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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDB390N15A ONSEMI fdb390n15a-d.pdf FDB390N15A SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08037B3F4CF1A303005056AB0C4F&compId=FDB44N25.pdf?ci_sign=2c114e8f4e67ed17778bd3be0a4273c19c4c8b1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 307W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.23 EUR
24+3 EUR
37+1.97 EUR
39+1.87 EUR
100+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB52N20TM ONSEMI FDB52N20-D.pdf FDB52N20TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.75 EUR
36+2 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB5800 ONSEMI fdb5800-d.pdf FDB5800 SMD N channel transistors
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.66 EUR
27+2.67 EUR
29+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8447L ONSEMI fdb8447l-d.pdf FDB8447L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86102LZ FDB86102LZ ONSEMI ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 50A; 3.1W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 3.1W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86135 ONSEMI fdb86135-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 176A; Idm: 704A; 227W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 176A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 704A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86563-F085 ONSEMI fdb86563_f085-d.pdf FDB86563_F085-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8896 ONSEMI FDB8896-D.pdf FDB8896 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0065N40 ONSEMI fdbl0065n40-d.pdf FDBL0065N40 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0090N40 ONSEMI fdbl0090n40-d.pdf FDBL0090N40 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0110N60 ONSEMI fdbl0110n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60 ONSEMI fdbl0150n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80 ONSEMI fdbl0150n80-d.pdf FDBL0150N80 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0200N100 ONSEMI fdbl0200n100-d.pdf FDBL0200N100 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0210N80 ONSEMI fdbl0210n80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0240N100 ONSEMI fdbl0240n100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 910A
Power dissipation: 300W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 ONSEMI fdbl0260n100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0330N80 ONSEMI fdbl0330n80-d.pdf FDBL0330N80 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0630N150 ONSEMI fdbl0630n150-d.pdf FDBL0630N150 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86062-F085 ONSEMI fdbl86062_f085-d.pdf FDBL86062-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86063 ONSEMI Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86063-F085 ONSEMI fdbl86063_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085 ONSEMI fdbl86066-f085-d.pdf FDBL86066-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86210-F085 ONSEMI fdbl86210_f085-d.pdf FDBL86210-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86361-F085 ONSEMI fdbl86361_f085-d.pdf FDBL86361-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085 ONSEMI fdbl86363_f085-d.pdf FDBL86363-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86366-F085 ONSEMI fdbl86366_f085-d.pdf FDBL86366-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86561-F085 ONSEMI fdbl86561_f085-d.pdf FDBL86561-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86563-F085 ONSEMI fdbl86563_f085-d.pdf fdbl86563_f085 FDBL86563-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86566-F085 ONSEMI fdbl86566_f085-d.pdf FDBL86566-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL9401-F085T6 ONSEMI fdbl9401-f085t6-d.pdf FDBL9401-F085T6 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL9403-F085T6 ONSEMI fdbl9403-f085t6-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 79.8W; H-PSOF8L
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
On-state resistance: 0.95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: H-PSOF8L
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL9406-F085T6 ONSEMI fdbl9406-f085t6-d.pdf FDBL9406-F085T6 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC2612 FDC2612 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDF324D945BE28&compId=FDC2612.pdf?ci_sign=b08958927efbbe59602a02ad513f2cee528da82d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 1.43Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Case: SuperSOT-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
98+0.73 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3512 ONSEMI fdc3512-d.pdf FDC3512 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3601N FDC3601N ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 976mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
109+0.66 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 FDC3612 ONSEMI fdc3612-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
132+0.54 EUR
194+0.37 EUR
205+0.35 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P FDC5614P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A48AEDAD788F0A50&compId=FDC5614P-DTE.pdf?ci_sign=15f5eeeaa1d3b2143fa6d597203868db13d69957 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
97+0.74 EUR
108+0.66 EUR
154+0.47 EUR
248+0.29 EUR
262+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N ONSEMI fdc5661n-d.pdf FDC5661N SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N-F085 ONSEMI fdc5661n_f085-d.pdf FDC5661N-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC602P ONSEMI fdc602p-d.pdf FDC602P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC604P ONSEMI fdc604p-d.pdf FDC604P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
234+0.31 EUR
247+0.29 EUR
9000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC606P FDC606P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE01DA73A85E28&compId=FDC606P.pdf?ci_sign=b87d637f82a96baf8d2b47514ba3900a34ec204c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
92+0.78 EUR
100+0.72 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
127+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZ FDC608PZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0521B6D0BE28&compId=FDC608PZ.pdf?ci_sign=42dea0deed88e4a495dcc7ca0bb8a49350534121 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
153+0.47 EUR
184+0.39 EUR
236+0.3 EUR
249+0.29 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZ FDC610PZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE095835B0BE28&compId=FDC610PZ.pdf?ci_sign=bc8458006aa7d1578219a992334348fefe69bb64 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
127+0.57 EUR
241+0.3 EUR
254+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301N FDC6301N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Drain current: 0.22A
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Power dissipation: 0.9W
On-state resistance: 9Ω
