| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| FDG6335N | ONSEMI |
FDG6335N Multi channel transistors |
auf Bestellung 1477 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDH055N15A | ONSEMI |
FDH055N15A THT N channel transistors |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDH300A | ONSEMI |
FDH300A-ONS THT universal diodes |
auf Bestellung 3660 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDH300ATR | ONSEMI |
FDH300ATR THT universal diodes |
auf Bestellung 8330 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDH333 | ONSEMI |
FDH333 THT universal diodes |
auf Bestellung 1427 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDH44N50 | ONSEMI |
FDH44N50 THT N channel transistors |
auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDL100N50F | ONSEMI |
FDL100N50F THT N channel transistors |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDLL300A | ONSEMI |
FDLL300A SMD universal diodes |
auf Bestellung 1414 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDLL3595 | ONSEMI |
FDLL3595 SMD universal diodes |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDLL4148 | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.3A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD80 Max. forward voltage: 1V Max. load current: 0.4A Max. forward impulse current: 1A Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 18997 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDLL4448 | ONSEMI |
FDLL4448 SMD universal diodes |
auf Bestellung 1530 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDMA1032CZ | ONSEMI |
FDMA1032CZ Multi channel transistors |
auf Bestellung 2999 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDMA530PZ | ONSEMI |
FDMA530PZ SMD P channel transistors |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDMA6023PZT | ONSEMI |
FDMA6023PZT Multi channel transistors |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDMC2523P | ONSEMI |
FDMC2523P SMD P channel transistors |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDMC4435BZ | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A Power dissipation: 31W Case: MLP8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2421 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDMC7660 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8 Case: PQFN8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 86nC On-state resistance: 3.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 41W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2108 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDMC7692 | ONSEMI |
FDMC7692 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2935 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDMC86139P | ONSEMI |
FDMC86139P SMD P channel transistors |
auf Bestellung 1227 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDMS3660S | ONSEMI |
FDMS3660S Multi channel transistors |
auf Bestellung 2586 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDMS3664S | ONSEMI |
FDMS3664S Multi channel transistors |
auf Bestellung 2937 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDMS4435BZ | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 39W Case: Power56 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2347 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDMS8333L | ONSEMI |
FDMS8333L SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDMS8460 | ONSEMI |
FDMS8460 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2997 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDMS86163P | ONSEMI |
FDMS86163P SMD P channel transistors |
auf Bestellung 3022 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDMS86252L | ONSEMI |
FDMS86252L SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2608 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDMS86520L | ONSEMI |
FDMS86520L SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2927 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDN028N20 | ONSEMI |
FDN028N20 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2978 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDN302P | ONSEMI |
FDN302P SMD P channel transistors |
auf Bestellung 1514 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDN304P | ONSEMI |
FDN304P SMD P channel transistors |
auf Bestellung 3985 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDN304PZ | ONSEMI |
FDN304PZ SMD P channel transistors |
auf Bestellung 2087 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN306P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -2.6A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3032 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDN327N | ONSEMI |
FDN327N SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1987 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDN335N | ONSEMI |
FDN335N SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1171 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDN337N | ONSEMI |
FDN337N SMD N channel transistors |
auf Bestellung 9864 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDN338P | ONSEMI |
FDN338P SMD P channel transistors |
auf Bestellung 1793 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDN339AN | ONSEMI |
FDN339AN SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2291 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN340P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2357 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDN352AP | ONSEMI |
FDN352AP SMD P channel transistors |
auf Bestellung 2796 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN357N | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Gate charge: 5.9nC Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.5W Technology: PowerTrench® Drain current: 1.9A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Case: SuperSOT-3 Features of semiconductor devices: logic level Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1143 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDN358P | ONSEMI |
