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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ESD9B3.3ST5G ONSEMI esd9b-d.pdf ESD9B3.3ST5G Bidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 3384 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
382+0.19 EUR
1774+0.04 EUR
1873+0.038 EUR
1931+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 382
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9B5.0ST5G ONSEMI esd9b-d.pdf ESD9B5.0ST5G Bidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
611+0.12 EUR
841+0.084 EUR
2310+0.031 EUR
8000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 611
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9C5.0ST5G ONSEMI esd9c3.3s-d.pdf ESD9C5.0ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.89 EUR
265+0.27 EUR
728+0.099 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9L3.3ST5G ONSEMI esd9l-d.pdf ESD9L3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 7360 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
175+0.41 EUR
544+0.13 EUR
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9L5.0ST5G ESD9L5.0ST5G ONSEMI ESD9L5.0ST5G.PDF Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 0.15W; 5.4V; unidirectional; SOD923; reel,tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.4V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31759 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
385+0.19 EUR
432+0.17 EUR
789+0.091 EUR
975+0.073 EUR
1069+0.067 EUR
1112+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9R3.3ST5G ONSEMI esd9r3.3s-d.pdf ESD9R3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 7963 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9X5.0ST5G ESD9X5.0ST5G ONSEMI esd9x3.3st5g-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Version: ESD
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
625+0.11 EUR
926+0.077 EUR
1356+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESDONCAN1LT1G ESDONCAN1LT1G ONSEMI esdoncan1-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 3A; 0.2W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: CAN
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 10pF
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.2W
Max. forward impulse current: 3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3100CSX FAN3100CSX ONSEMI FAN3100C.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Protection: undervoltage UVP
Output current: -1.8...2.5A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
103+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3100TMPX FAN3100TMPX ONSEMI fan3100t-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; MLP6; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: MLP6
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Output current: -2.5...1.8A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2929 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
92+0.78 EUR
98+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3100TSX FAN3100TSX ONSEMI fan3100t-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Output current: -2.5...1.8A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 14ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1918 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
92+0.78 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3111CSX FAN3111CSX ONSEMI FAN3111C.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1623 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
82+0.87 EUR
87+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3111ESX FAN3111ESX ONSEMI FAN3111C.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
110+0.65 EUR
126+0.57 EUR
141+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3224CMX FAN3224CMX ONSEMI fan3223-d.pdf fan3223-f085-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SO8
Output current: -4.3...2.8A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 17ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
43+1.69 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3224TMX FAN3224TMX ONSEMI fan3223-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SO8
Output current: -4.3...2.8A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 17ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1179 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.64 EUR
64+1.13 EUR
74+0.97 EUR
100+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN5622SX FAN5622SX ONSEMI fan5626-d.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SWD; TSOT23-6; 30mA; Ch: 2; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Interface: SWD
Case: TSOT23-6
Output current: 30mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Maximum output current: 30mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2762 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
157+0.46 EUR
164+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7380MX FAN7380MX ONSEMI FAN7380.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -180...90mA
Impulse rise time: 230ns
Pulse fall time: 90ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Type of integrated circuit: driver
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1786 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.09 EUR
54+1.33 EUR
65+1.1 EUR
100+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7382MX FAN7382MX ONSEMI fan7382-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Impulse rise time: 140ns
Pulse fall time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: H-bridge
Type of integrated circuit: driver
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1209 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
52+1.4 EUR
61+1.17 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73832MX FAN73832MX ONSEMI FAN73832.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Type of integrated circuit: driver
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
59+1.23 EUR
65+1.1 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7383MX FAN7383MX ONSEMI fan7383-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; MillerDrive™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP14
Output current: -650...350mA
Number of channels: 4
Supply voltage: 15...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.82 EUR
57+1.26 EUR
65+1.1 EUR
100+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7888MX ONSEMI fan7888-d.pdf FAN7888MX-ONS Buffers, transceivers, drivers
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.17 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7930CMX-G ONSEMI fan7930c-d.pdf FAN7930CMX-G-ONS Buffers, transceivers, drivers
