Produkte > ONSEMI > Alle Produkte des Herstellers ONSEMI (148984) > Seite 1776 nach 2484

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1771 1772 1773 1774 1775 1776 1777 1778 1779 1780 1781 1984 2232 2480 2484  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FQP17P06 FQP17P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197FB7713556259&compId=FQP17P06.pdf?ci_sign=f3ca18f58eba042b9d8cd754c04cd5db64aa1adc Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP24N08 ONSEMI fqp24n08-d.pdf FQP24N08 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27P06 FQP27P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BA06562B5F1A303005056AB0C4F&compId=FQP27P06.pdf?ci_sign=2ed558b67ec056b733e490276427ca921640cfb6 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.06 EUR
28+2.6 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
100+1.49 EUR
250+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N40-F080 ONSEMI fqp2n40-d.pdf FQP2N40-F080 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N80 ONSEMI ONSM-S-A0003584912-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP2N80 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP32N20C ONSEMI fqpf32n20c-d.pdf FQP32N20C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP34N20 FQP34N20 ONSEMI ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
8+8.94 EUR
21+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP3N50C-F080 ONSEMI fqp3n50c-d.pdf FQP3N50C-F080 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP3N60C FQP3N60C ONSEMI fqp3n60c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP3N80C ONSEMI FAIRS47784-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP3N80C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP45N15V2 ONSEMI fqpf45n15v2-d.pdf FQP45N15V2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP47P06 FQP47P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199E4B6843E6259&compId=FQP47P06.pdf?ci_sign=8b76fd8afdefd89adb24be6796803743fcd78564 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.48 EUR
20+3.69 EUR
27+2.66 EUR
29+2.52 EUR
30+2.46 EUR
50+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP4N20L ONSEMI FAIRS45973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP4N20L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP4N80 FQP4N80 ONSEMI fqp4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
12+5.96 EUR
33+2.17 EUR
250+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP50N06 ONSEMI fqp50n06-d.pdf FQP50N06 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP55N10 ONSEMI fqp55n10-d.pdf FQP55N10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N40C ONSEMI FAIRS46437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP6N40C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N40CF ONSEMI FAIRS46437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP6N40CF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781981A08ADCD2259&compId=FQP6N80C.pdf?ci_sign=b9669ab150a9cca713dec943bd7b58e01a311e8e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.5 EUR
27+2.7 EUR
40+1.82 EUR
42+1.72 EUR
100+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP7P06 ONSEMI fqp7p06-d.pdf FQP7P06 THT P channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
17+4.2 EUR
45+1.59 EUR
250+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP8N80C FQP8N80C ONSEMI FQPF8N80C-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 178W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 178W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP8P10 ONSEMI fqp8p10-d.pdf FQP8P10 THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N30 ONSEMI fqp9n30-d.pdf FQP9N30 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781982A790889E259&compId=FQP9N90C.pdf?ci_sign=b4df4717521c00833dc3a554ff86d71aff9eadfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.73 EUR
22+3.26 EUR
24+3.09 EUR
100+3 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF11N40C FQPF11N40C ONSEMI FAIRS45968-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; Idm: 42A; 44W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 44W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Pulsed drain current: 42A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF11P06 ONSEMI fqpf11p06-d.pdf FQPF11P06 THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N06L FQPF13N06L ONSEMI fqpf13n06l-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.1A; Idm: 40A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CF FQPF13N50CF ONSEMI fqpf13n50cf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.2 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
100+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF15P12 ONSEMI fqp15p12-d.pdf FQPF15P12 THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF16N25C FQPF16N25C ONSEMI fqp16n25c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.8A; Idm: 62.4A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 62.4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF19N10 ONSEMI FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQPF19N10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF19N20 ONSEMI FAIRS45975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQPF19N20 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF19N20C FQPF19N20C ONSEMI fqpf19n20c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
40+1.79 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF22N30 ONSEMI fqpf22n30-d.pdf FQPF22N30 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF27N25 ONSEMI fqpf27n25-d.pdf FQPF27N25 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF27P06 FQPF27P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199EA61DADD6259&compId=FQPF27P06.pdf?ci_sign=ec17df6d8f5dd9ac50894e30ab8ac16dd855550e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 47W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N70 ONSEMI FAIRS46084-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQPF2N70 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N80 ONSEMI fqpf2n80-d.pdf FQPF2N80 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N80YDTU ONSEMI fqpf2n80ydtu-d.pdf FAIRS45220-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQPF2N80YDTU THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF32N20C ONSEMI fqpf32n20c-d.pdf FQPF32N20C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N80C FQPF3N80C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199086BB7034259&compId=FQPF3N80C.pdf?ci_sign=3c892c6274cd4774a9c9b414539833112cdefe4e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.92 EUR
