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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FQB8P10TM ONSEMI ONSM-S-A0006944028-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQB8P10TM SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD10N20CTM FQD10N20CTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197461A92B30259&compId=FQD10N20C.pdf?ci_sign=c62d5bc9c879fb19f5c2d4ab2f91ba800650fb68 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
55+1.31 EUR
62+1.16 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
250+0.71 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1411 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
69+1.04 EUR
84+0.86 EUR
138+0.52 EUR
146+0.49 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM-F085 FQD12N20LTM-F085 ONSEMI fqd12n20l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20TM ONSEMI fqu12n20-d.pdf FQD12N20TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TM-F085 ONSEMI FQD12P10TM_F085.pdf FQD12P10TM-F085 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
97+0.74 EUR
112+0.64 EUR
163+0.44 EUR
173+0.41 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
90+0.8 EUR
176+0.41 EUR
186+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10TM FQD13N10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197B265CCF24259&compId=FQD13N10.pdf?ci_sign=13de686582c24a4ab29917e062128aec721805bd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25CTM FQD16N25CTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197B706AEBEC259&compId=FQD16N25C.pdf?ci_sign=8644cd4bd1abc793db4f96f5c30357ab5205bd62 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08LTM ONSEMI fqd17n08l-d.pdf FQD17N08LTM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994FAB8CB1E259&compId=FQD17P06.pdf?ci_sign=3f8a94db2b5f73fc0d09df1b4a57678c837b40cf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.5 EUR
54+1.33 EUR
59+1.21 EUR
98+0.73 EUR
104+0.69 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 9.75A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
57+1.26 EUR
79+0.92 EUR
84+0.86 EUR
250+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.53 EUR
69+1.04 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10TM ONSEMI fqd19n10-d.pdf FQD19N10TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60CTM ONSEMI fqu1n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTM-WS FQD2N60CTM-WS ONSEMI fqu2n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; Idm: 7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TM FQD2N90TM ONSEMI fqu2n90tu_am002-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 7.2Ω
Drain current: 1.08A
Pulsed drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 900V
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P40TM ONSEMI fqd2p40-d.pdf FQD2P40TM SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06TM FQD30N06TM ONSEMI fqd30n06-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60CTM-WS ONSEMI fqd3n60ctm_ws-d.pdf FQD3N60CTM-WS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM FQD3P50TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819951B2E4A3E259&compId=FQD3P50.pdf?ci_sign=a950cf6ebbbe597ca1a787d914f57d7b13e525c5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.02 EUR
53+1.37 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
250+0.89 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM-AM002BLT ONSEMI fqd3p50tm-d.pdf FQD3P50TM-AM002BLT SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM-F085 ONSEMI fqd3p50tm_f085-d.pdf FQD3P50TM-F085 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20TM ONSEMI fqd4n20-d.pdf FQD4N20TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N25TM-WS FQD4N25TM-WS ONSEMI fqd4n25-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.9A; Idm: 12A; 37W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 37W
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.6nC
On-state resistance: 1.75Ω
Drain current: 1.9A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25TM-WS ONSEMI fqd4p25tm_ws-d.pdf FQD4P25TM-WS SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40TM ONSEMI fqd4p40-d.pdf FQD4P40TM SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N15TM ONSEMI fqd5n15-d.pdf FQD5N15TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N20LTM ONSEMI fqd5n20l-d.pdf FQD5N20LTM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTM ONSEMI fqu5n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10TM ONSEMI fqd5p10-d.pdf FQD5P10TM SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TM FQD5P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
131+0.55 EUR
138+0.52 EUR
250+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N25TM ONSEMI fqd6n25-d.pdf FQD6N25TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40CTM FQD6N40CTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197D17BA51B0259&compId=FQD6N40C.pdf?ci_sign=0b4eea4af86b8a860307fa7cd4a41b724b14f61b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
69+1.04 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
100+0.83 EUR
250+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N50CTM ONSEMI FQD6N50C-D.pdf FQD6N50CTM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N20LTM FQD7N20LTM ONSEMI FAIR-S-A0000011403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.48A; Idm: 22A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.48A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
95+0.76 EUR
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Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N30TM ONSEMI fqd7n30-d.pdf FQD7N30TM SMD N channel transistors
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FQD7P06TM ONSEMI fqd7p06-d.pdf FQD7P06TM SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7P20TM FQD7P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B12397A74259&compId=FQD7P20.pdf?ci_sign=fe95d1b91b6ea9ff09122f0ac6ac7c7fef44c0c8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8P10TM FQD8P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
81+0.89 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 ONSEMI fqd8p10tm_f085-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; Idm: -26.4A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Pulsed drain current: -26.4A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD9N25TM-F080 FQD9N25TM-F080 ONSEMI ONSM-S-A0003588092-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 29.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQH8N100C FQH8N100C ONSEMI fqh8n100c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; Idm: 32A; 225W; TO247
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 1.45Ω
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 225W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO247
