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FDPF8N50NZU FDPF8N50NZU ONSEMI FDPF8N50NZU-D.pdf Description: ONSEMI - FDPF8N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.5 A, 1 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8N50NZ FDP8N50NZ ONSEMI ONSM-S-A0003584403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDP8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDPF8N50NZ FDPF8N50NZ ONSEMI FDPF8N50NZ-D.pdf Description: ONSEMI - FDPF8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 40.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 40.3
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.77
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
HUF75321P3 HUF75321P3 ONSEMI ONSM-S-A0003590844-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75321P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
HUF75852G3 HUF75852G3 ONSEMI HUF75852G3-D.pdf Description: ONSEMI - HUF75852G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NDS331N NDS331N ONSEMI 3982295.pdf Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 401095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDB7030BL. FDB7030BL. ONSEMI 2572500.pdf Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
FDB7030BL. FDB7030BL. ONSEMI 2572500.pdf Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
Qualifikation: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SZ16DFT2G NL17SZ16DFT2G ONSEMI 2354014.pdf Description: ONSEMI - NL17SZ16DFT2G - Logik, Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SZ16XV5T2G NL17SZ16XV5T2G ONSEMI NL17SZ16-D.PDF Description: ONSEMI - NL17SZ16XV5T2G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SZ16DBVT1G NL17SZ16DBVT1G ONSEMI NL17SZ16-D.PDF Description: ONSEMI - NL17SZ16DBVT1G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV553SQ30T1G NCV553SQ30T1G ONSEMI NCP553-D.PDF Description: ONSEMI - NCV553SQ30T1G - LDO REGULATOR, 80 MA, ULTRA-LOW IQ 3.0V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV8114BSN300T1G NCV8114BSN300T1G ONSEMI NCV8114-D.PDF Description: ONSEMI - NCV8114BSN300T1G - LDO REGULATOR, 300 MA, LOW IQ 3.0V HZ
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
CAT5115YI-50-GT3 CAT5115YI-50-GT3 ONSEMI CAT5115-D.PDF Description: ONSEMI - CAT5115YI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP1096PAR2G NCP1096PAR2G ONSEMI ONSM-S-A0014909824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP1096PAR2G NCP1096PAR2G ONSEMI ONSM-S-A0014909824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP1095DBR2 ONSEMI 2850010.pdf Description: ONSEMI - NCP1095DBR2 - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
Bauform - Controller-IC: TSSOP
Ausgangsstrom: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): -
Frequenz: -
Leistung, max.: 90
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung: 57
Anzahl der Pins: 16
UVLO: 32.3
Produktpalette: -
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
RHRG5060 RHRG5060 ONSEMI 1863521.pdf Description: ONSEMI - RHRG5060 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 50 ns, 500 A
Bauform - Diode: TO-247AB
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1
Sperrverzögerungszeit: 50
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRG5
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SBCP56-16T1G SBCP56-16T1G ONSEMI 2160718.pdf Description: ONSEMI - SBCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NL7SZ18DBVT1G NL7SZ18DBVT1G ONSEMI NL7SZ18-D.PDF Description: ONSEMI - NL7SZ18DBVT1G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NLV74LCX138DR2G NLV74LCX138DR2G ONSEMI MC74LCX138-D.PDF Description: ONSEMI - NLV74LCX138DR2G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NC7SV19L6X NC7SV19L6X ONSEMI NC7SV19-D.pdf Description: ONSEMI - NC7SV19L6X - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SGF23N60UFTU. ONSEMI SGF23N60UF-D.pdf Description: ONSEMI - SGF23N60UFTU. - IGBT, 600V, PT
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FSAL200QSCX FSAL200QSCX ONSEMI 2299862.pdf Description: ONSEMI - FSAL200QSCX - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 2:1, 4 Schaltkreise, 12 Ohm, 3V bis 5.5V, QSOP-16
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - analoger Multiplexer: QSOP
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Multiplexerkonfiguration: 2:1
Anzahl der Schaltkreise: 4
Durchlasswiderstand, max.: 12
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN306P FDN306P ONSEMI 2304102.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 11225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDBL9406-F085T6 FDBL9406-F085T6 ONSEMI FDBL9406-F085T6-D.PDF Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDBL9406-F085T6 FDBL9406-F085T6 ONSEMI FDBL9406-F085T6-D.PDF Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30C02CH-TL-E ONSEMI 2907275.pdf Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 540
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30C02CH-TL-E ONSEMI 2907275.pdf Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Verlustleistung: 700
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP5109BDR2G NCP5109BDR2G ONSEMI NCP5109-D.PDF Description: ONSEMI - NCP5109BDR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 250
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV333ASN2T1G NCV333ASN2T1G ONSEMI NCS333-D.PDF Description: ONSEMI - NCV333ASN2T1G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.15
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 350
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 6640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV20091SQ3T2G NCV20091SQ3T2G ONSEMI 2339404.pdf Description: ONSEMI - NCV20091SQ3T2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Eingang, 1 Verstärker, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.15
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 350
