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HGTG30N60A4D

HGTG30N60A4D Intersil

HGTG30N60A4D.pdf
Produktcode: 31842
Hersteller: Intersil
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 24/180
auf Bestellung 20 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4 EUR
10+3.6 EUR
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Technische Details HGTG30N60A4D Intersil

  • IGBT, TO-247
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • Max Current Ic Continuous a:75A
  • Max Voltage Vce Sat:2.6V
  • Power Dissipation:463W
  • Case Style:TO-247
  • Termination Type:Through Hole
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Alternate Case Style:SOT-249
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Current Temperature:25`C
  • Device Marking:HGTG30N60A4D
  • Fall Time Tf:38ns
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:With flywheel diode
  • Power Dissipation Pd:463W
  • Pulsed Current Icm:240A
  • Rise Time:12s
  • Typ Fall Time:38ns
  • SVHC (Additional):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D Hersteller : ON Semiconductor hgtg30n60a4d-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013297333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D Hersteller : ON Semiconductor hgtg30n60a4d-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D Hersteller : onsemi hgtg30n60a4d-d.pdf Description: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
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HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D Hersteller : onsemi hgtg30n60a4d-d.pdf IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
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Lötgeräte, Lötmaterial > Löttechnik. Verschiedenes
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Resistenz: 0,1 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 2W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 11x4,0mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+125°C
№ 7: 8533210000
verfügbar: 3035 St.
120 St. - stock Köln
2915 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 50 St.
Anzahl Preis
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Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35
Uout,V: 5
Iout,A: 1,5 А
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…125
verfügbar: 2223 St.
118 St. - stock Köln
2105 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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1+0.52 EUR
10+0.45 EUR
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IC > IC Mikrokontroller
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Kurzbeschreibung: 8-bit AVR MK, 10MHz, 2К Flash, 128x8 RAM,128x8 EEPROM
Strom, V: 4...6V
Betriebstemperatur, °С: -40…+85°C
Austauschbar: 8-Bit
Bemerkung: 10MHz
Робоча температура, °С: -40...+85°C
auf Bestellung 9 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.36 EUR
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Produktcode: 3112
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2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2,2uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 4529 St.
469 St. - stock Köln
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