Produkte > ONSEMI > Alle Produkte des Herstellers ONSEMI (148581) > Seite 1767 nach 2477

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1762 1763 1764 1765 1766 1767 1768 1769 1770 1771 1772 1976 2223 2470 2477  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FFSP0665A ONSEMI ffsp0665a-d.pdf FFSP0665A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0665B ONSEMI FFSP0665B THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP08120A ONSEMI ffsp08120a-d.pdf FFSP08120A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0865A ONSEMI ffsp0865a-d.pdf FFSP0865A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0865B ONSEMI ffsp0865b-d.pdf FFSP0865B THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP10120A ONSEMI ffsp10120a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Load current: 10A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065A ONSEMI ffsp1065a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Load current: 15A
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065B-F085 ONSEMI ffsp1065b-f085-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Load current: 10A
Max. off-state voltage: 650V
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1265A ONSEMI ffsp1265a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Load current: 15A
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP15120A ONSEMI ffsp15120a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220-2; tube
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Load current: 15A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1665A ONSEMI ffsp1665a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220-2; tube
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Load current: 16A
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP20120A ONSEMI ffsp20120a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065A ONSEMI ffsp2065a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 25A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065B ONSEMI ffsp2065b-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 22.5A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 22.5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065B-F085 ONSEMI ffsp2065b-f085-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065BDN-F085 ONSEMI ffsp2065bdn-f085-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP3065A FFSP3065A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC95E9F0BD9FFB20CE&compId=FFSP3065A.pdf?ci_sign=ae6f21021727f98b886609f3ebf329b4107f5380 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO220-2; Ir: 600uA
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 75A
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
Leakage current: 0.6mA
Power dissipation: 40W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP3065B ONSEMI ffsp3065b-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP4065BDN-F085 ONSEMI ffsp4065bdn-f085-d.pdf FFSP4065BDN-F085 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N65SMD ONSEMI fga40n65smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40T65SHD ONSEMI fga40t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 72.2nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2286684B28FA8&compId=FGA60N65SMD-DTE.pdf?ci_sign=b47757b52704f8dad2d5b15a65308db84240e69f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.59 EUR
16+4.62 EUR
17+4.38 EUR
30+4.36 EUR
120+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6560WDF ONSEMI FAIR-S-A0002366403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FGA6560WDF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMD ONSEMI fgaf40n60smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 58W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFDTU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC94EA732797BEA0CE&compId=FGAF40N60UFD.pdf?ci_sign=da65e30aed0b2d6dbd164eba13db74250abcad66 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFTU ONSEMI fgaf40n60uf-d.pdf FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB20N60SFD-F085 ONSEMI fgb20n60s_f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 83W; D2PAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Version: ESD
Application: ignition systems
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 63nC
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB3040G2-F085 FGB3040G2-F085 ONSEMI fgi3040g2_f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.42 EUR
25+2.97 EUR
26+2.8 EUR
250+2.77 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB3040G2-F085C ONSEMI fgx3040g2-f085c-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB3245G2-F085 ONSEMI fgd3245g2-f085-d.pdf FGB3245G2-F085 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 ONSEMI fgb40t65spd-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.31 EUR
18+4.16 EUR
19+3.93 EUR
100+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB7N60UNDF ONSEMI fgb7n60undf-d.pdf FAIRS45703-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FGB7N60UNDF-ONS SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD2736G3-F085V ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC94EA63D56B2760CE&compId=FGD2736G3-F085V.PDF?ci_sign=25ca317c294b05d518d3048aa1fb7f7a7f154737 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 360V; 24.3A; 150W; DPAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 360V
Collector current: 24.3A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3040G2-F085 ONSEMI fgi3040g2_f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; DPAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3040G2-F085C ONSEMI fgx3040g2-f085c-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; DPAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3040G2-F085V ONSEMI fgd3040g2-f085v-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; DPAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3050G2 ONSEMI fgd3050g2-d.pdf FGD3050G2 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3245G2-F085 FGD3245G2-F085 ONSEMI fgd3245g2-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.8 EUR
25+2.97 EUR
39+1.87 EUR
41+1.77 EUR
