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NC7WZ08L8X NC7WZ08L8X ONSEMI 2572386.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ08L8X - AND-Gatter, NC7WZ08, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V Versorgungsspannung, 50mAout, UQFN-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NC7WZ08K8X NC7WZ08K8X ONSEMI 2286288.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ08K8X - AND-Gatter, NC7W08, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
Ausgangsstrom: 32
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7W08
Logiktyp: AND
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 7W08
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP508SQ33T1G NCP508SQ33T1G ONSEMI 2236906.pdf Description: ONSEMI - NCP508SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4V bis 7Vin, 180mV Dropout, 3.3Vout und 50mAout, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 180mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SS22FA SS22FA ONSEMI 2572329.pdf Description: ONSEMI - SS22FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 2 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SS22FA SS22FA ONSEMI 2572329.pdf Description: ONSEMI - SS22FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 2 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP1392BDR2G NCP1392BDR2G ONSEMI 2355061.pdf Description: ONSEMI - NCP1392BDR2G - MOSFET-Treiber, 16V Versorgungsspannung, 1A Ausgangsspannung, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV887300D1R2G NCV887300D1R2G ONSEMI 2161094.pdf Description: ONSEMI - NCV887300D1R2G - PWM-Controller, Boost, 40V-3V Versorgungsspannung, 1MHz, 800mAout, SOIC-8
Bauform - Controller-IC: SOIC
Ausgangsstrom: 800
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Eingangsspannung: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV887300D1R2G NCV887300D1R2G ONSEMI 2161094.pdf Description: ONSEMI - NCV887300D1R2G - PWM-Controller, Boost, 40V-3V Versorgungsspannung, 1MHz, 800mAout, SOIC-8
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV887301D1R2G. NCV887301D1R2G. ONSEMI 2180991.pdf Description: ONSEMI - NCV887301D1R2G. - DC/DC-Regler, Boost / Aufwärts, 3.2V-40V Versorgungsspannung, 87.5% Tastverhältnis, 400kHz, SOIC-8
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV887301D1R2G. NCV887301D1R2G. ONSEMI 2180991.pdf Description: ONSEMI - NCV887301D1R2G. - DC/DC-Regler, Boost / Aufwärts, 3.2V-40V Versorgungsspannung, 87.5% Tastverhältnis, 400kHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 400
Bauform - Controller-IC: SOIC
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Tastverhältnis (%): 87.5
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.2
Topologie: Boost (Aufwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV887302D1R2G NCV887302D1R2G ONSEMI NCV8873-D.PDF Description: ONSEMI - NCV887302D1R2G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8896 FDP8896 ONSEMI FDP8896-D.pdf Description: ONSEMI - FDP8896 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
auf Bestellung 28745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS6675. FDS6675. ONSEMI 2281690.pdf Description: ONSEMI - FDS6675. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
FAN53541UCX FAN53541UCX ONSEMI 2729271.pdf Description: ONSEMI - FAN53541UCX - DC/DC-Abwärtsregler (Buck), synchron, einstellbar, 2.7V-5.5Vin, 0.8V-4.95V/5Aout, 2.4MHz, WLCSP-20
Schaltfrequenz: 2.4
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: WLCSP
Ausgangsspannung, min.: 800
Ausgangsspannung, max.: 4.95
Ausgangsstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Eingangsspannung, max.: 5.5
Eingangsspannung, min.: 2.7
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FAN53541UCX FAN53541UCX ONSEMI 2729271.pdf Description: ONSEMI - FAN53541UCX - DC/DC-Abwärtsregler (Buck), synchron, einstellbar, 2.7V-5.5Vin, 0.8V-4.95V/5Aout, 2.4MHz, WLCSP-20
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3446T1G NTGS3446T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 2119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS3446T1G NTGS3446T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 2119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS4111PT1G NTGS4111PT1G ONSEMI 1921131.pdf Description: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS3443T1G NTGS3443T1G ONSEMI 1748760.pdf Description: ONSEMI - NTGS3443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.058 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS4111PT1G NTGS4111PT1G ONSEMI 1921131.pdf Description: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS5120PT1G NTGS5120PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013708036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGS5120PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.072 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS3136PT1G NTGS3136PT1G ONSEMI 2578361.pdf Description: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3136PT1G NTGS3136PT1G ONSEMI 2578361.pdf Description: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3130NT1G NTGS3130NT1G ONSEMI NTGS3130N-D.PDF Description: ONSEMI - NTGS3130NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
TCP-5082UB-DT TCP-5082UB-DT ONSEMI TCP-5082UB-D.PDF Description: ONSEMI - TCP-5082UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
TCP-5068UB-DT TCP-5068UB-DT ONSEMI TCP-5068UB-D.PDF Description: ONSEMI - TCP-5068UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
TCP-5033UB-DT TCP-5033UB-DT ONSEMI TCP-5033UB-D.PDF Description: ONSEMI - TCP-5033UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
TCP-5039UB-DT TCP-5039UB-DT ONSEMI TCP-5039UB-D.PDF Description: ONSEMI - TCP-5039UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
TCP-5047UB-DT TCP-5047UB-DT ONSEMI TCP-5047UB-D.PDF Description: ONSEMI - TCP-5047UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
BUL45D2G BUL45D2G ONSEMI 1917431.pdf description Description: ONSEMI - BUL45D2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCV71 BCV71 ONSEMI ONSM-S-A0003590335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCV71 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX85-C3V6 BZX85-C3V6 ONSEMI 2303870.pdf Description: ONSEMI - BZX85-C3V6 - Zener-Diode, 3.6 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 3.6
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
NC7SZU04FHX NC7SZU04FHX ONSEMI NC7SZU04-D.PDF Description: ONSEMI - NC7SZU04FHX - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 6 Pin(s), UDFN, NC7SZU04
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7SZU
