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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDC6330L ONSEMI fdc6330l-d.pdf FDC6330L Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 2598 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
86+0.84 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6331L FDC6331L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C899B19A1EE6469&compId=FDC6331L.pdf?ci_sign=16b573b3bc53dc02e5be72a141eae117b8d5bf0a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Supply voltage: -8...8V DC
On-state resistance: 0.1Ω
Output current: 2.8A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Control voltage: -0.5...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Case: SuperSOT-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
107+0.67 EUR
119+0.6 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6333C FDC6333C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE20DC87FB3E28&compId=FDC6333C.pdf?ci_sign=d9aa1d00b0d0749eb8b25b38b8ba986528b35ddd Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
96+0.75 EUR
107+0.67 EUR
147+0.49 EUR
172+0.41 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634P ONSEMI fdc634p-d.pdf FDC634P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637AN ONSEMI fdc637an-d.pdf FDC637AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 2279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
137+0.52 EUR
145+0.49 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZ ONSEMI fdc637bnz-d.pdf FDC637BNZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZ FDC638APZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2EEEB21AFE28&compId=FDC638APZ.pdf?ci_sign=a34f74f506be412f57245585a89a9daaa27d7866 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
109+0.66 EUR
146+0.49 EUR
286+0.25 EUR
304+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638P FDC638P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE325627E07E28&compId=FDC638P.pdf?ci_sign=5f98fbb479d4a0ddac702ff34021f498553e81b2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
129+0.56 EUR
154+0.47 EUR
218+0.33 EUR
231+0.31 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401N FDC6401N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE354F79B31E28&compId=FDC6401N.pdf?ci_sign=84dd906e85d26837928b0e859cc9efee91c30a14 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
93+0.77 EUR
109+0.66 EUR
168+0.43 EUR
178+0.4 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640P FDC640P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE3841FF295E28&compId=FDC640P.pdf?ci_sign=e62acd6897641b8745afb63ed3ad2ad103632860 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BDE14171EF1A303005056AB0C4F&compId=FDC6420C.pdf?ci_sign=0b1fff9eb35fe20f857437623ac5b247e8f66ba8 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70/125mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 3/-2.2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20/-20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1713 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
96+0.75 EUR
124+0.58 EUR
184+0.39 EUR
195+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P ONSEMI fdc642p-d.pdf FDC642P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645N ONSEMI FDC645N-D.pdf FDC645N SMD N channel transistors
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
78+0.92 EUR
175+0.41 EUR
186+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653N ONSEMI fdc653n-d.pdf FDC653N SMD N channel transistors
auf Bestellung 1949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
126+0.57 EUR
175+0.41 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 126
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654P ONSEMI fdc654p-d.pdf FDC654P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN FDC655BN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE3E316A7C3E28&compId=FDC655BN.pdf?ci_sign=b5833f3c8e04fa6d82af627f894500800c353153 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1686 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
135+0.53 EUR
185+0.39 EUR
332+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561AN FDC6561AN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE415E2FED9E28&compId=FDC6561AN.pdf?ci_sign=31da6a276db3534f0b9f0a4f9e8b203a89a1c493 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.2nC
On-state resistance: 152mΩ
Power dissipation: 0.96W
Drain current: 2.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
93+0.78 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658AP FDC658AP ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3FC6627355EA&compId=FDC658AP.pdf?ci_sign=67e40d1a9236ccbd26c1eaa38a3cf102e25ea8a0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
111+0.64 EUR
150+0.48 EUR
232+0.31 EUR
246+0.29 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658P FDC658P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE496FB62DBE28&compId=FDC658P.pdf?ci_sign=466ec4213f6486879e0e409ee8e782f401901967 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2759 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
76+0.94 EUR
85+0.85 EUR
154+0.46 EUR
163+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC855N ONSEMI fdc855n-d.pdf FDC855N SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8601 ONSEMI fdc8601-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 183mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8602 ONSEMI fdc8602-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 5A; 960mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC86244 ONSEMI fdc86244-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.3A; Idm: 10A; 1.6W
