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BC33716BU

BC33716BU ON Semiconductor

bc338jp-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details BC33716BU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC33716BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BC33716BU BC33716BU Hersteller : ON Semiconductor bc338jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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BC33716BU BC33716BU Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0001341561-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
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BC33716BU BC33716BU Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BEB7A62823991E28&compId=BC337.pdf?ci_sign=1043d2b514f1a19b1cecbcbc9f1d5a896feb3974 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 100...630
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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200+0.36 EUR
391+0.18 EUR
602+0.12 EUR
709+0.10 EUR
1137+0.06 EUR
1202+0.06 EUR
10000+0.06 EUR
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BC33716BU BC33716BU Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BEB7A62823991E28&compId=BC337.pdf?ci_sign=1043d2b514f1a19b1cecbcbc9f1d5a896feb3974 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 100...630
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
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BC33716BU BC33716BU Hersteller : onsemi BC337-FSC-D.PDF Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
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BC33716BU BC33716BU Hersteller : onsemi / Fairchild BC337_FSC_D-3538140.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 45V 800mA HFE/250
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BC33716BU BC33716BU Hersteller : ON Semiconductor bc338jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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BC33716BU BC33716BU Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003590550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC33716BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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