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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FGH75T65SHD-F155 ONSEMI fgh75t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SHDT-F155 ONSEMI fgh75t65shdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SHDTL4 ONSEMI fgh75t65shdtl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQD-F155 ONSEMI fgh75t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQDNL4 ONSEMI fgh75t65sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQDT-F155 ONSEMI fgh75t65sqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD ONSEMI fgh75t65upd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD-F085 ONSEMI FGH75T65UP_F085-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120RWD ONSEMI fghl40t120rwd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120SWD ONSEMI fghl40t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQD ONSEMI fghl40t65mqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 86nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDT ONSEMI fghl40t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 80nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65LQDT ONSEMI fghl50t65lqdt-d.pdf FGHL50T65LQDT THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQD ONSEMI FGHL50T65MQD-D.PDF FGHL50T65MQD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDT ONSEMI fghl50t65mqdt-d.pdf FGHL50T65MQDT THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQDT ONSEMI fghl50t65sqdt-d.pdf FGHL50T65SQDT THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL60T120RWD ONSEMI fghl60t120rwd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 256nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65LQDT ONSEMI fghl75t65lqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQD ONSEMI fghl75t65mqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQDT ONSEMI fghl75t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGP3440G2-F085 ONSEMI fgb3440g2_f085-d.pdf FGP3440G2-F085 THT IGBT transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY100T120RWD ONSEMI fgy100t120rwd-d.pdf FGY100T120RWD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY100T120SWD ONSEMI Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; 433W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 433W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY100T65SCDT ONSEMI fgy100t65scdt-d.pdf FGY100T65SCDT THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY120T65SPD-F085 ONSEMI fgy120t65spd-f085-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 378A
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY140T120SWD ONSEMI fgy140t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY160T65SPD-F085
+1
 		FGY160T65SPD-F085 ONSEMI fgy160t65spd-f085-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.19 EUR
5+15.39 EUR
10+15.24 EUR
30+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY40T120SMD ONSEMI fgy40t120smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 441W; TO247H03
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 441W
Case: TO247H03
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY60T120SQDN ONSEMI fgy60t120sqdn-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 311nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY75T120SQDN ONSEMI fgy75t120sqdn-d.pdf FGY75T120SQDN THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY75T120SWD ONSEMI fgy75t120swd-d.pdf FGY75T120SWD THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1001M5X FIN1001M5X ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78196CD128D1B6259&compId=FIN1001.pdf?ci_sign=53b6431c1dea3dff1562add3767cb12df05d7f35 Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.6V DC
Case: SOT23-5
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5780 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
66+1.09 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1002M5X FIN1002M5X ONSEMI fin1002-d.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.6V DC
Case: SOT23-5
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
87+0.83 EUR
106+0.68 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1019MTCX ONSEMI FIN1019.pdf FIN1019MTCX Interfaces others - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1022MTCX ONSEMI FAIRS15322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FIN1022MTCX Decoders, multiplexers, switches
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1031MTCX ONSEMI FIN1031.pdf FIN1031MTCX Interfaces others - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1032MTCX ONSEMI fin1032-d.pdf FIN1032MTCX Interfaces others - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1047MTCX ONSEMI fin1047-d.pdf FIN1047MTCX Interfaces others - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1048MTCX ONSEMI ONSM-S-A0003589267-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FIN1048MTCX Interfaces others - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1048MX ONSEMI FIN1048-D.pdf FIN1048MX Interfaces others - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1101K8X ONSEMI fin1101-d.pdf FIN1101K8X Interfaces others - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1104MTC ONSEMI fin1104-d.pdf FIN1104MTC Interfaces others - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1104MTCX ONSEMI fin1104-d.pdf FIN1104MTCX Interfaces others - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1108MTD ONSEMI fin1108-d.pdf FIN1108MTD Interfaces others - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1108MTDX ONSEMI fin1108-d.pdf FIN1108MTDX Interfaces others - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJB102TM FJB102TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BA81ED4911D44469&compId=FJB102TM.pdf?ci_sign=113d37b1ecfd9a72897dc00d41f0a81a18b1c1c2 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...20000
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
60+1.2 EUR
89+0.81 EUR
94+0.76 EUR
250+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJB5555TM ONSEMI fjb5555-d.pdf FJB5555TM NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJD5304DTF ONSEMI fjd5304d-d.pdf FJD5304DTF NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJD5553TM ONSEMI fjd5553-d.pdf FJD5553TM NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJD5555TM ONSEMI fjd5555-d.pdf FJD5555TM NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJI5603DTU ONSEMI fji5603d-d.pdf FJI5603DTU NPN THT transistors
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.97 EUR
47+1.52 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJL6920TU FJL6920TU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BABC4D59793251BF&compId=FJL6920TU-dte.pdf?ci_sign=105fb13075b7264a844b1326e208dd1589b973c5 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 20A; 200W; TO264
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO264
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Current gain: 5.5...8.5
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Collector-emitter voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.72 EUR
12+5.96 EUR
25+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJP13007H2TU FJP13007H2TU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B3AB08082C97C0C4&compId=FJP13007H2TU.PDF?ci_sign=ab80a4af574f8544c85e145cd3ba8e4156d219e7 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 5...60
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
42+1.72 EUR
48+1.5 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJP13009H2TU FJP13009H2TU ONSEMI fjp13009-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 15...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJP13009TU FJP13009TU ONSEMI fjp13009-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 464 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJP1943RTU ONSEMI FAIR-S-A0002366282-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fjp1943-d.pdf FJP1943RTU PNP THT transistors
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FJP3305H1TU ONSEMI fjp3305-d.pdf FJP3305H1TU NPN THT transistors
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FJP5027OTU ONSEMI fjp5027-d.pdf FJP5027OTU NPN THT transistors
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FJP5304DTU ONSEMI fjp5304d-d.pdf FJP5304DTU NPN THT transistors