Case: SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 273mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 2.3A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8878 ONSEMI fdc8878-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8886 ONSEMI fdc8886-d.pdf FAIR-S-A0002365754-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDC8886 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06A0 ONSEMI ONSM-S-A0003157815-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD10AN06A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.5 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10N20LZTM ONSEMI ONSM-S-A0003586474-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD10N20LZTM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0 ONSEMI fdd120an15a0-d.pdf FDD120AN15A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE557EF911FE28&compId=FDD13AN06A0.pdf?ci_sign=2b58636c22c4a3e8d858385b4b8d526546c519d4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2623 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
38+1.89 EUR
48+1.5 EUR
51+1.42 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0-F085 ONSEMI fdd13an06_f085-d.pdf FDD13AN06A0-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0-F085 ONSEMI fdd14an06l_f085-d.pdf FDD14AN06LA0-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD1600N10ALZ ONSEMI fdd1600n10alz-d.pdf FDD1600N10ALZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE583211559E28&compId=FDD16AN08A0.pdf?ci_sign=6b17b4c49d9b0b1d59b28ad2f189b105b41e2e3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.42 EUR
36+2.02 EUR
40+1.82 EUR
53+1.37 EUR
55+1.3 EUR
250+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD18N20LZ ONSEMI fdd18n20lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; Idm: 64A; 89W; DPAK3
Case: DPAK3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 89W
Pulsed drain current: 64A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572 FDD2572 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E081D963F93F1A303005056AB0C4F&compId=FDD2572.pdf?ci_sign=4de62bdfc984f3c4cdf77b8dfb8618eba2c573f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDD2582 ONSEMI fdd2582-d.pdf FDD2582 SMD N channel transistors
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FDD2670 ONSEMI fdd2670-d.pdf FDD2670 SMD N channel transistors
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FDD306P ONSEMI fdd306p-d.pdf FDD306P SMD P channel transistors
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FDD3670 ONSEMI fdd3670-d.pdf FDD3670 SMD N channel transistors
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FDD3672 FDD3672 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE60BFDFDD5E28&compId=FDD3672.pdf?ci_sign=2f119ab2145af13489fbc2210acb4aeb21f21821 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1554 Stücke:
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47+1.54 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3682 FDD3682 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE63F290121E28&compId=FDD3682.pdf?ci_sign=f4494522cbf664c8f46adae7b4930309e12b652e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3690 ONSEMI fdd3690-d.pdf FDD3690 SMD N channel transistors
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FDD3860 ONSEMI fdd3860-d.pdf FDD3860 SMD N channel transistors
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55+1.32 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD390N15A ONSEMI fdd390n15a-d.pdf FDD390N15A SMD N channel transistors
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FDD390N15ALZ ONSEMI fdd390n15alz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 104A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3N40TM ONSEMI FAIRS46517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD3N40TM SMD N channel transistors
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FDD3N50NZTM ONSEMI fdd3n50nz-d.pdf FDD3N50NZTM SMD N channel transistors
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FDD4141 FDD4141 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8944BB55062469&compId=FDD4141.pdf?ci_sign=e1022bcb30bc8c84476440b86751d8881d3057bf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
54+1.33 EUR
63+1.15 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
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FDD4243 FDD4243 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE6CB98F2EFE28&compId=FDD4243.pdf?ci_sign=81c6a5a0982d75ac86fda81d4817681cf9a40d14 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -14A; 42W; DPAK
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -14A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 624 Stücke:
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50+1.46 EUR
73+0.99 EUR
125+0.57 EUR
133+0.54 EUR
1000+0.52 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685 ONSEMI fdd4685-d.pdf FDD4685 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1545 Stücke:
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45+1.62 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353 FDD5353 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE71DF0E399E28&compId=FDD5353.pdf?ci_sign=77717e6ae21adee88e195bd3f5679c5b27f27fdc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 20.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1761 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
39+1.84 EUR
44+1.64 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5680 ONSEMI fdd5680-d.pdf FDD5680 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N50FTM-WS ONSEMI fdd5n50f-d.pdf FDD5N50FTM-WS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N50NZTM ONSEMI fdd5n50nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; Idm: 16A; 62W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
98+0.74 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2604 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.02 EUR
41+1.76 EUR
45+1.6 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670A ONSEMI FDD6670A-D.pdf 6eb98cb5d24ebe1d1ece7fc59f76ef36.pdf FDD6670A SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AS FDD6680AS ONSEMI FAIR-S-A0002365622-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 740844e1917523a3ed956180dbfccdf1.pdf fdd6680as-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 100A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685 ONSEMI FAIR-S-A0002365599-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 0fc61bbc6b400209eba76145944cf814.pdf FDD6685 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N20TM ONSEMI fdd6n20tm-d.pdf FDD6N20TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6330L fdc6330l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC6330L Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 2598 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
