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FDD4141 FDD4141 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8944BB55062469&compId=FDD4141.pdf?ci_sign=e1022bcb30bc8c84476440b86751d8881d3057bf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
54+1.33 EUR
63+1.15 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4243 ONSEMI ONSM-S-A0003590118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD4243 SMD P channel transistors
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685 ONSEMI fdd4685-d.pdf FDD4685 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353 FDD5353 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE71DF0E399E28&compId=FDD5353.pdf?ci_sign=77717e6ae21adee88e195bd3f5679c5b27f27fdc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 20.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1758 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
39+1.84 EUR
44+1.64 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5680 ONSEMI fdd5680-d.pdf FDD5680 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N50FTM-WS ONSEMI fdd5n50f-d.pdf FDD5N50FTM-WS SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N50NZTM ONSEMI fdd5n50nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; Idm: 16A; 62W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.02 EUR
41+1.76 EUR
45+1.6 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670A ONSEMI FDD6670A-D.pdf 6eb98cb5d24ebe1d1ece7fc59f76ef36.pdf FDD6670A SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AS FDD6680AS ONSEMI FAIR-S-A0002365622-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 740844e1917523a3ed956180dbfccdf1.pdf fdd6680as-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 100A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685 ONSEMI FAIR-S-A0002365599-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 0fc61bbc6b400209eba76145944cf814.pdf FDD6685 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N20TM ONSEMI fdd6n20tm-d.pdf FDD6N20TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N50TM ONSEMI fdu6n50-d.pdf FDD6N50TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A FDD770N15A ONSEMI fdd770n15a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
10+7.15 EUR
21+3.4 EUR
57+1.26 EUR
100+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N20TM FDD7N20TM ONSEMI fdd7n20tm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
81+0.89 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N25LZTM ONSEMI fdd7n25lz-d.pdf FDD7N25LZTM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444 ONSEMI fdd8444-d.pdf FAIR-S-A0002365728-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 153W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445 FDD8445 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE87F32A0E9E28&compId=FDD8445.pdf?ci_sign=76fd8828378ae233a76887cf525f0e22474174a1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
76+0.95 EUR
83+0.87 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L FDD8447L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8A6BEADD9E28&compId=FDD8447L.pdf?ci_sign=0f73c3a39c98a65948633b721ea406e17219d765 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 44W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
74+0.98 EUR
80+0.9 EUR
93+0.78 EUR
136+0.53 EUR
144+0.5 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8451 ONSEMI FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdd8451-d.pdf FDD8451 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2034 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
99+0.73 EUR
105+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD850N10L ONSEMI fdd850n10l-d.pdf FDD850N10L SMD N channel transistors
auf Bestellung 2426 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
85+0.84 EUR
90+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102 ONSEMI fdd86102-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 75A; 62W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102LZ FDD86102LZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8D9F895F9E28&compId=FDD86102LZ.pdf?ci_sign=8dffec91b5777d250e9d9f9bc0b63e013ad0fe4f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2046 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
45+1.62 EUR
48+1.5 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
100+1.1 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86110 ONSEMI fdd86110-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 127W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250 FDD86250 ONSEMI fdd86250-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.16 EUR
42+1.72 EUR
44+1.63 EUR
250+1.6 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 FDD86252 ONSEMI fdd86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
59+1.22 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367 FDD86367 ONSEMI fdd86367-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.87 EUR
43+1.7 EUR
45+1.6 EUR
100+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367-F085 ONSEMI fdd86367_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK3
On-state resistance: 4.2mΩ
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86369 ONSEMI fdd86369-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86369-F085 ONSEMI fdd86369_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86380-F085 ONSEMI fdd86380_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86381-F085 ONSEMI fdd86381_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; 48.4W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48.4W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8647L FDD8647L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE9042B148DE28&compId=FDD8647L.pdf?ci_sign=322b00147c168076b5bee41d23fd56639f1112b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
57+1.26 EUR
65+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86540 FDD86540 ONSEMI fdd86540-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; Idm: 240A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Power dissipation: 127W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86567-F085 FDD86567-F085 ONSEMI fdd86567_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8770 ONSEMI FAIR-S-A0002365726-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD8770 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8796 ONSEMI FAIR-S-A0002366283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD%2CFDU8796.pdf 712dfd2402c9cd3b935c11b1bb207f10.pdf FDD8796 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8796/BKN ONSEMI FDD8796BKN-ONS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8870 ONSEMI FDD8870.pdf e01e26c7728f9ef06cda3a30748f3afc.pdf FDD8870 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8876 FDD8876 ONSEMI FDD%2CFDU8876.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 70W
Drain current: 73A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8878 ONSEMI FAIR-S-A0002366100-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD%2CFDU8878.pdf FDD8878 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8880 FDD8880 ONSEMI FAIR-S-A0002365606-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.33 EUR
71+1.02 EUR
82+0.88 EUR
144+0.5 EUR
