Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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FDS8449 | ONSEMI |
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auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS86106 | ONSEMI |
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FDS86140 | ONSEMI |
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FDS86141 | ONSEMI |
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FDS86240 | ONSEMI |
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FDS86242 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4.1A; 5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 4.1A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 126mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
FDS86252 | ONSEMI |
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FDS86267P | ONSEMI |
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FDS8638 | ONSEMI |
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FDS86540 | ONSEMI |
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FDS8813NZ | ONSEMI |
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FDS8840NZ | ONSEMI |
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FDS8842NZ | ONSEMI |
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FDS8858CZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 8.6/-7.3A On-state resistance: 28.8/24.3mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 46/24nC Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25/±20V Mounting: SMD Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FDS8870 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 112nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDS8876 | ONSEMI |
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FDS8878 | ONSEMI |
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FDS8880 | ONSEMI |
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auf Bestellung 409 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS8884 | ONSEMI |
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auf Bestellung 579 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS8896 | ONSEMI |
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FDS89141 | ONSEMI |
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auf Bestellung 1965 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS89161 | ONSEMI |
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auf Bestellung 2276 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS89161LZ | ONSEMI |
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FDS8935 | ONSEMI |
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FDS8949 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 6A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1607 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS8958A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-5A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40/80mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS8958B | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6.4/-4.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20/±25V On-state resistance: 39/72mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
FDS8978 | ONSEMI |
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FDS8984 | ONSEMI |
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FDS9400A | ONSEMI |
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FDS9435A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2204 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS9926A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS9933A | ONSEMI |
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FDS9934C | ONSEMI |
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fds9945 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2399 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS9958 | ONSEMI |
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auf Bestellung 718 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDT1600N10ALZ | ONSEMI |
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auf Bestellung 3259 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDT3612 | ONSEMI |
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FDT3N40TF | ONSEMI |
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FDT439N | ONSEMI |
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auf Bestellung 597 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDT458P | ONSEMI |
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auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDT4N50NZU | ONSEMI |
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FDT86102LZ | ONSEMI |
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FDT86106LZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.2A Power dissipation: 2.2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 189mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
FDT86113LZ | ONSEMI |
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auf Bestellung 3235 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDT86244 | ONSEMI |
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FDT86246 | ONSEMI |
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FDT86246L | ONSEMI |
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FDU3N40TU | ONSEMI |
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FDV301N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV303N | ONSEMI |
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auf Bestellung 4125 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV304P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Drain-source voltage: -25V Drain current: -0.46A On-state resistance: 2Ω Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 1.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4207 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV305N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.9A; 0.35W; SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.9A On-state resistance: 303mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.5nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SOT23 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3199 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDWS86068-F085 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDWS86368-F085 | ONSEMI |
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FDWS86369-F085 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDWS86380-F085 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDWS9509L-F085 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDY1002PZ | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDY100PZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.35A; 0.625W; SOT523 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.35A Power dissipation: 0.625W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1504 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS8449 |
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Hersteller: ONSEMI
FDS8449 SMD N channel transistors
FDS8449 SMD N channel transistors
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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54+ | 1.34 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
105+ | 0.69 EUR |
500+ | 0.67 EUR |
FDS86106 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS86106 SMD N channel transistors
FDS86106 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS86140 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS86140 SMD N channel transistors
FDS86140 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS86141 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS86141 SMD N channel transistors
FDS86141 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS86240 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS86240 SMD N channel transistors
FDS86240 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS86242 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4.1A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 126mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4.1A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 126mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS86252 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS86252 SMD N channel transistors
FDS86252 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS86267P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS86267P SMD P channel transistors
FDS86267P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8638 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8638 SMD N channel transistors
FDS8638 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS86540 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS86540 SMD N channel transistors
FDS86540 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8813NZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8813NZ SMD N channel transistors
FDS8813NZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8840NZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8840NZ SMD N channel transistors
FDS8840NZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8842NZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8842NZ SMD N channel transistors
FDS8842NZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8858CZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 8.6/-7.3A
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25/±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 8.6/-7.3A
