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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDB28N30TM ONSEMI fdb28n30tm-d.pdf FDB28N30TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.73 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
800+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB33N25TM FDB33N25TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDFEF6AA19E28&compId=FDB33N25.pdf?ci_sign=d65b6cd613543e4b3c73aaeff4e0162488d4ffa4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 33A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 235W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 94mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.95 EUR
29+2.52 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
100+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3502 ONSEMI fdb3502-d.pdf FDB3502 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3632 FDB3632 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3652 ONSEMI fdp3652-d.pdf FDB3652 SMD N channel transistors
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.42 EUR
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3682 ONSEMI fdp3682-d.pdf FDB3682 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB38N30U ONSEMI fdb38n30u-d.pdf FDB38N30U SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB390N15A ONSEMI fdb390n15a-d.pdf FDB390N15A SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08037B3F4CF1A303005056AB0C4F&compId=FDB44N25.pdf?ci_sign=2c114e8f4e67ed17778bd3be0a4273c19c4c8b1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 307W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.23 EUR
24+3 EUR
37+1.97 EUR
39+1.87 EUR
100+1.8 EUR
250+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB52N20TM FDB52N20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDEA43EA443E28&compId=FDB52N20.pdf?ci_sign=d43ba8033692a45b011f90f2143d2d3cb4d93be8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.73 EUR
29+2.5 EUR
36+2 EUR
38+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB5800 ONSEMI fdb5800-d.pdf FDB5800 SMD N channel transistors
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.66 EUR
27+2.67 EUR
29+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8447L ONSEMI fdb8447l-d.pdf FDB8447L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86102LZ ONSEMI ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDB86102LZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86135 ONSEMI fdb86135-d.pdf FDB86135 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86563-F085 ONSEMI fdb86563_f085-d.pdf FDB86563_F085-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8896 ONSEMI FDB8896-D.pdf FDB8896 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0065N40 ONSEMI fdbl0065n40-d.pdf FDBL0065N40 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0090N40 ONSEMI fdbl0090n40-d.pdf FDBL0090N40 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0110N60 ONSEMI fdbl0110n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60 ONSEMI fdbl0150n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80 ONSEMI fdbl0150n80-d.pdf FDBL0150N80 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0200N100 ONSEMI fdbl0200n100-d.pdf FDBL0200N100 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0210N80 ONSEMI fdbl0210n80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0240N100 ONSEMI fdbl0240n100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 910A
Power dissipation: 300W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 ONSEMI fdbl0260n100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0330N80 ONSEMI fdbl0330n80-d.pdf FDBL0330N80 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0630N150 ONSEMI fdbl0630n150-d.pdf FDBL0630N150 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86062-F085 ONSEMI fdbl86062_f085-d.pdf FDBL86062-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86063 ONSEMI FDBL86063 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86063-F085 ONSEMI fdbl86063_f085-d.pdf FDBL86063-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085 ONSEMI fdbl86066-f085-d.pdf FDBL86066-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86210-F085 ONSEMI fdbl86210_f085-d.pdf FDBL86210-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86361-F085 ONSEMI fdbl86361_f085-d.pdf FDBL86361-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085 ONSEMI fdbl86363_f085-d.pdf FDBL86363-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86366-F085 ONSEMI fdbl86366_f085-d.pdf FDBL86366-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86561-F085 ONSEMI fdbl86561_f085-d.pdf FDBL86561-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86563-F085 ONSEMI fdbl86563_f085-d.pdf fdbl86563_f085 FDBL86563-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86566-F085 ONSEMI fdbl86566_f085-d.pdf FDBL86566-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL9401-F085T6 ONSEMI fdbl9401-f085t6-d.pdf FDBL9401-F085T6 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL9403-F085T6 ONSEMI fdbl9403-f085t6-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 79.8W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
Power dissipation: 79.8W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL9406-F085T6 ONSEMI fdbl9406-f085t6-d.pdf FDBL9406-F085T6 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC2612 FDC2612 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDF324D945BE28&compId=FDC2612.pdf?ci_sign=b08958927efbbe59602a02ad513f2cee528da82d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 1.43Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Case: SuperSOT-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
98+0.73 EUR
160+0.45 EUR
169+0.42 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3512 ONSEMI fdc3512-d.pdf FDC3512 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3601N ONSEMI fdc3601n-d.pdf FDC3601N Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 FDC3612 ONSEMI fdc3612-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
132+0.54 EUR
194+0.37 EUR
205+0.35 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P FDC5614P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A48AEDAD788F0A50&compId=FDC5614P-DTE.pdf?ci_sign=15f5eeeaa1d3b2143fa6d597203868db13d69957 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 24nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
97+0.74 EUR
108+0.66 EUR
154+0.47 EUR
248+0.29 EUR
262+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N ONSEMI fdc5661n-d.pdf FDC5661N SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N-F085 ONSEMI fdc5661n_f085-d.pdf FDC5661N-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC602P FDC602P ONSEMI fdc602p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Drain current: -5.5A
On-state resistance: 53mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.92 EUR
114+0.63 EUR
