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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NVMJS1D3N04CTWG NVMJS1D3N04CTWG ONSEMI nvmjs1d3n04c-d.pdf Description: ONSEMI - NVMJS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS021N06CLTWG NTMYS021N06CLTWG ONSEMI 2850029.pdf Description: ONSEMI - NTMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.018 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS2D5N06CLTWG NVMJS2D5N06CLTWG ONSEMI 2850038.pdf Description: ONSEMI - NVMJS2D5N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 164 A, 0.002 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS2D4N04CTWG NTMYS2D4N04CTWG ONSEMI ONSM-S-A0013299858-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMYS2D4N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 138 A, 2300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS010N04CLTWG NTMYS010N04CLTWG ONSEMI 2850026.pdf Description: ONSEMI - NTMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS5D3N04CTWG NTMYS5D3N04CTWG ONSEMI 2850032.pdf Description: ONSEMI - NTMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 0.0044 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS021N06CLTWG NTMYS021N06CLTWG ONSEMI 2850029.pdf Description: ONSEMI - NTMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.018 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS5D3N04CTWG NTMYS5D3N04CTWG ONSEMI 2850032.pdf Description: ONSEMI - NTMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 0.0044 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS010N04CLTWG NTMYS010N04CLTWG ONSEMI 2850026.pdf Description: ONSEMI - NTMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D4N06CLTWG NTMJS1D4N06CLTWG ONSEMI 4019769.pdf Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS2D4N04CTWG NTMYS2D4N04CTWG ONSEMI ONSM-S-A0013299858-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMYS2D4N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 138 A, 2300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D4N06CLTWG NTMJS1D4N06CLTWG ONSEMI 4019769.pdf Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS2D5N06CLTWG NVMJS2D5N06CLTWG ONSEMI 2850038.pdf Description: ONSEMI - NVMJS2D5N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 164 A, 0.002 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS6D2N06CLTWG NVMYS6D2N06CLTWG ONSEMI NVMYS6D2N06CL-D.PDF Description: ONSEMI - NVMYS6D2N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 6100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJK31CTWG MJK31CTWG ONSEMI 3917123.pdf Description: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK31CTWG NJVMJK31CTWG ONSEMI 3917123.pdf Description: ONSEMI - NJVMJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK31CTWG NJVMJK31CTWG ONSEMI 3917123.pdf Description: ONSEMI - NJVMJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK32CTWG NJVMJK32CTWG ONSEMI 3917131.pdf Description: ONSEMI - NJVMJK32CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJK31CTWG MJK31CTWG ONSEMI 3917123.pdf Description: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK32CTWG NJVMJK32CTWG ONSEMI 3917131.pdf Description: ONSEMI - NJVMJK32CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ONBB4AMGEVB ONBB4AMGEVB ONSEMI mbr230lsft1-d.pdf Description: ONSEMI - ONBB4AMGEVB - Entwicklungsboard, Basisplatine für Motortreiber-Development Kits der Produktreihe ON LV8xxx
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Basisplatine ONBB4AMGEVB
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1419T-TD-E ONSEMI ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1419T-TD-E - TRANS, BIPOLAR, PNP, 160V, 1.5A, SOT-89
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURS150T3 ONSEMI MOTOS11952-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MURS150T3 - RECTIFIER DIODE, 2A, 500V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURS205T3G ONSEMI ONSM-S-A0013307763-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MURS205T3G - RECTIFIER, 50V, 2A, DO-213AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURS240T3 ONSEMI ONSMS19662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MURS240T3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJE6429 SJE6429 ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - SJE6429 - SJE6429 - BIP T0220 PNP SPECIAL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJE6429-001 SJE6429-001 ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - SJE6429-001 - SJE6429 - BIP T0220 PNP SPECIAL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJE5331LFVE ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - SJE5331LFVE - SJE5331 - BIP C77 NPN SPECIAL LF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJE5332LFVE ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - SJE5332LFVE - SJE5332 - BIP C77 NPN SPECIAL LF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJE1943 ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - SJE1943 - SJE1943 - XSTR SIL PWR PLAS PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJE5875 SJE5875 ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - SJE5875 - SJE5875 - BIP T0220 NPN SPECIAL
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SJE5959LFVK ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - SJE5959LFVK - SJE5959 - BIP C77 PNP SPECIAL LF
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FST3125DTR2G FST3125DTR2G ONSEMI ONSMS35229-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FST3125DTR2G - LEVEL SHIFTERS
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FST3125QSC FST3125QSC ONSEMI FAIRS26272-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FST3125QSC - LEVEL SHIFTERS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST3125DR2G FST3125DR2G ONSEMI ONSMS35229-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FST3125DR2G - LEVEL SHIFTERS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST3125QSCX FST3125QSCX ONSEMI FAIRS26272-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FST3125QSCX - LEVEL SHIFTERS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FSDH0165D FSDH0165D ONSEMI FAIRS35884-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FSDH0165D - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FSDH0165 FSDH0165 ONSEMI FAIRS14993-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FSDH0165 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FSDH0165H ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - FSDH0165H - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4738A-T50A 1N4738A-T50A ONSEMI 1N4736AT-D.PDF Description: ONSEMI - 1N4738A-T50A - ZENER ARRAY DIODES
