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FCPF400N80Z FCPF400N80Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89359B44FBE469&compId=FCPF400N80Z.pdf?ci_sign=616bae57e21bc9e296fd16ba527a37af3aefdcee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.9A; 35.7W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 35.7W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF600N60ZL1-F154 ONSEMI fcpf600n60zl1-d.pdf FCPF600N60ZL1-F154 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF650N80Z ONSEMI fcpf650n80z-d.pdf FCPF650N80Z THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF7N60 ONSEMI fcpf7n60-d.pdf FCPF7N60 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF7N60 ONSEMI fcpf7n60-d.pdf FCPF7N60-ONS THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF850N80Z ONSEMI fcpf850n80z-d.pdf FCPF850N80Z THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA032N08 ONSEMI fda032n08-d.pdf FDA032N08 THT N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
13+5.51 EUR
1020+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA16N50-F109 FDA16N50-F109 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9AD923142AC3A0C7&compId=FDA16N50_F109.PDF?ci_sign=c603ddf6113d634b6762760ffa586cc84b7053d3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA16N50LDTU ONSEMI FAIR-S-A0002365536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fda16n50ldtu-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS; UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA24N40F FDA24N40F ONSEMI fda24n40f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA24N50F FDA24N50F ONSEMI fda24n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
450+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA28N50 FDA28N50 ONSEMI fda28n50-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA38N30 ONSEMI fda38n30-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 22A; Idm: 150A; 312W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 312W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA59N25 FDA59N25 ONSEMI fda59n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 392W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI FAIRS47594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.85 EUR
21+3.45 EUR
22+3.26 EUR
30+3.2 EUR
510+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA69N25 FDA69N25 ONSEMI FDA69N25-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44.2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44.2A
Pulsed drain current: 276A
Power dissipation: 480W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.79 EUR
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA70N20 ONSEMI fda70n20-d.pdf FDA70N20 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0165N807L ONSEMI fdb0165n807l-d.pdf FDB0165N807L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0170N607L ONSEMI fdb0170n607l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1620A; 250W; D2PAK-7
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1620A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0190N807L FDB0190N807L ONSEMI fdb0190n807l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
Power dissipation: 250W
Pulsed drain current: 1.44kA
Gate charge: 249nC
Case: D2PAK-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.3mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.99 EUR
14+5.15 EUR
15+4.79 EUR
25+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N06 FDB024N06 ONSEMI fdb024n06-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 1060A
Power dissipation: 395W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 226nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N08BL7 ONSEMI fdb024n08bl7-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 162A; Idm: 916A; 246W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 916A
Drain current: 162A
Gate charge: 178nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 246W
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0250N807L ONSEMI fdb0250n807l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; Idm: 1110A; 214W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 214W
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1110A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007L ONSEMI fdb0260n1007l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0300N1007L ONSEMI fdb0300n1007l-d.pdf FDB0300N1007L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDC0B5924F7E28&compId=FDB035AN06A0.pdf?ci_sign=71cbebb92474a108daa464908901e16017c7607d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.86 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
16+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035N10A FDB035N10A ONSEMI fdb035n10a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 116nC
On-state resistance: 3.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 333W
Pulsed drain current: 856A
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB045AN08A0 ONSEMI FAIRS45898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDB045AN08A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.38 EUR
23+3.17 EUR
24+3 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB047N10 ONSEMI FDB047N10-D.pdf FDB047N10 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB050AN06A0 ONSEMI fdp050an06a0-d.pdf FDB050AN06A0 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB060AN08A0 ONSEMI fdp060an08a0-d.pdf FDB060AN08A0 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0630N1507L ONSEMI fdb0630n1507l-d.pdf FDB0630N1507L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0690N1507L ONSEMI fdb0690n1507l-d.pdf FDB0690N1507L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB070AN06A0 FDB070AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDCCB404615E28&compId=FDB070AN06A0.pdf?ci_sign=6337095d02d7bec7889b2e427f7f445f6c28dbf4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 175W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB075N15A ONSEMI fdp075n15a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; Idm: 522A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 522A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB075N15A-F085 ONSEMI fdb075n15a_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB082N15A ONSEMI fdb082n15a-d.pdf FDB082N15A SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB088N08 ONSEMI fdb088n08-d.pdf FDB088N08 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB110N15A ONSEMI ONSM-S-A0003584030-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDB110N15A SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB120N10 ONSEMI fdb120n10-d.pdf FDB120N10 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB12N50FTM-WS FDB12N50FTM-WS ONSEMI fdb12n50f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.7Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB12N50TM ONSEMI fdb12n50tm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS; UniFET™
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB13AN06A0 ONSEMI fdb13an06a0-d.pdf FDB13AN06A0 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB150N10 ONSEMI fdb150n10-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 228A; 110W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 110W
