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IRFRC20PBF

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFRC20PBF IRFRC20PBF Hersteller : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRFRC20PBF IRFRC20PBF Hersteller : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRFRC20PBF IRFRC20PBF Hersteller : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRFRC20PBF IRFRC20PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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IRFRC20PBF IRFRC20PBF Hersteller : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRFRC20PBF IRFRC20PBF Hersteller : VISHAY IRFRC20PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 4.4Ω
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
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106+0.68 EUR
150+0.65 EUR
525+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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IRFRC20PBF IRFRC20PBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihfrc20.pdf MOSFETs TO252 600V 2A N-CH
auf Bestellung 2245 Stücke:
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10+1.3 EUR
100+1.24 EUR
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1000+1.03 EUR
3000+0.72 EUR
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IRFRC20PBF IRFRC20PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFRC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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SF38
Hersteller: TSC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201AD
Vrr, V: 600
Iav, A: 3
Trr, ns: 35
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10+0.12 EUR
100+0.09 EUR
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4,7uF 63V EMR 4x7mm (EMR4R7M63B-Hitano)
Produktcode: 18960
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4,7uF 63V EMR 4x7mm (EMR4R7M63B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 63V
Reihe: EMR-Super-Miniatur
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 4x7mm
Lebensdauer: 4х7mm
№ 8: 1000 годин
8532 22 00 00
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erwartet 100 St.:
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100+0.015 EUR
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