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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FGH40T120SQDNL4 ONSEMI fgh40t120sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 221nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SHD-F155 ONSEMI fgh40t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72.2nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SHDF-F155 ONSEMI fgh40t65shdf-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SQD-F155 ONSEMI fgh40t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120LQD ONSEMI fgh4l40t120lqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N3 ONSEMI fgh50n3-d.pdf FGH50N3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD-F155 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABDE8E38F8A3D20C7&compId=FGH50T65SQD.PDF?ci_sign=9c76ec61398a9511a29f574be1e20596aa23ce7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.22 EUR
16+4.7 EUR
20+3.6 EUR
22+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65UPD ONSEMI fgh50t65upd-d.pdf FGH50T65UPD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE52F29614259&compId=FGH60N60SMD.pdf?ci_sign=73678e57102c9e2bfc1e9601ead203ab1071a368 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.88 EUR
14+5.21 EUR
15+4.92 EUR
120+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SHD-F155 ONSEMI fgh60t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SQD-F155 ONSEMI fgh60t65sqd-f155-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SHD-F155 ONSEMI fgh75t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SHDT-F155 ONSEMI fgh75t65shdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SHDTL4 ONSEMI fgh75t65shdtl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQD-F155 ONSEMI fgh75t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQDNL4 ONSEMI fgh75t65sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQDT-F155 ONSEMI fgh75t65sqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD ONSEMI fgh75t65upd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD-F085 ONSEMI FGH75T65UP_F085-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120RWD ONSEMI fghl40t120rwd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120SWD ONSEMI fghl40t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQD ONSEMI fghl40t65mqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 86nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDT ONSEMI fghl40t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 80nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65LQDT ONSEMI fghl50t65lqdt-d.pdf FGHL50T65LQDT THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQD ONSEMI FGHL50T65MQD-D.PDF FGHL50T65MQD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDT ONSEMI fghl50t65mqdt-d.pdf FGHL50T65MQDT THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQDT ONSEMI fghl50t65sqdt-d.pdf FGHL50T65SQDT THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL60T120RWD ONSEMI fghl60t120rwd-d.pdf FGHL60T120RWD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65LQDT ONSEMI fghl75t65lqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQD ONSEMI fghl75t65mqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQDT ONSEMI fghl75t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGP3440G2-F085 ONSEMI fgb3440g2_f085-d.pdf FGP3440G2-F085 THT IGBT transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY100T120RWD ONSEMI fgy100t120rwd-d.pdf FGY100T120RWD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY100T120SWD ONSEMI Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; 433W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 433W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY100T65SCDT ONSEMI fgy100t65scdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Gate charge: 157nC
Power dissipation: 375W
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY120T65SPD-F085 ONSEMI fgy120t65spd-f085-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 441W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 162nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 378A
Power dissipation: 441W
Collector-emitter voltage: 650V
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY140T120SWD ONSEMI fgy140t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY160T65SPD-F085
+1
 		FGY160T65SPD-F085 ONSEMI fgy160t65spd-f085-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.19 EUR
5+15.39 EUR
10+15.24 EUR
30+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY40T120SMD ONSEMI fgy40t120smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 441W; TO247H03
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 441W
Case: TO247H03
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY60T120SQDN ONSEMI fgy60t120sqdn-d.pdf FGY60T120SQDN THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY75T120SQDN ONSEMI fgy75t120sqdn-d.pdf FGY75T120SQDN THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY75T120SWD ONSEMI fgy75t120swd-d.pdf FGY75T120SWD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1001M5X FIN1001M5X ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78196CD128D1B6259&compId=FIN1001.pdf?ci_sign=53b6431c1dea3dff1562add3767cb12df05d7f35 Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.6V DC
Case: SOT23-5
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
66+1.09 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1002M5X FIN1002M5X ONSEMI fin1002-d.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.6V DC
Case: SOT23-5
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
87+0.83 EUR
106+0.68 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1019MTCX ONSEMI FIN1019.pdf FIN1019MTCX Interfaces others - integrated circuits
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FIN1022MTCX ONSEMI FAIRS15322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FIN1022MTCX Decoders, multiplexers, switches
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FIN1031MTCX ONSEMI FIN1031.pdf FIN1031MTCX Interfaces others - integrated circuits
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FIN1032MTCX ONSEMI fin1032-d.pdf FIN1032MTCX Interfaces others - integrated circuits
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FIN1047MTCX ONSEMI fin1047-d.pdf FIN1047MTCX Interfaces others - integrated circuits
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FIN1048MTCX ONSEMI ONSM-S-A0003589267-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FIN1048MTCX Interfaces others - integrated circuits
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FIN1048MX ONSEMI FIN1048-D.pdf FIN1048MX Interfaces others - integrated circuits
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FIN1101K8X ONSEMI fin1101-d.pdf FIN1101K8X Interfaces others - integrated circuits
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FIN1104MTC ONSEMI fin1104-d.pdf FIN1104MTC Interfaces others - integrated circuits
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FIN1104MTCX ONSEMI fin1104-d.pdf FIN1104MTCX Interfaces others - integrated circuits
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FIN1108MTD ONSEMI fin1108-d.pdf FIN1108MTD Interfaces others - integrated circuits
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FIN1108MTDX ONSEMI fin1108-d.pdf FIN1108MTDX Interfaces others - integrated circuits
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FJB102TM ONSEMI fjb102-d.pdf FJB102TM NPN SMD Darlington transistors
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FJB5555TM ONSEMI fjb5555-d.pdf FJB5555TM NPN SMD transistors
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FGH40T120SQDNL4 fgh40t120sqdnl4-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 221nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGH40T65SHD-F155 fgh40t65shd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72.2nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGH40T65SHDF-F155 fgh40t65shdf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SQD-F155 fgh40t65sqd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGH4L40T120LQD fgh4l40t120lqd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGH50N3 fgh50n3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGH50N3 THT IGBT transistors
