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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FPF2700MPX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2700MPX Power switches - integrated circuits
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FPF2701MPX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2701MPX Power switches - integrated circuits
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FPF2701MX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2701MX Power switches - integrated circuits
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FPF2702MPX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2702MPX Power switches - integrated circuits
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FPF2702MX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2702MX Power switches - integrated circuits
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FPF2895CUCX ONSEMI fpf2895c-d.pdf FPF2895CUCX Power switches - integrated circuits
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FPF2895UCX ONSEMI FPF2895UCX Power switches - integrated circuits
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FPF2895VUCX ONSEMI fpf2895v-d.pdf FPF2895VUCX Power switches - integrated circuits
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FPF3040UCX ONSEMI FAIR-S-A0001784038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF3040UCX Power switches - integrated circuits
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FPF3042UCX ONSEMI fpf3042-d.pdf FPF3042UCX Power switches - integrated circuits
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FPF3380UCX ONSEMI FPF3380UCX Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N50C-F109 FQA13N50C-F109 ONSEMI fqa13n50c_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; Idm: 54A; 218W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 218W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 ONSEMI fqa13n80_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50.4A
Gate charge: 88nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA140N10 FQA140N10 ONSEMI fqa140n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.54 EUR
11+6.52 EUR
12+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.17 EUR
10+7.36 EUR
11+6.91 EUR
30+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
16+4.75 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA40N25 FQA40N25 ONSEMI fqa40n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; Idm: 160A; 280W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 280W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.85 EUR
21+3.53 EUR
22+3.35 EUR
30+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N100C ONSEMI fqa8n100c-d.pdf FQA8N100C THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
120+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N90C-F109 ONSEMI fqa8n90c_f109-d.pdf FQA8N90C-F109 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA90N15-F109 ONSEMI fqa90n15_f109-d.pdf FQA90N15-F109 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQAF16N50 FQAF16N50 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781992A8A7EA08259&compId=FQAF16N50.pdf?ci_sign=09e4ea2dbc49212f6735fb317754dbecd7277a18 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.15A
Power dissipation: 110W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB11P06TM ONSEMI fqb11p06-d.pdf FQB11P06TM SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.77 EUR
31+2.36 EUR
34+2.12 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
100+1.44 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20CTM FQB19N20CTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8B9F469677FAE0D2&compId=FQB19N20C.pdf?ci_sign=2a549c7aec12cd099161037613be9c6cbb053fd8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; Idm: 76A; 139W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 139W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Pulsed drain current: 76A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.9 EUR
42+1.72 EUR
46+1.59 EUR
54+1.34 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20TM ONSEMI fqb19n20-d.pdf FQB19N20TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3839 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.6 EUR
36+2 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06TM FQB27P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994188F32D2259&compId=FQB27P06.pdf?ci_sign=1d7e105accb644470bc974d8a26d62825d1db484 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB33N10LTM ONSEMI fqb33n10l-d.pdf FQB33N10LTM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB33N10TM ONSEMI FQB33N10-D.pdf FQB33N10TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34N20LTM ONSEMI fqb34n20l-d.pdf FQB34N20LTM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.5 EUR
25+2.93 EUR
30+2.46 EUR
31+2.33 EUR
100+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB44N10TM ONSEMI FQB44N10-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30.8A; 146W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 146W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.08 EUR
24+3 EUR
26+2.83 EUR
50+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80TM ONSEMI fqi4n80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.49 EUR
34+2.16 EUR
39+1.84 EUR
41+1.74 EUR
50+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB5N90TM FQB5N90TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
30+2.39 EUR
32+2.26 EUR
50+2.17 EUR
100+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7P20TM ONSEMI FAIR-S-A0000011863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQB7P20TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CTM FQB8N60CTM ONSEMI fqi8n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FQB8N90CTM ONSEMI fqb8n90ctm-d.pdf FQB8N90CTM SMD N channel transistors
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FQD10N20CTM FQD10N20CTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197461A92B30259&compId=FQD10N20C.pdf?ci_sign=c62d5bc9c879fb19f5c2d4ab2f91ba800650fb68 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.32Ω
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 55W
Drain-source voltage: 200V
Technology: QFET®
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
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FQD12N20LTM-F085 FQD12N20LTM-F085 ONSEMI fqd12n20l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FQD16N25CTM FQD16N25CTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197B706AEBEC259&compId=FQD16N25C.pdf?ci_sign=8644cd4bd1abc793db4f96f5c30357ab5205bd62 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FQD17N08LTM ONSEMI fqd17n08l-d.pdf FQD17N08LTM SMD N channel transistors
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FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994FAB8CB1E259&compId=FQD17P06.pdf?ci_sign=3f8a94db2b5f73fc0d09df1b4a57678c837b40cf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
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auf Bestellung 2003 Stücke:
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FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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auf Bestellung 520 Stücke:
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44+1.66 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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auf Bestellung 2110 Stücke:
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69+1.04 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10TM ONSEMI fqd19n10-d.pdf FQD19N10TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60CTM ONSEMI fqu1n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTM-WS FQD2N60CTM-WS ONSEMI fqu2n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; Idm: 7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TM FQD2N90TM ONSEMI fqu2n90tu_am002-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 7.2Ω
Drain current: 1.08A
Pulsed drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 900V
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FPF2700MPX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FPF2700MPX Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FPF2701MPX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FPF2701MPX Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FPF2701MX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FPF2701MX Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FPF2702MPX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FPF2702MPX Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FPF2702MX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FPF2702MX Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FPF2895CUCX fpf2895c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF2895CUCX Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FPF2895UCX
Hersteller: ONSEMI
