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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FAN3224TMX FAN3224TMX ONSEMI fan3223-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Case: SO8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4.3...2.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.1 EUR
55+1.32 EUR
65+1.1 EUR
74+0.97 EUR
100+0.87 EUR
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN4174IS5X ONSEMI FAIRS34146-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAN4174IS5X SMD operational amplifiers
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
139+0.52 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN5622SX FAN5622SX ONSEMI fan5626-d.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SWD; TSOT23-6; 30mA; Ch: 2; 2.7÷5.5VDC
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Kind of integrated circuit: LED driver
Mounting: SMD
Interface: SWD
Output current: 30mA
Maximum output current: 30mA
Number of channels: 2
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Case: TSOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2762 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
91+0.79 EUR
107+0.67 EUR
136+0.53 EUR
250+0.46 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7380MX FAN7380MX ONSEMI FAN7380.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -180...90mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 230ns
Pulse fall time: 90ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1817 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.09 EUR
54+1.33 EUR
65+1.1 EUR
100+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7382MX FAN7382MX ONSEMI fan7382-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Mounting: SMD
Topology: H-bridge
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Output current: -650...350mA
Pulse fall time: 80ns
Impulse rise time: 140ns
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Case: SOP8
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
52+1.4 EUR
61+1.17 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73832MX FAN73832MX ONSEMI FAN73832.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -650...350mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
59+1.23 EUR
65+1.1 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB070N65S3 ONSEMI fcb070n65s3-d.pdf FCB070N65S3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.76 EUR
13+5.66 EUR
14+5.35 EUR
100+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.13 EUR
13+5.66 EUR
15+4.86 EUR
25+4.2 EUR
50+3.78 EUR
100+3.43 EUR
500+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB260N65S3 FCB260N65S3 ONSEMI fcb260n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.08 EUR
25+2.89 EUR
28+2.57 EUR
100+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
46+1.56 EUR
100+1.07 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI FCD5N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
44+1.64 EUR
49+1.49 EUR
57+1.27 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD900N60Z ONSEMI fcd900n60z-d.pdf FCD900N60Z SMD N channel transistors
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.39 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
300+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
30+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI FCH47N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60F-F133
+1
 		FCH47N60F-F133 ONSEMI fch47n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.2 EUR
10+11.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.72 EUR
22+3.4 EUR
25+2.89 EUR
50+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.96 EUR
16+4.65 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.52 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60F FCPF11N60F ONSEMI fcpf11n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.22 EUR
13+5.71 EUR
16+4.76 EUR
50+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF400N80Z ONSEMI FCPF400N80Z-D.PDF FCPF400N80Z THT N channel transistors
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.83 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA032N08 FDA032N08 ONSEMI fda032n08-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.22µC
Technology: PowerTrench®
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
On-state resistance: 3.2mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.13 EUR
17+4.25 EUR
30+3.62 EUR
120+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA24N40F FDA24N40F ONSEMI fda24n40f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA24N50F FDA24N50F ONSEMI fda24n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.89 EUR
25+4.09 EUR
30+4 EUR
120+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA28N50 FDA28N50 ONSEMI fda28n50-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.32 EUR
17+4.25 EUR
30+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI FDA59N30-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.42 EUR
16+4.7 EUR
18+4.08 EUR
30+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA69N25 ONSEMI FDA69N25-D.PDF FDA69N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.93 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0190N807L ONSEMI fdb0190n807l-d.pdf FDB0190N807L SMD N channel transistors
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.31 EUR
14+5.16 EUR
15+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDC0B5924F7E28&compId=FDB035AN06A0.pdf?ci_sign=71cbebb92474a108daa464908901e16017c7607d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.43 EUR
16+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB13AN06A0 ONSEMI fdb13an06a0-d.pdf FDB13AN06A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 761 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
41+1.76 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB15N50 FDB15N50 ONSEMI FDB15N50.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.35 EUR
22+3.27 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 ONSEMI FDP2532-D.PDF FDB2532 SMD N channel transistors
auf Bestellung 661 Stücke:
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17+4.36 EUR
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Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572 ONSEMI fdb2572-d.pdf FDB2572 SMD N channel transistors
auf Bestellung 741 Stücke:
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31+2.35 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2710 ONSEMI fdb2710-d.pdf FDB2710 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM ONSEMI fdb28n30tm-d.pdf FDB28N30TM SMD N channel transistors
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35+2.1 EUR
44+1.64 EUR
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100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB33N25TM ONSEMI FDB33N25-D.PDF FDB33N25TM SMD N channel transistors
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24+3.1 EUR
41+1.76 EUR
43+1.67 EUR
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Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3652 ONSEMI fdp3652-d.pdf FDB3652 SMD N channel transistors
auf Bestellung 389 Stücke:
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21+3.42 EUR
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI FDB44N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.1 EUR
25+2.87 EUR
31+2.32 EUR
35+2.09 EUR
100+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB52N20TM ONSEMI FDB52N20-D.pdf FDB52N20TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.87 EUR
36+2 EUR
38+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB5800 ONSEMI fdb5800-d.pdf FDB5800 SMD N channel transistors
auf Bestellung 689 Stücke:
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17+4.43 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC2612 FDC2612 ONSEMI FDC2612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1649 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
106+0.68 EUR
152+0.47 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3601N FDC3601N ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 976mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
118+0.61 EUR
177+0.4 EUR