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
103+0.7 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB070N65S3
+1
 		FCB070N65S3 ONSEMI fcb070n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Power dissipation: 312W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.24 EUR
13+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.12 EUR
14+5.43 EUR
16+4.55 EUR
25+3.93 EUR
50+3.56 EUR
100+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB260N65S3 FCB260N65S3 ONSEMI fcb260n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.38 EUR
25+2.93 EUR
28+2.63 EUR
100+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.39 EUR
38+1.92 EUR
44+1.66 EUR
62+1.16 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI FCD5N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.89 EUR
45+1.62 EUR
50+1.46 EUR
56+1.29 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD900N60Z ONSEMI fcd900n60z-d.pdf FCD900N60Z SMD N channel transistors
auf Bestellung 2286 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.39 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
300+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.18 EUR
11+6.55 EUR
13+5.53 EUR
30+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI FCH47N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60F-F133
+1
 		FCH47N60F-F133 ONSEMI fch47n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.2 EUR
10+11.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.12 EUR
20+3.65 EUR
21+3.4 EUR
50+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP16N60 FCP16N60 ONSEMI fcp16n60-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.78 EUR
17+4.35 EUR
20+3.62 EUR
50+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.19 EUR
16+4.76 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.83 EUR
50+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60F FCPF11N60F ONSEMI fcpf11n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.73 EUR
24+3 EUR
50+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.09 EUR
13+5.68 EUR
16+4.69 EUR
50+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF400N80Z FCPF400N80Z ONSEMI FCPF400N80Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.9A; 35.7W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 35.7W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.02 EUR
23+3.23 EUR
25+2.92 EUR
50+2.33 EUR
100+2.12 EUR
250+1.89 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA032N08 ONSEMI fda032n08-d.pdf FDA032N08 THT N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.83 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA24N40F ONSEMI fda24n40f-d.pdf FDA24N40F THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.51 EUR
30+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA24N50F FDA24N50F ONSEMI fda24n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.79 EUR
30+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA28N50 FDA28N50 ONSEMI fda28n50-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.81 EUR
19+3.76 EUR
30+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI FDA59N30-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.31 EUR
18+4.15 EUR
21+3.42 EUR
30+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA69N25 ONSEMI FDA69N25-D.PDF FDA69N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.73 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0190N807L ONSEMI fdb0190n807l-d.pdf FDB0190N807L SMD N channel transistors
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.15 EUR
15+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0 ONSEMI fdb035an06a0-d.pdf FDB035AN06A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.35 EUR
15+4.83 EUR
50+4.73 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB13AN06A0 ONSEMI fdb13an06a0-d.pdf FDB13AN06A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.35 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB15N50 FDB15N50 ONSEMI FDB15N50.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.53 EUR
24+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 ONSEMI FDP2532-D.PDF FDB2532 SMD N channel transistors
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.16 EUR
22+3.36 EUR
23+3.17 EUR
100+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572 ONSEMI fdb2572-d.pdf FDB2572 SMD N channel transistors
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.46 EUR
44+1.66 EUR
46+1.57 EUR
200+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2710 ONSEMI fdb2710-d.pdf FDB2710 SMD N channel transistors
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.55 EUR
18+3.99 EUR
20+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM ONSEMI fdb28n30tm-d.pdf FDB28N30TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.36 EUR
38+1.92 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB33N25TM ONSEMI FDB33N25-D.PDF FDB33N25TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3 EUR
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3652 ONSEMI fdp3652-d.pdf FDB3652 SMD N channel transistors
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.39 EUR
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI FDB44N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.27 EUR
34+2.12 EUR
40+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB52N20TM ONSEMI FDB52N20-D.pdf FDB52N20TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.73 EUR
36+2 EUR
38+1.9 EUR
100+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB5800 ONSEMI fdb5800-d.pdf FDB5800 SMD N channel transistors
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.66 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC2612 ONSEMI fdc2612-d.pdf FDC2612 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1524 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3601N ONSEMI fdc3601n-d.pdf FDC3601N Multi channel transistors
auf Bestellung 2929 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
205+0.35 EUR
218+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 ONSEMI fdc3612-d.pdf FDC3612 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
194+0.37 EUR
205+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9B3.3ST5G esd9b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
ESD9B3.3ST5G Bidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 3384 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
382+0.19 EUR
1774+0.04 EUR
1873+0.038 EUR
1931+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 382
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9B5.0ST5G esd9b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
