistors - BJT
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2N5551 2N5551 Hersteller : NXP Semiconductors 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551 Hersteller : ROHM Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Bipolar Transistors - BJT
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2N5551 Hersteller : Diodes Incorporated 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2n5551t-d.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA59C8FD72147C0D6&compId=2N5551.pdf?ci_sign=f9ba8529c679bfb9183376f7173c6bc4bc99798c Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5401
Produktcode: 177484
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2n5400.pdf LUMIMAX2N5401.PDF 5399_2N5401%20TO-92-3.pdf 2N5400-01.pdf
2N5401
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
auf Bestellung 7 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-10KR – Hitano)
Produktcode: 169934
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mfr_series-hitano-datasheet.pdf
10 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-10KR – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
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erwartet: 30000 Stück
30000 Stück - erwartet 29.11.2025
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LM358N
Produktcode: 181180
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2011041434_HGSEMI-LM358M-TR_C398078.pdf
LM358N
Hersteller: HGSEMI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
auf Bestellung 670 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1N4148
Produktcode: 176824
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1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
auf Bestellung 23166 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BD140
Produktcode: 15292
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BD136,138,140.pdf
BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1480 Stück
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