Drain-source voltage: 25V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1701 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
162+0.44 EUR
219+0.33 EUR
417+0.17 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N FDC6303N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0F75C557BE28&compId=FDC6303N.pdf?ci_sign=1d586807abcac5c816657450307e9ea2e72e5c87 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
174+0.41 EUR
298+0.24 EUR
315+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305N FDC6305N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F3FE42C8AD3D1&compId=FDC6305N.pdf?ci_sign=7b4d48780218f6e017ecb15434c5d13b43001bc6 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 128mΩ
Power dissipation: 0.96W
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
108+0.67 EUR
205+0.35 EUR
217+0.33 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310P FDC6310P ONSEMI fdc6310p-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
On-state resistance: 184mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312P FDC6312P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA6CE076307F8C0D6&compId=FDC6312P.pdf?ci_sign=78cbede079d4c88da755b2e5f479289ce8b7bdb4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
94+0.76 EUR
102+0.7 EUR
105+0.69 EUR
106+0.67 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6318P FDC6318P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1562AE24DE28&compId=FDC6318P.pdf?ci_sign=ae34da262379e255b90d211623f7773f26431455 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
94+0.77 EUR
108+0.66 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6320C ONSEMI FAIRS15832-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDC6320C Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6321C FDC6321C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE180B16ED3E28&compId=FDC6321C.pdf?ci_sign=0983ccd23aa10f3fa785907e3ddb9524ecfa334b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 720/1220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3/1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1433 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
111+0.64 EUR
126+0.57 EUR
197+0.36 EUR
209+0.34 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6323L ONSEMI fdc6323l-d.pdf FDC6323L Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6324L FDC6324L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1D6526CF1E28&compId=FDC6324L.pdf?ci_sign=602e5776b41e8a8e424d752b8317b30c281de0d3 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...20V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
94+0.77 EUR
97+0.74 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6326L ONSEMI fdc6326l-d.pdf FDC6326L Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6327C FDC6327C ONSEMI fdc6327c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1732 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
249+0.29 EUR
264+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6329L ONSEMI fdc6329l-d.pdf FDC6329L Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6330L ONSEMI fdc6330l-d.pdf FDC6330L Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 2598 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
86+0.84 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB390N15A fdb390n15a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB390N15A SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB44N25TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08037B3F4CF1A303005056AB0C4F&compId=FDB44N25.pdf?ci_sign=2c114e8f4e67ed17778bd3be0a4273c19c4c8b1a
FDB44N25TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 307W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
24+3 EUR
37+1.97 EUR
39+1.87 EUR
100+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB52N20TM FDB52N20-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB52N20TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.75 EUR
36+2 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB5800 fdb5800-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB5800 SMD N channel transistors
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.66 EUR
27+2.67 EUR
29+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8447L fdb8447l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB8447L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86102LZ ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDB86102LZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 50A; 3.1W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 3.1W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86135 fdb86135-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 176A; Idm: 704A; 227W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 176A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 704A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86563-F085 fdb86563_f085-d.pdf FDB86563_F085-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8896 FDB8896-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB8896 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0065N40 fdbl0065n40-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0065N40 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0090N40 fdbl0090n40-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0090N40 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0110N60 fdbl0110n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60 fdbl0150n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80 fdbl0150n80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0150N80 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0200N100 fdbl0200n100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0200N100 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0210N80 fdbl0210n80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0240N100 fdbl0240n100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 910A
Power dissipation: 300W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 fdbl0260n100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0330N80 fdbl0330n80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0330N80 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0630N150 fdbl0630n150-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0630N150 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86062-F085 fdbl86062_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL86062-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86063
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86063-F085 fdbl86063_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL86066-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86210-F085 fdbl86210_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL86210-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86361-F085 fdbl86361_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL86361-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085 fdbl86363_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL86363-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86366-F085 fdbl86366_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL86366-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86561-F085 fdbl86561_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL86561-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86563-F085 fdbl86563_f085-d.pdf fdbl86563_f085
