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IRFRC20PBF

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Produktcode: 110642
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFRC20PBF IRFRC20PBF Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2217 Stücke:
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282+0.63 EUR
286+0.61 EUR
500+0.58 EUR
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Mindestbestellmenge: 282 Stücke
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IRFRC20PBF IRFRC20PBF Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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247+0.71 EUR
282+0.61 EUR
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1000+0.51 EUR
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IRFRC20PBF IRFRC20PBF Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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154+1.15 EUR
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IRFRC20PBF IRFRC20PBF Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
auf Bestellung 4571 Stücke:
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17+1.3 EUR
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130+1.36 EUR
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IRFRC20PBF IRFRC20PBF VISHAY IRFRC20PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 4.4Ω
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 700 Stücke:
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44+1.98 EUR
90+0.95 EUR
106+0.81 EUR
150+0.77 EUR
525+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IRFRC20PBF IRFRC20PBF Vishay Semiconductors sihfrc20.pdf MOSFETs TO252 600V 2A N-CH
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1+3.37 EUR
10+1.55 EUR
100+1.48 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
3000+0.86 EUR
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IRFRC20PBF IRFRC20PBF VISHAY VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFRC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3063 Stücke:
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IRFRC20PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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AnzahlPrivatkunde
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IRFRC20PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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Hersteller: Vishay
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IRFRC20PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 4.4Ω
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
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IRFRC20PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 600V 2A N-CH
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IRFRC20PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFRC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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SF38
Produktcode: 34804
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SF38
Hersteller: TSC/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201AD
Sperrspannung Vrr, V: 600 V
Mittlerer Strom Iav, A: 3 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 35 ns
Montage: THT
auf Bestellung 729 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
AnzahlPrivatkunde
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100+0.11 EUR
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4,7uF 63V EMR 4x7mm (Super miniature size) (EMR4R7M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 18960
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4,7uF 63V EMR 4x7mm (Super miniature size) (EMR4R7M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: EMR
Typ: subminiatur, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 4x7 mm
Lebensdauer: 1000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 5747 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.048 EUR
10+0.036 EUR
100+0.018 EUR
1000+0.017 EUR
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