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BUT11A (Bipolartransistor NPN)

BUT11A (Bipolartransistor NPN) NXP

BUT11A.pdf
Produktcode: 18070
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Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 450
Ucbo,V: 450
Ic,A: 5
h21: 35
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BUT11A BUT11A Hersteller : ON Semiconductor but11a-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
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BUT11A BUT11A Hersteller : onsemi BUT11A.pdf BUT11%28A%29.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
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BUT11A BUT11A Hersteller : STM BUT11A.pdf NPN, Uкэ=1000V, Iк=5A (10 имп.), 83Вт, TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BUT11A Hersteller : import BUT11A.pdf BUT11%28A%29.pdf NPN 5A 450V 100W NTE2333 NTE2337 BUT11A TBUT11a c
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BUT11A Hersteller : ON-Semiconductor BUT11A.pdf BUT11%28A%29.pdf NPN 5A 450V 100W BUT11A TBUT11a
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BUT11A Hersteller : ON-Semiconductor BUT11A.pdf BUT11%28A%29.pdf NPN 5A 450V 100W BUT11A TBUT11a
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BUT11A BUT11A Hersteller : STMicroelectronics BUT11A.pdf Description: TRANS NPN 450V 5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 83 W
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BUT11A BUT11A Hersteller : onsemi BUT11%28A%29.pdf Description: TRANS NPN 450V 5A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
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BUT11A BUT11A Hersteller : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00001295.pdf Bipolar Transistors - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
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2N5401
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
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HCPL-4200-000E
Produktcode: 128272
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description AV02-2353EN
Hersteller: HP
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-8
Typ: Логический выход
U-isol, kV: 2,5 kV
I-ein/ I-ausg, mA: /25
Ton/Toff, µs: 55/15 ns
Роб.темп.,°С: 0…+70°C
№ 8: 1
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HCPL-4100
Produktcode: 58284
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description AV02-2352EN1.pdf
HCPL-4100
Hersteller: Avago
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-8
Typ: Optokoppler offener Kollektor
U-isol, kV: 3.7
I-ein/ I-ausg, mA: 20/30
U ausg, V: 20
Ton/Toff, µs: 1.6/.16
Роб.темп.,°С: -40…+85°C
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IRF640NPBF
Produktcode: 42934
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irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
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BZX85-C12
Produktcode: 31111
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BZX85C.pdf
BZX85-C12
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 20mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
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