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BUT11A (NPN-Bipolartransistor)

BUT11A (NPN-Bipolartransistor) NXP

BUT11A.pdf
Produktcode: 18070
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Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 450 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 450 V
Kollektorstrom Ic, A: 5 A
Stromverstärkung h21: 35
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUT11A BUT11A ON Semiconductor but11ad.pdf Trans GP BJT NPN 450V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
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BUT11A BUT11A onsemi BUT11A.pdf BUT11A-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
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BUT11A BUT11A STM BUT11A.pdf NPN, Uкэ=1000V, Iк=5A (10 имп.), 83Вт, TO-220 Транзистори
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BUT11A
Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
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Hersteller: STM
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2N5401
Produktcode: 177484
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2N5401
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 400 МГц
Spannung Uce, V: 150 В
Spannung Ucb, V: 160 В
Strom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21, max: 400
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HCPL-4200-000E
Produktcode: 128272
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description AV02-2353EN
Hersteller: HP
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-8
Typ: Logikausgang
Isolationsspannung Uisol, kV: 2,5 кВ
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: /25
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 55/15 ns
Betriebstemperatur, °C: 0…+70°С
Kanalanzahl: 1
auf Bestellung 3 St.:
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HCPL-4100
Produktcode: 58284
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description AV02-2352EN1.pdf
HCPL-4100
Hersteller: Avago
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-8
Typ: Transistor
Isolationsspannung Uisol, kV: 3,7 kV
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 20/30 mA
Ausgangsspannung Uausg, V: 20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 1,6/,16 µs
Betriebstemperatur, °C: -40…+85°С
auf Bestellung 16 St.:
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IRF640NPBF
Produktcode: 42934
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irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Bemerkung: P=150W, -55...170 C
Montage: THT
verfügbar: 755 St.
  • 10 St. - stock Köln
  • 745 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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BZX85-C12
Produktcode: 31111
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BZX85C.pdf
BZX85-C12
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 12 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 20 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: -
verfügbar: 576 St.
  • 575 St. - stock Köln
  • 1 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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1000+0.03 EUR
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