FPF2895UCX Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FPF2895VUCX fpf2895v-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF2895VUCX Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FPF3040UCX FAIR-S-A0001784038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FPF3040UCX Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FPF3042UCX fpf3042-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FPF3042UCX Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FPF3380UCX
Hersteller: ONSEMI
FPF3380UCX Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N50C-F109 fqa13n50c_f109-d.pdf
FQA13N50C-F109
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; Idm: 54A; 218W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 218W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N80-F109 fqa13n80_f109-d.pdf
FQA13N80-F109
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50.4A
Gate charge: 88nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA140N10 fqa140n10-d.pdf
FQA140N10
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.54 EUR
11+6.52 EUR
12+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.17 EUR
10+7.36 EUR
11+6.91 EUR
30+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA36P15 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741
FQA36P15
Hersteller: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
16+4.75 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA40N25 fqa40n25-d.pdf
FQA40N25
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; Idm: 160A; 280W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 280W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.85 EUR
21+3.53 EUR
22+3.35 EUR
30+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e
FQA70N10
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N100C fqa8n100c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQA8N100C THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
120+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N90C-F109 fqa8n90c_f109-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQA8N90C-F109 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA90N15-F109 fqa90n15_f109-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQA90N15-F109 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQAF16N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781992A8A7EA08259&compId=FQAF16N50.pdf?ci_sign=09e4ea2dbc49212f6735fb317754dbecd7277a18
FQAF16N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.15A
Power dissipation: 110W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB11P06TM fqb11p06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQB11P06TM SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542
FQB12P20TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
31+2.36 EUR
34+2.12 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
100+1.44 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20CTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8B9F469677FAE0D2&compId=FQB19N20C.pdf?ci_sign=2a549c7aec12cd099161037613be9c6cbb053fd8
FQB19N20CTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; Idm: 76A; 139W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 139W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Pulsed drain current: 76A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca
FQB19N20LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.9 EUR
42+1.72 EUR
46+1.59 EUR
54+1.34 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20TM fqb19n20-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQB19N20TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB22P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1
FQB22P10TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3839 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.6 EUR
36+2 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994188F32D2259&compId=FQB27P06.pdf?ci_sign=1d7e105accb644470bc974d8a26d62825d1db484
FQB27P06TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB33N10LTM fqb33n10l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQB33N10LTM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB33N10TM FQB33N10-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQB33N10TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34N20LTM fqb34n20l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQB34N20LTM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4
FQB34P10TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.5 EUR
25+2.93 EUR
30+2.46 EUR
31+2.33 EUR
100+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB44N10TM FQB44N10-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30.8A; 146W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 146W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB47P06TM-AM002 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd
FQB47P06TM-AM002
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.08 EUR
24+3 EUR
26+2.83 EUR
50+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB55N10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b
FQB55N10TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.49 EUR
34+2.16 EUR
39+1.84 EUR
41+1.74 EUR
50+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB5N90TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415
FQB5N90TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
30+2.39 EUR
32+2.26 EUR
50+2.17 EUR
100+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB7P20TM FAIR-S-A0000011863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQB7P20TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CTM fqi8n60c-d.pdf
FQB8N60CTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N90CTM fqb8n90ctm-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQB8N90CTM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8P10TM ONSM-S-A0006944028-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FQB8P10TM SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD10N20CTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197461A92B30259&compId=FQD10N20C.pdf?ci_sign=c62d5bc9c879fb19f5c2d4ab2f91ba800650fb68
FQD10N20CTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59
FQD11P06TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
55+1.31 EUR
62+1.16 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
250+0.71 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c
FQD12N20LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.32Ω
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 55W
Drain-source voltage: 200V
Technology: QFET®
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1411 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
69+1.04 EUR
84+0.86 EUR
138+0.52 EUR
146+0.49 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM-F085 fqd12n20l-d.pdf
FQD12N20LTM-F085
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20TM fqu12n20-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD12N20TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TM-F085 FQD12P10TM_F085.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD12P10TM-F085 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252
FQD13N06LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2097 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
97+0.74 EUR
112+0.64 EUR
163+0.44 EUR
173+0.41 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd
FQD13N10LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
93+0.77 EUR
178+0.4 EUR
188+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10TM FQD13N10-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD13N10TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25CTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197B706AEBEC259&compId=FQD16N25C.pdf?ci_sign=8644cd4bd1abc793db4f96f5c30357ab5205bd62
FQD16N25CTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08LTM fqd17n08l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD17N08LTM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994FAB8CB1E259&compId=FQD17P06.pdf?ci_sign=3f8a94db2b5f73fc0d09df1b4a57678c837b40cf
FQD17P06TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.5 EUR
54+1.33 EUR
59+1.21 EUR
98+0.73 EUR
104+0.69 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f
FQD18N20V2TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
57+1.26 EUR
79+0.92 EUR
84+0.86 EUR
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d
FQD19N10LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.53 EUR
69+1.04 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10TM fqd19n10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FQD19N10TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60CTM fqu1n60c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTM-WS fqu2n60c-d.pdf
FQD2N60CTM-WS
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; Idm: 7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TM fqu2n90tu_am002-d.pdf
FQD2N90TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 7.2Ω
Drain current: 1.08A
Pulsed drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 900V
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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