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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDS6682 ONSEMI ONSM-S-A0003584662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6682 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A FDS6690A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9F685671BC259&compId=FDS6690A.pdf?ci_sign=5b056201abd30dcad96b217a91d443e13a9e899a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
115+0.62 EUR
124+0.58 EUR
151+0.47 EUR
244+0.29 EUR
258+0.28 EUR
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6699S ONSEMI ONSM-S-A0003585240-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6699S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875 ONSEMI fds6875-d.pdf FDS6875 Multi channel transistors
auf Bestellung 1693 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.33 EUR
82+0.87 EUR
87+0.83 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898A FDS6898A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7075D2B0BE259&compId=FDS6898A.pdf?ci_sign=7537495027183da8160a045413ec537712d7f466 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 9.4A
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
64+1.12 EUR
70+1.03 EUR
95+0.75 EUR
101+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898AZ ONSEMI fds6898az-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; Idm: 38A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6910 ONSEMI fds6910-d.pdf FDS6910 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6911 ONSEMI FDS6911-D.pdf FDS6911 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912A ONSEMI FDS6912A-D.PDF FDS6912A Multi channel transistors
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930A FDS6930A ONSEMI FAIRS26730-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 68mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930B ONSEMI ONSM-S-A0003584273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6930B Multi channel transistors
auf Bestellung 2371 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6990A ONSEMI fds6990a-d.pdf FAIRS44392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6990A SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8447 ONSEMI fds8447-d.pdf description FDS8447 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1783 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.55 EUR
66+1.08 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8449 ONSEMI fds8449-d.pdf FDS8449 SMD N channel transistors
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
99+0.73 EUR
105+0.69 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86106 ONSEMI fds86106-d.pdf FDS86106 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86140 ONSEMI fds86140-d.pdf FDS86140 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141 ONSEMI fds86141-d.pdf FDS86141 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86240 ONSEMI fds86240-d.pdf FDS86240 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86242 ONSEMI fds86242-d.pdf FDS86242 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86252 ONSEMI fds86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4.5A; Idm: 20A; 5W; SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86267P ONSEMI fds86267p-d.pdf FDS86267P SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8638 ONSEMI fds8638-d.pdf FDS8638 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86540 ONSEMI ONSM-S-A0003584281-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS86540 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8813NZ FDS8813NZ ONSEMI ONSM-S-A0003584271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8840NZ ONSEMI fds8840nz-d.pdf FDS8840NZ SMD N channel transistors
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FDS8842NZ ONSEMI fds8842nz-d.pdf FDS8842NZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZ FDS8858CZ ONSEMI fds8858cz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 8.6/-7.3A
Gate-source voltage: ±25/±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8870 ONSEMI FDS8870-D.pdf FDS8870 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8876 FDS8876 ONSEMI FAIRS24633-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 91A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 14.1mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 12.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 91A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878 ONSEMI FDS8878-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.2A; Idm: 80A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA05958798C259&compId=FDS8880.pdf?ci_sign=d754b3901a58adde7db0f6aa427e1289cdebfa33 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.6A
On-state resistance: 16.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
104+0.69 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
250+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8884 ONSEMI FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS8884 SMD N channel transistors
auf Bestellung 579 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
83+0.87 EUR
203+0.35 EUR
214+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896 ONSEMI fds8896-d.pdf FDS8896 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141 ONSEMI fds89141-d.pdf FDS89141 Multi channel transistors
auf Bestellung 1965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.06 EUR
29+2.52 EUR
30+2.39 EUR
1000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161 FDS89161 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE714315B04C259&compId=FDS89161.pdf?ci_sign=84ea0d10f63123768be2a5a09d915664e90b6920 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 176mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
54+1.33 EUR
55+1.3 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161LZ FDS89161LZ ONSEMI fds89161lz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 182mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8935 ONSEMI fds8935-d.pdf FDS8935 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 FDS8949 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71688B2A4A259&compId=FDS8949.pdf?ci_sign=c070de354bace5013474ecf528315547733ee805 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
65+1.11 EUR
80+0.9 EUR
139+0.52 EUR
147+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8958A ONSEMI fds8958a-d.pdf 007eecd5bb2afdffa0a7ad36f63a8336.pdf FDS8958A Multi channel transistors
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8958B FDS8958B ONSEMI FDS8958B-D.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.4/-4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±25V
On-state resistance: 39/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8978 ONSEMI fds8978-d.pdf 2be1a87b7a2cbad3cc3c9425d69f8f68.pdf FDS8978 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8984 ONSEMI FDS8984-D.PDF FDS8984 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9400A ONSEMI fds9400a-d.pdf FAIRS15620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS9400A SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A FDS9435A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC95EBAF246259&compId=FDS9435A.pdf?ci_sign=414c6f55ed1da99e61ef2637144db2361dfcc90b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
