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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FPF2163 ONSEMI fpf2165-d.pdf FPF2163 Power switches - integrated circuits
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FPF2164 ONSEMI fpf2165-d.pdf FPF2164 Power switches - integrated circuits
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FPF2165 ONSEMI fpf2165-d.pdf FPF2165 Power switches - integrated circuits
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FPF2193 ONSEMI fpf2194-d.pdf FPF2193 Power switches - integrated circuits
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FPF2195 ONSEMI fpf2194-d.pdf FPF2195 Power switches - integrated circuits
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FPF2195BUCX ONSEMI FPF2195.pdf FPF2195BUCX Power switches - integrated circuits
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FPF2213 ONSEMI FPF2213.pdf FPF2213 Power switches - integrated circuits
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FPF2215 ONSEMI fpf2215-d.pdf FPF2215 Power switches - integrated circuits
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FPF2223 ONSEMI FAIR-S-A0002366070-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2223 Power switches - integrated circuits
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FPF2225 ONSEMI FPF2224-D.pdf FPF2225 Power switches - integrated circuits
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FPF2281BUCX-F130 ONSEMI ONSM-S-A0003579676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2281BUCX-F130 Power switches - integrated circuits
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FPF2283CUCX ONSEMI fpf2283cucx-d.pdf FPF2283CUCX Power switches - integrated circuits
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FPF2286UCX ONSEMI fpf2286ucx-d.pdf FPF2286UCX Power switches - integrated circuits
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FPF2290BUCX-F130 ONSEMI fpf2290-d.pdf FPF2290BUCX-F130 Power switches - integrated circuits
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FPF2411BUCX-F130 ONSEMI fpf2411-d.pdf FPF2411BUCX-F130 Power switches - integrated circuits
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FPF2495CUCX ONSEMI fpf2495c-d.pdf FPF2495CUCX Power switches - integrated circuits
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FPF2495UCX ONSEMI FPF2495_Sep2014.pdf FAIR-S-A0002304780-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FPF2496UCX ONSEMI FAIR-S-A0000212011-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2496UCX Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FPF2498BUCX ONSEMI fpf2498-d.pdf FAIR-S-A0001475586-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2498BUCX Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FPF2595UCX ONSEMI fpf2595-d.pdf FPF2595UCX Power switches - integrated circuits
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FPF2700MPX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2700MPX Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FPF2701MPX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2701MPX Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FPF2701MX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2701MX Power switches - integrated circuits
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FPF2702MPX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2702MPX Power switches - integrated circuits
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FPF2702MX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2702MX Power switches - integrated circuits
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FPF2895CUCX ONSEMI fpf2895c-d.pdf FPF2895CUCX Power switches - integrated circuits
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FPF2895UCX ONSEMI FPF2895UCX Power switches - integrated circuits
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FPF2895VUCX ONSEMI fpf2895v-d.pdf FPF2895VUCX Power switches - integrated circuits
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FPF3040UCX ONSEMI FAIR-S-A0001784038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF3040UCX Power switches - integrated circuits
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FPF3042UCX ONSEMI fpf3042-d.pdf FPF3042UCX Power switches - integrated circuits
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FPF3380UCX ONSEMI FPF3380UCX Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N50C-F109 FQA13N50C-F109 ONSEMI fqa13n50c_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; Idm: 54A; 218W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 218W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N80-F109 ONSEMI fqa13n80_f109-d.pdf FQA13N80-F109 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA140N10 FQA140N10 ONSEMI fqa140n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.54 EUR
11+6.54 EUR
12+6.18 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.17 EUR
10+7.35 EUR
11+6.91 EUR
30+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
16+4.75 EUR
20+3.73 EUR
21+3.53 EUR
120+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA40N25 FQA40N25 ONSEMI fqa40n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; Idm: 160A; 280W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 280W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.85 EUR
21+3.53 EUR
22+3.35 EUR
30+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.51 EUR
19+3.76 EUR
120+2.35 EUR
450+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N100C FQA8N100C ONSEMI fqa8n100c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 5A; 225W; TO3PN
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.45Ω
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 225W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO3PN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.88 EUR
12+6.18 EUR
16+4.49 EUR
120+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N90C-F109 ONSEMI fqa8n90c_f109-d.pdf FQA8N90C-F109 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA90N15-F109 ONSEMI fqa90n15_f109-d.pdf FQA90N15-F109 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQAF16N50 FQAF16N50 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781992A8A7EA08259&compId=FQAF16N50.pdf?ci_sign=09e4ea2dbc49212f6735fb317754dbecd7277a18 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.15A