Pulsed drain current: 228A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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FDB15N50 FDB15N50 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8940D3F3490469&compId=FDB15N50.pdf?ci_sign=a49bd96e5438f9c41de0d83370be6edddce8620a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDB16AN08A0 ONSEMI fdb16an08a0-d.pdf FDB16AN08A0 SMD N channel transistors
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FDB1D7N10CL7 ONSEMI fdb1d7n10cl7-d.pdf FDB1D7N10CL7 SMD N channel transistors
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FDB20N50F ONSEMI fdb20n50f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDB2532 ONSEMI FDP2532-D.PDF FDB2532 SMD N channel transistors
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FDB2552 ONSEMI fdp2552-d.pdf FDB2552 SMD N channel transistors
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FDB2572 ONSEMI fdb2572-d.pdf FDB2572 SMD N channel transistors
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FDB2614 FDB2614 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDA21752EFE28&compId=FDB2614.pdf?ci_sign=67c5b168c11694da09d8a8c902d0cc9e6817e3e9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain current: 62A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±30V
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FDB2710 FDB2710 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E07DCBCD80CF1A303005056AB0C4F&compId=FDB2710.pdf?ci_sign=ca5245948bc34993c3d703c1f2d991429dc58c72 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 101nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDB28N30TM ONSEMI fdb28n30tm-d.pdf FDB28N30TM SMD N channel transistors
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FDB33N25TM FDB33N25TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDFEF6AA19E28&compId=FDB33N25.pdf?ci_sign=d65b6cd613543e4b3c73aaeff4e0162488d4ffa4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 33A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 235W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 94mΩ
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FDB3502 ONSEMI fdb3502-d.pdf FDB3502 SMD N channel transistors
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FDB3632 FDB3632 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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FDB3652 ONSEMI fdp3652-d.pdf FDB3652 SMD N channel transistors
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FDB3682 ONSEMI fdp3682-d.pdf FDB3682 SMD N channel transistors
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FDB38N30U ONSEMI fdb38n30u-d.pdf FDB38N30U SMD N channel transistors
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FCPF400N80Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89359B44FBE469&compId=FCPF400N80Z.pdf?ci_sign=616bae57e21bc9e296fd16ba527a37af3aefdcee
FCPF400N80Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.9A; 35.7W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 35.7W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCPF600N60ZL1-F154 fcpf600n60zl1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF600N60ZL1-F154 THT N channel transistors
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FCPF650N80Z fcpf650n80z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF650N80Z THT N channel transistors
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FCPF7N60 fcpf7n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF7N60 THT N channel transistors
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FCPF7N60 fcpf7n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF7N60-ONS THT N channel transistors
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FCPF850N80Z fcpf850n80z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF850N80Z THT N channel transistors
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FDA032N08 fda032n08-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDA032N08 THT N channel transistors
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7+10.21 EUR
13+5.51 EUR
1020+3.62 EUR
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FDA16N50-F109 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9AD923142AC3A0C7&compId=FDA16N50_F109.PDF?ci_sign=c603ddf6113d634b6762760ffa586cc84b7053d3
FDA16N50-F109
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA16N50LDTU FAIR-S-A0002365536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fda16n50ldtu-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS; UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA24N40F fda24n40f-d.pdf
FDA24N40F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA24N50F fda24n50f-d.pdf
FDA24N50F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
450+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA28N50 fda28n50-d.pdf
FDA28N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA38N30 fda38n30-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 22A; Idm: 150A; 312W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 312W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA59N25 fda59n25-d.pdf
FDA59N25
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 392W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA59N30 FAIRS47594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDA59N30
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.85 EUR
21+3.45 EUR
22+3.26 EUR
30+3.2 EUR
510+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA69N25 FDA69N25-D.PDF
FDA69N25
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44.2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44.2A
Pulsed drain current: 276A
Power dissipation: 480W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.79 EUR
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA70N20 fda70n20-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDA70N20 THT N channel transistors
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FDB0165N807L fdb0165n807l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB0165N807L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0170N607L fdb0170n607l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1620A; 250W; D2PAK-7
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1620A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
FDB0190N807L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
Power dissipation: 250W
Pulsed drain current: 1.44kA
Gate charge: 249nC
Case: D2PAK-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.3mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.99 EUR
14+5.15 EUR
15+4.79 EUR
25+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N06 fdb024n06-d.pdf
FDB024N06
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 1060A
Power dissipation: 395W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 226nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N08BL7 fdb024n08bl7-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 162A; Idm: 916A; 246W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 916A