Bauform - Logikbaustein: UDFN
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZU04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCPF380N65FL1. FCPF380N65FL1. ONSEMI FCPF380N65FL1-D.pdf Description: ONSEMI - FCPF380N65FL1. - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
BZX85-C30 BZX85-C30 ONSEMI 2303870.pdf Description: ONSEMI - BZX85-C30 - Zener-Diode, 30 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 30
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV891330PD40R2G NCV891330PD40R2G ONSEMI ncv891330-d.pdf Description: ONSEMI - NCV891330PD40R2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), AEC-Q100, 3.7V bis 36Vin, 4V/3Aout, 2MHz, HSOIC-8
Schaltfrequenz: 2
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: HSOIC
Ausgangsstrom: 3
Nennausgangsspannung: 4
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Eingangsspannung, max.: 36
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 3.7
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FDA38N30 FDA38N30 ONSEMI fda38n30-d.pdf Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDA20N50F FDA20N50F ONSEMI 2572497.pdf Description: ONSEMI - FDA20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.22 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 22
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 388
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 388
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FSA4157P6X FSA4157P6X ONSEMI 2299501.pdf Description: ONSEMI - FSA4157P6X - Analogschalter, 1 Kanäle, SPDT, 1.15 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 6 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPDT
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 1.15
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BZX85-C33 BZX85-C33 ONSEMI 2303870.pdf Description: ONSEMI - BZX85-C33 - Zener-Diode, 33 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 33
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
NLV74VHC595DTR2G NLV74VHC595DTR2G ONSEMI MC74VHC595-D.PDF Description: ONSEMI - NLV74VHC595DTR2G - SHIFT REGISTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NB3L553DR2G NB3L553DR2G ONSEMI 2354008.pdf Description: ONSEMI - NB3L553DR2G - Takt-Fanout-Puffer 1:4, bis zu 200MHz, Three-State-Modus, 4 Ausgänge, 2.375V bis 5.25V, SOIC-8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 200
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.375
Takt-IC: Fanout-Puffer
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NB3L553DR2G NB3L553DR2G ONSEMI 2354008.pdf Description: ONSEMI - NB3L553DR2G - Takt-Fanout-Puffer 1:4, bis zu 200MHz, Three-State-Modus, 4 Ausgänge, 2.375V bis 5.25V, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NC7SZ74L8X NC7SZ74L8X ONSEMI 1727525.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ74L8X - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, NC7S74, D, 250 MHz, MLP
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MLP
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 250MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: -
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 11110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS8984 FDS8984 ONSEMI ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS8978 FDS8978 ONSEMI ONSM-S-A0014832224-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8978 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS8984 FDS8984 ONSEMI ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS8949-F085 FDS8949-F085 ONSEMI 2277575.pdf Description: ONSEMI - FDS8949-F085 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
KSE44H11 KSE44H11 ONSEMI KSE44H-D.pdf Description: ONSEMI - KSE44H11 - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
KSE44H11TU KSE44H11TU ONSEMI 694309.pdf Description: ONSEMI - KSE44H11TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 1.67 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.67
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
FQT5P10TF FQT5P10TF ONSEMI 2285753.pdf Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDBL9403-F085T6 FDBL9403-F085T6 ONSEMI ONSM-S-A0015368698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL9403-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.00084 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 159.6W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDBL9403L-F085 FDBL9403L-F085 ONSEMI ONSM-S-A0015368341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 590 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357.1W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 590µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDBL9403L-F085 FDBL9403L-F085 ONSEMI ONSM-S-A0015368341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 590 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357.1W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 590µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDBL0090N40 FDBL0090N40 ONSEMI FDBL0090N40-D.pdf Description: ONSEMI - FDBL0090N40 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SHN1B01FDW1T1G SHN1B01FDW1T1G ONSEMI hn1b01fdw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - SHN1B01FDW1T1G - NPN PNP BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCS21801SQ3T2G NCS21801SQ3T2G ONSEMI ncs21801-d.pdf Description: ONSEMI - NCS21801SQ3T2G - Operationsverstärker, 1.5 MHz, 0.7 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 0.7V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -888
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -888
Bandbreite: 1.5MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQP45N15V2 FQP45N15V2 ONSEMI ONSM-S-A0003588017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1803S-H. 2SD1803S-H. ONSEMI EN2085-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1803S-H. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NC7WZ08L8X 2572386.pdf
NC7WZ08L8X
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ08L8X - AND-Gatter, NC7WZ08, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V Versorgungsspannung, 50mAout, UQFN-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NC7WZ08K8X 2286288.pdf
NC7WZ08K8X
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ08K8X - AND-Gatter, NC7W08, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
Ausgangsstrom: 32
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7W08
Logiktyp: AND
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 7W08
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP508SQ33T1G 2236906.pdf
