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FGAF40N60UFDTU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC94EA732797BEA0CE&compId=FGAF40N60UFD.pdf?ci_sign=da65e30aed0b2d6dbd164eba13db74250abcad66 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFTU ONSEMI fgaf40n60uf-d.pdf FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB20N60SFD-F085 ONSEMI fgb20n60s_f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 83W; D2PAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 63nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB3040G2-F085 ONSEMI fgi3040g2_f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; TO263AB
Case: TO263AB
Collector-emitter voltage: 400V
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector current: 25.6A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.42 EUR
25+2.97 EUR
26+2.80 EUR
250+2.77 EUR
500+2.70 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB3040G2-F085C ONSEMI fgx3040g2-f085c-d.pdf FGB3040G2-F085C SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB3245G2-F085 ONSEMI fgd3245g2-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 27A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 27A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 ONSEMI fgb40t65spd-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.78 EUR
18+4.18 EUR
19+3.96 EUR
100+3.88 EUR
250+3.80 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB7N60UNDF ONSEMI fgb7n60undf-d.pdf FAIRS45703-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FGB7N60UNDF-ONS SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD2736G3-F085V ONSEMI FGD2736G3-F085V SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3040G2-F085 ONSEMI fgi3040g2_f085-d.pdf FGD3040G2-F085 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3040G2-F085C ONSEMI fgx3040g2-f085c-d.pdf FGD3040G2-F085C SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3040G2-F085V ONSEMI fgd3040g2-f085v-d.pdf FGD3040G2-F085V SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3050G2 ONSEMI fgd3050g2-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 500V; 27A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 27A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3245G2-F085 FGD3245G2-F085 ONSEMI fgd3245g2-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2426 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.45 EUR
39+1.87 EUR
41+1.76 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.70 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3245G2-F085C ONSEMI fgd3245g2-f085c-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3440G2-F085 ONSEMI FG%28B%2CD%2CP%293440G2_F085.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25A; 166W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25A
Power dissipation: 166W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD5T120SH FGD5T120SH ONSEMI fgd5t120sh-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.93 EUR
39+1.87 EUR
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDA6C5122C259&compId=FGH40N60SFD.pdf?ci_sign=2c0d510a78f53d439b7ac465468ba47d6ff90201 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.41 EUR
12+6.36 EUR
17+4.42 EUR
18+4.19 EUR
150+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDC408D444259&compId=FGH40N60SMD.pdf?ci_sign=0ebfad5f1d5a27cf5691c0f6edf47b158174848d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD-F085 ONSEMI fgh40n60smd_f085-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE02DE17B4259&compId=FGH40N60UFD.pdf?ci_sign=e2e7f4c0d5faa7c11d312a18c4f8466a13707ecb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.09 EUR
17+4.26 EUR
18+4.03 EUR
120+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 277W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.46 EUR
9+8.37 EUR
30+8.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 277W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.86 EUR
5+14.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SQDNL4 ONSEMI fgh40t120sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 221nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SHD-F155 ONSEMI fgh40t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72.2nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SHDF-F155 ONSEMI fgh40t65shdf-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SQD-F155 ONSEMI fgh40t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120LQD ONSEMI fgh4l40t120lqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N3 ONSEMI fgh50n3-d.pdf FGH50N3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD-F155 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABDE8E38F8A3D20C7&compId=FGH50T65SQD.PDF?ci_sign=9c76ec61398a9511a29f574be1e20596aa23ce7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.05 EUR
12+6.35 EUR
15+4.86 EUR
16+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65UPD ONSEMI fgh50t65upd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Kind of package: tube
Gate charge: 230nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 150A
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE52F29614259&compId=FGH60N60SMD.pdf?ci_sign=73678e57102c9e2bfc1e9601ead203ab1071a368 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.22 EUR
14+5.31 EUR
15+5.02 EUR
120+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SHD-F155 ONSEMI fgh60t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SQD-F155 ONSEMI fgh60t65sqd-f155-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SHD-F155 ONSEMI fgh75t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SHDT-F155 ONSEMI fgh75t65shdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SHDTL4 ONSEMI fgh75t65shdtl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQD-F155 ONSEMI fgh75t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQDNL4 ONSEMI fgh75t65sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQDT-F155 ONSEMI fgh75t65sqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD ONSEMI fgh75t65upd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD-F085 ONSEMI FGH75T65UP_F085-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120RWD ONSEMI fghl40t120rwd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120SWD ONSEMI fghl40t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQD ONSEMI fghl40t65mqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDT ONSEMI fghl40t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65LQDT ONSEMI fghl50t65lqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Kind of package: tube
Gate charge: 509nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQD ONSEMI FGHL50T65MQD-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Gate charge: 94nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDT ONSEMI fghl50t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQDT ONSEMI fghl50t65sqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Gate charge: 99.7nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL60T120RWD ONSEMI fghl60t120rwd-d.pdf FGHL60T120RWD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65LQDT ONSEMI fghl75t65lqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQD ONSEMI fghl75t65mqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQDT ONSEMI fghl75t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGP3440G2-F085 ONSEMI fgb3440g2_f085-d.pdf FGP3440G2-F085 THT IGBT transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY100T120RWD ONSEMI fgy100t120rwd-d.pdf FGY100T120RWD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY100T120SWD ONSEMI FGY100T120SWD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY100T65SCDT ONSEMI fgy100t65scdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
Gate charge: 157nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY120T65SPD-F085 ONSEMI fgy120t65spd-f085-d.pdf FGY120T65SPD-F085 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY140T120SWD ONSEMI fgy140t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFDTU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC94EA732797BEA0CE&compId=FGAF40N60UFD.pdf?ci_sign=da65e30aed0b2d6dbd164eba13db74250abcad66
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFTU fgaf40n60uf-d.pdf FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 83W; D2PAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 63nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB3040G2-F085 fgi3040g2_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; TO263AB
