BUT11A (Bipolartransistor NPN) (NXP) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

BUT11A (Bipolartransistor NPN)

BUT11A (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 18070
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 450
Ucbo,V: 450
Ic,A: 5
h21: 35

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Technische Details BUT11A (Bipolartransistor NPN)

Preis BUT11A (Bipolartransistor NPN) ab 0.21 EUR bis 4 EUR

BUT11A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
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auf Bestellung 701 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
655+ 0.23 EUR
657+ 0.22 EUR
660+ 0.21 EUR
BUT11A
Hersteller: ISC

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auf Bestellung 1 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
68+ 1.29 EUR
72+ 1.17 EUR
100+ 1.01 EUR
400+ 0.92 EUR
1000+ 0.86 EUR
BUT11A
Hersteller: import
NPN 5A 450V 100W NTE2333 NTE2337 Trans. BUT11A TO220 TBUT11a c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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auf Bestellung 170 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+ 1.76 EUR
BUT11A
Hersteller: ONS-FAIR

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auf Bestellung 69 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
38+ 2.3 EUR
42+ 2.02 EUR
57+ 1.75 EUR
200+ 1.6 EUR
600+ 1.49 EUR
BUT11A
Hersteller: ON
NPN 5A 450V 100W Trans. BUT11A TO220 TBUT11a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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auf Bestellung 200 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+ 3.13 EUR
BUT11A
Hersteller: ON
NPN 5A 450V 100W Trans. BUT11A TO220 TBUT11a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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auf Bestellung 260 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+ 3.13 EUR
BUT11A
BUT11A
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 450V 5A TO-220
Supplier Device Package: TO-220-3
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100W
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450V
Current - Collector (Ic) (Max): 5A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 2672 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+ 3.98 EUR
10+ 3.56 EUR
100+ 2.77 EUR
500+ 2.29 EUR
1000+ 1.99 EUR
BUT11A
BUT11A
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
BUT11A_D-2310402.pdf
auf Bestellung 1784 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+ 4 EUR
13+ 3.59 EUR
25+ 3.4 EUR
100+ 2.8 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
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auf Bestellung 426 Stücke
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12+ 4 EUR
13+ 3.59 EUR
25+ 3.42 EUR
100+ 2.8 EUR
BUT11A
BUT11A
Hersteller:

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6 Stücke
BUT11A
BUT11A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
3662116450420394but11a.pdf
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BUT11A
BUT11A
Hersteller: NXP
Description: NXP - BUT11A - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 450 V, 5 A, 100 W, TO-220AB, Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 100
DC Current Gain hFE: 20
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 5
Transistor Case Style: TO-220AB
Transition Frequency ft: -
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 450
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
110032.pdf
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BUT11A
BUT11A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUT11A - NPN SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
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BUT11A
BUT11A
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 450V 5A 83000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
3277cd00001295.pdf
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BUT11A
Hersteller:
BUT11A HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 450V 5A 100W TO220
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BUT11A
Hersteller:
BUT11A HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 450V 5A 100W TO220
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BUT11A
Hersteller:
BUT11A HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 450V 5A 100W TO220
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BUT11A
Hersteller: ONSEMI
Material: BUT11A-ONS NPN THT transistors
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BUT11A
Hersteller: STMicroelectronics NV
NPN, U=1000V, I=5A (10 .), 83, TO-220
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auf Bestellung 4109 Stücke
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BUT11A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
stmicroelectronics_cd00001295-1204552.pdf
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BUT11A
BUT11A
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 450V 5A TO-220
Supplier Device Package: TO-220
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 83W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450V
Current - Collector (Ic) (Max): 5A
Transistor Type: NPN
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
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