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BUT11A

BUT11A onsemi / Fairchild

BUT11A_D-1802888.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
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Technische Details BUT11A onsemi / Fairchild

Description: TRANS NPN 450V 5A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V, Supplier Device Package: TO-220, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V, Power - Max: 83 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BUT11A BUT11A Hersteller : onsemi BUT11%28A%29.pdf Description: TRANS NPN 450V 5A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
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BUT11A BUT11A Hersteller : ON Semiconductor but11a-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
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BUT11A Hersteller : import BUT11%28A%29.pdf BUT11A.pdf NPN 5A 450V 100W NTE2333 NTE2337 BUT11A TBUT11a c
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BUT11A (Bipolartransistor NPN) BUT11A (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 18070
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Hersteller : NXP BUT11A.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 450
Ucbo,V: 450
Ic,A: 5
h21: 35
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BUT11A BUT11A Hersteller : ON Semiconductor 3662116450420394but11a.pdf Trans GP BJT NPN 450V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
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BUT11A BUT11A Hersteller : STMicroelectronics 3277cd00001295.pdf Trans GP BJT NPN 450V 5A 83000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BUT11A BUT11A Hersteller : STMicroelectronics BUT11A.pdf Description: TRANS NPN 450V 5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 83 W
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BUT11A BUT11A Hersteller : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00001295-1204552.pdf Bipolar Transistors - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
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