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FGH50T65SQD-F155 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABDE8E38F8A3D20C7&compId=FGH50T65SQD.PDF?ci_sign=9c76ec61398a9511a29f574be1e20596aa23ce7b
FGH50T65SQD-F155
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 650V
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FGH50T65UPD fgh50t65upd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGH50T65UPD THT IGBT transistors
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FGH60N60SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE52F29614259&compId=FGH60N60SMD.pdf?ci_sign=73678e57102c9e2bfc1e9601ead203ab1071a368
FGH60N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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15+4.92 EUR
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FGH60T65SHD-F155 fgh60t65shd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGH60T65SQD-F155 fgh60t65sqd-f155-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SHD-F155 fgh75t65shd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGH75T65SHDT-F155 fgh75t65shdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGH75T65SHDTL4 fgh75t65shdtl4-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQD-F155 fgh75t65sqd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQDNL4 fgh75t65sqdnl4-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQDT-F155 fgh75t65sqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD fgh75t65upd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD-F085 FGH75T65UP_F085-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120RWD fghl40t120rwd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120SWD fghl40t120swd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQD fghl40t65mqd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 86nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDT fghl40t65mqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 80nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65LQDT fghl50t65lqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGHL50T65LQDT THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQD FGHL50T65MQD-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FGHL50T65MQD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDT fghl50t65mqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGHL50T65MQDT THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQDT fghl50t65sqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGHL50T65SQDT THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL60T120RWD fghl60t120rwd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGHL60T120RWD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65LQDT fghl75t65lqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQD fghl75t65mqd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQDT fghl75t65mqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGP3440G2-F085 fgb3440g2_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGP3440G2-F085 THT IGBT transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
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FGY100T120RWD fgy100t120rwd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGY100T120RWD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY100T120SWD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; 433W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 433W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY100T65SCDT fgy100t65scdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Gate charge: 157nC
Power dissipation: 375W
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY120T65SPD-F085 fgy120t65spd-f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 441W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 162nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 378A
Power dissipation: 441W
Collector-emitter voltage: 650V
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY140T120SWD fgy140t120swd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY160T65SPD-F085 fgy160t65spd-f085-d.pdf
FGY160T65SPD-F085
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.19 EUR
5+15.39 EUR
10+15.24 EUR
30+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY40T120SMD fgy40t120smd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 441W; TO247H03
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 441W
Case: TO247H03
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY60T120SQDN fgy60t120sqdn-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGY60T120SQDN THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY75T120SQDN fgy75t120sqdn-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGY75T120SQDN THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY75T120SWD fgy75t120swd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGY75T120SWD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1001M5X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78196CD128D1B6259&compId=FIN1001.pdf?ci_sign=53b6431c1dea3dff1562add3767cb12df05d7f35
FIN1001M5X
Hersteller: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.6V DC
Case: SOT23-5
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
66+1.09 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1002M5X fin1002-d.pdf
FIN1002M5X
Hersteller: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.6V DC
Case: SOT23-5
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
87+0.83 EUR
106+0.68 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1019MTCX FIN1019.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1019MTCX Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1022MTCX FAIRS15322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FIN1022MTCX Decoders, multiplexers, switches
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1031MTCX FIN1031.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1031MTCX Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1032MTCX fin1032-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1032MTCX Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1047MTCX fin1047-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1047MTCX Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1048MTCX ONSM-S-A0003589267-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FIN1048MTCX Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1048MX FIN1048-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1048MX Interfaces others - integrated circuits
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FIN1101K8X fin1101-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1101K8X Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1104MTC fin1104-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1104MTC Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1104MTCX fin1104-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1104MTCX Interfaces others - integrated circuits
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FIN1108MTD fin1108-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1108MTD Interfaces others - integrated circuits
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FIN1108MTDX fin1108-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FIN1108MTDX Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJB102TM fjb102-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FJB102TM NPN SMD Darlington transistors
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
89+0.81 EUR
94+0.76 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJB5555TM fjb5555-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FJB5555TM NPN SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJD5304DTF fjd5304d-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FJD5304DTF NPN SMD transistors
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FJD5553TM fjd5553-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FJD5553TM NPN SMD transistors
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