Drain current: 162A
Gate charge: 178nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 246W
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0250N807L fdb0250n807l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; Idm: 1110A; 214W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 214W
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1110A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007L fdb0260n1007l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0300N1007L fdb0300n1007l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB0300N1007L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDC0B5924F7E28&compId=FDB035AN06A0.pdf?ci_sign=71cbebb92474a108daa464908901e16017c7607d
FDB035AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.86 EUR
14+5.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035N10A fdb035n10a-d.pdf
FDB035N10A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 116nC
On-state resistance: 3.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 333W
Pulsed drain current: 856A
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB045AN08A0 FAIRS45898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDB045AN08A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
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Anzahl Preis
17+4.38 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB047N10 FDB047N10-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB047N10 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB050AN06A0 fdp050an06a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB050AN06A0 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB060AN08A0 fdp060an08a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB060AN08A0 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0630N1507L fdb0630n1507l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB0630N1507L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0690N1507L fdb0690n1507l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB0690N1507L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB070AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDCCB404615E28&compId=FDB070AN06A0.pdf?ci_sign=6337095d02d7bec7889b2e427f7f445f6c28dbf4
FDB070AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 175W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB075N15A fdp075n15a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; Idm: 522A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 522A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB075N15A-F085 fdb075n15a_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB082N15A fdb082n15a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB082N15A SMD N channel transistors
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FDB088N08 fdb088n08-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB088N08 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB110N15A ONSM-S-A0003584030-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDB110N15A SMD N channel transistors
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FDB120N10 fdb120n10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB120N10 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB12N50FTM-WS fdb12n50f-d.pdf
FDB12N50FTM-WS
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.7Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB12N50TM fdb12n50tm-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS; UniFET™
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB13AN06A0 fdb13an06a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB13AN06A0 SMD N channel transistors
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FDB150N10 fdb150n10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 228A; 110W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 110W
Pulsed drain current: 228A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB15N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8940D3F3490469&compId=FDB15N50.pdf?ci_sign=a49bd96e5438f9c41de0d83370be6edddce8620a
FDB15N50
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.7 EUR
23+3.22 EUR
24+3.05 EUR
100+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB16AN08A0 fdb16an08a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB16AN08A0 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB1D7N10CL7 fdb1d7n10cl7-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB1D7N10CL7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50F fdb20n50f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 FDP2532-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDB2532 SMD N channel transistors
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.13 EUR
21+3.49 EUR
22+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552 fdp2552-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB2552 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572 fdb2572-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB2572 SMD N channel transistors
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
800+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDA21752EFE28&compId=FDB2614.pdf?ci_sign=67c5b168c11694da09d8a8c902d0cc9e6817e3e9
FDB2614
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain current: 62A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2710 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E07DCBCD80CF1A303005056AB0C4F&compId=FDB2710.pdf?ci_sign=ca5245948bc34993c3d703c1f2d991429dc58c72
FDB2710
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 101nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.56 EUR
18+3.99 EUR
19+3.78 EUR
100+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM fdb28n30tm-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB28N30TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.73 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
800+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB33N25TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDFEF6AA19E28&compId=FDB33N25.pdf?ci_sign=d65b6cd613543e4b3c73aaeff4e0162488d4ffa4
FDB33N25TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 33A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 235W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 94mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
29+2.52 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
100+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3502 fdb3502-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB3502 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3632 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657
FDB3632
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3652 fdp3652-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB3652 SMD N channel transistors
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3682 fdp3682-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB3682 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB38N30U fdb38n30u-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB38N30U SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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