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KSP10TA

KSP10TA onsemi

ksp10-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 650MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
Power - Max: 350mW
auf Bestellung 162000 Stücke:
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Technische Details KSP10TA onsemi

Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Packaging: Tape & Box (TB), Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 650MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Power - Max: 350mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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KSP10TA KSP10TA Hersteller : onsemi / Fairchild KSP10-D.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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KSP10TA KSP10TA Hersteller : onsemi ksp10-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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28+0.1 EUR
100+0.081 EUR
500+0.076 EUR
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KSP10TA KSP10TA Hersteller : onsemi ksp10-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 650MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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