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT86246L FDT86246L ONSEMI 2729208.pdf Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 2.2W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FAN5333ASX FAN5333ASX ONSEMI 2572368.pdf Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -A
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 11381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSR0530P2T5G NSR0530P2T5G ONSEMI 1442014.pdf Description: ONSEMI - NSR0530P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 500 mA, 620 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: -A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 620mV
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 14710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SZNZ9F5V1T5G SZNZ9F5V1T5G ONSEMI ONSM-S-A0013713808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZNZ9F5V1T5G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOD-923
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SZNZ9FxxxxT5G
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 5.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 6510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
QSB363ZR QSB363ZR ONSEMI QSB363-D.pdf Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: No
auf Bestellung 2237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
QSB34GR QSB34GR ONSEMI QSB34-D.PDF Description: ONSEMI - QSB34GR - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 30nA Dunkelstrom, 940nm, PLCC-2
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60°
Dunkelstrom: 0.03µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
QSB363ZR QSB363ZR ONSEMI QSB363-D.pdf Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: No
auf Bestellung 2237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
QSB363 QSB363 ONSEMI QSB363-D.pdf Description: ONSEMI - QSB363 - Fototransistor, 940 nm, 12 °, 75 mW, 2 Pin(s)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Stromverbrauch: 75
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 12
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 940
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
QSB34CZR QSB34CZR ONSEMI QSB34-D.PDF Description: ONSEMI - QSB34CZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
QSB34ZR QSB34ZR ONSEMI QSB34-D.PDF Description: ONSEMI - QSB34ZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BZX84C3V6LT1G BZX84C3V6LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C3V6LT1G - Zener-Diode, 3.6 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UC3525AN UC3525AN ONSEMI 1506477.pdf description Description: ONSEMI - UC3525AN - IC, PWM CONTROLLER
Bauform - Controller-IC: DIP
Ausgangsstrom: 200
Ausgangsspannung: 18
Frequenz: 430
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 8
Eingangsspannung: 35
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
FDC6318P FDC6318P ONSEMI fdc6318p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SL05T1G SL05T1G ONSEMI sl05t1-d.pdf Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Betriebsspannung: -V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SL05T1G SL05T1G ONSEMI sl05t1-d.pdf Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Betriebsspannung: -V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HN1B01FDW1T1G HN1B01FDW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013684659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1G ONSEMI HN2D02FUTW1T1-D.pdf Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 3ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HN2D0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1G ONSEMI HN2D02FUTW1T1-D.pdf Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
Bauform - Diode: SC-88
Durchlassstoßstrom: 1
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 3
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: HN2D0
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5C453NLTAG NTTFS5C453NLTAG ONSEMI ONSM-S-A0013300775-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTTFS5C453NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0025 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FFSP1065B-F085 FFSP1065B-F085 ONSEMI FFSP1065B-F085-D.PDF Description: ONSEMI - FFSP1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 11 A, 25 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDA69N25 FDA69N25 ONSEMI 2572498.pdf Description: ONSEMI - FDA69N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.034 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 69
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NSR05T30XV2T5G NSR05T30XV2T5G ONSEMI 2339385.pdf Description: ONSEMI - NSR05T30XV2T5G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 3A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS3890 FDS3890 ONSEMI fds3890-d.pdf Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HUFA76429D3 HUFA76429D3 ONSEMI HUFA76429D3ST-F085-D.PDF Description: ONSEMI - HUFA76429D3 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS6982AS FDS6982AS ONSEMI 2304316.pdf Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NC7WZ14P6X NC7WZ14P6X ONSEMI 2299791.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ14P6X - Logik-IC, 2 Inputs, 6 Pin(s), SC-70
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7W14
Logiktyp: Inverter-Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
NL27WZ02USG NL27WZ02USG ONSEMI 1878616.pdf Description: ONSEMI - NL27WZ02USG - NOR-Gatter, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, VSSOP-8
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logiktyp: NOR-Gatter
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 27WZ02
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP1393BDR2G NCP1393BDR2G ONSEMI 2255259.pdf Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 500
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF8N50NZU FDPF8N50NZU-D.pdf
FDPF8N50NZU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF8N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.5 A, 1 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8N50NZ ONSM-S-A0003584403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDP8N50NZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDPF8N50NZ FDPF8N50NZ-D.pdf