Power dissipation: 110W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB11P06TM ONSEMI fqb11p06-d.pdf FQB11P06TM SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.77 EUR
31+2.36 EUR
34+2.12 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
100+1.44 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20CTM ONSEMI fqb19n20c-d.pdf FQB19N20CTM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.9 EUR
42+1.72 EUR
46+1.59 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20TM ONSEMI fqb19n20-d.pdf FQB19N20TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.6 EUR
36+2 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06TM FQB27P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994188F32D2259&compId=FQB27P06.pdf?ci_sign=1d7e105accb644470bc974d8a26d62825d1db484 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB33N10LTM ONSEMI fqb33n10l-d.pdf FQB33N10LTM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB33N10TM ONSEMI FQB33N10-D.pdf FQB33N10TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34N20LTM ONSEMI fqb34n20l-d.pdf FQB34N20LTM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.5 EUR
25+2.93 EUR
30+2.46 EUR
31+2.32 EUR
100+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB44N10TM ONSEMI FQB44N10-D.pdf FQB44N10TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.08 EUR
24+3.02 EUR
26+2.85 EUR
50+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80TM ONSEMI fqi4n80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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auf Bestellung 263 Stücke:
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FQB5N90TM FQB5N90TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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auf Bestellung 725 Stücke:
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FQB7P20TM ONSEMI FAIR-S-A0000011863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQB7P20TM SMD N channel transistors
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FQB8N60CTM FQB8N60CTM ONSEMI fqi8n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FPF2163 fpf2165-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF2163 Power switches - integrated circuits
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FPF2164 fpf2165-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF2164 Power switches - integrated circuits
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FPF2165 fpf2165-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF2165 Power switches - integrated circuits
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FPF2193 fpf2194-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF2193 Power switches - integrated circuits
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FPF2195 fpf2194-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF2195 Power switches - integrated circuits
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FPF2195BUCX FPF2195.pdf
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FPF2195BUCX Power switches - integrated circuits
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FPF2213 FPF2213.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF2213 Power switches - integrated circuits
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FPF2215 fpf2215-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF2215 Power switches - integrated circuits
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FPF2223 FAIR-S-A0002366070-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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FPF2223 Power switches - integrated circuits
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FPF2225 Power switches - integrated circuits
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FPF2281BUCX-F130 ONSM-S-A0003579676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FPF2281BUCX-F130 Power switches - integrated circuits
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FPF2283CUCX fpf2283cucx-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF2283CUCX Power switches - integrated circuits
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FPF2286UCX fpf2286ucx-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF2286UCX Power switches - integrated circuits
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FPF2290BUCX-F130 fpf2290-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF2290BUCX-F130 Power switches - integrated circuits
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FPF2411BUCX-F130 fpf2411-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF2411BUCX-F130 Power switches - integrated circuits
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FPF2495CUCX fpf2495c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF2495CUCX Power switches - integrated circuits
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FPF2495UCX FPF2495_Sep2014.pdf FAIR-S-A0002304780-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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FPF2496UCX FAIR-S-A0000212011-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FPF2496UCX Power switches - integrated circuits
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FPF2498BUCX fpf2498-d.pdf FAIR-S-A0001475586-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FPF2498BUCX Power switches - integrated circuits
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FPF2595UCX fpf2595-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF2595UCX Power switches - integrated circuits
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FPF2700MPX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FPF2700MPX Power switches - integrated circuits
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FPF2701MPX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FPF2701MPX Power switches - integrated circuits
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FPF2701MX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FPF2701MX Power switches - integrated circuits
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FPF2702MPX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FPF2702MPX Power switches - integrated circuits
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FPF2702MX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FPF2702MX Power switches - integrated circuits
