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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDD8445 ONSEMI FDD8445-D.pdf FDD8445 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1584 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
76+0.95 EUR
80+0.9 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L FDD8447L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8A6BEADD9E28&compId=FDD8447L.pdf?ci_sign=0f73c3a39c98a65948633b721ea406e17219d765 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
83+0.87 EUR
91+0.79 EUR
106+0.68 EUR
119+0.6 EUR
133+0.54 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8451 ONSEMI FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdd8451-d.pdf FDD8451 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
103+0.7 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD850N10L ONSEMI fdd850n10l-d.pdf FDD850N10L SMD N channel transistors
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
84+0.85 EUR
89+0.81 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102LZ FDD86102LZ ONSEMI FDD86102LZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1829 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
57+1.27 EUR
61+1.19 EUR
75+0.96 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250 ONSEMI fdd86250-d.pdf FDD86250 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.27 EUR
41+1.74 EUR
44+1.64 EUR
2500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 FDD86252 ONSEMI fdd86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 103mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Drain-source voltage: 150V
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
65+1.12 EUR
67+1.07 EUR
100+0.97 EUR
250+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367 FDD86367 ONSEMI fdd86367-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.67 EUR
38+1.92 EUR
100+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8647L ONSEMI fdd8647l-d.pdf FDD8647L SMD N channel transistors
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
54+1.33 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8876 FDD8876 ONSEMI FDD%2CFDU8876.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 73A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8880 FDD8880 ONSEMI FDD8880-D.PDF 64b0486c2f3a4a516ccac44ee08f9abc.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.27 EUR
64+1.13 EUR
72+1.01 EUR
111+0.64 EUR
136+0.53 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896 FDD8896 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECEA292F17CBE28&compId=FDD%2CFDU8896.pdf?ci_sign=e5d32e9da7e23b5cc474f425424b98e6ad294062 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
57+1.26 EUR
65+1.1 EUR
79+0.9 EUR
100+0.72 EUR
250+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6303N ONSEMI fdg6303n-d.pdf FDG6303N Multi channel transistors
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6304P ONSEMI fdg6304p-d.pdf FDG6304P Multi channel transistors
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.1 EUR
248+0.29 EUR
262+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6335N ONSEMI fdg6335n-d.pdf FDG6335N Multi channel transistors
auf Bestellung 1477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+0.99 EUR
254+0.28 EUR
269+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH055N15A ONSEMI fdh055n15a-d.pdf FDH055N15A THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.78 EUR
11+6.78 EUR
12+6.41 EUR
30+6.29 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH300A ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDH300A-ONS THT universal diodes
auf Bestellung 3660 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
405+0.18 EUR
1613+0.044 EUR
1707+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 405
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH300ATR ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDH300ATR THT universal diodes
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
447+0.16 EUR
1894+0.038 EUR
2000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 447
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH333 FDH333 ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 125V; 0.2A; bulk; Ifsm: 1A; DO35; Ufmax: 1.15V
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 1A
Case: DO35
Power dissipation: 0.5W
Leakage current: 0.5µA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. load current: 0.6A
Capacitance: 6pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2714 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
538+0.13 EUR
758+0.094 EUR
872+0.082 EUR
968+0.074 EUR
1078+0.066 EUR
5000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH44N50 FDH44N50 ONSEMI FDH44N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.18 EUR
9+8.24 EUR
10+7.72 EUR
30+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH45N50F-F133 FDH45N50F-F133 ONSEMI fdh45n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.18 EUR
12+6.05 EUR
14+5.41 EUR
30+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDL100N50F FDL100N50F ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF2A0648539E28&compId=FDL100N50F.pdf?ci_sign=e15a30c5b9381050fdc1b844e6f4baecd1f27c0b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Power dissipation: 2.5kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 238nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.48 EUR
25+17.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL300A ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDLL300A SMD universal diodes
auf Bestellung 2164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
480+0.15 EUR
1276+0.056 EUR
1348+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 480
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL3595 ONSEMI fdll3595-d.pdf FDLL3595 SMD universal diodes
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
492+0.15 EUR
1220+0.059 EUR
1417+0.05 EUR
1502+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 492
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL4148 FDLL4148 ONSEMI 1N91x_1N4x48.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7371 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
625+0.11 EUR
1163+0.061 EUR
1273+0.056 EUR
1701+0.042 EUR
2025+0.035 EUR
3013+0.024 EUR
3598+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL4448 FDLL4448 ONSEMI 1n914-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1528 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
625+0.11 EUR
962+0.074 EUR
1064+0.067 EUR
1484+0.048 EUR
1528+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1032CZ ONSEMI fdma1032cz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.7/-3.1A
Power dissipation: 1.4W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68/95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4/7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
171+0.42 EUR