92+0.78 EUR
188+0.38 EUR
199+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926A FDS9926A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71AA20B328259&compId=FDS9926A.pdf?ci_sign=dd996f1abf5b47784f05a9fe214c91ef2054606c Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
37+1.93 EUR
102+0.7 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9933A ONSEMI fds9933a-d.pdf FDS9933A Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9934C ONSEMI fds9934c-d.pdf FDS9934C Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
fds9945 fds9945 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71DF453C1C259&compId=FDS9945.pdf?ci_sign=f8cf27176cda632a27a6a319d7e42b2863557f66 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
126+0.57 EUR
142+0.5 EUR
166+0.43 EUR
170+0.42 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9958 FDS9958 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE78A026039E259&compId=FDS9958.pdf?ci_sign=74fd92c54cb49f8d090c1756f91488e4c316334a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
101+0.71 EUR
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151+0.47 EUR
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Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ ONSEMI fdt1600n10alz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 10.42W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
85+0.85 EUR
100+0.72 EUR
144+0.5 EUR
152+0.47 EUR
500+0.45 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT3612 ONSEMI fdt3612-d.pdf FDT3612 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT3N40TF ONSEMI fdt3n40-d.pdf FDT3N40TF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT439N ONSEMI fdt439n-d.pdf FDT439N SMD N channel transistors
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112+0.64 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT458P ONSEMI fdt458p-d.pdf FDT458P SMD P channel transistors
auf Bestellung 498 Stücke:
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49+1.48 EUR
186+0.39 EUR
193+0.37 EUR
12000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT4N50NZU ONSEMI fdt4n50nzu-d.pdf FDT4N50NZU SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86102LZ ONSEMI fdt86102lz-d.pdf FDT86102LZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86106LZ ONSEMI fdt86106lz-d.pdf FDT86106LZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZ ONSEMI fdt86113lz-d.pdf FDT86113LZ SMD N channel transistors
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50+1.45 EUR
111+0.65 EUR
117+0.61 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86244 ONSEMI fdt86244-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 12A; 2.2W; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.9nC
On-state resistance: 128mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 150V
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86246 ONSEMI fdt86246-d.pdf FDT86246 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6682 ONSM-S-A0003584662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS6682 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9F685671BC259&compId=FDS6690A.pdf?ci_sign=5b056201abd30dcad96b217a91d443e13a9e899a
FDS6690A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2398 Stücke:
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Anzahl Preis
100+0.72 EUR
115+0.62 EUR
124+0.58 EUR
151+0.47 EUR
244+0.29 EUR
258+0.28 EUR
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6699S ONSM-S-A0003585240-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS6699S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875 fds6875-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6875 Multi channel transistors
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Anzahl Preis
54+1.33 EUR
82+0.87 EUR
87+0.83 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7075D2B0BE259&compId=FDS6898A.pdf?ci_sign=7537495027183da8160a045413ec537712d7f466
FDS6898A
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 9.4A
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2217 Stücke:
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53+1.36 EUR
64+1.12 EUR
70+1.03 EUR
95+0.75 EUR
101+0.71 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898AZ fds6898az-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; Idm: 38A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6910 fds6910-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6910 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6911 FDS6911-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6911 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912A FDS6912A-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDS6912A Multi channel transistors
auf Bestellung 2346 Stücke:
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Anzahl Preis
72+1 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930A FAIRS26730-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS6930A
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 68mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930B ONSM-S-A0003584273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS6930B Multi channel transistors
auf Bestellung 2371 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6990A fds6990a-d.pdf FAIRS44392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS6990A SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8447 description fds8447-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS8447 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1783 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.55 EUR
66+1.08 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8449 fds8449-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS8449 SMD N channel transistors
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
99+0.73 EUR
105+0.69 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86106 fds86106-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS86106 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86140 fds86140-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS86140 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141 fds86141-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS86141 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86240 fds86240-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS86240 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86242 fds86242-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS86242 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86252 fds86252-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4.5A; Idm: 20A; 5W; SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86267P fds86267p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS86267P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8638 fds8638-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS8638 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86540 ONSM-S-A0003584281-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS86540 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8813NZ ONSM-S-A0003584271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS8813NZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8840NZ fds8840nz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS8840NZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8842NZ fds8842nz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS8842NZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZ fds8858cz-d.pdf