Case: TO263AB
Collector-emitter voltage: 400V
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector current: 25.6A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.42 EUR
25+2.97 EUR
26+2.80 EUR
250+2.77 EUR
500+2.70 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB3040G2-F085C fgx3040g2-f085c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGB3040G2-F085C SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB3245G2-F085 fgd3245g2-f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 27A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 27A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB40T65SPD-F085 fgb40t65spd-f085-d.pdf
FGB40T65SPD-F085
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.78 EUR
18+4.18 EUR
19+3.96 EUR
100+3.88 EUR
250+3.80 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB7N60UNDF fgb7n60undf-d.pdf FAIRS45703-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FGB7N60UNDF-ONS SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD2736G3-F085V
Hersteller: ONSEMI
FGD2736G3-F085V SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3040G2-F085 fgi3040g2_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGD3040G2-F085 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3040G2-F085C fgx3040g2-f085c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGD3040G2-F085C SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3040G2-F085V fgd3040g2-f085v-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGD3040G2-F085V SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3050G2 fgd3050g2-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 500V; 27A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 27A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3245G2-F085 fgd3245g2-f085-d.pdf
FGD3245G2-F085
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2426 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.45 EUR
39+1.87 EUR
41+1.76 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.70 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3245G2-F085C fgd3245g2-f085c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3440G2-F085 FG%28B%2CD%2CP%293440G2_F085.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25A; 166W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25A
Power dissipation: 166W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD5T120SH fgd5t120sh-d.pdf
FGD5T120SH
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.93 EUR
39+1.87 EUR
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDA6C5122C259&compId=FGH40N60SFD.pdf?ci_sign=2c0d510a78f53d439b7ac465468ba47d6ff90201
FGH40N60SFDTU
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.41 EUR
12+6.36 EUR
17+4.42 EUR
18+4.19 EUR
150+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDC408D444259&compId=FGH40N60SMD.pdf?ci_sign=0ebfad5f1d5a27cf5691c0f6edf47b158174848d
FGH40N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60smd_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE02DE17B4259&compId=FGH40N60UFD.pdf?ci_sign=e2e7f4c0d5faa7c11d312a18c4f8466a13707ecb
FGH40N60UFDTU
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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17+4.26 EUR
18+4.03 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab
FGH40T120SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 277W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.46 EUR
9+8.37 EUR
30+8.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMD-F155 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab
FGH40T120SMD-F155
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 277W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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Anzahl Preis
4+21.86 EUR
5+14.46 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SQDNL4 fgh40t120sqdnl4-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 221nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SHD-F155 fgh40t65shd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72.2nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SHDF-F155 fgh40t65shdf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SQD-F155 fgh40t65sqd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120LQD fgh4l40t120lqd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N3 fgh50n3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGH50N3 THT IGBT transistors
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FGH50T65SQD-F155 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABDE8E38F8A3D20C7&compId=FGH50T65SQD.PDF?ci_sign=9c76ec61398a9511a29f574be1e20596aa23ce7b
FGH50T65SQD-F155
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
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auf Bestellung 83 Stücke:
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11+7.05 EUR
12+6.35 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65UPD fgh50t65upd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Kind of package: tube
Gate charge: 230nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 150A
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE52F29614259&compId=FGH60N60SMD.pdf?ci_sign=73678e57102c9e2bfc1e9601ead203ab1071a368
FGH60N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.22 EUR
14+5.31 EUR
15+5.02 EUR
120+4.83 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SHD-F155 fgh60t65shd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SQD-F155 fgh60t65sqd-f155-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SHD-F155 fgh75t65shd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SHDT-F155 fgh75t65shdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SHDTL4 fgh75t65shdtl4-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQD-F155 fgh75t65sqd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQDNL4 fgh75t65sqdnl4-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQDT-F155 fgh75t65sqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD fgh75t65upd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD-F085 FGH75T65UP_F085-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120RWD fghl40t120rwd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120SWD fghl40t120swd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQD fghl40t65mqd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDT fghl40t65mqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65LQDT fghl50t65lqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Kind of package: tube
Gate charge: 509nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQD FGHL50T65MQD-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Gate charge: 94nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDT fghl50t65mqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQDT fghl50t65sqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Gate charge: 99.7nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL60T120RWD fghl60t120rwd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGHL60T120RWD THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65LQDT fghl75t65lqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQD fghl75t65mqd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQDT fghl75t65mqdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGP3440G2-F085 fgb3440g2_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGP3440G2-F085 THT IGBT transistors
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Hersteller: ONSEMI
FGY100T120RWD THT IGBT transistors
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FGY100T120SWD
Hersteller: ONSEMI
FGY100T120SWD THT IGBT transistors
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FGY100T65SCDT fgy100t65scdt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
Gate charge: 157nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGY120T65SPD-F085 fgy120t65spd-f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FGY120T65SPD-F085 THT IGBT transistors
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FGY140T120SWD fgy140t120swd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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