193+0.37 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA530PZ ONSEMI fdma530pz-d.pdf FDMA530PZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
27+2.65 EUR
74+0.97 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6023PZT ONSEMI fdma6023pzt-d.pdf FAIRS29209-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMA6023PZT Multi channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.33 EUR
95+0.76 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ ONSEMI fdmc4435bz-d.pdf FDMC4435BZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660 FDMC7660 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF4D36B10D5E28&compId=FDMC7660.pdf?ci_sign=a3f8e3c0e8cc9f77dae828e356702cd2412e3b82 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7692 FDMC7692 ONSEMI fdmc7692-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 29W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2948 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
90+0.8 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P ONSEMI fdmc86139p-d.pdf FDMC86139P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.16 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2589 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
44+1.66 EUR
46+1.59 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664S FDMS3664S ONSEMI fdms3664s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
55+1.3 EUR
60+1.2 EUR
67+1.07 EUR
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Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZ FDMS4435BZ ONSEMI FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.27 EUR
75+0.96 EUR
100+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333L ONSEMI fdms8333l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
90+0.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86163P FDMS86163P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF788543BD1E28&compId=FDMS86163P.pdf?ci_sign=cf3787e1946a3c7f3117236d90a94ba8bc3e7e97 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 59nC
On-state resistance: 36mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 104W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.56 EUR
27+2.75 EUR
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250+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252L FDMS86252L ONSEMI fdms86252l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2703 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.9 EUR
31+2.32 EUR
36+2.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86520L ONSEMI fdms86520l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2930 Stücke:
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30+2.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN028N20 ONSEMI fdn028n20-d.pdf FDN028N20 SMD N channel transistors
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113+0.63 EUR
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275+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302P ONSEMI FDN302P-D.PDF FDN302P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1914 Stücke:
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334+0.21 EUR
353+0.2 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304P ONSEMI FDN304P-D.PDF FDN304P SMD P channel transistors
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468+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZ ONSEMI FDN304PZ-D.PDF FDN304PZ SMD P channel transistors
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1000+0.31 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P FDN306P ONSEMI FDN306P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3674 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
242+0.3 EUR
323+0.22 EUR
368+0.19 EUR
439+0.16 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335N ONSEMI FDN335N-D.PDF FDN335N SMD N channel transistors
auf Bestellung 2649 Stücke:
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108+0.67 EUR
305+0.23 EUR
323+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P ONSEMI fdn336p-d.pdf FDN336P SMD P channel transistors
auf Bestellung 479 Stücke:
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113+0.64 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P ONSEMI fdn338p-d.pdf FDN338P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2198 Stücke:
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106+0.67 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339AN ONSEMI FDN339AN-D.PDF FDN339AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 2941 Stücke:
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106+0.68 EUR
253+0.28 EUR
268+0.27 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340P ONSEMI fdn340p-d.pdf FDN340P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1145 Stücke:
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544+0.13 EUR
575+0.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352AP ONSEMI fdn352ap-d.pdf FDN352AP SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
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106+0.68 EUR
358+0.2 EUR
376+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N ONSEMI FDN357N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
196+0.37 EUR
215+0.33 EUR
241+0.3 EUR
253+0.28 EUR
280+0.26 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358P ONSEMI FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN358P SMD P channel transistors
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
285+0.25 EUR
302+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN FDN359AN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE903C94EADA259&compId=FDN359AN.pdf?ci_sign=a80057f0f9f224c8fd968e6e92eb392f70c0472f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 7nC
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
149+0.48 EUR
197+0.36 EUR
224+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360P FDN360P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED680C11C02328CF1BF&compId=FDN360P.pdf?ci_sign=65916941ad2fbf9bcb45a21d17f0bdfd64119574 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
133+0.54 EUR
151+0.48 EUR
213+0.34 EUR
249+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537N ONSEMI fdn537n-d.pdf FDN537N SMD N channel transistors
auf Bestellung 2533 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.02 EUR
168+0.43 EUR
178+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 ONSEMI fdn5630-d.pdf FDN5630 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
130+0.55 EUR
358+0.2 EUR
376+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N-F085 ONSEMI fdn5632n-f085-d.pdf FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
172+0.42 EUR
182+0.39 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP038AN06A0 FDP038AN06A0 ONSEMI fdp038an06a0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.23 EUR
19+3.8 EUR
22+3.36 EUR
50+3.02 EUR
250+3 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP047AN08A0 FDP047AN08A0 ONSEMI fdh047an08a0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.15 EUR
