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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FQD30N06TM FQD30N06TM ONSEMI fqd30n06-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60CTM-WS ONSEMI fqd3n60ctm_ws-d.pdf FQD3N60CTM-WS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM FQD3P50TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819951B2E4A3E259&compId=FQD3P50.pdf?ci_sign=a950cf6ebbbe597ca1a787d914f57d7b13e525c5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.02 EUR
53+1.37 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
250+0.89 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM-AM002BLT ONSEMI fqd3p50tm-d.pdf FQD3P50TM-AM002BLT SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM-F085 ONSEMI fqd3p50tm_f085-d.pdf FQD3P50TM-F085 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20TM ONSEMI fqd4n20-d.pdf FQD4N20TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N25TM-WS FQD4N25TM-WS ONSEMI fqd4n25-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.9A; Idm: 12A; 37W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 37W
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.6nC
On-state resistance: 1.75Ω
Drain current: 1.9A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25TM-WS ONSEMI fqd4p25tm_ws-d.pdf FQD4P25TM-WS SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40TM ONSEMI fqd4p40-d.pdf FQD4P40TM SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N15TM ONSEMI fqd5n15-d.pdf FQD5N15TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N20LTM ONSEMI fqd5n20l-d.pdf FQD5N20LTM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTM ONSEMI fqu5n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10TM ONSEMI fqd5p10-d.pdf FQD5P10TM SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TM FQD5P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
131+0.55 EUR
139+0.52 EUR
250+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N25TM ONSEMI fqd6n25-d.pdf FQD6N25TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40CTM FQD6N40CTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197D17BA51B0259&compId=FQD6N40C.pdf?ci_sign=0b4eea4af86b8a860307fa7cd4a41b724b14f61b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
69+1.04 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
100+0.83 EUR
250+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N50CTM ONSEMI FQD6N50C-D.pdf FQD6N50CTM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N20LTM ONSEMI FAIR-S-A0000011403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQD7N20LTM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N30TM ONSEMI fqd7n30-d.pdf FQD7N30TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7P06TM ONSEMI fqd7p06-d.pdf FQD7P06TM SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7P20TM FQD7P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B12397A74259&compId=FQD7P20.pdf?ci_sign=fe95d1b91b6ea9ff09122f0ac6ac7c7fef44c0c8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
65+1.1 EUR
87+0.83 EUR
92+0.78 EUR
250+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8P10TM FQD8P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
81+0.89 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 ONSEMI fqd8p10tm_f085-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; Idm: -26.4A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Pulsed drain current: -26.4A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD9N25TM-F080 FQD9N25TM-F080 ONSEMI ONSM-S-A0003588092-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 29.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQH8N100C ONSEMI fqh8n100c-d.pdf FQH8N100C THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI13N50CTU ONSEMI FAIRS45953-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi13n50c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 195W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 195W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI27N25TU ONSEMI FAIR-S-A0000097574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQI27N25TU THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI4N80TU ONSEMI FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI4N90TU ONSEMI fqi4n90-d.pdf FQI4N90-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.65A; Idm: 16.8A; 140W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.65A
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16.8A
Power dissipation: 140W
Gate charge: 30nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI5N60CTU ONSEMI FAIRS45966-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi5n60c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; Idm: 18A; 100W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI7N80TU ONSEMI fqi7n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.2A; Idm: 26.4A; 167W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 26.4A
Power dissipation: 167W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQL40N50F FQL40N50F ONSEMI fql40n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; Idm: 160A; 460W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 460W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQN1N50CTA FQN1N50CTA ONSEMI fqn1n50c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 240mA; Idm: 3.04A; 2.08W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 2.08W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.4nC
Pulsed drain current: 3.04A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQNL2N50BTA ONSEMI ONSM-S-A0003585504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 220mA; Idm: 1.4A; 1.5W; TO92L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: TO92L
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
On-state resistance: 5.3Ω
Gate charge: 8nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 1.4A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N20C ONSEMI FAIRS45967-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP10N20C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B5068BA9876469&compId=FQP11N40C.pdf?ci_sign=5fe18b35e0abcafad5893ab72f1db89a81b884d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
30+2.39 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP12P10 ONSEMI fqp12p10-d.pdf FQP12P10 THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP14N30 ONSEMI fqp14n30-d.pdf FQP14N30 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP15P12 ONSEMI FAIR-S-A0002363799-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqp15p12-d.pdf FQP15P12 THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP16N25 ONSEMI fqp16n25-d.pdf FQP16N25 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP17P06 FQP17P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197FB7713556259&compId=FQP17P06.pdf?ci_sign=f3ca18f58eba042b9d8cd754c04cd5db64aa1adc Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
52+1.4 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP24N08 ONSEMI fqp24n08-d.pdf FQP24N08 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27P06 FQP27P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BA06562B5F1A303005056AB0C4F&compId=FQP27P06.pdf?ci_sign=2ed558b67ec056b733e490276427ca921640cfb6 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.06 EUR
28+2.6 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
100+1.49 EUR
250+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N40-F080 ONSEMI fqp2n40-d.pdf FQP2N40-F080 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N80 ONSEMI ONSM-S-A0003584912-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP2N80 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP32N20C ONSEMI fqpf32n20c-d.pdf FQP32N20C THT N channel transistors
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FQP34N20 FQP34N20 ONSEMI ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
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FQP3N50C-F080 ONSEMI fqp3n50c-d.pdf FQP3N50C-F080 THT N channel transistors
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FQP3N60C FQP3N60C ONSEMI fqp3n60c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FQP3N80C ONSEMI FAIRS47784-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP3N80C THT N channel transistors
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FQP45N15V2 ONSEMI fqpf45n15v2-d.pdf FQP45N15V2 THT N channel transistors
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FQP47P06 FQP47P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199E4B6843E6259&compId=FQP47P06.pdf?ci_sign=8b76fd8afdefd89adb24be6796803743fcd78564 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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16+4.48 EUR
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29+2.52 EUR
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FQP4N20L ONSEMI FAIRS45973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP4N20L THT N channel transistors
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FQP4N80 FQP4N80 ONSEMI fqp4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
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FQP50N06 ONSEMI fqp50n06-d.pdf FQP50N06 THT N channel transistors
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FQP55N10 ONSEMI fqp55n10-d.pdf FQP55N10 THT N channel transistors
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FQP6N40C ONSEMI FAIRS46437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP6N40C THT N channel transistors
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FQP6N40CF ONSEMI FAIRS46437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP6N40CF THT N channel transistors
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FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781981A08ADCD2259&compId=FQP6N80C.pdf?ci_sign=b9669ab150a9cca713dec943bd7b58e01a311e8e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
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21+3.5 EUR
27+2.7 EUR
40+1.8 EUR
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FQP7P06 ONSEMI fqp7p06-d.pdf FQP7P06 THT P channel transistors
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17+4.2 EUR
45+1.59 EUR
250+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FQD30N06TM fqd30n06-d.pdf
FQD30N06TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FQD3N60CTM-WS fqd3n60ctm_ws-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD3N60CTM-WS SMD N channel transistors
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FQD3P50TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819951B2E4A3E259&compId=FQD3P50.pdf?ci_sign=a950cf6ebbbe597ca1a787d914f57d7b13e525c5
FQD3P50TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.02 EUR
53+1.37 EUR
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80+0.9 EUR
250+0.89 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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FQD3P50TM-AM002BLT fqd3p50tm-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD3P50TM-AM002BLT SMD P channel transistors
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FQD3P50TM-F085 fqd3p50tm_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD3P50TM-F085 SMD P channel transistors
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FQD4N20TM fqd4n20-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD4N20TM SMD N channel transistors
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FQD4N25TM-WS fqd4n25-d.pdf
FQD4N25TM-WS
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.9A; Idm: 12A; 37W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 37W
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.6nC
On-state resistance: 1.75Ω
Drain current: 1.9A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FQD4P25TM-WS fqd4p25tm_ws-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD4P25TM-WS SMD P channel transistors
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FQD4P40TM fqd4p40-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD4P40TM SMD P channel transistors
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FQD5N15TM fqd5n15-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD5N15TM SMD N channel transistors
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FQD5N20LTM fqd5n20l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD5N20LTM SMD N channel transistors
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FQD5N60CTM fqu5n60c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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FQD5P10TM fqd5p10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD5P10TM SMD P channel transistors
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FQD5P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140
FQD5P20TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
131+0.55 EUR
139+0.52 EUR
250+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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FQD6N25TM fqd6n25-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD6N25TM SMD N channel transistors
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FQD6N40CTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197D17BA51B0259&compId=FQD6N40C.pdf?ci_sign=0b4eea4af86b8a860307fa7cd4a41b724b14f61b
FQD6N40CTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
69+1.04 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
100+0.83 EUR
250+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N50CTM FQD6N50C-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD6N50CTM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N20LTM FAIR-S-A0000011403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQD7N20LTM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N30TM fqd7n30-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD7N30TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7P06TM fqd7p06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD7P06TM SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B12397A74259&compId=FQD7P20.pdf?ci_sign=fe95d1b91b6ea9ff09122f0ac6ac7c7fef44c0c8
FQD7P20TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
65+1.1 EUR
87+0.83 EUR
92+0.78 EUR
250+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1
FQD8P10TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
81+0.89 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8P10TM-F085 fqd8p10tm_f085-d.pdf