250+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3245G2-F085C ONSEMI fgd3245g2-f085c-d.pdf FGD3245G2-F085C SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3440G2-F085 ONSEMI FG%28B%2CD%2CP%293440G2_F085.pdf FGD3440G2-F085 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD5T120SH FGD5T120SH ONSEMI fgd5t120sh-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.33 EUR
45+1.62 EUR
60+1.2 EUR
63+1.14 EUR
250+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDA6C5122C259&compId=FGH40N60SFD.pdf?ci_sign=2c0d510a78f53d439b7ac465468ba47d6ff90201 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.81 EUR
14+5.48 EUR
21+3.53 EUR
22+3.35 EUR
90+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDC408D444259&compId=FGH40N60SMD.pdf?ci_sign=0ebfad5f1d5a27cf5691c0f6edf47b158174848d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.56 EUR
14+5.29 EUR
19+3.78 EUR
20+3.58 EUR
120+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD-F085 ONSEMI fgh40n60smd_f085-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE02DE17B4259&compId=FGH40N60UFD.pdf?ci_sign=e2e7f4c0d5faa7c11d312a18c4f8466a13707ecb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.85 EUR
17+4.26 EUR
18+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.45 EUR
9+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SQDNL4 ONSEMI fgh40t120sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 221nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SHD-F155 ONSEMI fgh40t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 72.2nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SHDF-F155 ONSEMI fgh40t65shdf-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 68nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SQD-F155 ONSEMI fgh40t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 80nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120LQD ONSEMI fgh4l40t120lqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N3 ONSEMI fgh50n3-d.pdf FGH50N3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD-F155 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABDE8E38F8A3D20C7&compId=FGH50T65SQD.PDF?ci_sign=9c76ec61398a9511a29f574be1e20596aa23ce7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.22 EUR
16+4.7 EUR
20+3.6 EUR
22+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65UPD ONSEMI fgh50t65upd-d.pdf FGH50T65UPD THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE52F29614259&compId=FGH60N60SMD.pdf?ci_sign=73678e57102c9e2bfc1e9601ead203ab1071a368 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 284nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.88 EUR
14+5.22 EUR
15+4.93 EUR
120+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SHD-F155 ONSEMI fgh60t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SQD-F155 ONSEMI fgh60t65sqd-f155-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SHD-F155 ONSEMI fgh75t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SHDT-F155 ONSEMI fgh75t65shdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0665A ffsp0665a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FFSP0665A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0665B
Hersteller: ONSEMI
FFSP0665B THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP08120A ffsp08120a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FFSP08120A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0865A ffsp0865a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FFSP0865A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0865B ffsp0865b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FFSP0865B THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP10120A ffsp10120a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Load current: 10A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065A ffsp1065a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Load current: 15A
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065B-F085 ffsp1065b-f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Load current: 10A
Max. off-state voltage: 650V
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1265A ffsp1265a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Load current: 15A
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP15120A ffsp15120a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220-2; tube
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Load current: 15A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1665A ffsp1665a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220-2; tube
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Load current: 16A
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP20120A ffsp20120a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065A ffsp2065a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 25A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065B ffsp2065b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 22.5A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 22.5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065B-F085 ffsp2065b-f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065BDN-F085 ffsp2065bdn-f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP3065A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC95E9F0BD9FFB20CE&compId=FFSP3065A.pdf?ci_sign=ae6f21021727f98b886609f3ebf329b4107f5380
FFSP3065A
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO220-2; Ir: 600uA
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 75A
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
Leakage current: 0.6mA
Power dissipation: 40W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP3065B ffsp3065b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP4065BDN-F085 ffsp4065bdn-f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FFSP4065BDN-F085 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N65SMD fga40n65smd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40T65SHD fga40t65shd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 72.2nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2286684B28FA8&compId=FGA60N65SMD-DTE.pdf?ci_sign=b47757b52704f8dad2d5b15a65308db84240e69f
FGA60N65SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.59 EUR