192+0.37 EUR
203+0.35 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC604P ONSEMI fdc604p-d.pdf FDC604P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
234+0.31 EUR
247+0.29 EUR
9000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC606P FDC606P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE01DA73A85E28&compId=FDC606P.pdf?ci_sign=b87d637f82a96baf8d2b47514ba3900a34ec204c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Drain current: -6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 53mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
92+0.78 EUR
100+0.72 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
127+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZ ONSEMI fdc608pz-d.pdf FDC608PZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 3017 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
237+0.3 EUR
250+0.29 EUR
1500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZ FDC610PZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE095835B0BE28&compId=FDC610PZ.pdf?ci_sign=bc8458006aa7d1578219a992334348fefe69bb64 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
127+0.57 EUR
241+0.3 EUR
254+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301N FDC6301N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Drain current: 0.22A
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Power dissipation: 0.9W
On-state resistance: 9Ω
Drain-source voltage: 25V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1701 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
162+0.44 EUR
219+0.33 EUR
417+0.17 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N ONSEMI fdc6303n-d.pdf FDC6303N Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305N FDC6305N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F3FE42C8AD3D1&compId=FDC6305N.pdf?ci_sign=7b4d48780218f6e017ecb15434c5d13b43001bc6 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 128mΩ
Drain current: 2.7A
Gate charge: 5nC
Gate-source voltage: ±8V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
108+0.67 EUR
205+0.35 EUR
216+0.33 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310P FDC6310P ONSEMI fdc6310p-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
On-state resistance: 184mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312P FDC6312P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA6CE076307F8C0D6&compId=FDC6312P.pdf?ci_sign=78cbede079d4c88da755b2e5f479289ce8b7bdb4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
94+0.76 EUR
102+0.7 EUR
105+0.69 EUR
106+0.67 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6318P FDC6318P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1562AE24DE28&compId=FDC6318P.pdf?ci_sign=ae34da262379e255b90d211623f7773f26431455 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
94+0.77 EUR
108+0.66 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6320C ONSEMI FAIRS15832-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDC6320C Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM fdb28n30tm-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB28N30TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.73 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
800+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB33N25TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDFEF6AA19E28&compId=FDB33N25.pdf?ci_sign=d65b6cd613543e4b3c73aaeff4e0162488d4ffa4
FDB33N25TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 33A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 235W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 94mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
29+2.52 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
100+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3502 fdb3502-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB3502 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3632 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657
FDB3632
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3652 fdp3652-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB3652 SMD N channel transistors
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3682 fdp3682-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB3682 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB38N30U fdb38n30u-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB38N30U SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB390N15A fdb390n15a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB390N15A SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB44N25TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08037B3F4CF1A303005056AB0C4F&compId=FDB44N25.pdf?ci_sign=2c114e8f4e67ed17778bd3be0a4273c19c4c8b1a
FDB44N25TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 307W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
24+3 EUR
37+1.97 EUR
39+1.87 EUR
100+1.8 EUR
250+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB52N20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDEA43EA443E28&compId=FDB52N20.pdf?ci_sign=d43ba8033692a45b011f90f2143d2d3cb4d93be8
FDB52N20TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.73 EUR
29+2.5 EUR
36+2 EUR
38+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB5800 fdb5800-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB5800 SMD N channel transistors
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.66 EUR
27+2.67 EUR
29+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8447L fdb8447l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB8447L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86102LZ ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDB86102LZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86135 fdb86135-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB86135 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86563-F085 fdb86563_f085-d.pdf FDB86563_F085-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8896 FDB8896-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB8896 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0065N40 fdbl0065n40-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0065N40 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0090N40 fdbl0090n40-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0090N40 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0110N60 fdbl0110n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60 fdbl0150n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80 fdbl0150n80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0150N80 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0200N100 fdbl0200n100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0200N100 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0210N80 fdbl0210n80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0240N100 fdbl0240n100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 910A