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI13N50CTU ONSEMI FAIRS45953-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi13n50c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 195W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 195W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI27N25TU ONSEMI FAIR-S-A0000097574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQI27N25TU THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI4N80TU ONSEMI FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI4N90TU ONSEMI fqi4n90-d.pdf FQI4N90-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.65A; Idm: 16.8A; 140W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.65A
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 16.8A
Power dissipation: 140W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI5N60CTU ONSEMI FAIRS45966-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi5n60c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; Idm: 18A; 100W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI7N80TU ONSEMI fqi7n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.2A; Idm: 26.4A; 167W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 26.4A
Power dissipation: 167W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQL40N50F FQL40N50F ONSEMI fql40n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; Idm: 160A; 460W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 460W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQN1N50CTA FQN1N50CTA ONSEMI fqn1n50c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 240mA; Idm: 3.04A; 2.08W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 2.08W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.4nC
Pulsed drain current: 3.04A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQNL2N50BTA ONSEMI ONSM-S-A0003585504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQNL2N50BTA THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N20C ONSEMI FAIRS45967-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP10N20C THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B5068BA9876469&compId=FQP11N40C.pdf?ci_sign=5fe18b35e0abcafad5893ab72f1db89a81b884d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
30+2.39 EUR
43+1.7 EUR
45+1.6 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP12P10 ONSEMI fqp12p10-d.pdf FQP12P10 THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP14N30 ONSEMI fqp14n30-d.pdf FQP14N30 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP15P12 ONSEMI FAIR-S-A0002363799-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqp15p12-d.pdf FQP15P12 THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP16N25 ONSEMI fqp16n25-d.pdf FQP16N25 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8P10TM ONSM-S-A0006944028-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQB8P10TM SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD10N20CTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197461A92B30259&compId=FQD10N20C.pdf?ci_sign=c62d5bc9c879fb19f5c2d4ab2f91ba800650fb68
FQD10N20CTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59
FQD11P06TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
55+1.31 EUR
62+1.16 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
250+0.71 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c
FQD12N20LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1411 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
69+1.04 EUR
84+0.86 EUR
138+0.52 EUR
146+0.49 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM-F085 fqd12n20l-d.pdf
FQD12N20LTM-F085
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20TM fqu12n20-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD12N20TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TM-F085 FQD12P10TM_F085.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD12P10TM-F085 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252
FQD13N06LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
97+0.74 EUR
112+0.64 EUR
163+0.44 EUR
173+0.41 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd
FQD13N10LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
90+0.8 EUR
176+0.41 EUR
186+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197B265CCF24259&compId=FQD13N10.pdf?ci_sign=13de686582c24a4ab29917e062128aec721805bd
FQD13N10TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25CTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197B706AEBEC259&compId=FQD16N25C.pdf?ci_sign=8644cd4bd1abc793db4f96f5c30357ab5205bd62
FQD16N25CTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08LTM fqd17n08l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD17N08LTM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994FAB8CB1E259&compId=FQD17P06.pdf?ci_sign=3f8a94db2b5f73fc0d09df1b4a57678c837b40cf
FQD17P06TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.5 EUR
54+1.33 EUR
59+1.21 EUR
98+0.73 EUR
104+0.69 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f
FQD18N20V2TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 9.75A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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44+1.66 EUR
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FQD19N10LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d
FQD19N10LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.53 EUR
69+1.04 EUR
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500+0.63 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10TM fqd19n10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD19N10TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60CTM fqu1n60c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTM-WS fqu2n60c-d.pdf
FQD2N60CTM-WS
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; Idm: 7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TM fqu2n90tu_am002-d.pdf
FQD2N90TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 7.2Ω
Drain current: 1.08A
Pulsed drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 900V
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P40TM fqd2p40-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD2P40TM SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06TM fqd30n06-d.pdf
FQD30N06TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60CTM-WS fqd3n60ctm_ws-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD3N60CTM-WS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819951B2E4A3E259&compId=FQD3P50.pdf?ci_sign=a950cf6ebbbe597ca1a787d914f57d7b13e525c5
FQD3P50TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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36+2.02 EUR
53+1.37 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
250+0.89 EUR
500+0.87 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM-AM002BLT fqd3p50tm-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD3P50TM-AM002BLT SMD P channel transistors
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FQD3P50TM-F085 fqd3p50tm_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD3P50TM-F085 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20TM fqd4n20-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD4N20TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N25TM-WS fqd4n25-d.pdf