250+0.34 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 FDC3612 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A58EB56DCDB260E2&compId=FDC3612.PDF?ci_sign=79261df772af88d070e7d6c2633dc7f42384222f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
143+0.5 EUR
172+0.42 EUR
189+0.38 EUR
250+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P ONSEMI fdc5614p-d.pdf FDC5614P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2532 Stücke:
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76+0.94 EUR
248+0.29 EUR
262+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC602P ONSEMI fdc602p-d.pdf FDC602P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2997 Stücke:
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76+0.95 EUR
192+0.37 EUR
203+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC604P ONSEMI fdc604p-d.pdf FDC604P SMD P channel transistors
auf Bestellung 468 Stücke:
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85+0.84 EUR
234+0.31 EUR
247+0.29 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC606P ONSEMI fdc606p-d.pdf FDC606P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.18 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZ ONSEMI fdc608pz-d.pdf FDC608PZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 2498 Stücke:
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111+0.65 EUR
235+0.3 EUR
249+0.29 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 111
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZ ONSEMI fdc610pz-d.pdf FDC610PZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
240+0.3 EUR
253+0.28 EUR
9000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301N ONSEMI fdc6301n-d.pdf FDC6301N Multi channel transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
99+0.73 EUR
271+0.26 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N FDC6303N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0F75C557BE28&compId=FDC6303N.pdf?ci_sign=1d586807abcac5c816657450307e9ea2e72e5c87 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
133+0.54 EUR
198+0.36 EUR
235+0.3 EUR
291+0.25 EUR
500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305N ONSEMI fdc6305n-d.pdf FDC6305N Multi channel transistors
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.88 EUR
205+0.35 EUR
217+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312P ONSEMI fdc6312p-d.pdf FDC6312P Multi channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
95+0.76 EUR
106+0.67 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6318P ONSEMI fdc6318p-d.pdf FDC6318P Multi channel transistors
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
127+0.56 EUR
135+0.53 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6321C ONSEMI fdc6321c-d.pdf FDC6321C Multi channel transistors
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.78 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6324L ONSEMI fdc6324l-d.pdf FDC6324L Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.98 EUR
126+0.57 EUR
168+0.43 EUR
178+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6327C ONSEMI fdc6327c-d.pdf FDC6327C Multi channel transistors
auf Bestellung 1732 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
249+0.29 EUR
264+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6330L ONSEMI fdc6330l-d.pdf FDC6330L Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 2572 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6331L FDC6331L ONSEMI FDC6331L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: -8...8V DC
Control voltage: -0.5...8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
116+0.62 EUR
128+0.56 EUR
136+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6333C FDC6333C ONSEMI FDC6333C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
90+0.8 EUR
115+0.63 EUR
138+0.52 EUR
500+0.32 EUR
750+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3224TMX fan3223-d.pdf
FAN3224TMX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Case: SO8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4.3...2.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.1 EUR
55+1.32 EUR
65+1.1 EUR
74+0.97 EUR
100+0.87 EUR
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN4174IS5X FAIRS34146-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FAN4174IS5X SMD operational amplifiers
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
139+0.52 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN5622SX fan5626-d.pdf
FAN5622SX
Hersteller: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SWD; TSOT23-6; 30mA; Ch: 2; 2.7÷5.5VDC
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Kind of integrated circuit: LED driver
Mounting: SMD
Interface: SWD
Output current: 30mA
Maximum output current: 30mA
Number of channels: 2
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Case: TSOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2762 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
91+0.79 EUR
107+0.67 EUR
136+0.53 EUR
250+0.46 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7380MX FAN7380.pdf
FAN7380MX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -180...90mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 230ns
Pulse fall time: 90ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1817 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
54+1.33 EUR
65+1.1 EUR
100+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7382MX fan7382-d.pdf
FAN7382MX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Mounting: SMD
Topology: H-bridge
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Output current: -650...350mA
Pulse fall time: 80ns
Impulse rise time: 140ns
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Case: SOP8
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
52+1.4 EUR
61+1.17 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73832MX FAN73832.pdf
FAN73832MX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -650...350mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
59+1.23 EUR
65+1.1 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB070N65S3 fcb070n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCB070N65S3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.76 EUR
13+5.66 EUR
14+5.35 EUR
100+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.13 EUR
13+5.66 EUR
15+4.86 EUR
25+4.2 EUR
50+3.78 EUR
100+3.43 EUR
500+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB260N65S3 fcb260n65s3-d.pdf
FCB260N65S3
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.08 EUR
25+2.89 EUR
28+2.57 EUR
100+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2462 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD5N60TM FCD5N60.pdf
FCD5N60TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2495 Stücke:
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Anzahl Preis
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57+1.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD900N60Z fcd900n60z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCD900N60Z SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60-F133 FCH47N60.pdf
FCH47N60-F133
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60F-F133 fch47n60f-d.pdf
FCH47N60F-F133
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP11N60 FCP11N60.pdf
FCP11N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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22+3.4 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
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Anzahl Preis
15+4.96 EUR
16+4.65 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60 description FCP11N60.pdf
FCPF11N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
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Anzahl Preis
29+2.52 EUR
35+2.04 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60F fcpf11n60f-d.pdf
FCPF11N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
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Anzahl Preis
12+6.22 EUR
13+5.71 EUR
16+4.76 EUR
50+3.93 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
FCPF400N80Z THT N channel transistors
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19+3.83 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA032N08 fda032n08-d.pdf