Power dissipation: 300W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 fdbl0260n100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0330N80 fdbl0330n80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0330N80 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0630N150 fdbl0630n150-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0630N150 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86062-F085 fdbl86062_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL86062-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86063
Hersteller: ONSEMI
FDBL86063 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86063-F085 fdbl86063_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL86063-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL86066-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86210-F085 fdbl86210_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL86210-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86361-F085 fdbl86361_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL86361-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085 fdbl86363_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL86363-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86366-F085 fdbl86366_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL86366-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86561-F085 fdbl86561_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL86561-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86563-F085 fdbl86563_f085-d.pdf fdbl86563_f085
Hersteller: ONSEMI
FDBL86563-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86566-F085 fdbl86566_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL86566-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL9401-F085T6 fdbl9401-f085t6-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL9401-F085T6 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL9403-F085T6 fdbl9403-f085t6-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 79.8W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
Power dissipation: 79.8W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL9406-F085T6 fdbl9406-f085t6-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL9406-F085T6 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC2612 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDF324D945BE28&compId=FDC2612.pdf?ci_sign=b08958927efbbe59602a02ad513f2cee528da82d
FDC2612
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 1.43Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Case: SuperSOT-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
98+0.73 EUR
160+0.45 EUR
169+0.42 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3512 fdc3512-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC3512 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC3601N Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 fdc3612-d.pdf
FDC3612
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
132+0.54 EUR
194+0.37 EUR
205+0.35 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A48AEDAD788F0A50&compId=FDC5614P-DTE.pdf?ci_sign=15f5eeeaa1d3b2143fa6d597203868db13d69957
FDC5614P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 24nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
97+0.74 EUR
108+0.66 EUR
154+0.47 EUR
248+0.29 EUR
262+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N fdc5661n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC5661N SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N-F085 fdc5661n_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC5661N-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC602P fdc602p-d.pdf
FDC602P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Drain current: -5.5A
On-state resistance: 53mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.92 EUR
114+0.63 EUR
192+0.37 EUR
203+0.35 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC604P fdc604p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC604P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
234+0.31 EUR
247+0.29 EUR
9000+0.28 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC606P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE01DA73A85E28&compId=FDC606P.pdf?ci_sign=b87d637f82a96baf8d2b47514ba3900a34ec204c
FDC606P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Drain current: -6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 53mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
92+0.78 EUR
100+0.72 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
127+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC608PZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 3017 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
237+0.3 EUR
250+0.29 EUR
1500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE095835B0BE28&compId=FDC610PZ.pdf?ci_sign=bc8458006aa7d1578219a992334348fefe69bb64
FDC610PZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1062 Stücke:
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Anzahl Preis
105+0.69 EUR
127+0.57 EUR
241+0.3 EUR
254+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28
FDC6301N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Drain current: 0.22A
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Power dissipation: 0.9W
On-state resistance: 9Ω
Drain-source voltage: 25V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1701 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
162+0.44 EUR
219+0.33 EUR
417+0.17 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N fdc6303n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC6303N Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F3FE42C8AD3D1&compId=FDC6305N.pdf?ci_sign=7b4d48780218f6e017ecb15434c5d13b43001bc6
FDC6305N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 128mΩ
Drain current: 2.7A
Gate charge: 5nC
Gate-source voltage: ±8V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
108+0.67 EUR
205+0.35 EUR
216+0.33 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310P fdc6310p-d.pdf
FDC6310P
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
On-state resistance: 184mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA6CE076307F8C0D6&compId=FDC6312P.pdf?ci_sign=78cbede079d4c88da755b2e5f479289ce8b7bdb4
FDC6312P
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
94+0.76 EUR
102+0.7 EUR
105+0.69 EUR
106+0.67 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6318P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1562AE24DE28&compId=FDC6318P.pdf?ci_sign=ae34da262379e255b90d211623f7773f26431455
FDC6318P
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
94+0.77 EUR
108+0.66 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6320C FAIRS15832-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDC6320C Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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