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IRFRC20PBF

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Produktcode: 110642
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFRC20PBF IRFRC20PBF Vishay Semiconductors sihfrc20.pdf MOSFETs TO252 600V 2A N-CH
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10+2.18 EUR
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IRFRC20PBF IRFRC20PBF VISHAY VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFRC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
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56+4.5 EUR
95+2.46 EUR
122+1.76 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.19 EUR
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IRFRC20PBF IRFRC20PBF Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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10+3.13 EUR
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IRFRC20PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFRC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
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isCanonical: Y
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Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
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Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
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SF38
Hersteller: TSC/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201AD
Sperrspannung Vrr, V: 600 V
Mittlerer Strom Iav, A: 3 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 35 ns
Montage: THT
auf Bestellung: 758 St.
  • 758 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.21 EUR
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4,7uF 63V EMR 4x7mm (Super miniature size) (EMR4R7M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 18960
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EMR_080514.pdf
4,7uF 63V EMR 4x7mm (Super miniature size) (EMR4R7M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: EMR
Typ: Subminiatur, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 4x7 mm
Lebensdauer: 1000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung: 5177 St.
  • 5177 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+0.058 EUR
28+0.043 EUR
100+0.031 EUR
1000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 21 St.
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