FDA032N08
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.22µC
Technology: PowerTrench®
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
On-state resistance: 3.2mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
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Anzahl Preis
14+5.13 EUR
17+4.25 EUR
30+3.62 EUR
120+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA24N40F fda24n40f-d.pdf
FDA24N40F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA24N50F fda24n50f-d.pdf
FDA24N50F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.89 EUR
25+4.09 EUR
30+4 EUR
120+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA28N50 fda28n50-d.pdf
FDA28N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.32 EUR
17+4.25 EUR
30+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA59N30 FDA59N30-D.pdf
FDA59N30
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.42 EUR
16+4.7 EUR
18+4.08 EUR
30+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA69N25 FDA69N25-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDA69N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.93 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB0190N807L SMD N channel transistors
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.31 EUR
14+5.16 EUR
15+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDC0B5924F7E28&compId=FDB035AN06A0.pdf?ci_sign=71cbebb92474a108daa464908901e16017c7607d
FDB035AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.43 EUR
16+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB13AN06A0 fdb13an06a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB13AN06A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 761 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
41+1.76 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB15N50 FDB15N50.pdf
FDB15N50
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.35 EUR
22+3.27 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 FDP2532-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDB2532 SMD N channel transistors
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.36 EUR
22+3.36 EUR
23+3.17 EUR
50+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572 fdb2572-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB2572 SMD N channel transistors
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.35 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
500+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2710 fdb2710-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB2710 SMD N channel transistors
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.86 EUR
18+4.03 EUR
19+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM fdb28n30tm-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB28N30TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.1 EUR
44+1.64 EUR
46+1.56 EUR
100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB33N25TM FDB33N25-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDB33N25TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.1 EUR
41+1.76 EUR
43+1.67 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3652 fdp3652-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB3652 SMD N channel transistors
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.42 EUR
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB44N25TM FDB44N25.pdf
FDB44N25TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.1 EUR
25+2.87 EUR
31+2.32 EUR
35+2.09 EUR
100+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB52N20TM FDB52N20-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB52N20TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.87 EUR
36+2 EUR
38+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB5800 fdb5800-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB5800 SMD N channel transistors
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.43 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC2612 FDC2612.pdf
FDC2612
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1649 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
106+0.68 EUR
152+0.47 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 976mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
118+0.61 EUR
177+0.4 EUR
250+0.34 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A58EB56DCDB260E2&compId=FDC3612.PDF?ci_sign=79261df772af88d070e7d6c2633dc7f42384222f
FDC3612
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
143+0.5 EUR
172+0.42 EUR
189+0.38 EUR
250+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC5614P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
248+0.29 EUR
262+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC602P fdc602p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC602P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.95 EUR
192+0.37 EUR
203+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
FDC604P SMD P channel transistors
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
234+0.31 EUR
247+0.29 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
FDC606P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.18 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
FDC608PZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
111+0.65 EUR
235+0.3 EUR
249+0.29 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 111
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZ fdc610pz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC610PZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 462 Stücke:
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Anzahl Preis
96+0.75 EUR
240+0.3 EUR
253+0.28 EUR
9000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301N fdc6301n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC6301N Multi channel transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
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Anzahl Preis
11+6.51 EUR
99+0.73 EUR
271+0.26 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0F75C557BE28&compId=FDC6303N.pdf?ci_sign=1d586807abcac5c816657450307e9ea2e72e5c87
FDC6303N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
133+0.54 EUR
198+0.36 EUR
235+0.3 EUR
291+0.25 EUR
500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305N fdc6305n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC6305N Multi channel transistors
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.88 EUR
205+0.35 EUR
217+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312P fdc6312p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC6312P Multi channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
95+0.76 EUR
106+0.67 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6318P fdc6318p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC6318P Multi channel transistors
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
127+0.56 EUR
135+0.53 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC6321C Multi channel transistors
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.78 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6324L fdc6324l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC6324L Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.98 EUR
126+0.57 EUR
168+0.43 EUR
178+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6327C fdc6327c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC6327C Multi channel transistors
auf Bestellung 1732 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
249+0.29 EUR
264+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6330L fdc6330l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC6330L Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 2572 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6331L FDC6331L.pdf
FDC6331L
Hersteller: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: -8...8V DC
Control voltage: -0.5...8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
116+0.62 EUR
128+0.56 EUR
136+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6333C FDC6333C.pdf
FDC6333C
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
90+0.8 EUR
115+0.63 EUR
138+0.52 EUR
500+0.32 EUR
750+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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