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTG50N60FLWG ONSEMI NGTG50N60FLWG.pdf Description: ONSEMI - NGTG50N60FLWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60FWG ONSEMI ngtb50n60fw-d.pdf Description: ONSEMI - NGTB50N60FWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTG50N60FWG ONSEMI ngtg50n60fw-d.pdf Description: ONSEMI - NGTG50N60FWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC14082BDG MC14082BDG ONSEMI 1878535.pdf Description: ONSEMI - MC14082BDG - AND-Gatter, MC14082, 4 Eingänge, 8.8mA, 3V bis 18V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
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Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SOIC
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IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
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Betriebstemperatur, min.: -55°C
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Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5638RLRAG ONSEMI ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5638RLRAG - 2N5638RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5638RLRA ONSEMI ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5638RLRA - 2N5638RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LB1408-E ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - LB1408-E - LEVEL METER
tariffCode: 85423990
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LB1433N-E ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - LB1433N-E - 5-DOT RED/GREEN LED LEVEL METER
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113YI-01-GT3 CAT5113YI-01-GT3 ONSEMI ONSM-S-A0014981465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT5113YI-01-GT3 - NON VOLATILE POTENTIOMETER, 1KOHM
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113ZI01 CAT5113ZI01 ONSEMI ONSMS20303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT5113ZI01 - EACH
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113YI-00-G CAT5113YI-00-G ONSEMI ONSMS20303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT5113YI-00-G - EACH
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113ZI00 CAT5113ZI00 ONSEMI ONSMS20303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT5113ZI00 - EACH
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113YI-10-GT3 CAT5113YI-10-GT3 ONSEMI cat5113-d.pdf Description: ONSEMI - CAT5113YI-10-GT3 - NON VOLATILE POTENTIOMETER, 10KOHM
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113ZI-00-T3 CAT5113ZI-00-T3 ONSEMI cat5113-d.pdf Description: ONSEMI - CAT5113ZI-00-T3 - NON VOLATILE POTENTIOMETER, 100KOHM
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113LI10 CAT5113LI10 ONSEMI CATSS00580-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT5113LI10 - EACH
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113YI-50-GT3 CAT5113YI-50-GT3 ONSEMI ONSM-S-A0014981465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT5113YI-50-GT3 - NON VOLATILE POTENTIOMETER, 50KOHM
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113YI-00-GT3 CAT5113YI-00-GT3 ONSEMI ONSM-S-A0014981465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT5113YI-00-GT3 - NON VOLATILE POTENTIOMETER, 100KOHM
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS1D3N04CTWG nvmjs1d3n04c-d.pdf
NVMJS1D3N04CTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 235A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS021N06CLTWG 2850029.pdf
NTMYS021N06CLTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.018 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS2D5N06CLTWG 2850038.pdf
NVMJS2D5N06CLTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS2D5N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 164 A, 0.002 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS2D4N04CTWG ONSM-S-A0013299858-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMYS2D4N04CTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS2D4N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 138 A, 2300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS010N04CLTWG 2850026.pdf
NTMYS010N04CLTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS5D3N04CTWG 2850032.pdf
NTMYS5D3N04CTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 0.0044 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS021N06CLTWG 2850029.pdf
NTMYS021N06CLTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.018 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS5D3N04CTWG 2850032.pdf
NTMYS5D3N04CTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 0.0044 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS010N04CLTWG 2850026.pdf
NTMYS010N04CLTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D4N06CLTWG 4019769.pdf
NTMJS1D4N06CLTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS2D4N04CTWG ONSM-S-A0013299858-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMYS2D4N04CTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS2D4N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 138 A, 2300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D4N06CLTWG 4019769.pdf
NTMJS1D4N06CLTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJS2D5N06CLTWG 2850038.pdf
NVMJS2D5N06CLTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS2D5N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 164 A, 0.002 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS6D2N06CLTWG NVMYS6D2N06CL-D.PDF
NVMYS6D2N06CLTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS6D2N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 6100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJK31CTWG 3917123.pdf
MJK31CTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK31CTWG 3917123.pdf
NJVMJK31CTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK31CTWG 3917123.pdf