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25/±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8870 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8876 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8876 SMD N channel transistors
FDS8876 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8878 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8878 SMD N channel transistors
FDS8878 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8880 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8880 SMD N channel transistors
FDS8880 SMD N channel transistors
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
95+ | 0.76 EUR |
146+ | 0.49 EUR |
154+ | 0.46 EUR |
FDS8884 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8884 SMD N channel transistors
FDS8884 SMD N channel transistors
auf Bestellung 579 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
83+ | 0.87 EUR |
203+ | 0.35 EUR |
214+ | 0.33 EUR |
FDS8896 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8896 SMD N channel transistors
FDS8896 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS89141 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS89141 Multi channel transistors
FDS89141 Multi channel transistors
auf Bestellung 1965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
18+ | 4.06 EUR |
29+ | 2.52 EUR |
30+ | 2.39 EUR |
1000+ | 2.36 EUR |
FDS89161 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS89161 Multi channel transistors
FDS89161 Multi channel transistors
auf Bestellung 2276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
39+ | 1.84 EUR |
53+ | 1.36 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
FDS89161LZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS89161LZ Multi channel transistors
FDS89161LZ Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8935 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8935 Multi channel transistors
FDS8935 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8949 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1607 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
37+ | 1.96 EUR |
62+ | 1.17 EUR |
89+ | 0.81 EUR |
94+ | 0.76 EUR |
500+ | 0.73 EUR |
FDS8958A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 8.94 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
34+ | 2.10 EUR |
94+ | 0.76 EUR |
FDS8958B |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.4/-4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±25V
On-state resistance: 39/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.4/-4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±25V
On-state resistance: 39/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8978 |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8978 Multi channel transistors
FDS8978 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8984 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8984 Multi channel transistors
FDS8984 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS9400A |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS9400A SMD P channel transistors
FDS9400A SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS9435A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
54+ | 1.33 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
175+ | 0.41 EUR |
1000+ | 0.39 EUR |
FDS9926A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
67+ | 1.07 EUR |
103+ | 0.70 EUR |
156+ | 0.46 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
500+ | 0.42 EUR |
FDS9933A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS9933A Multi channel transistors
FDS9933A Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
FDS9934C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS9934C Multi channel transistors
FDS9934C Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
fds9945 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
71+ | 1.02 EUR |
103+ | 0.70 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
175+ | 0.41 EUR |
500+ | 0.39 EUR |
FDS9958 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS9958 Multi channel transistors
FDS9958 Multi channel transistors
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.22 EUR |
111+ | 0.65 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
FDT1600N10ALZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDT1600N10ALZ SMD N channel transistors
FDT1600N10ALZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 3259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
66+ | 1.10 EUR |
145+ | 0.50 EUR |
153+ | 0.47 EUR |
500+ | 0.45 EUR |
FDT3612 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDT3612 SMD N channel transistors
FDT3612 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDT3N40TF |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDT3N40TF SMD N channel transistors
FDT3N40TF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDT439N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDT439N SMD N channel transistors
FDT439N SMD N channel transistors
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
43+ | 1.67 EUR |
112+ | 0.64 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
FDT458P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDT458P SMD P channel transistors
FDT458P SMD P channel transistors
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.48 EUR |
186+ | 0.39 EUR |
193+ | 0.37 EUR |
12000+ | 0.36 EUR |
FDT4N50NZU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDT4N50NZU SMD N channel transistors
FDT4N50NZU SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
FDT86102LZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDT86102LZ SMD N channel transistors
FDT86102LZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDT86106LZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDT86113LZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDT86113LZ SMD N channel transistors
FDT86113LZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 3235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.45 EUR |
111+ | 0.65 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
FDT86244 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDT86244 SMD N channel transistors
FDT86244 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDT86246 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDT86246 SMD N channel transistors
FDT86246 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDT86246L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDT86246L SMD N channel transistors
FDT86246L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDU3N40TU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDU3N40TU THT N channel transistors
FDU3N40TU THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDV301N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
24+ | 2.97 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
327+ | 0.21 EUR |
898+ | 0.08 EUR |
9000+ | 0.05 EUR |
FDV303N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDV303N SMD N channel transistors
FDV303N SMD N channel transistors
auf Bestellung 4125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
167+ | 0.43 EUR |
797+ | 0.09 EUR |
842+ | 0.09 EUR |
6000+ | 0.08 EUR |
FDV304P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.46A
On-state resistance: 2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.46A
On-state resistance: 2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
139+ | 0.51 EUR |
171+ | 0.42 EUR |
210+ | 0.34 EUR |
256+ | 0.28 EUR |
317+ | 0.23 EUR |
550+ | 0.13 EUR |
582+ | 0.12 EUR |
FDV305N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.9A; 0.35W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 303mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.9A; 0.35W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 303mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
148+ | 0.49 EUR |
216+ | 0.33 EUR |
256+ | 0.28 EUR |
365+ | 0.20 EUR |
421+ | 0.17 EUR |
521+ | 0.14 EUR |
550+ | 0.13 EUR |
FDWS86068-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDWS86068-F085 SMD N channel transistors
FDWS86068-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDWS86368-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDWS86368-F085 SMD N channel transistors
FDWS86368-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDWS86369-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDWS86369-F085 SMD N channel transistors
FDWS86369-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDWS86380-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDWS86380-F085 SMD N channel transistors
FDWS86380-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDWS9509L-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDWS9509L-F085 SMD P channel transistors
FDWS9509L-F085 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDY1002PZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDY1002PZ Multi channel transistors
FDY1002PZ Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDY100PZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.35A; 0.625W; SOT523
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.35A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.35A; 0.625W; SOT523
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.35A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1504 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
131+ | 0.55 EUR |
221+ | 0.32 EUR |
317+ | 0.23 EUR |
335+ | 0.21 EUR |