FDN358P SMD P channel transistors |
auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDN359AN | ONSEMI |
FDN359AN SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2974 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDN360P | ONSEMI |
FDN360P SMD P channel transistors |
auf Bestellung 7251 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDN537N | ONSEMI |
FDN537N SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2523 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN5630 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3166 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDN5632N-F085 | ONSEMI |
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP036N10A | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 214A; Idm: 856A; 333W; TO220-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Case: TO220-3 Polarisation: unipolar Gate charge: 89nC On-state resistance: 3.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 214A Power dissipation: 333W Pulsed drain current: 856A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP038AN06A0 | ONSEMI |
FDP038AN06A0 THT N channel transistors |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDP047AN08A0 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP060AN08A0 | ONSEMI |
FDP060AN08A0 THT N channel transistors |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP070AN06A0 | ONSEMI |
FDP070AN06A0 THT N channel transistors |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP075N15A-F102 | ONSEMI |
FDP075N15A-F102 THT N channel transistors |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP083N15A-F102 | ONSEMI |
FDP083N15A-F102 THT N channel transistors |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDP18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDP20N50F | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDP22N50N | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13.2A Power dissipation: 312.5W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDP2532 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Technology: PowerTrench® Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 107nC On-state resistance: 14mΩ Drain current: 56A Power dissipation: 310W Drain-source voltage: 150V Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP2614 | ONSEMI |
FDP2614 THT N channel transistors |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP33N25 | ONSEMI |
FDP33N25 THT N channel transistors |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP3652 | ONSEMI |
FDP3652 THT N channel transistors |
auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDG6335N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG6335N Multi channel transistors
FDG6335N Multi channel transistors
auf Bestellung 1477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 82+ | 0.88 EUR |
| 290+ | 0.25 EUR |
| 305+ | 0.23 EUR |
| FDH055N15A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDH055N15A THT N channel transistors
FDH055N15A THT N channel transistors
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 7.65 EUR |
| 11+ | 6.79 EUR |
| 12+ | 6.42 EUR |
| FDH300A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDH300A-ONS THT universal diodes
FDH300A-ONS THT universal diodes
auf Bestellung 3660 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 527+ | 0.14 EUR |
| 1613+ | 0.044 EUR |
| 1707+ | 0.042 EUR |
| FDH300ATR |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDH300ATR THT universal diodes
FDH300ATR THT universal diodes
auf Bestellung 8330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 479+ | 0.15 EUR |
| 1894+ | 0.038 EUR |
| 2000+ | 0.036 EUR |
| 10000+ | 0.035 EUR |
| FDH333 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDH333 THT universal diodes
FDH333 THT universal diodes
auf Bestellung 1427 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 421+ | 0.17 EUR |
| 1211+ | 0.059 EUR |
| 1283+ | 0.056 EUR |
| FDH44N50 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDH44N50 THT N channel transistors
FDH44N50 THT N channel transistors
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 11.93 EUR |
| 10+ | 7.46 EUR |
| FDL100N50F |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDL100N50F THT N channel transistors
FDL100N50F THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 71.5 EUR |
| 3+ | 23.84 EUR |
| 5+ | 17.86 EUR |
| FDLL300A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDLL300A SMD universal diodes
FDLL300A SMD universal diodes
auf Bestellung 1414 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 483+ | 0.15 EUR |
| 1276+ | 0.056 EUR |
| 1348+ | 0.053 EUR |
| FDLL3595 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDLL3595 SMD universal diodes
FDLL3595 SMD universal diodes
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 656+ | 0.11 EUR |
| 1417+ | 0.05 EUR |
| 1502+ | 0.048 EUR |
| 2500+ | 0.046 EUR |
| FDLL4148 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18997 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 715+ | 0.1 EUR |
| 1191+ | 0.06 EUR |
| 1292+ | 0.055 EUR |
| 1678+ | 0.043 EUR |
| 1977+ | 0.036 EUR |
| 2924+ | 0.024 EUR |
| 3522+ | 0.02 EUR |
| FDLL4448 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDLL4448 SMD universal diodes
FDLL4448 SMD universal diodes
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 658+ | 0.11 EUR |
| 1530+ | 0.047 EUR |
| 2125+ | 0.034 EUR |
| 12500+ | 0.02 EUR |
| FDMA1032CZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMA1032CZ Multi channel transistors