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FPF2895CUCX fpf2895c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF2895CUCX Power switches - integrated circuits
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FPF2895UCX
Hersteller: ONSEMI
FPF2895UCX Power switches - integrated circuits
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FPF2895VUCX fpf2895v-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF2895VUCX Power switches - integrated circuits
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FPF3040UCX FAIR-S-A0001784038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FPF3040UCX Power switches - integrated circuits
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FPF3042UCX fpf3042-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF3042UCX Power switches - integrated circuits
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FPF3380UCX
Hersteller: ONSEMI
FPF3380UCX Power switches - integrated circuits
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FQA13N50C-F109 fqa13n50c_f109-d.pdf
FQA13N50C-F109
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; Idm: 54A; 218W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 218W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FQA13N80-F109 fqa13n80_f109-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQA13N80-F109 THT N channel transistors
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FQA140N10 fqa140n10-d.pdf
FQA140N10
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.54 EUR
11+6.54 EUR
12+6.18 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.17 EUR
10+7.35 EUR
11+6.91 EUR
30+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA36P15 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741
FQA36P15
Hersteller: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
16+4.75 EUR
20+3.73 EUR
21+3.53 EUR
120+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA40N25 fqa40n25-d.pdf
FQA40N25
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; Idm: 160A; 280W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 280W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.85 EUR
21+3.53 EUR
22+3.35 EUR
30+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e
FQA70N10
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.51 EUR
19+3.76 EUR
120+2.35 EUR
450+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N100C fqa8n100c-d.pdf
FQA8N100C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 5A; 225W; TO3PN
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.45Ω
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 225W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO3PN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.88 EUR
12+6.18 EUR
16+4.49 EUR
120+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N90C-F109 fqa8n90c_f109-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQA8N90C-F109 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA90N15-F109 fqa90n15_f109-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQA90N15-F109 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQAF16N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781992A8A7EA08259&compId=FQAF16N50.pdf?ci_sign=09e4ea2dbc49212f6735fb317754dbecd7277a18
FQAF16N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.15A
Power dissipation: 110W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB11P06TM fqb11p06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQB11P06TM SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542
FQB12P20TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
31+2.36 EUR
34+2.12 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
100+1.44 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20CTM fqb19n20c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQB19N20CTM SMD N channel transistors
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FQB19N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca
FQB19N20LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.9 EUR
42+1.72 EUR
46+1.59 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20TM fqb19n20-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQB19N20TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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FQB22P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1
FQB22P10TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.6 EUR
36+2 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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FQB27P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994188F32D2259&compId=FQB27P06.pdf?ci_sign=1d7e105accb644470bc974d8a26d62825d1db484
FQB27P06TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB33N10LTM fqb33n10l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQB33N10LTM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB33N10TM FQB33N10-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQB33N10TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34N20LTM fqb34n20l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQB34N20LTM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4
FQB34P10TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.5 EUR
25+2.93 EUR
30+2.46 EUR
31+2.32 EUR
100+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB44N10TM FQB44N10-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQB44N10TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB47P06TM-AM002 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd
FQB47P06TM-AM002
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.08 EUR
24+3.02 EUR
26+2.85 EUR
50+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB55N10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b
FQB55N10TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.49 EUR
34+2.16 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
50+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB5N90TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415
FQB5N90TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
30+2.39 EUR
32+2.26 EUR
50+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7P20TM FAIR-S-A0000011863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQB7P20TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CTM fqi8n60c-d.pdf
FQB8N60CTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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