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279+ | 0.53 EUR |
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Technische Details IRFRC20PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFRC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRFRC20PBF nach Preis ab 0.52 EUR bis 1.85 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFRC20PBF | Hersteller : Vishay |
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IRFRC20PBF | Hersteller : Vishay |
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IRFRC20PBF | Hersteller : Vishay |
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IRFRC20PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4692 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFRC20PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1802 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFRC20PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1802 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFRC20PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 5739 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFRC20PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1586 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFRC20PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 2757 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFRC20PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFRC20PBF Produktcode: 110642
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