FDMA1032CZ Multi channel transistors
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 95+ | 0.76 EUR |
| 204+ | 0.35 EUR |
| 215+ | 0.33 EUR |
| FDMA530PZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMA530PZ SMD P channel transistors
FDMA530PZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 44+ | 1.63 EUR |
| 115+ | 0.62 EUR |
| 122+ | 0.59 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| FDMA6023PZT |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMA6023PZT Multi channel transistors
FDMA6023PZT Multi channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 54+ | 1.33 EUR |
| 95+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| FDMC2523P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMC2523P SMD P channel transistors
FDMC2523P SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 35+ | 2.04 EUR |
| 65+ | 1.1 EUR |
| 69+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 1.03 EUR |
| FDMC4435BZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 44+ | 1.64 EUR |
| 52+ | 1.38 EUR |
| 60+ | 1.21 EUR |
| 87+ | 0.83 EUR |
| 102+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.66 EUR |
| FDMC7660 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 64+ | 1.13 EUR |
| FDMC7692 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMC7692 SMD N channel transistors
FDMC7692 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 74+ | 0.97 EUR |
| 104+ | 0.69 EUR |
| 110+ | 0.65 EUR |
| 200+ | 0.63 EUR |
| FDMC86139P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMC86139P SMD P channel transistors
FDMC86139P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 2.97 EUR |
| 61+ | 1.17 EUR |
| 65+ | 1.12 EUR |
| FDMS3660S |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS3660S Multi channel transistors
FDMS3660S Multi channel transistors
auf Bestellung 2586 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 29+ | 2.55 EUR |
| 46+ | 1.57 EUR |
| 49+ | 1.49 EUR |
| 100+ | 1.43 EUR |
| FDMS3664S |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS3664S Multi channel transistors
FDMS3664S Multi channel transistors
auf Bestellung 2937 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 44+ | 1.63 EUR |
| 73+ | 0.99 EUR |
| 77+ | 0.93 EUR |
| FDMS4435BZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 61+ | 1.17 EUR |
| 76+ | 0.94 EUR |
| FDMS8333L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS8333L SMD N channel transistors
FDMS8333L SMD N channel transistors
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 71+ | 1.02 EUR |
| 107+ | 0.67 EUR |
| 114+ | 0.63 EUR |
| FDMS8460 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS8460 SMD N channel transistors
FDMS8460 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 23+ | 3.25 EUR |
| 36+ | 2 EUR |
| 38+ | 1.9 EUR |
| 100+ | 1.86 EUR |
| FDMS86163P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS86163P SMD P channel transistors
FDMS86163P SMD P channel transistors
auf Bestellung 3022 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 3.7 EUR |
| 34+ | 2.16 EUR |
| 35+ | 2.04 EUR |
| FDMS86252L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS86252L SMD N channel transistors
FDMS86252L SMD N channel transistors
auf Bestellung 2608 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 3.27 EUR |
| 47+ | 1.53 EUR |
| 50+ | 1.44 EUR |
| FDMS86520L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS86520L SMD N channel transistors
FDMS86520L SMD N channel transistors
auf Bestellung 2927 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 2.73 EUR |
| 48+ | 1.52 EUR |
| 50+ | 1.43 EUR |
| FDN028N20 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDN028N20 SMD N channel transistors
FDN028N20 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 98+ | 0.73 EUR |
| 264+ | 0.27 EUR |
| 280+ | 0.26 EUR |
| 3000+ | 0.25 EUR |
| FDN302P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDN302P SMD P channel transistors
FDN302P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1514 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 98+ | 0.73 EUR |
| 338+ | 0.21 EUR |
| 358+ | 0.2 EUR |
| 3000+ | 0.19 EUR |
| FDN304P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDN304P SMD P channel transistors
FDN304P SMD P channel transistors
auf Bestellung 3985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 96+ | 0.75 EUR |
| 439+ | 0.16 EUR |
| 468+ | 0.15 EUR |
| FDN304PZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDN304PZ SMD P channel transistors
FDN304PZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 2087 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 73+ | 0.99 EUR |
| 214+ | 0.33 EUR |
| 227+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| FDN306P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3032 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 157+ | 0.46 EUR |
| 213+ | 0.34 EUR |
| 277+ | 0.26 EUR |
| 313+ | 0.23 EUR |
| 368+ | 0.19 EUR |
| 500+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| FDN327N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDN327N SMD N channel transistors
FDN327N SMD N channel transistors
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 111+ | 0.65 EUR |
| 447+ | 0.16 EUR |
| 472+ | 0.15 EUR |
| FDN335N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDN335N SMD N channel transistors
FDN335N SMD N channel transistors
auf Bestellung 1171 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 107+ | 0.67 EUR |
| 305+ | 0.23 EUR |
| 323+ | 0.22 EUR |
| FDN337N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDN337N SMD N channel transistors
FDN337N SMD N channel transistors
auf Bestellung 9864 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 113+ | 0.63 EUR |
| 758+ | 0.094 EUR |
| 794+ | 0.09 EUR |
