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HGTG30N60A4D

HGTG30N60A4D ON

HGTG30N60A4D.pdf
Produktcode: 31842
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Hersteller: ON
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 75 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 463 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 24/180
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Technische Details HGTG30N60A4D ON

  • IGBT, TO-247
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • Max Current Ic Continuous a:75A
  • Max Voltage Vce Sat:2.6V
  • Power Dissipation:463W
  • Case Style:TO-247
  • Termination Type:Through Hole
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Alternate Case Style:SOT-249
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Current Temperature:25`C
  • Device Marking:HGTG30N60A4D
  • Fall Time Tf:38ns
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:With flywheel diode
  • Power Dissipation Pd:463W
  • Pulsed Current Icm:240A
  • Rise Time:12s
  • Typ Fall Time:38ns
  • SVHC (Additional):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D onsemi hgtg30n60a4d-d.pdf description Description: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
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HGTG30N60A4D ONS/FAI hgtg30n60a4d-d.pdf description IGBT Транзистори
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HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D onsemi hgtg30n60a4d-d.pdf description IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
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HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D ONSEMI ONSM-S-A0013297333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D ON Semiconductor hgtg30n60a4d-d.pdf description Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D ON Semiconductor hgtg30n60a4d-d.pdf description Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
HGTG30N60A4D
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
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HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
Hersteller: ONS/FAI
IGBT Транзистори
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HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
HGTG30N60A4D
Hersteller: onsemi
IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
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HGTG30N60A4D description ONSM-S-A0013297333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HGTG30N60A4D
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
HGTG30N60A4D
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
HGTG30N60A4D
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Toleranz und TKW: ±5%
P Nenn., W: 2 W
U Betrieb, V: 500 V
Abmessungen: 11x4.0 mm; Ø Anschluss = 0.76 mm
Typ: Metalloxid, miniatur
-55...+125°C
HS-Code: 8533 21 00 00
verfügbar: 120 St.
  • 120 St. - stock Köln
auf Bestellung: 2716 St.
  • 2716 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Eingangsspannung Uin, V: 35 V
Ausgangsspannung Uout, V: 5 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 A
Spannungsabfall Udrop, V: 1,7 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: 0...125°C
Montage: THT
verfügbar: 118 St.
  • 118 St. - stock Köln
erwartet: 30 St.
  • 30 St. - erwartet
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Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
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