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FJPF13007H2TU FJPF13007H2TU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9D8E57CEB29720D3&compId=FJPF13007.pdf?ci_sign=f5478252100497afabe7c8c20179cb3787e946d8 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 40W; TO220FP
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220FP
Current gain: 8...60
Collector current: 8A
Power dissipation: 40W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
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FGH75T65SHD-F155 fgh75t65shd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SHDT-F155 fgh75t65shdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SHDTL4 fgh75t65shdtl4-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQD-F155 fgh75t65sqd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQDNL4 fgh75t65sqdnl4-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQDT-F155 fgh75t65sqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD fgh75t65upd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD-F085 FGH75T65UP_F085-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120RWD fghl40t120rwd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120SWD fghl40t120swd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQD fghl40t65mqd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 86nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDT fghl40t65mqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 80nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65LQDT fghl50t65lqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGHL50T65LQDT THT IGBT transistors
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FGHL50T65MQD FGHL50T65MQD-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FGHL50T65MQD THT IGBT transistors
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FGHL50T65MQDT fghl50t65mqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGHL50T65MQDT THT IGBT transistors
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FGHL50T65SQDT fghl50t65sqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGHL50T65SQDT THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL60T120RWD fghl60t120rwd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 256nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65LQDT fghl75t65lqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQD fghl75t65mqd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQDT fghl75t65mqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGP3440G2-F085 fgb3440g2_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGP3440G2-F085 THT IGBT transistors
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FGY100T120RWD fgy100t120rwd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGY100T120RWD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY100T120SWD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; 433W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 433W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY100T65SCDT fgy100t65scdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGY100T65SCDT THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY120T65SPD-F085 fgy120t65spd-f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 378A
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY140T120SWD fgy140t120swd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY160T65SPD-F085 fgy160t65spd-f085-d.pdf
FGY160T65SPD-F085
+1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.19 EUR
5+15.39 EUR
10+15.24 EUR
30+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY40T120SMD fgy40t120smd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 441W; TO247H03
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 441W
Case: TO247H03
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY60T120SQDN fgy60t120sqdn-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 311nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY75T120SQDN fgy75t120sqdn-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGY75T120SQDN THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY75T120SWD fgy75t120swd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGY75T120SWD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1001M5X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78196CD128D1B6259&compId=FIN1001.pdf?ci_sign=53b6431c1dea3dff1562add3767cb12df05d7f35
FIN1001M5X
Hersteller: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.6V DC
Case: SOT23-5
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5780 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
66+1.09 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1002M5X fin1002-d.pdf
FIN1002M5X
Hersteller: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.6V DC
Case: SOT23-5
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
87+0.83 EUR
106+0.68 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1019MTCX FIN1019.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1019MTCX Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1022MTCX FAIRS15322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FIN1022MTCX Decoders, multiplexers, switches
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1031MTCX FIN1031.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1031MTCX Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1032MTCX fin1032-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1032MTCX Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1047MTCX fin1047-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1047MTCX Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1048MTCX ONSM-S-A0003589267-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FIN1048MTCX Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1048MX FIN1048-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1048MX Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1101K8X fin1101-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1101K8X Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1104MTC fin1104-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1104MTC Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1104MTCX fin1104-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1104MTCX Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1108MTD fin1108-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1108MTD Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1108MTDX fin1108-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1108MTDX Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJB102TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BA81ED4911D44469&compId=FJB102TM.pdf?ci_sign=113d37b1ecfd9a72897dc00d41f0a81a18b1c1c2
FJB102TM
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...20000
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Case: D2PAK
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FJL6920TU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 20A; 200W; TO264
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO264
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Current gain: 5.5...8.5
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Collector-emitter voltage: 800V
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FJP13007H2TU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 5...60
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
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54+1.33 EUR
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FJP13009H2TU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 15...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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49+1.47 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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FJP13009TU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
FJP3305H1TU NPN THT transistors
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FJP5027OTU NPN THT transistors
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Hersteller: ONSEMI
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FJPF13007H2TU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 40W; TO220FP
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220FP
Current gain: 8...60
Collector current: 8A
Power dissipation: 40W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
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