86+0.84 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6331L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C899B19A1EE6469&compId=FDC6331L.pdf?ci_sign=16b573b3bc53dc02e5be72a141eae117b8d5bf0a
FDC6331L
Hersteller: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Supply voltage: -8...8V DC
On-state resistance: 0.1Ω
Output current: 2.8A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Control voltage: -0.5...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Case: SuperSOT-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
107+0.67 EUR
119+0.6 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6333C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE20DC87FB3E28&compId=FDC6333C.pdf?ci_sign=d9aa1d00b0d0749eb8b25b38b8ba986528b35ddd
FDC6333C
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
96+0.75 EUR
107+0.67 EUR
147+0.49 EUR
172+0.41 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634P fdc634p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC634P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637AN fdc637an-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC637AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 2279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
137+0.52 EUR
145+0.49 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC637BNZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2EEEB21AFE28&compId=FDC638APZ.pdf?ci_sign=a34f74f506be412f57245585a89a9daaa27d7866
FDC638APZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
109+0.66 EUR
146+0.49 EUR
286+0.25 EUR
304+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE325627E07E28&compId=FDC638P.pdf?ci_sign=5f98fbb479d4a0ddac702ff34021f498553e81b2
FDC638P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
129+0.56 EUR
154+0.47 EUR
218+0.33 EUR
231+0.31 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE354F79B31E28&compId=FDC6401N.pdf?ci_sign=84dd906e85d26837928b0e859cc9efee91c30a14
FDC6401N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
93+0.77 EUR
109+0.66 EUR
168+0.43 EUR
178+0.4 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE3841FF295E28&compId=FDC640P.pdf?ci_sign=e62acd6897641b8745afb63ed3ad2ad103632860
FDC640P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BDE14171EF1A303005056AB0C4F&compId=FDC6420C.pdf?ci_sign=0b1fff9eb35fe20f857437623ac5b247e8f66ba8
FDC6420C
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70/125mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 3/-2.2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20/-20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1713 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
96+0.75 EUR
124+0.58 EUR
184+0.39 EUR
195+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P fdc642p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC642P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645N FDC645N-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC645N SMD N channel transistors
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
78+0.92 EUR
175+0.41 EUR
186+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653N fdc653n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC653N SMD N channel transistors
auf Bestellung 1949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
126+0.57 EUR
175+0.41 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654P fdc654p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC654P SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE3E316A7C3E28&compId=FDC655BN.pdf?ci_sign=b5833f3c8e04fa6d82af627f894500800c353153
FDC655BN
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1686 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
135+0.53 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561AN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE415E2FED9E28&compId=FDC6561AN.pdf?ci_sign=31da6a276db3534f0b9f0a4f9e8b203a89a1c493
FDC6561AN
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.2nC
On-state resistance: 152mΩ
Power dissipation: 0.96W
Drain current: 2.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
93+0.78 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658AP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3FC6627355EA&compId=FDC658AP.pdf?ci_sign=67e40d1a9236ccbd26c1eaa38a3cf102e25ea8a0
FDC658AP
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
111+0.64 EUR
150+0.48 EUR
232+0.31 EUR
246+0.29 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE496FB62DBE28&compId=FDC658P.pdf?ci_sign=466ec4213f6486879e0e409ee8e782f401901967
FDC658P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2759 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
76+0.94 EUR
85+0.85 EUR
154+0.46 EUR
163+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC855N fdc855n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC855N SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8601 fdc8601-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 183mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8602 fdc8602-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 5A; 960mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC86244 fdc86244-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.3A; Idm: 10A; 1.6W
Case: SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 273mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 2.3A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8878 fdc8878-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8886 fdc8886-d.pdf FAIR-S-A0002365754-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDC8886 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06A0 ONSM-S-A0003157815-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDD10AN06A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.5 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10N20LZTM ONSM-S-A0003586474-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDD10N20LZTM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0 fdd120an15a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD120AN15A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE557EF911FE28&compId=FDD13AN06A0.pdf?ci_sign=2b58636c22c4a3e8d858385b4b8d526546c519d4