ESD9B5.0ST5G Bidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
611+0.12 EUR
841+0.084 EUR
2310+0.031 EUR
8000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 611
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9C5.0ST5G esd9c3.3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
ESD9C5.0ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.89 EUR
265+0.27 EUR
728+0.099 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9L3.3ST5G esd9l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
ESD9L3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 7360 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
175+0.41 EUR
544+0.13 EUR
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9L5.0ST5G ESD9L5.0ST5G.PDF
ESD9L5.0ST5G
Hersteller: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 0.15W; 5.4V; unidirectional; SOD923; reel,tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.4V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31759 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
385+0.19 EUR
432+0.17 EUR
789+0.091 EUR
975+0.073 EUR
1069+0.067 EUR
1112+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9R3.3ST5G esd9r3.3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
ESD9R3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 7963 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9X5.0ST5G esd9x3.3st5g-d.pdf
ESD9X5.0ST5G
Hersteller: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Version: ESD
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
625+0.11 EUR
926+0.077 EUR
1356+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESDONCAN1LT1G esdoncan1-d.pdf
ESDONCAN1LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 3A; 0.2W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: CAN
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 10pF
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.2W
Max. forward impulse current: 3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3100CSX FAN3100C.pdf
FAN3100CSX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Protection: undervoltage UVP
Output current: -1.8...2.5A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
103+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3100TMPX fan3100t-d.pdf
FAN3100TMPX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; MLP6; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: MLP6
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Output current: -2.5...1.8A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2929 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
92+0.78 EUR
98+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3100TSX fan3100t-d.pdf
FAN3100TSX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Output current: -2.5...1.8A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 14ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1918 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
92+0.78 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3111CSX FAN3111C.pdf
FAN3111CSX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1623 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
82+0.87 EUR
87+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3111ESX FAN3111C.pdf
FAN3111ESX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
110+0.65 EUR
126+0.57 EUR
141+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3224CMX fan3223-d.pdf fan3223-f085-d.pdf
FAN3224CMX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SO8
Output current: -4.3...2.8A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 17ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
43+1.69 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3224TMX fan3223-d.pdf
FAN3224TMX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SO8
Output current: -4.3...2.8A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 17ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1179 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
64+1.13 EUR
74+0.97 EUR
100+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN5622SX fan5626-d.pdf
FAN5622SX
Hersteller: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SWD; TSOT23-6; 30mA; Ch: 2; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Interface: SWD
Case: TSOT23-6
Output current: 30mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Maximum output current: 30mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2762 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
157+0.46 EUR
164+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7380MX FAN7380.pdf
FAN7380MX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -180...90mA
Impulse rise time: 230ns
Pulse fall time: 90ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Type of integrated circuit: driver
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1786 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
54+1.33 EUR
65+1.1 EUR
100+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7382MX fan7382-d.pdf
FAN7382MX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Impulse rise time: 140ns
Pulse fall time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: H-bridge
Type of integrated circuit: driver
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1209 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
52+1.4 EUR
61+1.17 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73832MX FAN73832.pdf
FAN73832MX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Type of integrated circuit: driver
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
59+1.23 EUR
65+1.1 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7383MX fan7383-d.pdf
FAN7383MX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; MillerDrive™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP14
Output current: -650...350mA
Number of channels: 4
Supply voltage: 15...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
57+1.26 EUR
65+1.1 EUR
100+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7888MX fan7888-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FAN7888MX-ONS Buffers, transceivers, drivers
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.17 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7930CMX-G fan7930c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FAN7930CMX-G-ONS Buffers, transceivers, drivers
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
103+0.7 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB070N65S3 fcb070n65s3-d.pdf
FCB070N65S3
+1
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Power dissipation: 312W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.24 EUR
