1N4005G


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1N4005G 1N4005G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001d.pdf Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4005G 1N4005G Hersteller : ONSEMI 1N4001-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 1000pcs.
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1N4005G 1N4005G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001d.pdf Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4005G 1N4005G Hersteller : onsemi 1n4001-d.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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1N4005G 1N4005G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N4001G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
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1N4005-G 1N4005-G Hersteller : Comchip Technology 1N4001-G%20Thru.%201N4007-G%20RevB.pdf Rectifiers VR=600V, IO=1A
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1N4005G 1N4005G Hersteller : onsemi 1n4001-d.pdf Rectifiers 600V 1A Standard
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1N4005G 1N4005G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n4001-d.pdf Rectifiers 1A, 600V, Standard Recovery Rectifier
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1N4005G 1N4005G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013902349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N4005G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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1N4005G 1N4005G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001d.pdf Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4005G 1N4005G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n4001g20series_p2104.pdf Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-41 T/R
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1N4005-G 1N4005-G Hersteller : Comchip Technology 1041n400120thru.201n400720reva.pdf Diode 600V 1A 2-Pin DO-41 Ammo
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1N4005-G 1N4005-G Hersteller : Comchip Technology 1N4001-G%20Thru.%201N4007-G%20RevB.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO41
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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SF38
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Gehäuse: DO-201AD
Vrr, V: 600
Iav, A: 3
Trr, ns: 35
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Produktcode: 18960
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4,7uF 63V EMR 4x7mm (EMR4R7M63B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 63V
Reihe: EMR-Super-Miniatur
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 4x7mm
Lebensdauer: 4х7mm
№ 8: 1000 годин
8532 22 00 00
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1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.015 EUR
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