2N5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild
Produktcode: 31024
Hersteller: FairchildGehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar 147 Stück:
33 Stück - stock Köln
114 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
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Möglichen Substitutionen 2N5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2N5551 Produktcode: 193606
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Hottech |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPNGehäuse: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A ZCODE: THT |
auf Bestellung 494 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote 2N5551 (Bipolartransistor NPN) nach Preis ab 0.024 EUR bis 0.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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2N5551 Produktcode: 193606
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Hottech |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPNGehäuse: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A ZCODE: THT |
auf Bestellung 494 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz |
auf Bestellung 4298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4298 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : CDIL |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625/15W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 100...300MHz Current gain: 30...250 |
auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : CDIL |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625/15W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 100...300MHz Current gain: 30...250 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 4298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Lumimax Optoelectronic Technology |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN |
auf Bestellung 21413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 2748 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk |
auf Bestellung 12857 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 7811 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N5551 | Hersteller : MIC |
NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N5551 | Hersteller : SLKOR |
Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLKAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N5551 | Hersteller : JSMicro Semiconductor |
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSMAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N5551 | Hersteller : Ningbo KLS electronic co.,ltd |
NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 |
auf Bestellung 886 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 Produktcode: 175303
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Fair |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPNGehäuse: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A ZCODE: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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| 2N5551 | Hersteller : FUXINSEMI |
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 TO92 NPN 180V 600mA 625m T2N5551 FUX |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3 |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 160V 0.2A TO-92Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 160V 625MW 80@10MA,5V 600MA NPNPackaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N5551 | Hersteller : Rectron |
Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN 0.6A 160V HighVol |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N5551 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N5551 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N5551 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 100MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5551 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N5401 Produktcode: 177484
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
auf Bestellung 7 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 10 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-10KR – Hitano) Produktcode: 169934
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet:
30000 Stück
30000 Stück - erwartet 29.11.2025
| LM358N Produktcode: 181180
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: HGSEMI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
auf Bestellung 670 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N4148 Produktcode: 176824
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![]() |
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
auf Bestellung 23166 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BD140 Produktcode: 15292
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Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1480 Stück
104 Stück - stock Köln
1376 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1376 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.14 EUR |
| 10+ | 0.12 EUR |
