152+0.47 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896 FDD8896 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECEA292F17CBE28&compId=FDD%2CFDU8896.pdf?ci_sign=e5d32e9da7e23b5cc474f425424b98e6ad294062 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
56+1.28 EUR
98+0.74 EUR
103+0.7 EUR
250+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8N50NZTM FDD8N50NZTM ONSEMI fdd8n50nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409-F085 ONSEMI fdd9409_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 150W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDFS2P106A ONSEMI fdfs2p106a-d.pdf FDFS2P106A SMD P channel transistors
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FDG1024NZ FDG1024NZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECEAA033AFB1E28&compId=FDG1024NZ.pdf?ci_sign=2dd81f2da8a73f94804271db1a5248d982297911 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 2.6nC
On-state resistance: 389mΩ
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG316P ONSEMI FAIRS16229-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDG316P SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG327N ONSEMI fdg327n-d.pdf FDG327N SMD N channel transistors
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FDG6301N ONSEMI fdg6301n-d.pdf FDG6301N Multi channel transistors
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
141+0.51 EUR
338+0.21 EUR
358+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6301N-F085 ONSEMI fdg6301n_f085-d.pdf FDG6301N-F085 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6303N FDG6303N ONSEMI fdg6303n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 500mA; Idm: 1.3A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 770mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.3nC
Technology: DMOS
Pulsed drain current: 1.3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
131+0.55 EUR
164+0.44 EUR
207+0.35 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6304P ONSEMI fdg6304p-d.pdf FDG6304P Multi channel transistors
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
106+0.68 EUR
271+0.26 EUR
286+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6308P ONSEMI fdg6308p-d.pdf FDG6308P Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6317NZ ONSEMI fdg6317nz-d.pdf FDG6317NZ Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6321C ONSEMI fdg6321c-d.pdf FDG6321C Multi channel transistors
auf Bestellung 5788 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
261+0.27 EUR
275+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6322C ONSEMI fdg6322c-d.pdf FDG6322C Multi channel transistors
auf Bestellung 1501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
146+0.49 EUR
273+0.26 EUR
289+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 146
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6332C ONSEMI fdg6332c-d.pdf FDG6332C Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6335N FDG6335N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF225B70BA1E28&compId=FDG6335N.pdf?ci_sign=0eb5f0294b8975f49c17aba4e9359e5b82bbaf06 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 442mΩ
Drain current: 0.7A
Gate charge: 1.4nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
111+0.65 EUR
143+0.5 EUR
231+0.31 EUR
244+0.29 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4141 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8944BB55062469&compId=FDD4141.pdf?ci_sign=e1022bcb30bc8c84476440b86751d8881d3057bf
FDD4141
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
54+1.33 EUR
63+1.15 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4243 ONSM-S-A0003590118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDD4243 SMD P channel transistors
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685 fdd4685-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD4685 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE71DF0E399E28&compId=FDD5353.pdf?ci_sign=77717e6ae21adee88e195bd3f5679c5b27f27fdc
FDD5353
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 20.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1758 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
39+1.84 EUR
44+1.64 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5680 fdd5680-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD5680 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N50FTM-WS fdd5n50f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD5N50FTM-WS SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N50NZTM fdd5n50nz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; Idm: 16A; 62W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595
FDD6637
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.02 EUR
41+1.76 EUR
45+1.6 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670A FDD6670A-D.pdf 6eb98cb5d24ebe1d1ece7fc59f76ef36.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD6670A SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AS FAIR-S-A0002365622-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 740844e1917523a3ed956180dbfccdf1.pdf fdd6680as-d.pdf
FDD6680AS
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 100A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685 FAIR-S-A0002365599-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 0fc61bbc6b400209eba76145944cf814.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD6685 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N20TM fdd6n20tm-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD6N20TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N50TM fdu6n50-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD6N50TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A fdd770n15a-d.pdf
FDD770N15A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
10+7.15 EUR
21+3.4 EUR
57+1.26 EUR
100+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N20TM fdd7n20tm-d.pdf
FDD7N20TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
81+0.89 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N25LZTM fdd7n25lz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD7N25LZTM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444 fdd8444-d.pdf FAIR-S-A0002365728-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 153W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE87F32A0E9E28&compId=FDD8445.pdf?ci_sign=76fd8828378ae233a76887cf525f0e22474174a1
FDD8445
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
76+0.95 EUR
83+0.87 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8A6BEADD9E28&compId=FDD8447L.pdf?ci_sign=0f73c3a39c98a65948633b721ea406e17219d765
FDD8447L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 44W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
74+0.98 EUR
80+0.9 EUR
93+0.78 EUR
136+0.53 EUR
144+0.5 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8451 FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdd8451-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD8451 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2034 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
99+0.73 EUR
105+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD850N10L fdd850n10l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD850N10L SMD N channel transistors