23+3.15 EUR
50+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445 FDD8445-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD8445 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1584 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
76+0.95 EUR
80+0.9 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8A6BEADD9E28&compId=FDD8447L.pdf?ci_sign=0f73c3a39c98a65948633b721ea406e17219d765
FDD8447L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
83+0.87 EUR
91+0.79 EUR
106+0.68 EUR
119+0.6 EUR
133+0.54 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8451 FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdd8451-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD8451 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
103+0.7 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD850N10L fdd850n10l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD850N10L SMD N channel transistors
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
84+0.85 EUR
89+0.81 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102LZ FDD86102LZ.pdf
FDD86102LZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1829 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
57+1.27 EUR
61+1.19 EUR
75+0.96 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250 fdd86250-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD86250 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.27 EUR
41+1.74 EUR
44+1.64 EUR
2500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 fdd86252-d.pdf
FDD86252
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 103mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Drain-source voltage: 150V
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
65+1.12 EUR
67+1.07 EUR
100+0.97 EUR
250+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367 fdd86367-d.pdf
FDD86367
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.67 EUR
38+1.92 EUR
100+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8647L fdd8647l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD8647L SMD N channel transistors
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
54+1.33 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8876 FDD%2CFDU8876.pdf
FDD8876
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 73A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8880 FDD8880-D.PDF 64b0486c2f3a4a516ccac44ee08f9abc.pdf
FDD8880
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.27 EUR
64+1.13 EUR
72+1.01 EUR
111+0.64 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECEA292F17CBE28&compId=FDD%2CFDU8896.pdf?ci_sign=e5d32e9da7e23b5cc474f425424b98e6ad294062
FDD8896
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
57+1.26 EUR
65+1.1 EUR
79+0.9 EUR
100+0.72 EUR
250+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6303N fdg6303n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDG6303N Multi channel transistors
auf Bestellung 419 Stücke:
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Anzahl Preis
125+0.57 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6304P fdg6304p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDG6304P Multi channel transistors
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.1 EUR
248+0.29 EUR
262+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6335N fdg6335n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDG6335N Multi channel transistors
auf Bestellung 1477 Stücke:
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Anzahl Preis
72+0.99 EUR
254+0.28 EUR
269+0.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH055N15A fdh055n15a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDH055N15A THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
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Anzahl Preis
10+7.78 EUR
11+6.78 EUR
12+6.41 EUR
30+6.29 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH300A ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDH300A-ONS THT universal diodes
auf Bestellung 3660 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
405+0.18 EUR
1613+0.044 EUR
1707+0.042 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH300ATR ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDH300ATR THT universal diodes
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
447+0.16 EUR
1894+0.038 EUR
2000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 447
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH333 ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDH333
Hersteller: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 125V; 0.2A; bulk; Ifsm: 1A; DO35; Ufmax: 1.15V
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 1A
Case: DO35
Power dissipation: 0.5W
Leakage current: 0.5µA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. load current: 0.6A
Capacitance: 6pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2714 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
538+0.13 EUR
758+0.094 EUR
872+0.082 EUR
968+0.074 EUR
1078+0.066 EUR
5000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH44N50 FDH44N50.pdf
FDH44N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.18 EUR
9+8.24 EUR
10+7.72 EUR
30+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH45N50F-F133 fdh45n50f-d.pdf
FDH45N50F-F133
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.18 EUR
12+6.05 EUR
14+5.41 EUR
30+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDL100N50F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF2A0648539E28&compId=FDL100N50F.pdf?ci_sign=e15a30c5b9381050fdc1b844e6f4baecd1f27c0b
FDL100N50F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Power dissipation: 2.5kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 238nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.48 EUR
25+17.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL300A ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDLL300A SMD universal diodes
auf Bestellung 2164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
480+0.15 EUR
1276+0.056 EUR
1348+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 480
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL3595 fdll3595-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDLL3595 SMD universal diodes
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
492+0.15 EUR
1220+0.059 EUR
1417+0.05 EUR
1502+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 492
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL4148 1N91x_1N4x48.PDF
FDLL4148
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7371 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
625+0.11 EUR
1163+0.061 EUR
1273+0.056 EUR
1701+0.042 EUR
2025+0.035 EUR
3013+0.024 EUR
3598+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL4448 1n914-d.pdf
FDLL4448
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1528 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