Hersteller: ONSEMI
FDBL86563-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86566-F085 fdbl86566_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL86566-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL9401-F085T6 fdbl9401-f085t6-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL9401-F085T6 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL9403-F085T6 fdbl9403-f085t6-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 79.8W; H-PSOF8L
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
On-state resistance: 0.95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: H-PSOF8L
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL9406-F085T6 fdbl9406-f085t6-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL9406-F085T6 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC2612 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDF324D945BE28&compId=FDC2612.pdf?ci_sign=b08958927efbbe59602a02ad513f2cee528da82d
FDC2612
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 1.43Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Case: SuperSOT-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
98+0.73 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3512 fdc3512-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC3512 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 976mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
109+0.66 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 fdc3612-d.pdf
FDC3612
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
132+0.54 EUR
194+0.37 EUR
205+0.35 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A48AEDAD788F0A50&compId=FDC5614P-DTE.pdf?ci_sign=15f5eeeaa1d3b2143fa6d597203868db13d69957
FDC5614P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
97+0.74 EUR
108+0.66 EUR
154+0.47 EUR
248+0.29 EUR
262+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N fdc5661n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC5661N SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N-F085 fdc5661n_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC5661N-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC602P fdc602p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC602P SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC604P fdc604p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC604P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
234+0.31 EUR
247+0.29 EUR
9000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC606P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE01DA73A85E28&compId=FDC606P.pdf?ci_sign=b87d637f82a96baf8d2b47514ba3900a34ec204c
FDC606P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
92+0.78 EUR
100+0.72 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
127+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0521B6D0BE28&compId=FDC608PZ.pdf?ci_sign=42dea0deed88e4a495dcc7ca0bb8a49350534121
FDC608PZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
153+0.47 EUR
184+0.39 EUR
236+0.3 EUR
249+0.29 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE095835B0BE28&compId=FDC610PZ.pdf?ci_sign=bc8458006aa7d1578219a992334348fefe69bb64
FDC610PZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
127+0.57 EUR
241+0.3 EUR
254+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28
FDC6301N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Drain current: 0.22A
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Power dissipation: 0.9W
On-state resistance: 9Ω
Drain-source voltage: 25V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1701 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
162+0.44 EUR
219+0.33 EUR
417+0.17 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0F75C557BE28&compId=FDC6303N.pdf?ci_sign=1d586807abcac5c816657450307e9ea2e72e5c87
FDC6303N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
174+0.41 EUR
298+0.24 EUR
315+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F3FE42C8AD3D1&compId=FDC6305N.pdf?ci_sign=7b4d48780218f6e017ecb15434c5d13b43001bc6
FDC6305N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 128mΩ
Power dissipation: 0.96W
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
108+0.67 EUR
205+0.35 EUR
217+0.33 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310P fdc6310p-d.pdf
FDC6310P
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
On-state resistance: 184mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA6CE076307F8C0D6&compId=FDC6312P.pdf?ci_sign=78cbede079d4c88da755b2e5f479289ce8b7bdb4
FDC6312P
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
94+0.76 EUR
102+0.7 EUR
105+0.69 EUR
106+0.67 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6318P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1562AE24DE28&compId=FDC6318P.pdf?ci_sign=ae34da262379e255b90d211623f7773f26431455
FDC6318P
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
94+0.77 EUR
108+0.66 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6320C FAIRS15832-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDC6320C Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6321C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE180B16ED3E28&compId=FDC6321C.pdf?ci_sign=0983ccd23aa10f3fa785907e3ddb9524ecfa334b
FDC6321C
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 720/1220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3/1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1433 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
111+0.64 EUR
126+0.57 EUR
197+0.36 EUR
209+0.34 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6323L fdc6323l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC6323L Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6324L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1D6526CF1E28&compId=FDC6324L.pdf?ci_sign=602e5776b41e8a8e424d752b8317b30c281de0d3
FDC6324L
Hersteller: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...20V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
94+0.77 EUR
97+0.74 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6326L fdc6326l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC6326L Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6327C fdc6327c-d.pdf
FDC6327C
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1732 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
249+0.29 EUR
264+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6329L fdc6329l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC6329L Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6330L fdc6330l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC6330L Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 2598 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
86+0.84 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 86
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