48+1.52 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF45N15V2 ONSEMI fqpf45n15v2-d.pdf FQPF45N15V2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06 FQPF47P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B1AA2D69CF974A15&compId=FQPF47P06.pdf?ci_sign=a8cd8163a4c53a7c85c45f19f1ae4bff51c5b9cf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.79 EUR
22+3.33 EUR
27+2.73 EUR
28+2.59 EUR
100+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N40 ONSEMI fqpf5n40-d.pdf FQPF5N40 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU ONSEMI FQP5N50C%2C%20FQPF5N50C.pdf FAIRS27140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N90 ONSEMI fqpf5n90-d.pdf FQPF5N90 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80CT FQPF6N80CT ONSEMI fqpf6n80c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 22A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80T FQPF6N80T ONSEMI fqpf6n80t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.1A; Idm: 13.2A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13.2A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7P20 ONSEMI FQPF7P20-D.pdf FQPF7P20 THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF85N06 ONSEMI fqpf85n06-d.pdf FQPF85N06 THT N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
7+10.21 EUR
19+3.76 EUR
250+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N80CYDTU ONSEMI fqpf8n80c-d.pdf FQPF8N80CYDTU THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25C ONSEMI fqpf9n25c-d.pdf FQPF9N25C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT FQPF9N90CT ONSEMI FQPF9N90C-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.06 EUR
21+3.47 EUR
22+3.27 EUR
100+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQS4901TF ONSEMI fqs4901-d.pdf FQS4901TF Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06LTF ONSEMI fqt13n06l-d.pdf FQT13N06LTF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06TF ONSEMI fqt13n06-d.pdf FQT13N06TF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N60CTF-WS FQT1N60CTF-WS ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197DC21803AE259&compId=FQT1N60CTF-WS.pdf?ci_sign=0fff2725d6c9bc81e14da7324ba40b71646b4ade Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.2nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N80TF-WS FQT1N80TF-WS ONSEMI fqt1n80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.12A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.1W
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT2P25TF ONSEMI fqt2p25-d.pdf FQT2P25TF SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT3P20TF ONSEMI fqt3p20-d.pdf FQT3P20TF SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP17P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197FB7713556259&compId=FQP17P06.pdf?ci_sign=f3ca18f58eba042b9d8cd754c04cd5db64aa1adc
FQP17P06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP24N08 fqp24n08-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP24N08 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BA06562B5F1A303005056AB0C4F&compId=FQP27P06.pdf?ci_sign=2ed558b67ec056b733e490276427ca921640cfb6
FQP27P06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.06 EUR
28+2.6 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
100+1.49 EUR
250+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N40-F080 fqp2n40-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP2N40-F080 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N80 ONSM-S-A0003584912-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQP2N80 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP32N20C fqpf32n20c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP32N20C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP34N20 ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP34N20
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
8+8.94 EUR
21+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP3N50C-F080 fqp3n50c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP3N50C-F080 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP3N60C fqp3n60c-d.pdf
FQP3N60C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP3N80C FAIRS47784-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQP3N80C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP45N15V2 fqpf45n15v2-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP45N15V2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP47P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199E4B6843E6259&compId=FQP47P06.pdf?ci_sign=8b76fd8afdefd89adb24be6796803743fcd78564
FQP47P06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.48 EUR
20+3.69 EUR
27+2.66 EUR
29+2.52 EUR
30+2.46 EUR
50+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP4N20L FAIRS45973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQP4N20L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP4N80 fqp4n80-d.pdf
FQP4N80
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
12+5.96 EUR
33+2.17 EUR
250+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP50N06 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP55N10 fqp55n10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP55N10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N40C FAIRS46437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQP6N40C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N40CF FAIRS46437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQP6N40CF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N80C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781981A08ADCD2259&compId=FQP6N80C.pdf?ci_sign=b9669ab150a9cca713dec943bd7b58e01a311e8e
FQP6N80C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.5 EUR
27+2.7 EUR
40+1.82 EUR
42+1.72 EUR
100+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP7P06 fqp7p06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP7P06 THT P channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
17+4.2 EUR
45+1.59 EUR
250+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP8N80C FQPF8N80C-D.pdf
FQP8N80C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 178W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 178W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP8P10 fqp8p10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP8P10 THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N30 fqp9n30-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQP9N30 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781982A790889E259&compId=FQP9N90C.pdf?ci_sign=b4df4717521c00833dc3a554ff86d71aff9eadfa