FQD4N25TM-WS
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.9A; Idm: 12A; 37W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 37W
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.6nC
On-state resistance: 1.75Ω
Drain current: 1.9A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25TM-WS fqd4p25tm_ws-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD4P25TM-WS SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40TM fqd4p40-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD4P40TM SMD P channel transistors
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FQD5N15TM fqd5n15-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD5N15TM SMD N channel transistors
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FQD5N20LTM fqd5n20l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD5N20LTM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTM fqu5n60c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10TM fqd5p10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD5P10TM SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140
FQD5P20TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
131+0.55 EUR
138+0.52 EUR
250+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N25TM fqd6n25-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD6N25TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40CTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197D17BA51B0259&compId=FQD6N40C.pdf?ci_sign=0b4eea4af86b8a860307fa7cd4a41b724b14f61b
FQD6N40CTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
69+1.04 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
100+0.83 EUR
250+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N50CTM FQD6N50C-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD6N50CTM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N20LTM FAIR-S-A0000011403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQD7N20LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.48A; Idm: 22A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.48A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
95+0.76 EUR
108+0.67 EUR
146+0.49 EUR
155+0.46 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N30TM fqd7n30-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD7N30TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7P06TM fqd7p06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD7P06TM SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B12397A74259&compId=FQD7P20.pdf?ci_sign=fe95d1b91b6ea9ff09122f0ac6ac7c7fef44c0c8
FQD7P20TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
65+1.1 EUR
87+0.83 EUR
92+0.78 EUR
250+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1
FQD8P10TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
81+0.89 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8P10TM-F085 fqd8p10tm_f085-d.pdf
FQD8P10TM-F085
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; Idm: -26.4A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Pulsed drain current: -26.4A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD9N25TM-F080 ONSM-S-A0003588092-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQD9N25TM-F080
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 29.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQH8N100C fqh8n100c-d.pdf
FQH8N100C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; Idm: 32A; 225W; TO247
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 1.45Ω
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 225W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO247
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI13N50CTU FAIRS45953-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi13n50c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 195W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 195W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI27N25TU FAIR-S-A0000097574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQI27N25TU THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI4N80TU FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi4n80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI4N90TU fqi4n90-d.pdf FQI4N90-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.65A; Idm: 16.8A; 140W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.65A
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 16.8A
Power dissipation: 140W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI5N60CTU FAIRS45966-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi5n60c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; Idm: 18A; 100W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI7N80TU fqi7n80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.2A; Idm: 26.4A; 167W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 26.4A
Power dissipation: 167W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQL40N50F fql40n50f-d.pdf
FQL40N50F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; Idm: 160A; 460W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 460W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQN1N50CTA fqn1n50c-d.pdf
FQN1N50CTA
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 240mA; Idm: 3.04A; 2.08W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 2.08W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.4nC
Pulsed drain current: 3.04A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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FQNL2N50BTA ONSM-S-A0003585504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQNL2N50BTA THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N20C FAIRS45967-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQP10N20C THT N channel transistors
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FQP11N40C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B5068BA9876469&compId=FQP11N40C.pdf?ci_sign=5fe18b35e0abcafad5893ab72f1db89a81b884d1
FQP11N40C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
30+2.39 EUR
43+1.7 EUR
45+1.6 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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FQP12P10 fqp12p10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP12P10 THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP14N30 fqp14n30-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP14N30 THT N channel transistors
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FQP15P12 FAIR-S-A0002363799-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqp15p12-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP15P12 THT P channel transistors
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FQP16N25 fqp16n25-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP16N25 THT N channel transistors
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