625+0.11 EUR
962+0.074 EUR
1064+0.067 EUR
1484+0.048 EUR
1528+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1032CZ fdma1032cz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.7/-3.1A
Power dissipation: 1.4W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68/95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4/7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
171+0.42 EUR
193+0.37 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA530PZ fdma530pz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMA530PZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
27+2.65 EUR
74+0.97 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6023PZT fdma6023pzt-d.pdf FAIRS29209-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDMA6023PZT Multi channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.33 EUR
95+0.76 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMC4435BZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.54 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF4D36B10D5E28&compId=FDMC7660.pdf?ci_sign=a3f8e3c0e8cc9f77dae828e356702cd2412e3b82
FDMC7660
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7692 fdmc7692-d.pdf
FDMC7692
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 29W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2948 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
90+0.8 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P fdmc86139p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMC86139P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.16 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2589 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
44+1.66 EUR
46+1.59 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664S fdms3664s-d.pdf
FDMS3664S
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
55+1.3 EUR
60+1.2 EUR
67+1.07 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZ FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf
FDMS4435BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.27 EUR
75+0.96 EUR
100+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333L fdms8333l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
90+0.8 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86163P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF788543BD1E28&compId=FDMS86163P.pdf?ci_sign=cf3787e1946a3c7f3117236d90a94ba8bc3e7e97
FDMS86163P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 59nC
On-state resistance: 36mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 104W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.56 EUR
27+2.75 EUR
30+2.45 EUR
100+2.12 EUR
250+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252L fdms86252l-d.pdf
FDMS86252L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2703 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.9 EUR
31+2.32 EUR
36+2.02 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.4 EUR
37+1.97 EUR
41+1.76 EUR
48+1.5 EUR
100+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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Hersteller: ONSEMI
FDN028N20 SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDN302P SMD P channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDN304P SMD P channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDN304PZ SMD P channel transistors
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223+0.32 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDN306P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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173+0.41 EUR
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323+0.22 EUR
368+0.19 EUR
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500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
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Hersteller: ONSEMI
FDN335N SMD N channel transistors
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323+0.22 EUR
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Hersteller: ONSEMI
FDN336P SMD P channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDN338P SMD P channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDN339AN SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDN340P SMD P channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDN352AP SMD P channel transistors
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FDN357N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1818 Stücke:
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215+0.33 EUR
241+0.3 EUR
253+0.28 EUR
280+0.26 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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Hersteller: ONSEMI
FDN358P SMD P channel transistors
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FDN359AN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE903C94EADA259&compId=FDN359AN.pdf?ci_sign=a80057f0f9f224c8fd968e6e92eb392f70c0472f
FDN359AN
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 7nC
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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149+0.48 EUR
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500+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
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FDN360P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED680C11C02328CF1BF&compId=FDN360P.pdf?ci_sign=65916941ad2fbf9bcb45a21d17f0bdfd64119574
FDN360P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2263 Stücke:
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Anzahl Preis
114+0.63 EUR
133+0.54 EUR
151+0.48 EUR
213+0.34 EUR
249+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537N fdn537n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN537N SMD N channel transistors
auf Bestellung 2533 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.02 EUR
168+0.43 EUR
178+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 fdn5630-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN5630 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
130+0.55 EUR
358+0.2 EUR
376+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 130
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FDN5632N-F085 fdn5632n-f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1120 Stücke:
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Anzahl Preis
73+0.99 EUR
172+0.42 EUR
182+0.39 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP038AN06A0 fdp038an06a0-d.pdf
FDP038AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.23 EUR
19+3.8 EUR
22+3.36 EUR
50+3.02 EUR
250+3 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP047AN08A0 fdh047an08a0-d.pdf
FDP047AN08A0
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
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Anzahl Preis
18+4.15 EUR
23+3.15 EUR
50+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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