NJVMJK31CTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK32CTWG 3917131.pdf
NJVMJK32CTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJK32CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJK31CTWG 3917123.pdf
MJK31CTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK32CTWG 3917131.pdf
NJVMJK32CTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJK32CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ONBB4AMGEVB mbr230lsft1-d.pdf
ONBB4AMGEVB
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ONBB4AMGEVB - Entwicklungsboard, Basisplatine für Motortreiber-Development Kits der Produktreihe ON LV8xxx
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Basisplatine ONBB4AMGEVB
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1419T-TD-E ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1419T-TD-E - TRANS, BIPOLAR, PNP, 160V, 1.5A, SOT-89
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURS150T3 MOTOS11952-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURS150T3 - RECTIFIER DIODE, 2A, 500V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURS205T3G ONSM-S-A0013307763-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SJE6429
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SJE3016
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SJE2982
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJE5875 nd_datasheet
SJE5875
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST3125DTR2G ONSMS35229-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FST3125DTR2G
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST3125DR2G ONSMS35229-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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Hersteller: ONSEMI
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FSDH0165D
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSDH0165D - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FSDH0165
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSDH0165 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FSDH0165H nd_datasheet
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSDH0165H - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4738A-T50A 1N4736AT-D.PDF
1N4738A-T50A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4738A-T50A - ZENER ARRAY DIODES
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTG50N60FLWG NGTG50N60FLWG.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTG50N60FLWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60FWG ngtb50n60fw-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB50N60FWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTG50N60FWG ngtg50n60fw-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTG50N60FWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC14082BDG 1878535.pdf
MC14082BDG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14082BDG - AND-Gatter, MC14082, 4 Eingänge, 8.8mA, 3V bis 18V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
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Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SOIC
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Ausgangsstrom: 8.8mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
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Produktpalette: 4082
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Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5638RLRAG ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5638RLRAG - 2N5638RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5638RLRA ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5638RLRA - 2N5638RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LB1408-E nd_datasheet
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LB1408-E - LEVEL METER
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LB1433N-E nd_datasheet
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LB1433N-E - 5-DOT RED/GREEN LED LEVEL METER
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113YI-01-GT3 ONSM-S-A0014981465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT5113YI-01-GT3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113YI-01-GT3 - NON VOLATILE POTENTIOMETER, 1KOHM
tariffCode: 85423990
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 11768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113ZI01 ONSMS20303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT5113ZI01
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113ZI01 - EACH
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113YI-00-G ONSMS20303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT5113YI-00-G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113YI-00-G - EACH
tariffCode: 85423190
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113ZI00 ONSMS20303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT5113ZI00
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113ZI00 - EACH
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113YI-10-GT3 cat5113-d.pdf
CAT5113YI-10-GT3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113YI-10-GT3 - NON VOLATILE POTENTIOMETER, 10KOHM
tariffCode: 85423990
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113ZI-00-T3 cat5113-d.pdf
CAT5113ZI-00-T3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113ZI-00-T3 - NON VOLATILE POTENTIOMETER, 100KOHM
tariffCode: 85423990
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113LI10 CATSS00580-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT5113LI10
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113LI10 - EACH
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113YI-50-GT3 ONSM-S-A0014981465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT5113YI-50-GT3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113YI-50-GT3 - NON VOLATILE POTENTIOMETER, 50KOHM
tariffCode: 85423990
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113YI-00-GT3 ONSM-S-A0014981465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT5113YI-00-GT3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113YI-00-GT3 - NON VOLATILE POTENTIOMETER, 100KOHM
tariffCode: 85423990
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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