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FDMS86350ET80 ONSEMI fdms86350et80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86500DC ONSEMI fdms86500dc-d.pdf FDMS86500DC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86500L ONSEMI fdms86500l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86520 ONSEMI fdms86520-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86520L ONSEMI fdms86520l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86540 ONSEMI fdms86540-d.pdf FDMS86540 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86550 ONSEMI fdms86550-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 1021A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86550ET60 ONSEMI fdms86550et60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; Idm: 1068A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Pulsed drain current: 1068A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680 ONSEMI fdms8680-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8820 ONSEMI fdms8820-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 101A; Idm: 634A; 78W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 101A
Pulsed drain current: 634A
Power dissipation: 78W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8D8N15C ONSEMI fdms8d8n15c-d.pdf FDMS8D8N15C SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9600S ONSEMI fdms9600s-d.pdf FDMS9600S Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9620S ONSEMI fdms9620s-d.pdf FDMS9620S Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT1D3N08B ONSEMI fdmt1d3n08b-d.pdf FDMT1D3N08B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800100DC ONSEMI fdmt800100dc-d.pdf FDMT800100DC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DC ONSEMI fdmt800120dc-d.pdf FDMT800120DC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800150DC ONSEMI fdmt800150dc-d.pdf FDMT800150DC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800152DC ONSEMI fdmt800152dc-d.pdf FDMT800152DC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80040DC ONSEMI fdmt80040dc-d.pdf FDMT80040DC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DC ONSEMI fdmt80060dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 1825A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 1825A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 238nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DC ONSEMI fdmt80080dc-d.pdf FDMT80080DC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN028N20 ONSEMI fdn028n20-d.pdf FDN028N20 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302P ONSEMI FDN302P-D.PDF FDN302P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
123+0.58 EUR
338+0.21 EUR
358+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304P ONSEMI FAIRS17271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN304P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
219+0.33 EUR
232+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZ ONSEMI FAIRS43351-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN304PZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P FDN306P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
142+0.51 EUR
188+0.38 EUR
283+0.25 EUR
298+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N FDN327N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF875E74E87E28&compId=FDN327N.pdf?ci_sign=647dba67650dcc6217d7c8ab71a22b7dc59b804a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
173+0.41 EUR
203+0.35 EUR
295+0.24 EUR
363+0.2 EUR
382+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335N ONSEMI FDN335N-D.PDF FDN335N SMD N channel transistors
auf Bestellung 2369 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
305+0.23 EUR
325+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P ONSEMI fdn336p-d.pdf FDN336P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
104+0.69 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N FDN337N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE890C7529A2A5273D3&compId=FDN337N.pdf?ci_sign=df521a793e16e8ed1a6c2a17771c76ddab901570 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
179+0.4 EUR
229+0.31 EUR
253+0.28 EUR
618+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P ONSEMI fdn338p-d.pdf FDN338P SMD P channel transistors
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
118+0.61 EUR
274+0.26 EUR
290+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 118
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339AN ONSEMI FDN339AN-D.PDF FDN339AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 4611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340P FDN340P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BDB12564E13440C4&compId=FDN340P.pdf?ci_sign=837bebb062c1067f868956117920b37c4697bddb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: SuperSOT-3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -10A
Drain current: -2A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3166 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
233+0.31 EUR
286+0.25 EUR
332+0.22 EUR
374+0.19 EUR
544+0.13 EUR
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352AP ONSEMI fdn352ap-d.pdf FDN352AP SMD P channel transistors
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
113+0.64 EUR
358+0.2 EUR
376+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9016645D3E259&compId=FDN357N.pdf?ci_sign=fc8992d385bf25dd1c09c8a14438e0609bbc5ba8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1828 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
144+0.5 EUR
158+0.45 EUR
197+0.36 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358P FDN358P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7C87C781C259&compId=FDN358P.pdf?ci_sign=012b295b159bc6a235442da8190a0f7266a723db Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
136+0.53 EUR
178+0.4 EUR
285+0.25 EUR
300+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN ONSEMI fdn359an-d.pdf FDN359AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 2775 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
298+0.24 EUR
317+0.23 EUR
1500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN ONSEMI fdn359bn-d.pdf FDN359BN SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360P FDN360P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED680C11C02328CF1BF&compId=FDN360P.pdf?ci_sign=65916941ad2fbf9bcb45a21d17f0bdfd64119574 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 136mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
124+0.58 EUR
140+0.51 EUR
197+0.36 EUR
231+0.31 EUR
428+0.17 EUR
451+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537N ONSEMI fdn537n-d.pdf FDN537N SMD N channel transistors
auf Bestellung 2605 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
171+0.42 EUR
180+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9084782FDE259&compId=FDN5630.pdf?ci_sign=b509e67f7d3c5b69bed0dc6b2b0e78cdb27cad08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3810 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
165+0.43 EUR
220+0.33 EUR
358+0.2 EUR
379+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N-F085 ONSEMI fdn5632n-f085-d.pdf FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1544 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
175+0.41 EUR
184+0.39 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601 ONSEMI fdn8601-d.pdf FDN8601 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86246 ONSEMI fdn86246-d.pdf FDN86246 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86265P ONSEMI fdn86265p-d.pdf FDN86265P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86501LZ ONSEMI fdn86501lz-d.pdf FDN86501LZ SMD N channel transistors
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FDP020N06B-F102 ONSEMI fdp020n06b-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 313A; Idm: 1252A; 333W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 313A
Pulsed drain current: 1252A
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 206nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FDP023N08B-F102 ONSEMI fdp023n08b-d.pdf FDP023N08B-F102 THT N channel transistors
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FDP025N06 ONSEMI fdp025n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 265A; Idm: 1060A; 395W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 265A
Pulsed drain current: 1060A
Power dissipation: 395W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FDP027N08B-F102 ONSEMI fdp027n08b-d.pdf FDP027N08B-F102 THT N channel transistors
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FDP030N06 ONSEMI fdp030n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FDP030N06B-F102 ONSEMI fdp030n06b-f102-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; Idm: 780A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FDP032N08 ONSEMI fdp032n08-d.pdf FDP032N08 THT N channel transistors
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FDP036N10A ONSEMI fdp036n10a-d.pdf FDP036N10A THT N channel transistors
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FDP039N08B-F102 ONSEMI ONSM-S-A0003584668-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdp039n08b-d.pdf FDP039N08B-F102 THT N channel transistors
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FDP045N10A-F102 ONSEMI fdp045n10a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 263W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 263W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FDP047AN08A0 ONSEMI fdh047an08a0-d.pdf FDP047AN08A0 THT N channel transistors
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FDP047N08 ONSEMI fdp047n08-d.pdf FDP047N08 THT N channel transistors