FDPF8N50NZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 40.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 40.3
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.77
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
HUF75321P3 ONSM-S-A0003590844-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HUF75321P3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75321P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
HUF75852G3 HUF75852G3-D.pdf
HUF75852G3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75852G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NDS331N 3982295.pdf
NDS331N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 401095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDB7030BL. 2572500.pdf
FDB7030BL.
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
FDB7030BL. 2572500.pdf
FDB7030BL.
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
Qualifikation: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SZ16DFT2G 2354014.pdf
NL17SZ16DFT2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ16DFT2G - Logik, Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SZ16XV5T2G NL17SZ16-D.PDF
NL17SZ16XV5T2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ16XV5T2G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SZ16DBVT1G NL17SZ16-D.PDF
NL17SZ16DBVT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ16DBVT1G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV553SQ30T1G NCP553-D.PDF
NCV553SQ30T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV553SQ30T1G - LDO REGULATOR, 80 MA, ULTRA-LOW IQ 3.0V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV8114BSN300T1G NCV8114-D.PDF
NCV8114BSN300T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8114BSN300T1G - LDO REGULATOR, 300 MA, LOW IQ 3.0V HZ
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
CAT5115YI-50-GT3 CAT5115-D.PDF
CAT5115YI-50-GT3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5115YI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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NCP1096PAR2G ONSM-S-A0014909824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP1096PAR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP1096PAR2G ONSM-S-A0014909824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP1096PAR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP1095DBR2 2850010.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1095DBR2 - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
Bauform - Controller-IC: TSSOP
Ausgangsstrom: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): -
Frequenz: -
Leistung, max.: 90
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung: 57
Anzahl der Pins: 16
UVLO: 32.3
Produktpalette: -
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
RHRG5060 1863521.pdf
RHRG5060
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRG5060 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 50 ns, 500 A
Bauform - Diode: TO-247AB
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1
Sperrverzögerungszeit: 50
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRG5
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SBCP56-16T1G 2160718.pdf
SBCP56-16T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NL7SZ18DBVT1G NL7SZ18-D.PDF
NL7SZ18DBVT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL7SZ18DBVT1G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NLV74LCX138DR2G MC74LCX138-D.PDF
NLV74LCX138DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74LCX138DR2G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NC7SV19L6X NC7SV19-D.pdf
NC7SV19L6X
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SV19L6X - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SGF23N60UFTU. SGF23N60UF-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SGF23N60UFTU. - IGBT, 600V, PT
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FSAL200QSCX 2299862.pdf
FSAL200QSCX
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSAL200QSCX - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 2:1, 4 Schaltkreise, 12 Ohm, 3V bis 5.5V, QSOP-16
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - analoger Multiplexer: QSOP
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Multiplexerkonfiguration: 2:1
Anzahl der Schaltkreise: 4
Durchlasswiderstand, max.: 12
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN306P 2304102.pdf
FDN306P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 11225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDBL9406-F085T6 FDBL9406-F085T6-D.PDF
FDBL9406-F085T6
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDBL9406-F085T6 FDBL9406-F085T6-D.PDF
FDBL9406-F085T6
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30C02CH-TL-E 2907275.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 540
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30C02CH-TL-E 2907275.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Verlustleistung: 700
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP5109BDR2G NCP5109-D.PDF
NCP5109BDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5109BDR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 250
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV333ASN2T1G NCS333-D.PDF
NCV333ASN2T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV333ASN2T1G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.15
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 350
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 6640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV20091SQ3T2G 2339404.pdf
NCV20091SQ3T2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20091SQ3T2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Eingang, 1 Verstärker, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.15
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 350
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT86246L 2729208.pdf
FDT86246L