FDD13AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2623 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
38+1.89 EUR
48+1.5 EUR
51+1.42 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0-F085 fdd13an06_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD13AN06A0-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0-F085 fdd14an06l_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD14AN06LA0-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD1600N10ALZ fdd1600n10alz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD1600N10ALZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE583211559E28&compId=FDD16AN08A0.pdf?ci_sign=6b17b4c49d9b0b1d59b28ad2f189b105b41e2e3f
FDD16AN08A0
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
36+2.02 EUR
40+1.82 EUR
53+1.37 EUR
55+1.3 EUR
250+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD18N20LZ fdd18n20lz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; Idm: 64A; 89W; DPAK3
Case: DPAK3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 89W
Pulsed drain current: 64A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E081D963F93F1A303005056AB0C4F&compId=FDD2572.pdf?ci_sign=4de62bdfc984f3c4cdf77b8dfb8618eba2c573f1
FDD2572
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.4 EUR
35+2.07 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582 fdd2582-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD2582 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2670 fdd2670-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD2670 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD306P fdd306p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD306P SMD P channel transistors
auf Bestellung 683 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
100+0.72 EUR
106+0.68 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670 fdd3670-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD3670 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE60BFDFDD5E28&compId=FDD3672.pdf?ci_sign=2f119ab2145af13489fbc2210acb4aeb21f21821
FDD3672
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.54 EUR
49+1.49 EUR
55+1.3 EUR
59+1.23 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3682 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE63F290121E28&compId=FDD3682.pdf?ci_sign=f4494522cbf664c8f46adae7b4930309e12b652e
FDD3682
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3690 fdd3690-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD3690 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3860 fdd3860-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD3860 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1814 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
78+0.93 EUR
82+0.88 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD390N15A fdd390n15a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD390N15A SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD390N15ALZ fdd390n15alz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 104A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3N40TM FAIRS46517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDD3N40TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3N50NZTM fdd3n50nz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD3N50NZTM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4141 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8944BB55062469&compId=FDD4141.pdf?ci_sign=e1022bcb30bc8c84476440b86751d8881d3057bf
FDD4141
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
54+1.33 EUR
63+1.15 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4243 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE6CB98F2EFE28&compId=FDD4243.pdf?ci_sign=81c6a5a0982d75ac86fda81d4817681cf9a40d14
FDD4243
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -14A; 42W; DPAK
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -14A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
73+0.99 EUR
125+0.57 EUR
133+0.54 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685 fdd4685-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD4685 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE71DF0E399E28&compId=FDD5353.pdf?ci_sign=77717e6ae21adee88e195bd3f5679c5b27f27fdc
FDD5353
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 20.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1761 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
39+1.84 EUR
44+1.64 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5680 fdd5680-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD5680 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N50FTM-WS fdd5n50f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD5N50FTM-WS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N50NZTM fdd5n50nz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; Idm: 16A; 62W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
98+0.74 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595
FDD6637
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2604 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.02 EUR
41+1.76 EUR
45+1.6 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670A FDD6670A-D.pdf 6eb98cb5d24ebe1d1ece7fc59f76ef36.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD6670A SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AS FAIR-S-A0002365622-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 740844e1917523a3ed956180dbfccdf1.pdf fdd6680as-d.pdf
FDD6680AS
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 100A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685 FAIR-S-A0002365599-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 0fc61bbc6b400209eba76145944cf814.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD6685 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N20TM fdd6n20tm-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD6N20TM SMD N channel transistors
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