auf Bestellung 2426 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
85+0.84 EUR
90+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102 fdd86102-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 75A; 62W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102LZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8D9F895F9E28&compId=FDD86102LZ.pdf?ci_sign=8dffec91b5777d250e9d9f9bc0b63e013ad0fe4f
FDD86102LZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2046 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
45+1.62 EUR
48+1.5 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
100+1.1 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86110 fdd86110-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 127W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250 fdd86250-d.pdf
FDD86250
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
42+1.72 EUR
44+1.63 EUR
250+1.6 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 fdd86252-d.pdf
FDD86252
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
59+1.22 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367 fdd86367-d.pdf
FDD86367
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.87 EUR
43+1.7 EUR
45+1.6 EUR
100+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367-F085 fdd86367_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK3
On-state resistance: 4.2mΩ
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86369 fdd86369-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86369-F085 fdd86369_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86380-F085 fdd86380_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86381-F085 fdd86381_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; 48.4W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48.4W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8647L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE9042B148DE28&compId=FDD8647L.pdf?ci_sign=322b00147c168076b5bee41d23fd56639f1112b1
FDD8647L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
57+1.26 EUR
65+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86540 fdd86540-d.pdf
FDD86540
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; Idm: 240A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Power dissipation: 127W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86567-F085 fdd86567_f085-d.pdf
FDD86567-F085
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8770 FAIR-S-A0002365726-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDD8770 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8796 FAIR-S-A0002366283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD%2CFDU8796.pdf 712dfd2402c9cd3b935c11b1bb207f10.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD8796 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8796/BKN
Hersteller: ONSEMI
FDD8796BKN-ONS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8870 FDD8870.pdf e01e26c7728f9ef06cda3a30748f3afc.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD8870 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8876 FDD%2CFDU8876.pdf
FDD8876
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 70W
Drain current: 73A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8878 FAIR-S-A0002366100-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD%2CFDU8878.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD8878 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8880 FAIR-S-A0002365606-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDD8880
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.33 EUR
71+1.02 EUR
82+0.88 EUR
144+0.5 EUR
152+0.47 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECEA292F17CBE28&compId=FDD%2CFDU8896.pdf?ci_sign=e5d32e9da7e23b5cc474f425424b98e6ad294062
FDD8896
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
56+1.28 EUR
98+0.74 EUR
103+0.7 EUR
250+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8N50NZTM fdd8n50nz-d.pdf
FDD8N50NZTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409-F085 fdd9409_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 150W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDFS2P106A fdfs2p106a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDFS2P106A SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG1024NZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECEAA033AFB1E28&compId=FDG1024NZ.pdf?ci_sign=2dd81f2da8a73f94804271db1a5248d982297911
FDG1024NZ
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 2.6nC
On-state resistance: 389mΩ
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG316P FAIRS16229-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDG316P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG327N fdg327n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDG327N SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6301N fdg6301n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDG6301N Multi channel transistors
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
141+0.51 EUR
338+0.21 EUR
358+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6301N-F085 fdg6301n_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDG6301N-F085 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6303N fdg6303n-d.pdf
FDG6303N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 500mA; Idm: 1.3A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 770mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.3nC
Technology: DMOS
Pulsed drain current: 1.3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
131+0.55 EUR
164+0.44 EUR
207+0.35 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6304P fdg6304p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDG6304P Multi channel transistors
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
106+0.68 EUR
271+0.26 EUR
286+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 106
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Hersteller: ONSEMI
FDG6308P Multi channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDG6317NZ Multi channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDG6321C Multi channel transistors
auf Bestellung 5788 Stücke:
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Anzahl Preis
96+0.75 EUR
261+0.27 EUR
275+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 96
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Hersteller: ONSEMI
FDG6322C Multi channel transistors
auf Bestellung 1501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
146+0.49 EUR
273+0.26 EUR
289+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 146
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Hersteller: ONSEMI
FDG6332C Multi channel transistors
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FDG6335N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF225B70BA1E28&compId=FDG6335N.pdf?ci_sign=0eb5f0294b8975f49c17aba4e9359e5b82bbaf06
FDG6335N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 442mΩ
Drain current: 0.7A
Gate charge: 1.4nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
111+0.65 EUR
143+0.5 EUR
231+0.31 EUR
244+0.29 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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