16+4.62 EUR
17+4.38 EUR
30+4.36 EUR
120+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6560WDF FAIR-S-A0002366403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FGA6560WDF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMD fgaf40n60smd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 58W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFDTU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC94EA732797BEA0CE&compId=FGAF40N60UFD.pdf?ci_sign=da65e30aed0b2d6dbd164eba13db74250abcad66
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFTU fgaf40n60uf-d.pdf FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 83W; D2PAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Version: ESD
Application: ignition systems
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 63nC
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB3040G2-F085 fgi3040g2_f085-d.pdf
FGB3040G2-F085
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.42 EUR
25+2.97 EUR
26+2.8 EUR
250+2.77 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB3040G2-F085C fgx3040g2-f085c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB3245G2-F085 fgd3245g2-f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGB3245G2-F085 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB40T65SPD-F085 fgb40t65spd-f085-d.pdf
FGB40T65SPD-F085
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.31 EUR
18+4.16 EUR
19+3.93 EUR
100+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB7N60UNDF fgb7n60undf-d.pdf FAIRS45703-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FGB7N60UNDF-ONS SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD2736G3-F085V pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC94EA63D56B2760CE&compId=FGD2736G3-F085V.PDF?ci_sign=25ca317c294b05d518d3048aa1fb7f7a7f154737
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 360V; 24.3A; 150W; DPAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 360V
Collector current: 24.3A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3040G2-F085 fgi3040g2_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; DPAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3040G2-F085C fgx3040g2-f085c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; DPAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3040G2-F085V fgd3040g2-f085v-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; DPAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3050G2 fgd3050g2-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGD3050G2 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3245G2-F085 fgd3245g2-f085-d.pdf
FGD3245G2-F085
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.8 EUR
25+2.97 EUR
39+1.87 EUR
41+1.77 EUR
250+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3245G2-F085C fgd3245g2-f085c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGD3245G2-F085C SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3440G2-F085 FG%28B%2CD%2CP%293440G2_F085.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGD3440G2-F085 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD5T120SH fgd5t120sh-d.pdf
FGD5T120SH
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
45+1.62 EUR
60+1.2 EUR
63+1.14 EUR
250+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDA6C5122C259&compId=FGH40N60SFD.pdf?ci_sign=2c0d510a78f53d439b7ac465468ba47d6ff90201
FGH40N60SFDTU
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.81 EUR
14+5.48 EUR
21+3.53 EUR
22+3.35 EUR
90+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDC408D444259&compId=FGH40N60SMD.pdf?ci_sign=0ebfad5f1d5a27cf5691c0f6edf47b158174848d
FGH40N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.56 EUR
14+5.29 EUR
19+3.78 EUR
20+3.58 EUR
120+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60smd_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE02DE17B4259&compId=FGH40N60UFD.pdf?ci_sign=e2e7f4c0d5faa7c11d312a18c4f8466a13707ecb
FGH40N60UFDTU
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.85 EUR
17+4.26 EUR
18+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab
FGH40T120SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.45 EUR
9+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMD-F155 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab
FGH40T120SMD-F155
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SQDNL4 fgh40t120sqdnl4-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 221nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SHD-F155 fgh40t65shd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 72.2nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SHDF-F155 fgh40t65shdf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 68nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SQD-F155 fgh40t65sqd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 80nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120LQD fgh4l40t120lqd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N3 fgh50n3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGH50N3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABDE8E38F8A3D20C7&compId=FGH50T65SQD.PDF?ci_sign=9c76ec61398a9511a29f574be1e20596aa23ce7b
FGH50T65SQD-F155
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.22 EUR
16+4.7 EUR
20+3.6 EUR
22+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65UPD fgh50t65upd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGH50T65UPD THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE52F29614259&compId=FGH60N60SMD.pdf?ci_sign=73678e57102c9e2bfc1e9601ead203ab1071a368
FGH60N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 284nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.88 EUR
14+5.22 EUR
15+4.93 EUR
120+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SHD-F155 fgh60t65shd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SQD-F155 fgh60t65sqd-f155-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SHD-F155 fgh75t65shd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SHDT-F155 fgh75t65shdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1762 1763 1764 1765 1766 1767 1768 1769 1770 1771 1772 1976 2223 2470 2477  [ Nächste Seite >> ]