NCP508SQ33T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP508SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4V bis 7Vin, 180mV Dropout, 3.3Vout und 50mAout, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 180mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SS22FA 2572329.pdf
SS22FA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS22FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 2 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SS22FA 2572329.pdf
SS22FA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS22FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 2 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP1392BDR2G 2355061.pdf
NCP1392BDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1392BDR2G - MOSFET-Treiber, 16V Versorgungsspannung, 1A Ausgangsspannung, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV887300D1R2G 2161094.pdf
NCV887300D1R2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV887300D1R2G - PWM-Controller, Boost, 40V-3V Versorgungsspannung, 1MHz, 800mAout, SOIC-8
Bauform - Controller-IC: SOIC
Ausgangsstrom: 800
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Eingangsspannung: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV887300D1R2G 2161094.pdf
NCV887300D1R2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV887300D1R2G - PWM-Controller, Boost, 40V-3V Versorgungsspannung, 1MHz, 800mAout, SOIC-8
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV887301D1R2G. 2180991.pdf
NCV887301D1R2G.
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV887301D1R2G. - DC/DC-Regler, Boost / Aufwärts, 3.2V-40V Versorgungsspannung, 87.5% Tastverhältnis, 400kHz, SOIC-8
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV887301D1R2G. 2180991.pdf
NCV887301D1R2G.
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV887301D1R2G. - DC/DC-Regler, Boost / Aufwärts, 3.2V-40V Versorgungsspannung, 87.5% Tastverhältnis, 400kHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 400
Bauform - Controller-IC: SOIC
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Tastverhältnis (%): 87.5
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.2
Topologie: Boost (Aufwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV887302D1R2G NCV8873-D.PDF
NCV887302D1R2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV887302D1R2G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8896 FDP8896-D.pdf
FDP8896
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP8896 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS6675BZ 2284482.pdf
FDS6675BZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
auf Bestellung 28745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS6675. 2281690.pdf
FDS6675.
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6675. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
FAN53541UCX 2729271.pdf
FAN53541UCX
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN53541UCX - DC/DC-Abwärtsregler (Buck), synchron, einstellbar, 2.7V-5.5Vin, 0.8V-4.95V/5Aout, 2.4MHz, WLCSP-20
Schaltfrequenz: 2.4
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: WLCSP
Ausgangsspannung, min.: 800
Ausgangsspannung, max.: 4.95
Ausgangsstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Eingangsspannung, max.: 5.5
Eingangsspannung, min.: 2.7
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FAN53541UCX 2729271.pdf
FAN53541UCX
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN53541UCX - DC/DC-Abwärtsregler (Buck), synchron, einstellbar, 2.7V-5.5Vin, 0.8V-4.95V/5Aout, 2.4MHz, WLCSP-20
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3446T1G ONSM-S-A0013300807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGS3446T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 2119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS3446T1G ONSM-S-A0013300807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGS3446T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 2119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS4111PT1G 1921131.pdf
NTGS4111PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS3443T1G 1748760.pdf
NTGS3443T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.058 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS4111PT1G 1921131.pdf
NTGS4111PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS5120PT1G ONSM-S-A0013708036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGS5120PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS5120PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.072 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS3136PT1G 2578361.pdf
NTGS3136PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3136PT1G 2578361.pdf
NTGS3136PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3130NT1G NTGS3130N-D.PDF
NTGS3130NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3130NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
TCP-5082UB-DT TCP-5082UB-D.PDF
TCP-5082UB-DT
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TCP-5082UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
TCP-5068UB-DT TCP-5068UB-D.PDF
TCP-5068UB-DT
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TCP-5068UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
TCP-5033UB-DT TCP-5033UB-D.PDF
TCP-5033UB-DT
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TCP-5033UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
TCP-5039UB-DT TCP-5039UB-D.PDF
TCP-5039UB-DT
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TCP-5039UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
TCP-5047UB-DT TCP-5047UB-D.PDF
TCP-5047UB-DT
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TCP-5047UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
BUL45D2G description 1917431.pdf
BUL45D2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUL45D2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCV71 ONSM-S-A0003590335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCV71
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCV71 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX85-C3V6 2303870.pdf
BZX85-C3V6
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C3V6 - Zener-Diode, 3.6 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 3.6
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
NC7SZU04FHX NC7SZU04-D.PDF
NC7SZU04FHX
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZU04FHX - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 6 Pin(s), UDFN, NC7SZU04
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7SZU
Bauform - Logikbaustein: UDFN
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZU04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCPF380N65FL1. FCPF380N65FL1-D.pdf
FCPF380N65FL1.