13+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.12 EUR
14+5.43 EUR
16+4.55 EUR
25+3.93 EUR
50+3.56 EUR
100+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB260N65S3 fcb260n65s3-d.pdf
FCB260N65S3
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.38 EUR
25+2.93 EUR
28+2.63 EUR
100+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
38+1.92 EUR
44+1.66 EUR
62+1.16 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD5N60TM FCD5N60.pdf
FCD5N60TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
45+1.62 EUR
50+1.46 EUR
56+1.29 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD900N60Z fcd900n60z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCD900N60Z SMD N channel transistors
auf Bestellung 2286 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
300+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.18 EUR
11+6.55 EUR
13+5.53 EUR
30+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60-F133 FCH47N60.pdf
FCH47N60-F133
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60F-F133 fch47n60f-d.pdf
FCH47N60F-F133
+1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.2 EUR
10+11.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP11N60 FCP11N60.pdf
FCP11N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.12 EUR
20+3.65 EUR
21+3.4 EUR
50+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP16N60 fcp16n60-d.pdf
FCP16N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.78 EUR
17+4.35 EUR
20+3.62 EUR
50+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.19 EUR
16+4.76 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60 description FCP11N60.pdf
FCPF11N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.83 EUR
50+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60F fcpf11n60f-d.pdf
FCPF11N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.73 EUR
24+3 EUR
50+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.09 EUR
13+5.68 EUR
16+4.69 EUR
50+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF400N80Z FCPF400N80Z.pdf
FCPF400N80Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.9A; 35.7W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 35.7W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.02 EUR
23+3.23 EUR
25+2.92 EUR
50+2.33 EUR
100+2.12 EUR
250+1.89 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA032N08 fda032n08-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDA032N08 THT N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.83 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA24N40F fda24n40f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDA24N40F THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
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13+5.51 EUR
30+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDA24N50F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.79 EUR
30+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDA28N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.81 EUR
19+3.76 EUR
30+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDA59N30
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.31 EUR
18+4.15 EUR
21+3.42 EUR
30+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
FDA69N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 35 Stücke:
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16+4.73 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB0190N807L SMD N channel transistors
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.15 EUR
15+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0 fdb035an06a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB035AN06A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.35 EUR
15+4.83 EUR
50+4.73 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB13AN06A0 fdb13an06a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB13AN06A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.35 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDB15N50
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
24+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 FDP2532-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDB2532 SMD N channel transistors
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.16 EUR
22+3.36 EUR
23+3.17 EUR
100+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572 fdb2572-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB2572 SMD N channel transistors
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.46 EUR
44+1.66 EUR
46+1.57 EUR
200+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2710 fdb2710-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB2710 SMD N channel transistors
auf Bestellung 784 Stücke:
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Anzahl Preis
13+5.55 EUR
18+3.99 EUR
20+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM fdb28n30tm-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB28N30TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.36 EUR
38+1.92 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB33N25TM FDB33N25-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDB33N25TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3 EUR
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3652 fdp3652-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB3652 SMD N channel transistors
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.39 EUR
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB44N25TM FDB44N25.pdf
FDB44N25TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.27 EUR
34+2.12 EUR
40+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB52N20TM FDB52N20-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB52N20TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.73 EUR
36+2 EUR
38+1.9 EUR
100+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB5800 fdb5800-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB5800 SMD N channel transistors
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.66 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC2612 fdc2612-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC2612 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1524 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC3601N Multi channel transistors
auf Bestellung 2929 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
205+0.35 EUR
218+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 fdc3612-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC3612 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
194+0.37 EUR
205+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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