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KSP10TA

KSP10TA ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 350mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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Technische Details KSP10TA ON Semiconductor

Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO-92-3, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Packaging: Tape & Box (TB), Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 650MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Power - Max: 350mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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KSP10TA KSP10TA onsemi ksp10-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO-92-3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 650MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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KSP10TA ONSEMI FAIRS20929-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KSP10TA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO-92-3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
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Frequency - Transition: 650MHz
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP10TA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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