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FDMS86350ET80 fdms86350et80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDMS86500DC fdms86500dc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS86500DC SMD N channel transistors
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FDMS86500L fdms86500l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDMS86520 fdms86520-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMS86540 fdms86540-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS86540 SMD N channel transistors
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FDMS86550 fdms86550-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 1021A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMS86550ET60 fdms86550et60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; Idm: 1068A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Pulsed drain current: 1068A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680 fdms8680-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMS8820 fdms8820-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 101A; Idm: 634A; 78W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 101A
Pulsed drain current: 634A
Power dissipation: 78W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMS8D8N15C fdms8d8n15c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS8D8N15C SMD N channel transistors
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FDMS9600S fdms9600s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS9600S Multi channel transistors
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FDMS9620S fdms9620s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS9620S Multi channel transistors
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FDMT1D3N08B fdmt1d3n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMT1D3N08B SMD N channel transistors
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FDMT800100DC fdmt800100dc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMT800100DC SMD N channel transistors
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FDMT800120DC fdmt800120dc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMT800120DC SMD N channel transistors
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FDMT800150DC fdmt800150dc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMT800150DC SMD N channel transistors
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FDMT800152DC fdmt800152dc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMT800152DC SMD N channel transistors
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FDMT80040DC fdmt80040dc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMT80040DC SMD N channel transistors
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FDMT80060DC fdmt80060dc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 1825A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 1825A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 238nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMT80080DC fdmt80080dc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMT80080DC SMD N channel transistors
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FDN028N20 fdn028n20-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN028N20 SMD N channel transistors
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FDN302P FDN302P-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDN302P SMD P channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDN304P SMD P channel transistors
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FDN304PZ FAIRS43351-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDN304PZ SMD P channel transistors
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FDN306P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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FDN327N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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FDN335N FDN335N-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDN335N SMD N channel transistors
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FDN336P fdn336p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN336P SMD P channel transistors
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304+0.24 EUR
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FDN337N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE890C7529A2A5273D3&compId=FDN337N.pdf?ci_sign=df521a793e16e8ed1a6c2a17771c76ddab901570
FDN337N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDN338P fdn338p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN338P SMD P channel transistors
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FDN339AN FDN339AN-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDN339AN SMD N channel transistors
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FDN340P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BDB12564E13440C4&compId=FDN340P.pdf?ci_sign=837bebb062c1067f868956117920b37c4697bddb
FDN340P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: SuperSOT-3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -10A
Drain current: -2A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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544+0.13 EUR
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FDN352AP fdn352ap-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN352AP SMD P channel transistors
auf Bestellung 2217 Stücke:
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Anzahl Preis
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FDN357N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9016645D3E259&compId=FDN357N.pdf?ci_sign=fc8992d385bf25dd1c09c8a14438e0609bbc5ba8
FDN357N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7C87C781C259&compId=FDN358P.pdf?ci_sign=012b295b159bc6a235442da8190a0f7266a723db
FDN358P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN fdn359an-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN359AN SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN fdn359bn-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN359BN SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED680C11C02328CF1BF&compId=FDN360P.pdf?ci_sign=65916941ad2fbf9bcb45a21d17f0bdfd64119574
FDN360P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 136mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537N fdn537n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN537N SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9084782FDE259&compId=FDN5630.pdf?ci_sign=b509e67f7d3c5b69bed0dc6b2b0e78cdb27cad08
FDN5630
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N-F085 fdn5632n-f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601 fdn8601-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN8601 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86246 fdn86246-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN86246 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86265P fdn86265p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN86265P SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86501LZ fdn86501lz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN86501LZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP020N06B-F102 fdp020n06b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 313A; Idm: 1252A; 333W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 313A
Pulsed drain current: 1252A
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 206nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FDP023N08B-F102 fdp023n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP023N08B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP025N06 fdp025n06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 265A; Idm: 1060A; 395W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 265A
Pulsed drain current: 1060A
Power dissipation: 395W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP027N08B-F102 fdp027n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP027N08B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP030N06 fdp030n06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP030N06B-F102 fdp030n06b-f102-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; Idm: 780A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP032N08 fdp032n08-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP032N08 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP032N08B-F102 fdp032n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP032N08B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP036N10A THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP038AN06A0 fdp038an06a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP038AN06A0 THT N channel transistors
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Anzahl Preis
15+4.8 EUR
22+3.27 EUR
24+3.1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP039N08B-F102 ONSM-S-A0003584668-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdp039n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP039N08B-F102 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP045N10A-F102 fdp045n10a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 263W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 263W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP047AN08A0 fdh047an08a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP047AN08A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
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Anzahl Preis
10+7.15 EUR
17+4.2 EUR
50+3.03 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP047N08 fdp047n08-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP047N08 THT N channel transistors
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