FDS8858CZ
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 8.6/-7.3A
Gate-source voltage: ±25/±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8870 FDS8870-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS8870 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8876 FAIRS24633-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS8876
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 91A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 14.1mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 12.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 91A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878 FDS8878-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.2A; Idm: 80A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA05958798C259&compId=FDS8880.pdf?ci_sign=d754b3901a58adde7db0f6aa427e1289cdebfa33
FDS8880
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.6A
On-state resistance: 16.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
104+0.69 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
250+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8884 FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS8884 SMD N channel transistors
auf Bestellung 579 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
83+0.87 EUR
203+0.35 EUR
214+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896 fds8896-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS8896 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141 fds89141-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS89141 Multi channel transistors
auf Bestellung 1965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.06 EUR
29+2.52 EUR
30+2.39 EUR
1000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE714315B04C259&compId=FDS89161.pdf?ci_sign=84ea0d10f63123768be2a5a09d915664e90b6920
FDS89161
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 176mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
54+1.33 EUR
55+1.3 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161LZ fds89161lz-d.pdf
FDS89161LZ
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 182mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8935 fds8935-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS8935 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71688B2A4A259&compId=FDS8949.pdf?ci_sign=c070de354bace5013474ecf528315547733ee805
FDS8949
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
65+1.11 EUR
80+0.9 EUR
139+0.52 EUR
147+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8958A fds8958a-d.pdf 007eecd5bb2afdffa0a7ad36f63a8336.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS8958A Multi channel transistors
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8958B FDS8958B-D.PDF
FDS8958B
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.4/-4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±25V
On-state resistance: 39/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8978 fds8978-d.pdf 2be1a87b7a2cbad3cc3c9425d69f8f68.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS8978 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8984 FDS8984-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDS8984 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9400A fds9400a-d.pdf FAIRS15620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS9400A SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC95EBAF246259&compId=FDS9435A.pdf?ci_sign=414c6f55ed1da99e61ef2637144db2361dfcc90b
FDS9435A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
92+0.78 EUR
188+0.38 EUR
199+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71AA20B328259&compId=FDS9926A.pdf?ci_sign=dd996f1abf5b47784f05a9fe214c91ef2054606c
FDS9926A
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
37+1.93 EUR
102+0.7 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9933A fds9933a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS9933A Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9934C fds9934c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS9934C Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
fds9945 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71DF453C1C259&compId=FDS9945.pdf?ci_sign=f8cf27176cda632a27a6a319d7e42b2863557f66
fds9945
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
126+0.57 EUR
142+0.5 EUR
166+0.43 EUR
170+0.42 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9958 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE78A026039E259&compId=FDS9958.pdf?ci_sign=74fd92c54cb49f8d090c1756f91488e4c316334a
FDS9958
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
101+0.71 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT1600N10ALZ fdt1600n10alz-d.pdf
FDT1600N10ALZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 10.42W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
85+0.85 EUR
100+0.72 EUR
144+0.5 EUR
152+0.47 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT3612 fdt3612-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDT3612 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT3N40TF fdt3n40-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDT3N40TF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT439N fdt439n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDT439N SMD N channel transistors
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.67 EUR
112+0.64 EUR
117+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT458P fdt458p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDT458P SMD P channel transistors
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.48 EUR
186+0.39 EUR
193+0.37 EUR
12000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT4N50NZU fdt4n50nzu-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDT4N50NZU SMD N channel transistors
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FDT86102LZ fdt86102lz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDT86102LZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86106LZ fdt86106lz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDT86106LZ SMD N channel transistors
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FDT86113LZ fdt86113lz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDT86113LZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 3235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.45 EUR
111+0.65 EUR
117+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86244 fdt86244-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 12A; 2.2W; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.9nC
On-state resistance: 128mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 150V
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86246 fdt86246-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDT86246 SMD N channel transistors
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