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2N5551 (Bipolartransistor NPN)

2N5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild

2N5551.pdf
Produktcode: 31024
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar 38 Stück:
33 Stück - stock Köln
5 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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38 Stück - erwartet
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N5551 2N5551
Produktcode: 193606
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Hersteller : Hottech 2N5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 3491 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5551 2N5551
Produktcode: 193606
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Hersteller : Hottech 2N5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
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2N5551
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 		2N5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2072 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
625+0.11 EUR
1017+0.07 EUR
1673+0.043 EUR
2033+0.035 EUR
2072+0.034 EUR
4000+0.025 EUR
8000+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 625
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2N5551
+1
 		2N5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 2072 Stücke:
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Anzahl Preis
625+0.11 EUR
1017+0.07 EUR
1673+0.043 EUR
2033+0.035 EUR
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.045 EUR
8000+0.04 EUR
12000+0.038 EUR
20000+0.035 EUR
28000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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2N5551 2N5551 Hersteller : Lumimax Optoelectronic Technology 2N5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.14 EUR
197+0.09 EUR
339+0.052 EUR
500+0.04 EUR
1000+0.033 EUR
2000+0.03 EUR
3000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 125
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2N5551 2N5551 Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 2N5551%20TO-92-3.PDF Description: 160V 625MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.16 EUR
182+0.097 EUR
298+0.059 EUR
500+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 12532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+0.24 EUR
19+0.15 EUR
100+0.093 EUR
500+0.069 EUR
1000+0.053 EUR
4000+0.046 EUR
8000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.25 EUR
120+0.15 EUR
194+0.091 EUR
500+0.066 EUR
1000+0.058 EUR
2000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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2N5551 2N5551 Hersteller : ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 13113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
542+0.27 EUR
556+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 542
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 2 Stücke:
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2N5551 2N5551 Hersteller : MULTICOMP PRO 2861202.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5551 2N5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5551 2N5551
Produktcode: 175303
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Hersteller : Fair 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 7811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5551 Hersteller : MIC 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2N5551 Hersteller : SLKOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2N5551 Hersteller : JSMicro Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2N5551 Hersteller : FUXINSEMI 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 TO92 NPN 180V 600mA 625m T2N5551 FUX
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2N5551 Hersteller : Ningbo KLS electronic co.,ltd 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5551 Hersteller : Diodes Incorporated 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC 2N5551.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551 2N5551 Hersteller : CDIL 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 30...250
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551 Hersteller : ROHM Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551 Hersteller : Rectron Rectron-11-30-2020-2N5551.pdf Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN 0.6A 160V HighVol
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2N5551 2N5551 Hersteller : NXP Semiconductors 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD
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2N5551 2N5551 Hersteller : onsemi 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diodes Incorporated 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.2A TO-92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551 Hersteller : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5401
Produktcode: 209904
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T2N5401_DIOTEC_0001.pdf
2N5401
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92 bent
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 150 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
auf Bestellung 1364 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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0,1 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R1)
Produktcode: 2312
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SQP_080911.pdf
0,1 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R1)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Resistenz: 0,1 Ohm
Leistung: 5W
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
U Betriebs.,V: 750V
Abmessungen, mm: 22,0x10,0x9,5; dAusfuhr.=0,8
Typ: Ausfuhrungs-, Zement-, Draht-
verfügbar: 967 Stück
145 Stück - stock Köln
822 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.09 EUR
100+0.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0,22 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R22)
Produktcode: 1260
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SQP_080911.pdf
0,22 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R22)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Resistenz: 0,22 Ohm
Leistung: 5W
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
U Betriebs.,V: 750V
Abmessungen, mm: 22,0x10,0x9,5; dAusfuhr.=0,8
Typ: Ausfuhrungs-, Zement-, Draht-
auf Bestellung 182 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.17 EUR
10+0.14 EUR
100+0.12 EUR
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TL431AIZ
Produktcode: 81324
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description en.CD00001246.pdf
TL431AIZ
Hersteller: ST
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
Gehäuse: TO-92
Kurzbeschreibung: Die Bezugsspannung
Spannung: 2,5...37V
Temp.Bereich: -40…+105°C
Монтаж: THT
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
auf Bestellung 790 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
10+0.19 EUR
100+0.12 EUR
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LM324N
Produktcode: 162910
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LM324.pdf suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Flm224 INSLS09156-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
LM324N
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Vc, V: 32 V
BW, MHz: 1,2 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 5 mV
Geschw. Nar., V/mks: 1 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
ZCODE: 4
Монтаж: THT
auf Bestellung 363 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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