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 2.2W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FAN5333ASX 2572368.pdf
FAN5333ASX
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -A
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 11381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSR0530P2T5G 1442014.pdf
NSR0530P2T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0530P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 500 mA, 620 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: -A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 620mV
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 14710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SZNZ9F5V1T5G ONSM-S-A0013713808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZNZ9F5V1T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZNZ9F5V1T5G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOD-923
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SZNZ9FxxxxT5G
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 5.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 6510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
QSB363ZR QSB363-D.pdf
QSB363ZR
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: No
auf Bestellung 2237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
QSB34GR QSB34-D.PDF
QSB34GR
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB34GR - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 30nA Dunkelstrom, 940nm, PLCC-2
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60°
Dunkelstrom: 0.03µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
QSB363ZR QSB363-D.pdf
QSB363ZR
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: No
auf Bestellung 2237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
QSB363 QSB363-D.pdf
QSB363
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB363 - Fototransistor, 940 nm, 12 °, 75 mW, 2 Pin(s)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Stromverbrauch: 75
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 12
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 940
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
QSB34CZR QSB34-D.PDF
QSB34CZR
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB34CZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
QSB34ZR QSB34-D.PDF
QSB34ZR
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB34ZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BZX84C3V6LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C3V6LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C3V6LT1G - Zener-Diode, 3.6 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UC3525AN description 1506477.pdf
UC3525AN
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UC3525AN - IC, PWM CONTROLLER
Bauform - Controller-IC: DIP
Ausgangsstrom: 200
Ausgangsspannung: 18
Frequenz: 430
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 8
Eingangsspannung: 35
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
FDC6318P fdc6318p-d.pdf
FDC6318P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SL05T1G sl05t1-d.pdf
SL05T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Betriebsspannung: -V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SL05T1G sl05t1-d.pdf
SL05T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Betriebsspannung: -V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HN1B01FDW1T1G ONSM-S-A0013684659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HN1B01FDW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1-D.pdf
HN2D02FUTW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 3ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HN2D0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1-D.pdf
HN2D02FUTW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
Bauform - Diode: SC-88
Durchlassstoßstrom: 1
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 3
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: HN2D0
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5C453NLTAG ONSM-S-A0013300775-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTTFS5C453NLTAG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5C453NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0025 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FFSP1065B-F085 FFSP1065B-F085-D.PDF
FFSP1065B-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 11 A, 25 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDA69N25 2572498.pdf
FDA69N25
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA69N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.034 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 69
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NSR05T30XV2T5G 2339385.pdf
NSR05T30XV2T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR05T30XV2T5G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 3A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS3890 fds3890-d.pdf
FDS3890
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HUFA76429D3 HUFA76429D3ST-F085-D.PDF
HUFA76429D3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUFA76429D3 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS6982AS 2304316.pdf
FDS6982AS
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NC7WZ14P6X 2299791.pdf
NC7WZ14P6X
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ14P6X - Logik-IC, 2 Inputs, 6 Pin(s), SC-70
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7W14
Logiktyp: Inverter-Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
NL27WZ02USG 1878616.pdf
NL27WZ02USG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL27WZ02USG - NOR-Gatter, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, VSSOP-8
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logiktyp: NOR-Gatter
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 27WZ02
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP1393BDR2G 2255259.pdf
NCP1393BDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 500
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
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