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF380N65FL1. - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
BZX85-C30 2303870.pdf
BZX85-C30
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C30 - Zener-Diode, 30 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 30
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV891330PD40R2G ncv891330-d.pdf
NCV891330PD40R2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV891330PD40R2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), AEC-Q100, 3.7V bis 36Vin, 4V/3Aout, 2MHz, HSOIC-8
Schaltfrequenz: 2
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: HSOIC
Ausgangsstrom: 3
Nennausgangsspannung: 4
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Eingangsspannung, max.: 36
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 3.7
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FDA38N30 fda38n30-d.pdf
FDA38N30
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDA20N50F 2572497.pdf
FDA20N50F
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.22 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 22
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 388
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 388
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FSA4157P6X 2299501.pdf
FSA4157P6X
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA4157P6X - Analogschalter, 1 Kanäle, SPDT, 1.15 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 6 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPDT
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 1.15
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BZX85-C33 2303870.pdf
BZX85-C33
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C33 - Zener-Diode, 33 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 33
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
NLV74VHC595DTR2G MC74VHC595-D.PDF
NLV74VHC595DTR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74VHC595DTR2G - SHIFT REGISTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NB3L553DR2G 2354008.pdf
NB3L553DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB3L553DR2G - Takt-Fanout-Puffer 1:4, bis zu 200MHz, Three-State-Modus, 4 Ausgänge, 2.375V bis 5.25V, SOIC-8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 200
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.375
Takt-IC: Fanout-Puffer
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NB3L553DR2G 2354008.pdf
NB3L553DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB3L553DR2G - Takt-Fanout-Puffer 1:4, bis zu 200MHz, Three-State-Modus, 4 Ausgänge, 2.375V bis 5.25V, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NC7SZ74L8X 1727525.pdf
NC7SZ74L8X
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ74L8X - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, NC7S74, D, 250 MHz, MLP
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MLP
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 250MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: -
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 11110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS8984 ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8984
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS8978 ONSM-S-A0014832224-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8978
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8978 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS8984 ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8984
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS8949-F085 2277575.pdf
FDS8949-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8949-F085 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
KSE44H11 KSE44H-D.pdf
KSE44H11
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSE44H11 - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
KSE44H11TU 694309.pdf
KSE44H11TU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSE44H11TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 1.67 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.67
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
FQT5P10TF 2285753.pdf
FQT5P10TF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDBL9403-F085T6 ONSM-S-A0015368698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDBL9403-F085T6
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9403-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.00084 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 159.6W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDBL9403L-F085 ONSM-S-A0015368341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDBL9403L-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 590 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357.1W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 590µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDBL9403L-F085 ONSM-S-A0015368341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDBL9403L-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 590 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357.1W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 590µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDBL0090N40 FDBL0090N40-D.pdf
FDBL0090N40
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0090N40 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SHN1B01FDW1T1G hn1b01fdw1t1-d.pdf
SHN1B01FDW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SHN1B01FDW1T1G - NPN PNP BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCS21801SQ3T2G ncs21801-d.pdf
NCS21801SQ3T2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS21801SQ3T2G - Operationsverstärker, 1.5 MHz, 0.7 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 0.7V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -888
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -888
Bandbreite: 1.5MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQP45N15V2 ONSM-S-A0003588017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP45N15V2
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1803S-H. EN2085-D.PDF
2SD1803S-H.
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803S-H. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
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