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HGTG30N60A4

HGTG30N60A4 FAIR/ON

HGTG30N60A4.pdf
Produktcode: 42509
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Hersteller: FAIR/ON
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 75 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 463 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 25/150
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HGTG30N60A4 ONS/FAI HGTG30N60A4.pdf IGBT, TO-247 Транзистори
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HGTG30N60A4 HGTG30N60A4 onsemi hgtg30n60a4-d.pdf Description: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
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HGTG30N60A4 HGTG30N60A4 onsemi hgtg30n60a4-d.pdf IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
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HGTG30N60A4 HGTG30N60A4 ONSEMI 2284343.pdf Description: ONSEMI - HGTG30N60A4 - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
Verlustleistung Pd: 463
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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HGTG30N60A4 ON Semiconductor hgtg30n60a4-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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HGTG30N60A4 HGTG30N60A4.pdf
Hersteller: ONS/FAI
IGBT, TO-247 Транзистори
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HGTG30N60A4 hgtg30n60a4-d.pdf
HGTG30N60A4
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
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HGTG30N60A4
Hersteller: onsemi
IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
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HGTG30N60A4
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60A4 - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
Verlustleistung Pd: 463
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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HGTG30N60A4 hgtg30n60a4-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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