FQD8P10TM-F085
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; Idm: -26.4A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Pulsed drain current: -26.4A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD9N25TM-F080 ONSM-S-A0003588092-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQD9N25TM-F080
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 29.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQH8N100C fqh8n100c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQH8N100C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI13N50CTU FAIRS45953-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi13n50c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 195W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 195W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI27N25TU FAIR-S-A0000097574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQI27N25TU THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI4N80TU FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi4n80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI4N90TU fqi4n90-d.pdf FQI4N90-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.65A; Idm: 16.8A; 140W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.65A
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16.8A
Power dissipation: 140W
Gate charge: 30nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI5N60CTU FAIRS45966-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi5n60c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; Idm: 18A; 100W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI7N80TU fqi7n80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.2A; Idm: 26.4A; 167W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 26.4A
Power dissipation: 167W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQL40N50F fql40n50f-d.pdf
FQL40N50F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; Idm: 160A; 460W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 460W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQN1N50CTA fqn1n50c-d.pdf
FQN1N50CTA
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 240mA; Idm: 3.04A; 2.08W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 2.08W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.4nC
Pulsed drain current: 3.04A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQNL2N50BTA ONSM-S-A0003585504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 220mA; Idm: 1.4A; 1.5W; TO92L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: TO92L
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
On-state resistance: 5.3Ω
Gate charge: 8nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 1.4A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N20C FAIRS45967-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQP10N20C THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N40C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B5068BA9876469&compId=FQP11N40C.pdf?ci_sign=5fe18b35e0abcafad5893ab72f1db89a81b884d1
FQP11N40C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
30+2.39 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP12P10 fqp12p10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP12P10 THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP14N30 fqp14n30-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP14N30 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP15P12 FAIR-S-A0002363799-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqp15p12-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP15P12 THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP16N25 fqp16n25-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP16N25 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP17P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197FB7713556259&compId=FQP17P06.pdf?ci_sign=f3ca18f58eba042b9d8cd754c04cd5db64aa1adc
FQP17P06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
52+1.4 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP24N08 fqp24n08-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP24N08 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BA06562B5F1A303005056AB0C4F&compId=FQP27P06.pdf?ci_sign=2ed558b67ec056b733e490276427ca921640cfb6
FQP27P06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.06 EUR
28+2.6 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
100+1.49 EUR
250+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N40-F080 fqp2n40-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP2N40-F080 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N80 ONSM-S-A0003584912-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQP2N80 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP32N20C fqpf32n20c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP32N20C THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP34N20 ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP34N20
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
21+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP3N50C-F080 fqp3n50c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP3N50C-F080 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP3N60C fqp3n60c-d.pdf
FQP3N60C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP3N80C FAIRS47784-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQP3N80C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP45N15V2 fqpf45n15v2-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP45N15V2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP47P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199E4B6843E6259&compId=FQP47P06.pdf?ci_sign=8b76fd8afdefd89adb24be6796803743fcd78564
FQP47P06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.48 EUR
20+3.69 EUR
27+2.66 EUR
29+2.52 EUR
30+2.46 EUR
50+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP4N20L FAIRS45973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQP4N20L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP4N80 fqp4n80-d.pdf
FQP4N80
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
12+5.96 EUR
33+2.17 EUR
250+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP50N06 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP55N10 fqp55n10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP55N10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N40C FAIRS46437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQP6N40C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N40CF FAIRS46437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQP6N40CF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N80C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781981A08ADCD2259&compId=FQP6N80C.pdf?ci_sign=b9669ab150a9cca713dec943bd7b58e01a311e8e
FQP6N80C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.5 EUR
27+2.7 EUR
40+1.8 EUR
42+1.72 EUR
100+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP7P06 fqp7p06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP7P06 THT P channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
17+4.2 EUR
45+1.59 EUR
250+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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