FQP9N90C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.73 EUR
22+3.26 EUR
24+3.09 EUR
100+3 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF11N40C FAIRS45968-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF11N40C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; Idm: 42A; 44W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 44W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Pulsed drain current: 42A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF11P06 fqpf11p06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQPF11P06 THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N06L fqpf13n06l-d.pdf
FQPF13N06L
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.1A; Idm: 40A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CF fqpf13n50cf-d.pdf
FQPF13N50CF
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.2 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
100+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF15P12 fqp15p12-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQPF15P12 THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF16N25C fqp16n25c-d.pdf
FQPF16N25C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.8A; Idm: 62.4A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 62.4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF19N10 FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQPF19N10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF19N20 FAIRS45975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQPF19N20 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF19N20C fqpf19n20c-d.pdf
FQPF19N20C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
40+1.79 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF22N30 fqpf22n30-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQPF22N30 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF27N25 fqpf27n25-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQPF27N25 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF27P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199EA61DADD6259&compId=FQPF27P06.pdf?ci_sign=ec17df6d8f5dd9ac50894e30ab8ac16dd855550e
FQPF27P06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 47W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N70 FAIRS46084-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQPF2N70 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N80 fqpf2n80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQPF2N80 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N80YDTU fqpf2n80ydtu-d.pdf FAIRS45220-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQPF2N80YDTU THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF32N20C fqpf32n20c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQPF32N20C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N80C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199086BB7034259&compId=FQPF3N80C.pdf?ci_sign=3c892c6274cd4774a9c9b414539833112cdefe4e
FQPF3N80C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.92 EUR
48+1.52 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF45N15V2 fqpf45n15v2-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQPF45N15V2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B1AA2D69CF974A15&compId=FQPF47P06.pdf?ci_sign=a8cd8163a4c53a7c85c45f19f1ae4bff51c5b9cf
FQPF47P06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.79 EUR
22+3.33 EUR
27+2.73 EUR
28+2.59 EUR
100+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N40 fqpf5n40-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQPF5N40 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50CYDTU FQP5N50C%2C%20FQPF5N50C.pdf FAIRS27140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF5N50CYDTU
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N90 fqpf5n90-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQPF5N90 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80CT fqpf6n80c-d.pdf
FQPF6N80CT
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 22A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80T fqpf6n80t-d.pdf
FQPF6N80T
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.1A; Idm: 13.2A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13.2A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7P20 FQPF7P20-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQPF7P20 THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF85N06 fqpf85n06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQPF85N06 THT N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
7+10.21 EUR
19+3.76 EUR
250+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N80CYDTU fqpf8n80c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQPF8N80CYDTU THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25C fqpf9n25c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQPF9N25C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT FQPF9N90C-D.PDF
FQPF9N90CT
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.06 EUR
21+3.47 EUR
22+3.27 EUR
100+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQS4901TF fqs4901-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQS4901TF Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06LTF fqt13n06l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQT13N06LTF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06TF fqt13n06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQT13N06TF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N60CTF-WS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197DC21803AE259&compId=FQT1N60CTF-WS.pdf?ci_sign=0fff2725d6c9bc81e14da7324ba40b71646b4ade
FQT1N60CTF-WS
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.2nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N80TF-WS fqt1n80-d.pdf
FQT1N80TF-WS
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.12A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.1W
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT2P25TF fqt2p25-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQT2P25TF SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT3P20TF fqt3p20-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQT3P20TF SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1771 1772 1773 1774 1775 1776 1777 1778 1779 1780 1781 1984 2232 2480 2484  [ Nächste Seite >> ]