| FDN338P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDN338P SMD P channel transistors
FDN338P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 92+ | 0.78 EUR |
| 345+ | 0.21 EUR |
| 365+ | 0.2 EUR |
| 3000+ | 0.19 EUR |
| FDN339AN |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDN339AN SMD N channel transistors
FDN339AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 2291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 103+ | 0.7 EUR |
| 257+ | 0.28 EUR |
| 272+ | 0.26 EUR |
| FDN340P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 152+ | 0.47 EUR |
| 220+ | 0.33 EUR |
| 298+ | 0.24 EUR |
| 336+ | 0.21 EUR |
| 500+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| 3000+ | 0.13 EUR |
| FDN352AP |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDN352AP SMD P channel transistors
FDN352AP SMD P channel transistors
auf Bestellung 2796 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 94+ | 0.77 EUR |
| 358+ | 0.2 EUR |
| 376+ | 0.19 EUR |
| FDN357N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 139+ | 0.51 EUR |
| 167+ | 0.43 EUR |
| 181+ | 0.4 EUR |
| 218+ | 0.33 EUR |
| 237+ | 0.3 EUR |
| 500+ | 0.24 EUR |
| FDN358P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDN358P SMD P channel transistors
FDN358P SMD P channel transistors
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 98+ | 0.73 EUR |
| 193+ | 0.37 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
| FDN359AN |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDN359AN SMD N channel transistors
FDN359AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 2974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 83+ | 0.87 EUR |
| 296+ | 0.24 EUR |
| 313+ | 0.23 EUR |
| FDN360P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDN360P SMD P channel transistors
FDN360P SMD P channel transistors
auf Bestellung 7251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 99+ | 0.73 EUR |
| 472+ | 0.15 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| FDN537N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDN537N SMD N channel transistors
FDN537N SMD N channel transistors
auf Bestellung 2523 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 64+ | 1.12 EUR |
| 171+ | 0.42 EUR |
| 180+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| FDN5630 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3166 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 120+ | 0.6 EUR |
| 175+ | 0.41 EUR |
| 248+ | 0.29 EUR |
| 288+ | 0.25 EUR |
| 500+ | 0.18 EUR |
| FDN5632N-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 60+ | 1.2 EUR |
| 175+ | 0.41 EUR |
| 185+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| FDP036N10A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 214A; Idm: 856A; 333W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 214A
Power dissipation: 333W
Pulsed drain current: 856A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 214A; Idm: 856A; 333W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 214A
Power dissipation: 333W
Pulsed drain current: 856A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 13+ | 5.82 EUR |
| 100+ | 4.75 EUR |
| FDP038AN06A0 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDP038AN06A0 THT N channel transistors
FDP038AN06A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 4.48 EUR |
| 22+ | 3.27 EUR |
| 24+ | 3.09 EUR |
| FDP047AN08A0 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 4.15 EUR |
| 23+ | 3.15 EUR |
| 50+ | 2.59 EUR |
| FDP060AN08A0 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 4.42 EUR |
| 29+ | 2.47 EUR |
| 31+ | 2.35 EUR |
| 50+ | 2.26 EUR |
| FDP070AN06A0 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDP070AN06A0 THT N channel transistors
FDP070AN06A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 3.7 EUR |
| 39+ | 1.84 EUR |
| 41+ | 1.74 EUR |
| FDP075N15A-F102 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDP075N15A-F102 THT N channel transistors
FDP075N15A-F102 THT N channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 4.73 EUR |
| 20+ | 3.76 EUR |
| 24+ | 3.07 EUR |
| 25+ | 2.9 EUR |
| FDP083N15A-F102 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDP083N15A-F102 THT N channel transistors
FDP083N15A-F102 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 6.75 EUR |
| 17+ | 4.33 EUR |
| 18+ | 4.09 EUR |
| FDP18N50 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 21+ | 3.55 EUR |
| 25+ | 2.89 EUR |
| 30+ | 2.39 EUR |
| FDP20N50F |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 4.22 EUR |
| 19+ | 3.9 EUR |
| 20+ | 3.66 EUR |
| 21+ | 3.47 EUR |
| 25+ | 2.86 EUR |
| 30+ | 2.42 EUR |
| FDP22N50N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 4.85 EUR |
| 21+ | 3.4 EUR |
| 30+ | 2.92 EUR |
| FDP2532 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PowerTrench®
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PowerTrench®
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 4.3 EUR |
| 25+ | 2.92 EUR |
| FDP2614 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDP2614 THT N channel transistors
FDP2614 THT N channel transistors
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 4.86 EUR |
| 17+ | 4.29 EUR |
| 18+ | 4.05 EUR |
| FDP33N25 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDP33N25 THT N channel transistors
FDP33N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 2.96 EUR |
| 33+ | 2.23 EUR |
| 44+ | 1.63 EUR |
| 47+ | 1.54 EUR |
| FDP3652 |
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Hersteller: ONSEMI
FDP3652 THT N channel transistors
FDP3652 THT N channel transistors
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 24+ | 3 EUR |
| 55+ | 1.32 EUR |
| 58+ | 1.24 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |











