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HGTG30N60A4D

HGTG30N60A4D ON

HGTG30N60A4D.pdf
Produktcode: 31842
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Hersteller: ON
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 75 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 463 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 24/180
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Technische Details HGTG30N60A4D ON

  • IGBT, TO-247
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • Max Current Ic Continuous a:75A
  • Max Voltage Vce Sat:2.6V
  • Power Dissipation:463W
  • Case Style:TO-247
  • Termination Type:Through Hole
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Alternate Case Style:SOT-249
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Current Temperature:25`C
  • Device Marking:HGTG30N60A4D
  • Fall Time Tf:38ns
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:With flywheel diode
  • Power Dissipation Pd:463W
  • Pulsed Current Icm:240A
  • Rise Time:12s
  • Typ Fall Time:38ns
  • SVHC (Additional):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HGTG30N60A4D ONS/FAI hgtg30n60a4d-d.pdf description IGBT Транзистори
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HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D onsemi hgtg30n60a4d-d.pdf description Description: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
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HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D onsemi hgtg30n60a4d-d.pdf description IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
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HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
Hersteller: ONS/FAI
IGBT Транзистори
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HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
HGTG30N60A4D
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
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HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
HGTG30N60A4D
Hersteller: onsemi
IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
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  • 70 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 20 St.
    AnzahlPrivatkunde
    1+1.34 EUR
    10+1.19 EUR
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    Hersteller: Hitano
    Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
    Nennwiderstand: 0,1 Ohm
    Toleranz und TKW: ±5%
    P Nenn., W: 2 W
    U Betriebs., V: 500 V
    Abmessungen: 11x4,0 mm; Dвив. = 0,76 mm
    Typ: метало-оксидні мініатюрні
    -55...+125°C
    HS-Code: 8533210000
    verfügbar: 2843 St.
    • 120 St. - stock Köln
    • 2723 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.081 EUR
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    100+0.05 EUR
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    Gehäuse: TO-220
    Eingangsspannung Uin, V: 35 V
    Ausgangsspannung Uout, V: 5 V
    Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 A
    Spannungsabfall Udrop, V: 1,7 V
    Ausgangstyp: Fest
    Temperaturbereich: 0...125°C
    Montage: THT
    verfügbar: 1705 St.
    • 118 St. - stock Köln
    • 1587 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.62 EUR
    10+0.54 EUR
    100+0.48 EUR
    1000+0.15 EUR
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    Hersteller: Atmel
    IC > IC Mikrokontroller
    Gehäusetyp: SOIC-20
    Kurzbeschreibung: 8-bit AVR MCU, 10MHz, 2K Flash, 128x8 RAM, 128x8 EEPROM
    Versorgungsspannung, V: 4,0...6,0 V
    Kerntyp: AVR
    Bitbreite: 8-Bit
    Frequenz: 10MHz
    Betriebstemperatur, °C: -40...+85°C
    auf Bestellung 9 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1+4 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    2,2uF 50V E°CR 5x11mm (E°CR2R2M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
    Produktcode: 3112
    3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
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    2,2uF 50V E°CR 5x11mm (E°CR2R2M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
    Hersteller: Hitano
    Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
    Kapazität: 2,2 µF
    Nennspannung: 50 V
    Reihe: ECR
    Typ: Allzweck, für automatische Bestückung, miniatur, 85°C
    Temperaturbereich: -40...+85°C
    Abmessungen: 5x11 mm
    Lebensdauer: 2000 Stunden
    Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
    verfügbar: 3989 St.
    • 469 St. - stock Köln
    • 3520 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.048 EUR
    10+0.036 EUR
    100+0.012 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH